Transcript PowerPoint 프레젠테이션

LED와 LD에 대하여
한밭대학교 신소재공학과
이종원교수
2013. 12. 23
1
광전소자 (Optoelectronic Devices)
* 정의 : 광학(optics) + 전자공학(electronics) 의 합성어로
빛과 전자에 의한 여러 가지 기능을 갖는
반도체소자
* 주요 산업 : 디스플레이, 광정보처리, 광통신,
엔터테인먼트, 컴퓨팅, 건강관리, 운송 등
* 구성 & 부품 : LED, LD, 태양전지, 광섬유, optical discs,
image sensors, photodetectors 등
2
반도체 소자의 분류
반도체
유기물반도체
단원소반도체(Si, Ge)
전자소자
수광소자
화합물반도체(GaAs, InP, GaN)
발광소자 수광소자
전자소자
• HEMT
• PD
• DRAM
• PD
• LED
• HBT
• Solar Cell
• SRAM
• Solar Cell • LD
• MMIC
• ASIC
• FET
• Microprocessor
• Flash
광전소자
반도체광원
OLED
• DSP
3
진성반도체, N형 및 P형 불순물반도체
+4
+4
+4
+4
+4
+4
정공(h+)
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
진성반도체
+4
+3
+4
+4
+5
+4
전자(e-)
+4
+4
정공(h+)
+4
+4
전자(e-)
+4
P형 반도체
(Positive 운반자)
+4
+4
+5
N형 반도체
(Negative 운반자)
4
발광 다이오드 LED
(Light Emitting Diode)
5
LED (Light Emitting Diode)
Red
Green
Blue
White
Light Emitting Diode (발광 다이오드)란 다수 캐리어가 전자인
n-type 반도체 결정과, 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이
서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 화합물
반도체의 특성을 이용해 전기신호를 원하는 파장 대역을(적외선가시광선-자외선) 갖는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는데
사용된다.
6
LED 의 구동 원리
QW
활성층
e-
P
Ev
전기에너지
e-e-e빛에너지 (g)
h+h+ h+
h+
Hetero Junction
LED 칩
+
Ec
P
QW
N
N
Vc
-
c
R
I
F
LED(Light-Emitting Diode)는 순방향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정
공(hole)이 결합 하면서 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)
의 높이차이(에너지 갭)에 해당하는 만큼의 에너지를 발산 하는데, 이 에너
지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산 되면 LED가 되
는것
7
LED의 정의 및 LED의 특성
LED (발광 다이오드)란?
Diode : 정류작용
순전압 인가 ⇒ 전류 주입 ⇒ 전자–전공 재결합 ⇒ 빛
LED의 특성
1. 반도체로 된 고체소자
2. 전구 등 열변환 발광소자에 비해 안정적, 신뢰성, 수명 10만
시간 이상
3. 구동전압 수V, 전류 수십mA
4. Chip 형태, 크기 수백 mm각
5. 단색에 가깝다. 즉 발광스펙트럼이 좁다.
⇒ 재료에 따라 적, 오렌지, 황, 녹, 청색 등 다양한 파장
8
반도체광원(LED)에 사용되는 원소
Al
Ga
In
N
Si
P
As
• 현재 상용화된 LED 재료는 모두 화합물반도체
• 대부분 III-V족, III-III-V족, III-III-III-V족 또는 III-III-V-V족 결합
적색 LED : AlGaAs, InGaAlP
녹색 LED : InGaN
청색 LED : InGaN
UV LED : GaN, InAlGaN
IR LED : GaAs, InGaAs, InGaAsN
9
LED와 다른 광원의 비교
• LED램프는 다른 광원에
비해서 여러가지로 장점을
많이 지니고 있다.
• 향후 조명 분야의 기술 혁
명은 경제성을 갖춘 LED
기술의 출현을 고대하고
있다.
• 경제성을 문제로 아직 많
이 사용되고 있지는 않지
만, 세계의 조명들이 LED
램프로 교체 된다면 에너
지문제와 환경문제를 해결
할수 있을것으로 보고있다.
10
LED 의 기술 사회적 측면
11
LED의 발전상황
12
LED 재료 및 여러가지 특성
반도체재료
결정구조
에너지띠
구조
금지띠폭
[eV] (300K)
격자상수[Å]
Si
Diamond
간 접
1.12
5.43
Ge
Diamond
간 접
0.66
5.66
AlP
Zinc Blande
간 접
2.45
5.46
GaP
Zinc Blande
간 접
2.24
5.45
InP
Zinc Blande
직 접
1.35
4.87
AlAs
Zinc Blande
간 접
2.13
5.66
GaAs
Zinc Blande
직 접
1.43
5.65
GaN
Wurztite
직 접
3.39
a=3.18,
b=5.16
ZnSe
Zinc Blande
직 접
2.67
5.67
SiC (a)
Hexagonal
간 접
2.86
a=3.08,
b=15.12
13
에너지밴드구조와 파장-광자에너지의 관계
에너지밴드 구조
직접 천이형 ⇒ 광전소자용
간접 천이형
등전자 트랩형(isoelectronic trap)
직접천이형반도체 :
전자-전공 재결합 전후의 에너지와 운동량이 보존됨
파장과 광자에너지의 관계
 = c / n = hc / h n = hc / Eph = 1240 / Eph
 (nm) = 1240 / Eg (eV)
14
LED 재료
Energy Gap (eV)
6.0
5.0
AlN
GaN
GaN(cubic)
InN
InxGa1-xN 계 : ＞364 nm
Sapphire -UV∼Blue∼Green(525nm)
3.0
4.0
MgSe
ZnS
AlP
GaP
SiC
2.0
1.0
MgS
AlxGa1-xN 계 : ＜ 364 nm
4.0
3.0
Direct bandgap
Indirect bandgap
GaAs
5.0
Si
ZnSe
AlAs
InP
Ge
6.0
CdSe
Lattice Constant (Å)
15
상업용 LED들의 Spectrum
16
LED의 구조 – 예: Blue LED
p-electrode
p-GaN
InGaN MQW
Blue LED
n-electrode
InGaN
n-GaN
GaN buffer layer
(0001) Sapphire substrate
MQW (Multiple Quantum Well)
Full color large-scale flat panel display
17
전류 주입과 발광
순방향 전류 주입 ⇒ 에너지 장벽 낮아짐
전자 ⇒ p형 영역으로 확산
전공 ⇒ n형 영역으로 확산
소수 carrier와 다수 carrier의 재결합 ⇒ 빛 방출
전도대
전자 주입
전자 확산 전위 V
d
금지대
Eg
Fermi level
빛
Vd - V
V 인가 전압
빛
정공
가전자대
P
재
결
합
전공 주입
공핍층
N
(a) 전압 인가 전
▲ 발광다이오드를 만들기 위한 세가지 조건
① 직접형(direct) 반도체
② 1.77 eV < Eg <3.10 eV (대역간 에너지)
③ PN접합다이오드의 형성이 쉬울 것
P
N
(b) 전압 인가 후
방출된 에너지가 광자의 형태로
다이오드를 빠져 나온다 ⇒ 발광
18
LED의 프로세스 기술
Fabricated Wafer
Chip Component
Wafer Incoming
Die Bonding
Die Attach
Electrical Test
Wire Bonding
Molding
Wire connection
EMC Encapsulation
Post Mold Cure
Sawing
EVI
Tape & Reel
QC Gate
Package
Singulation
Shipping
External Visual
Inspection
19
LED의 종류와 특성
GaP:ZnO 적색 LED
isoelectronic trap에 의한 발광
옥내용 각종 기기에 이용
GaP:N 녹색 LED
N을 isoelectronic trap으로 첨가 : 피크 파장 565nm (약간 황색)
옥외용 디스플레이로 응용
N 미 첨가 : 피크 파장 555nm (순녹색)
GaAsP계 적색 LED
GaAs1-xPx : 적외선 (x=0) ∼ 녹색 (x=1)
GaAs0.45P0.55 : 피크 파장 650nm
20
LED의 종류와 특성
GaAs계 등황색·황색 LED
GaAs1-xPx 조성비를 적색 LED보다 크게 : 단파장화
N을 isoelectronic trap으로 첨가 : 발광효율 향상
GaAlAs계 적색 LED
Ga1-xAlxAs : 피크 파장 660nm
조성 변화 : 640nm ∼ 900nm
옥외용 표시소자로 응용 확대
InGaAlP계 등황색·황색 LED
직접 천이형 구조 : 휘도 향상
In0.5 (Ga1-xAlx)0.5P : 660nm ∼ 555nm 고발광효율
21
LED의 종류와 특성
GaN계 청색 LED
직접천이형 : 발광효율 유리
단점 : 대형기판 결정 제작 곤란, p형 결정 곤란
SiC 청색 LED
p형 결정 용이
발광효율 향상 필요
II-VI족 청색 LED
직접 천이형 : ZnSe (Eg = 2.7eV), ZnS (Eg = 3.7eV)
22
LED의 종류와 특성
Full Color LED
Hybrid 형 : R, G, B LED 조합
적외 LED
GaAs + Si (兩性 불순물)
LPE 성장조건에 따라 Ga 또는 As 원자와의 치환위치 제어
p-n 접합 형성
acceptor-전도 띠 간의 천이
발광 효율 높다(약20%), 응답속도 느리다.
용도 : 포토 커플러, 포토 아이솔레이터 등의 복합 광소자 등
23
LED의 응용분야
• Visible (가시광선파장) : 주로 Display용
• Ultra-Violet (자외선파장) : 다양한 여기광원용
• Infrared (적외선파장) : 기계간의 정보전달용 소자로 사용
가전제품이나 각종 기계의 표시용소자, 차의 조명이나 내부의 기기,
전광판, 교통신호, 휴대폰의 backlight, 백색조명($40B), 프린터,
복사기, 광메모리, 공통신용 광원 등에 다양하게 사용될 것으로 기대.
24
LED 디스플레이의 응용 - 실내표시용
25
LED 디스플레이의 응용 – 전자제품 및 실외디스플레이응용
Mobile Phone
Full Color LED Display
Digital Still Camera
LCD Backlights
Traffic Signals
http://www.nichia.co.jp/
26
LED 디스플레이의 응용 – 자동차용 LED
Position light
Fog lamp
27
LED 디스플레이의 응용 – LED Backlight
Back-lighting by LED (Lumileds)
Back-lighting by CCFL
• RGB 보상회로에 의한 높은 연색성 유지 (자
연색 연출)
• 친환경 제품 (무수은 광원)
• No blurring (빠른 응답속도)
• No color filter
• High contrast ratio
28
LED 디스플레이의 응용 – LED Backlight
29
LED 디스플레이의 응용 – 조명(Illumination)
• 좋은 색 순도에 의한 깔끔한 조명미관
• 수명이 길어서 유지보수가 힘든 극한지역에 적합 (도
로, 터널, 교량, 산악)
• 인간의 심리와 어우러진 조명 연출 가능 (의료조명에
적합)
30
LED 원가 분석 및 핵심소재 산업 동향
그림1. LED Package의 주요 소재
그림2. 3528 SMD 패키지의 원가 구조
http://www.displaybank.com/new2004/research/report_show.php?id=592
31
LED 시장예측
32
전세계적 영역별 LED 수요 (US$)
(Source : LED Industry Outlook (2007~2013)
33
세계 각국의 LED 조명 지원 현황
조명의 30%를 LED로 대체해 연간 580억KWh 절약하는
중국 LED 프로젝트 추진!
호주 2010~2012년까지 백열전구 판매 중지법안 추진!
유럽 2012년 8월부터 LED로 차량용 낮라이트 의무화!
미국 2020년까지 조명의 50%를 LED로 보급!
한국 2012년까지 LED 조명 비중을 30%로 향상!
34
국내 LED시장 규모 전망
▶LED 산업 매년 평균 45% 고성장 예상
- 2013년 정부 13조 투자
▶ LED 시장전망
- LED 성장성  2008 ~ 2011년 사이 성장 Peak
35
레이저다이오드 LD
(Laser Diode)
36
LED와 LD의 개념 및 차이점
* LED : p-n 접합에 전류를 주입해서 carrier의 재결합
광 방출 (자연방출)
* LD (laser diode) : 도파로와 공진기를 설치하여 방출된
빛의 일부를 반사시키고, 동시에 유도방출을 이용
해 빛의 강도를 높이는 광발진기
고출력 광 방출 (유도방출)
37
Laser Diode(LD)의 개요
N형의
반도체
P형의
반도체
PN접합
PN 접합
순방향
전류주입
전자 정공
결합
빛 증폭
(유도방출)
CHIP 단면
반사
빛 발생
레이저
발진 가능
38
레이저의 특징
a)단색성
39
레이저의 특징
b)지향성
c)간섭성
d) 에너지 집중도 및 고휘도성
40
Laser의 특징
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation) - 유도 방출 과정에 의한 빛의 증폭
■ 레이저의 특징
♦ 단색성
여러 가지 빛이 혼합되어 있지 않고 어느 정도의 순수한
단일광인가를 나타내는 것.
41
Laser의 특징
♦ 지향성
빛이 퍼지지 않고 일정한
방향으로 어느 정도 직진
하는가를 말하는 것.
♦ 간섭성
간섭이란 위상의 차이에
따라 명암의 무늬가
나타나는 현상.
♦ 에너지 집중도 및 고휘도성(Brightness)
태양 빛을 렌즈에 집중시키면 종이나 나무를 태울 수
있는 정도이지만, 레이저 빛의 경우에는 에너지 밀도가
높기 때문에 철판까지도 태울 수 있다.
42
Laser Diode 특징
소형이며
경량
고휘도
Laser
diode
특징
저소비
전력
온도에
따른
발진파장
변화
43
Application (제품군)
44
레이저의 기본구성
◇ 발광하는 원자나 분자가 포함된 물질
◇ 레이저매질 (원자나 분자)에 발광을 발생시키는
여기매체 (pumping source)
◇ 발광한 빛의 주파수를 선택하기 위한 광공진기
(optical resonator) : 증폭작용
(3)
광
공
진
기
(2) 반전분포를 달성시키는
여기매체
(1) 빛이 발광하는 활성물질을
포함한 레이저매질
(4) 전원
(3)
광
공
진
기
Laser장치의 구성도
45
레이저매질과 여기매체
가) 레이저 매질
▷ 기체 (He-Ne, Ar, N2, CO2, He-Cd 등)
▷ 액체 (각종 색소)
▷ 고체 (Nd:YAG, Nd:YAF, Nd:Glass, Ruby, Sapphire,
Alexandrite 등)
▷ 반도체 (GaAs, InP, GaAs-P, InAs 등) ⇒ LED, LD
나) 여기 매체
▷ 방전 (discharge) : 기체 레이저
▷ 전류 (current): 반도체 레이저 ⇒ LED, LD
▷ 빛 에너지 (flash lamp): 고체 레이저
▷ 화학반응: 화학 레이저
▷ 기타: 색소 레이저, F-center 레이저
46
공진기 (Resonator)
다) 공진기
공진기는 두개의 반사경(mirror)으로 구성되며, 뒤쪽은
전반사경(total reflector), 앞쪽은 부분반사경(partial
reflector)이다. 레이저 매질의 양끝에 평행하게 배치.
47
직접천이형반도체와 간접천이형반도체
Direct Bandgap
Indirect Bandgap
(GaAS 등 화합물반도체,
발광재결합)
(Si 등 단원소반도체,
비발광재결합)
48
흡수, 자발방출 및 유도방출
(a) absorption (b) spontaneous
emission
(c) stimulated
emission
49
레이저 공진기 (laser resonator)의 원리
에너지 공급부
레이저 매질
거울
(100% 반사)
거울
(90-95% 반사)
에너지 공급부
l
정재파(standing wave)가 되기 위한 조건
2l  n
50
유도방출에 의한 증폭과정
100%
<100%
(a) 레이저 매질이 여기 되기 전의 상태
▷ 전반사경인 뒤쪽의 미러 : 거의 100%에 가까운
완전반사
▷ 앞쪽에 설치된 부분반사경 : <100%의 반사도
(b) 여기 상태(excited state)
(c) 반 사 경 의 축 과 평 행 으 로 움 직 이 는 광 자
(photon) 가 다 음 원 자 와 충 돌 하 여 유 도 방 출
(stimulated emission) 반사 표면에 도달된 빛, 즉
광자의 흐름은 보강간섭을 일으킴 (파장, 진폭, 위
상 모두 동일) ⇒
광증폭!
(d) 미러 반사의 손실이 왕복 운동 시 발생하는 이
득, 즉 증폭된 정도보다 크면 레이저는 발생하지 않
는다.
= atoms in ground state
= atoms in excited state
(e) 손실보다 이득이 많을 때, 부분반사경을 통하여
빛이 외부로 방출되며, 일부는 다시 내부에서 증폭
작용을 하는데 이용
51
반도체 LD의 구조에 따른 분류
■ Heterostructure laser diode (HD구조)
- 빛의 흡수나 주입된 소수 carrier의 확산에 의하여 미소한
전류라도 반전분포가 용이하게 도달되어 발진이 쉽게
일어나며 실온에서 연속 발진이 가능
- 상대적으로 비효율적이고, 높은 문턱전류를 가짐
- 일반 PN 접합
■ Double heterostructure laser diode (DH구조)
- 전자와 전공을 가두기 위한 2중 hetero 접합을 응용
- 순방향 bias에서 전자와 전공이 p형 영역에 머물게 되어
효율 좋게 재결합
- 활성영역이 매우 좁아 동작전류가 작아지고 고효율 발광
- 실온에서 연속 발진 ⇒ 수명 길고, 특성 우수 ⇒ 100% 본구
조 채택
- PIN 접합
52
DH형 Laser Diode의 구조
53
DH형 Laser Diode의 장점
* 운반자구속 (carrier confinement)
- 클래드층 (AlGaAs)의 에너지밴드갭(Eg) > 발광층(GaAs)의 Eg
- 발광층으로 주입(injection)된 운반자들이 발광층에 구속
- 재결합효율이 매우 높음
* 광구속 (optical confinement)
- 클래드층 (AlGaAs)의 굴절률(n) > 발광층(GaAs)의 굴절률(n)
- 발광층에서 발생한 빛이 밖으로 흡수되지 않고 발광층에 구속
- 발광효율이 매우 높음
* 결과
- 임계전류 (Ith), 구동전류 (Iop), 양자효율 등의 특성이 매우 우수
⇒ 현재, 본 DH구조를 거의 100% 채택함
54
반도체 재료와 파장
재료
파장 (nm)
AlGaInP
630 - 680
GaInP
670
GaAlAs
620 - 895
GaAs
904
InGaAs
980
InGaAsP
1100 -1650
InGaAsSb
1700 - 4400
55
LD의 주요 응용분야
Type
Peak Power
Wavelength
Application
GaInAsP
GaInAsSb
20-80 mW
1300-1600 nm Fiber communications
GaAs
5 mW
840 nm
CD players
AlGaAs
50 mW
760 nm
Laser printers
AlGaAs
5 mW
650 nm
DVD players, CDR
AlGaInP
5 mW
635-680 nm
Bar code reader
InGaN
10 mW
405 nm
DVR
56
LD의 동작원리
E  hn 
hc

1.240
 (μm) 
E g (eV)
1240
 (nm ) 
E g (eV)
57
일반적 LD의 소자형태 (Edge-Emitting형)
• 재결합영역을 제한하여,
• 부분발광 (출력증진, 전력소모 감소) 구현
58
Edge-Emitting LD의 소자크기 및 발광형태
59
LED와 LD의 특성 비교
Characteristic
LEDs
Lasers
Output Power
Linearly proportional to drive
current
Proportional to current above
the threshold
Current
Drive Current: 50 to 100 mA
Peak
Threshold Current: 5 to 40
mA
Coupled Power
Moderate
High
Speed
Slower
Faster
Output Pattern
Higher
Lower
Bandwidth
Moderate
High
Wavelengths
Available
0.66 to 1.65 µm
0.78 to 1.65 µm
Spectral Width
Wider (40-190 nm FWHM)
Narrower (0.00001 nm to 10
nm FWHM)
Fiber Type
Multimode Only
SM, MM
Ease of Use
Easier
Harder
Lifetime
Longer
Long
Cost
Low ($5-$300)
High ($100-$10,000)
60
LED와 LD의 전류-광출력 특성 곡선 (I-L 특성)
(LED)
(LD)
61
온도에 따른 LD의 광출력 특성
62
중요 반도체 Group
◎ Si 계열 (Si, Ge) (단원소반도체)
▶ 기억소자에 많이 사용
▶
▶
▶
▶
지구지반의 25% 형성 (규토, 규산염 형태), cheap
SiO2 산화물을 얻기 쉽고, 이 산화물을 양질의 절연막으로 사용가능
결정성장이 용이
간접천이형 (indirect transition)
◎ GaAs 계열(GaAs, InP) (화합물반도체)
▶ 광소자, 전자소자 등에 사용
▶ Si에 비해 매우 비쌈
▶ 전자이동(mobility)가 Si 계열보다 3배 faster
→ 고속 소자나 광통신 소자에 good.
▶ Si 보다 Eg이 커서 (GaAs : 1.4 eV, Si : 1.1 eV) 매우 넓은 온도 범위
(-200℃∼+300℃)에 걸쳐 사용가능.
▶ 결정성장이 어려움
▶ 직접 천이형(direct transition)
63
진성반도체 (Intrinsic Semiconductor)
◎ 진성반도체
▶ 불순물이 전혀 없는 단원소 Si 고려
▶ 극저온에서 순수 Si은 절연성 모든 전자는 가전자 상태로만 존재
(∵ 가전자 (valence elec.)를 떼어내서 전하운반자, 즉 carrier로 만들수 없음.
▶ 가전자를 뗄수 있는 에너지의 주원천 : 열, 즉 온도 상승
▶ 온도상승하면 Si 격자가 열진동(phonon 현상)하여 가전자가 carrier 化 될 수 있는 에너지 공급됨
▶ 열에너지는 kT(k : boltzman 상수, T : 온도)로 표시. 상온(25℃)에서 kT = 0.026 (eV)
(※ 1 eV : 1V 전압으로 전자를 가속했을 때 전자가 띠는 에너지)
▶ 가전자가 Si에서 떨어지면 Si은 이온화 됨. ⇒ ∴떼어 내는데 필요한 에너지 ≡ 이온화 에너지 = Eg
▶ 가전자가 자유 전자화 되려면 외부 열에너지가 이온화에너지 보다 커야 함.
64
진성반도체 (Intrinsic Semiconductor)
▶ 이온화 에너지
Si:1.1eV
Ge :0.67eV
 Eg
▶ 가전자가 이온화되면 양전하를 띤 정공(hole) 발생
▶ 전자, 정공은 결정 내를 자유롭게 움직임
65
불순물반도체 (extrinsic semiconductor)
◎ 불순물반도체
▶ Intrinsic에서는 ni = pi
(n : 전자농도, p : 정공농도)
▶ 이 ni, pi의 숫자는 매우적고, 온도에 심하게 의존
▶ 실제 디바이스(ex : 반도체 다이오드레이저, 트랜지스터)제조에는 이보다 훨씬 많은 n, p가 필요
▶ 이를 위해 불순물 주입하여(즉 doping) 이런 반도체를 extrinsic semicond.(불순물 반도체)라함
66
N형 불순물반도체
▶ Si에 As(5개 가전자 가짐)을 치환형으로 doping
▶ As의 5개 가전자중 4개는 공유결함에 참여, 1개는 매우 약한 힘으로 원자에 결속.
(즉 Coulomb 引力이 매우 약함)
▶ 이 한 개 전자에 대한 이온화 에너지는 0.025 eV (Si에 As doping한 경우임)
▶ 이는 상온에서의 열에너지와 (0.025 eV)와 비슷 ⇒ 상온에서도 쉽게 carrier로 전환 가능
▶ As은 추가전자를 공급 ⇒ doner
▶ 이 Semicond.를 N-type으로 명명
(∵ Negative charge를 띤 전자가 매우 많음
⇒
Elec :다수운반자(Majo ritycarrier)

 in N - type
Hole :소수운반자(Mino ritycarrier)

67
P형 불순물반도체
▶ Si에 Al(3개 가전자)을 치환형으로 doping
▶ 4개 전자가 있어야 공유결합에 참여하나 1개 부족 → 정공형성
▶ 전자와 마찬가지로 정공도 결정내 움직임이 가능
▶ Al에 의해 형성된 정공이 움직이려면 Si의 공유 결합에 참가하고 있던 전자를 받아야 함
⇒ Al : acceptor
▶ 이 반도체를 p-type으로 명명
(∵ Positive 전하를 띤 Hole이 매우 많음)
⇒
Hole :Majoritycarrier
 in P - type
Elect:Minoritycarrier
68