Rezonantna šupljina
Download
Report
Transcript Rezonantna šupljina
Depolarizacijski prijelaz u
mikrovalnoj apsorpciji pločastih
kristala silicija
II seminar iz Eksperimentalnih istraživanja u fizici čvrstog stanja
Dijana Žilić
Laboratorij za magnetske rezonancije-IRB
Mentor: dr.sc. Miroslav Požek
Mikrovalna mjerenja
1.
2.
3.
Proučavanje svojstava
dielektričnih
vodljivih
magnetskih
Mikrovalna rezonantna mjerenja
najbolji signal/šum omjer
2.
Rezonantna šupljina:
Q-faktor
rezonantna frekvencija šupljine
1.+ 2.
kompleksna frekvencija: ~
1.
1 i 2 Q
Kompleksni frekventni pomak:
1.
2.
~
1
i
2Q
Perturbacijska metoda
Slab dielektrik, nesmetano stanje je prazna šupljina
Dobar vodič, nesmetano stanje je šupljina sa savršenim
vodičem
~ 1 i 2 Q
Kompleksni frekventni pomak
Ako je:
• temperatura šupljine stalna
• V uzorka malen u odnosu na V šupljine
~
i
Wc
*
*
E H H E n s dS
Ss
Wc=energija pohranjena u šupljini volumena Vc
Potrebno je odrediti el. i magn. polja na površini uzorka!!!
Električno i magnetsko polje
Ako je uzorak pločast i nalazi se u maksimumu el. polja:
El. polje:
~
~
E z E s
Magn. polje:
~
cosh i k z
~
cosh i k d / 2
?
~
~
k
sinh
i
k
z
~
~
B z E s
~
cosh i k d / 2
d=debljina uzorka
~
~
E s E d / 2
k0
El.polje na površini
~
k k0
~
~
~ r r i
0
Kompleksni valni vektor
0 0 Valni vektor u vakuumu
Veza vanjskog polja sa poljem na
površini
Kao za ravni elipsoid u kvazistatičnoj granici:
~
Es
E0
1 ~ s 1 N
Vanjsko ac polje
Polje na površini
~2
~
k
tanh i k d / 2
~
s ~ 2
~
r k0
ik d / 2
Efektivna dielektrična permitivnost
Depolarizacijski faktor
Kompleksni frekventni pomak
~
p
1
~2
~
k tanh i k d / 2
1 N
1 2
~
N
k
i
k
d
/
2
0
Faktor punjenja uzorka u šupljini
U odnosu na idealni vodič
Depolarizacijski faktor
Pločice silicija
Prosječni uzorci:
Lx=1mm
Ly=2mm
d=0.2mm
r 12
N
Lx Lyd
2
ds
s L s L s L s d
0
2
y
Prosječno: N=0.054
2
x
2
y
2
Depolarizacijski prijelaz
~ p
1
N
1
~
~
k 2 tanh i k d / 2
1 N
~
k2
ik d / 2
0
1 r 1 N 0 / N
IZOLATOR
VODIČ
Poluvodiči
4-300K vodljivost poluvodiča se promijeni za
nekoliko redova veličine
n-tip Si
Energija procijepa
E g 1 . 12 eV
m e 0 . 40 m
Energija donorskog nivoa
E d 0 . 044 eV
m h 0 . 41 m
Vodljivost
T en T e T
e T AT
3 / 2
Mobilnost
Koncentracija donora
n T
1
E
N c T e d
4
/ kT
N T e
c
E d / kT
2
8 N d N c T e
E d / kT
E
n i T e g
/ 2 kT
Koncentracija elektrona
N
c
T
2 m e kT
2
2
h
3 / 2
Efektivna gustoća stanja
u vodljivoj vrpci
2 m e kT
n i T 2
2
h
3/ 2
3/ 4
me
3/ 4
mh
e
E g / 2 kT
Intrinzična koncentracija nosilaca
Ovisnost vodljivosti o temperaturi
N d 2 10
20
m
Ekstrinzično
područje
ionizacije
3
270 K 10
VODIČ
Područje
zasićenja
IZOLATOR
1
m
1
Ovisnost kompleksnog frekventnog
pomaka o temperaturi
Eksperimentalni uzorci
wafer A:
N d 6 10
20
3
270 K 16
1
m
1
wafer B:
N d 1 . 5 10
m
20
m
3
270 K 5
1
m
wafer C:
N d 4 10
19
m
3
270 K 1
1
m
1
1
Eksperimentalni uređaj
t 0 sin M t
shema: E. Tafra
M 991 Hz
Šupljina
eTE111
Broj poluvalnih
duljina
13x21.5x28mm3
Eksperimentalni rezultati
Eksperimentalni rezultati
D1
D2
Kompleksna vodljivost
197 K 0 . 07
46 K 0 . 59
1
~ 0
1 i
1
2
Ovisnost kompleksnog frekventnog
pomaka o temperaturi
realna vodljivost
kompleksna vodljivost
T
3 / 2
Prilagodba
1 i
~
0
2
1
2 . 92 10
12
T
3 / 2
sK
3/2
Zaključak
Mjeren je mikrovalni odziv n-tipa Si
Kompleksni frekventni pomak ovisi ne samo o Nd nego i o
geometriji uzorka
Kompleksni frekventni pomak može se objasniti formulom:
~ p
1
N
1
~
~
k 2 tanh i k d / 2
1 N
~
k2
ik d / 2
0
uz uvjet da se vodljivost promatra kao kompleksnu veličinu!
Literatura
[1] D.-N. Peligrad, B. Nebendahl, M. Mehring, A. Dulčić, M.
Požek and D. Paar, Phys. Rev. B 64, 224504 (2001)
[2] B. Babić, Diplomski rad, PMF Zagreb, (2000)
[3] B. Babić, M. Basletić, A. Dulčić and M. Požek, poslano u:
Fizika A
[4] B. Nebendahl, D.-N. Peligrad, M. Požek, A. Dulčić and
M. Mehring, Rev. Sci. Instrum. 72, 1876 (2001)