2.3.2 电阻应变片的结构

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Transcript 2.3.2 电阻应变片的结构

第二章电阻型传感器与测量电路
1.2.1 电阻型传感器的工作原理
金属导体都具有一定的电阻,电阻值因金属的种类而异。
同样的材料,越细或越薄,则电阻值越大。设有一根长度为L,
截面积为A,电阻率为的金属丝,则它的电阻值R可用下式表
示:
L
R  
A
从上式可见,若导体的三个参数(电阻率、长度L或截面
积A)中的一个或数个发生变化,则电阻值随着变化,因此
可利用此原理来构成传感器。例如,若改变长度L,则可形
成电位器式传感器;改变L、A和则可做成电阻应变片式传
感器;改变,则可形成热敏电阻、压敏电阻类传感器。
2.2 电位器式传感器
2.2.1.电位器的结构类型
电位器式传感器通过滑动触点把位移转换为电阻丝的长
度变化,从而改变电阻值大小,进而再将这种变化值转换成
电压或电流的变化值。图2-1 电位器的结构类型
(a)直线位移型;(b)角位移型;(3)非线性型
电位器式传感器分为直线位移型、角位移型和非线性型
等,如图2-1所示。不管是哪种类型的传感器,都由线圈、
骨架和滑动电刷等组成。线圈绕于骨架上,电刷可在绕线上
滑动,当滑动电刷在绕线上的位置改变时,即实现了将位移
变化转换为电阻变化。
图2-1 电位器的结构类型
(a)直线位移型;(b)角位移型;(3)非线性型
2.2.2 电位器式传感器的测量电路
• 电位器式传感器的测量电路通常采用电阻分压电路,
如图2-2所示。其中放大器是为了消除负载电阻的干扰
影响。
• 对于线性电位器,电刷的相对行程X与电阻的相对变化
成比例,即:
x
xmax
Rx

Rmax
Uin
若放大器的增益K=1,则:
U out
Rx
x

U in 
U in
Rmax
xmax
X max
K
X
图2-2 电阻分压电路
Uout
2.2.3 新型电位器介绍
(1)合成膜电位器
合成膜电位器的电阻体是用具有某一电阻值的悬浮
液喷涂在绝缘骨架上形成电阻膜而制成的。这种电位器的
优点是分辨率较高、输入一输出信号的线性度好。
(2)金属膜电位器
金属膜电位器由合金、金属或金属氧化物等材料通
过真空溅射或电镀方法,在陶瓷基底上沉积一层薄膜而制
成。金属膜电位器具有高分辨率,接触电阻很小,耐热性
好。
(3)导电塑料电位器
导电塑料电位器又称有机实心电位器,这种电位器的
电阻体是由塑料粉及导电材料的粉料经塑压而成。导电塑
料电位器的耐磨性很好,能承受较大的功率。
(4)导电玻璃釉电位器
导电玻璃釉电位器又称金属陶瓷电位器,它是以合金、
金属氧化物或难溶化合物等为导电材料,以玻璃釉粉为粘
合剂,经混合烧结在陶瓷或玻璃整体上制成的。
2.3 应变式传感器
2.3.1 电阻应变效应
导体或半导体材料在外力作用下产生机械变形时,其电
阻值也相应发生变化的物理现象称为电阻应变效应。
设金属丝在外力作用下沿轴线伸长,伸长量设为△l,并
因此截面积变化△A,电阻率的变化为△ρ,这时电阻相对
变化可表示为:
R

l
A



R

l
A
经过整理,变换可得:
R l

  l

(1  2  ) 
 (1  2  
)
 K 0
R
l

l l l
式中:K0为电阻丝的应变灵敏度系数,它表示单位应变
所引起的电阻值的相对变化。
2.3.2 电阻应变片的结构
电阻应变片的结构如图2-3所
示,一般由敏感栅(金属丝或箔)、
基底、覆盖层、黏合剂、引出线
等组成。敏感栅是转换元件,它
把感受到的应变转换为电阻的变
化;基底用来将弹性体的表面应
变准确地传送到敏感栅上,并使
敏感栅与弹性体之间相互绝缘;
覆盖层用来保护敏感栅;黏合剂
图2-3 电阻应变片
把敏感栅与基底粘贴在一起;引
出线作为连接测量导线之用。常
用电阻应变片有两大类:金属电
阻应变片和半导体应变片。
金属电阻应变片有丝式、箔式及薄膜式等结构形式。
丝式应变片如图2-4(a)所示,它是将金属丝短接后粘接剂
粘贴在基底上而成。基底可分为纸基、胶基和纸浸胶基等。
电阻丝两端焊有引出线,使用时只要将应变片贴于弹性体
上就可构成应变式传感器。
箔式应变片如图2-4(b)、(c)、(d)所示,它的敏感栅是通
过光刻、腐蚀等工艺制成。箔栅厚度一般在0.003~0.01mm
之间。与丝式应变片相比其表面积大,散热性好,允许通过
较大的电流。由于它的厚度薄,因此具有较好的可挠性,灵
敏度系数较高。箔式应变片还可以根据需要制成任意形状,
适合批量生产。
图2-4 金属电阻应变片结构
1——基底; 2——敏感栅; 3——引线
(a)金属丝短接式;(b)金属箔式;(c)用于扭矩测量;(d)用于流体压力测量
2.3.3 电阻应变片的粘贴技术
应变片在使用时通常是用粘接剂粘贴在在弹
牲体上的,粘贴技术对传感器的质量起着重要的
作用。
应变片的粘接剂必须适合应变片基底材料和
被测材料,另外还要根据应变片的工作条件、工
作温度和湿度、有无腐蚀、加温加压固化的可能
性、粘贴时间长短等因素来进行选择。常用的粘
接剂有硝化纤维素粘合剂、酚醛树脂胶、环氧树
脂胶、502胶水等。
应变片在粘贴时,必须遵循正确的粘贴工艺,
保证粘贴质量,这些都与最终的测量精度有关。
应变片的粘贴步骤如下。
2.3.4 电阻应变片的特性及参数
(1)灵敏度系数K
K为金属应变片的灵敏系数,与金属单丝的灵敏系
数K有一定差别,主要由实验测得。大量实验结果表明,
应变片的灵敏系数K恒小于金属丝线材的灵敏系数K。
究其原因主要是胶体的传递变形失真及横向效应两个方
面。
K 
R R
x
(2)电阻值
应变片电阻值是指应变片没有粘贴、也不受力时,在
室温下测定的电阻值。目前应变片的电阻值(标称值)也有
一个系列,如60、120、350、600、1000Ω等,其中以
120Ω最为常用。实际使用的应变片的阻值相对于标称值
可能存在一些偏差,因此使用前要进行测量分选。
(3)最大工作电流
最大工作电流是指允许通过应变片而不影响其工作特
性的最大电流值。当应变片接入测量电路后,在敏感栅
中要流过一定的电流,此电流使得应变片温度上升,从
而影响测量精度,甚至烧毁应变片。通常在静态测量时,
允许电流一般规定为25mA,动态测量时可达75~
100mA;箔式应变片可更大些。
(4)横向效应
应变片受力时,不仅构件的轴向应变ε使敏感栅电阻发
生变化,而且其垂直于应变片轴向的横向应变εr,也将
使敏感栅半圆弧部分的电阻发生变化。应变片的这种既
受轴向应变影响又受横向应变影响而引起电阻变化的现
象称为横向效应。
通过公式推导以及大量的实验数据证明:敏感栅越窄
(r愈小)、基长越长(L愈大)的应变片其横向效应引起的误
差越小。
(5)迟滞
应变片粘贴在被测试件上以后,在一定温度下,应变片
电阻相对变化εi(ΔR/R)与试件机械应变εm (ΔL/L,实际
应变)之间加载和卸载的特性曲线并不重合,这种现象称为
应变片的迟滞。加载和卸载特性曲线之间的最大差值△ε
称为最大迟滞误差。
(6)零飘与蠕变
对于粘贴好的应变片,当温度恒定、不承受应变时,其
电阻值随时间的变化而变化的特性,称为应变片的零点漂
移,简称零漂。如果在一定温度下,使应变片承受恒定的
机械应变,其电阻值随时间的变化而变化的特性称为蠕变。
实验证明,选用弹性模量较大的粘结剂和基底材料,适
当减小胶层和基底的厚度,并使之充分固化,有利于蠕变
性能的改善。
(7)应变极限
应变片电阻的相对变化与所承受的轴向应变成正比这一
关系只在一定的范围内成立,当试件输入的真实应变超过
某一限值时,应变片的输出特性将出现非线性。在恒温条
件下,使非线性误差达到10%时的真实应变值,称为应变
极限。应变极限是衡量应变计测量范围和过载能力的指标。
(8)温度误差
在采用应变片进行应变测量时,希望它的阻值变化只与
应变有关,而不受其他因素的影响。但是在应变片的实际
应用中,温度变化会导致应变片电阻变化,将会给测量带
来误差。温度变化导致电阻变化的主要原因有两个,一是
在温度变化时,敏感栅的电阻丝阻值随温度变化而变化;
另一个是试件材料和敏感栅材料线膨胀系数不一致时,环
境温度变化会使敏感栅产生附加变形,其电阻值也会改变。
2.3.5 电阻应变片的测量转换电路
电阻应变片的电阻变化范围很小,如果直接用欧姆表
(万用表电阻挡)测量其电阻的变化将十分困难,且误差很
大。通常采用电桥电路,将应变片微小的电阻变化转化为
易测量的电压或电流信号。通过电桥电路输出的信号既可
用指示仪表(如电压表)直接测量,也可以通过放大器放大
作进一步的信号处理。由于电桥测量电路简单,具有较高
的精确度和灵敏度,能预调平衡,易消除温度及环境的影
响,因此在测量系统中被广泛采用。
按照所采用的激励电源不同,电桥可分为直流电桥和
交流电桥。直流电桥主要的优点是所需的高稳定度直流电
源较易获得;电桥输出是直流量,可以用直流仪表测量,
精度较高;对传感器至测量仪表的连接导线要求较低;电
桥的预调平衡电路简单,仅需对纯电阻加以调整即可。但
是零漂、温漂和地电位的影响较大。交流电桥采用交流激
励电源,结合调制解调技术,能较好克服零漂和温漂的影
响,但是其电路相对复杂。
1.电桥的工作原理
图2-5是直流电桥的基本形式。
Rl、R2、R3、R4称为桥臂电阻,Ei
为电桥激励电压源。
当电桥输出端b、d接入输入阻
抗较大的仪表或放大器时,可视为
开路,输出电流为零,输出电压为
Eo。此时输出电压
Eo  U ab  U ad

 R1
R4 

 Ei


 R1  R2 R3  R4 
图2-5 直流电桥
R1 R3  R2 R4
Ei
( R1  R2 )( R3  R4 )
由式(2-9)可见。欲使输出电压为零,即电桥平衡,应满足:
R1R3=R2R4
(2-10)
式(2-10)是直流电桥的平衡条件。适当选择各桥臂的电
阻值,可使电桥测量前满足平衡条件,输出电压E0=0。实
际的测量电桥往往取4个桥臂的初始电阻相等,即
R1=R2=R3=R4=R
称为全等臂电桥。若桥臂电阻R1(如电阻应变片)产生
ΔR变化,输出电压
 R1  R
R4 
R
 Ei 
Eo  

Ei
4 R  2R
 R1  R  R2 R3  R4 
由于ΔR<<R,可忽略分母中的2ΔR项。则:
1 R
Eo 
Ei
4 R
式(2-11)表明,电桥输出电压与电桥的电源电压成正
比,在ΔR<<R的条件下,电桥输出电压也与桥臂电阻的
变化率ΔR/R成正比。
若电桥初始处于平衡状态,当各桥臂电阻均发生不同
程度的微小变化ΔR1、ΔR2、ΔR3和ΔR4时,电桥就失去
平衡,此时输出电压
( R1  R1 )( R3  R3 )  ( R2  R2 )( R4  R4 )
Eo 
Ei
( R1  R1  R2  R 2 )( R3  R3  R 4  R4 )
式(2-12)为电桥输出电压与各桥臂电阻变化量的一
般关系式。由于ΔR<<R,忽略分母中的ΔR项和分子中
ΔR的高次项,对于最常用的全等臂电桥,式(2-12)可简
化为
E
Eo  i ( R1  R2  R3  R4 )
4R
式(2-13)表述了惠斯登电桥的两个重要特性:
相邻相减、相对相加。
2.电桥的连接方式
(1)单臂电桥
如图2-6所示,R1为测量应
变片,其余为固定电阻。当R1
的阻值变化ΔR时,电桥输出电
压为:
1 R
Ei
Eo 
Ei 
K
4 R
4
图2-6 单臂电桥
单臂电桥的灵敏度最低,因此在实际测量中很少采用。
(2)差动半桥
差动半桥利用了相邻相减的特性,将2个相邻的应变片
布置在受力变形相反的地方,形成电压差动方式。
如图2-7所示,R1、R2为应变片,发生应变时,其ΔR的
变化是相反的,因此电桥输出电压为:
1 R
Ei
Eo 
Ei 
K
2 R
2
R4 R3
R1
F
R2
图2-7 差动半桥
R1、R2测量片;R3、R4温度补偿片
(3) 差动全桥
差动全桥是使用最多的测量电路,有最高的测量灵敏
度,而且自然地形成了温度补偿。如图2-8所示,4个应变
片都是测量片,R1、R3与R2、R4的应变相反。电桥输出
电压为:
Eo 
R3 R1
R
Ei  Ei K
R
F
R4 R2
图2-8 差动全桥
R1、R2 、R3、R4测量片
(4)双臂半桥
在某些场合,难以构建全桥测量电路,如图2-9所
示。这种情况下,构建双臂半桥就是必然的。双臂半
桥的电压输出与差动半桥一样,同式(2-15)。
R4
R2
R3
R1
P
图2-9 双臂半桥
R1、R3测量片;R2、R4温度补偿片
3.调零电路
上述的单臂电桥、差动半桥和
差动全桥等连接方式,其输出电压
的计算都是假设R1=R2=R3=R4=R计
算出来的。实际使用中,由于生产
工艺等因素的影响,R1、R2、R3、
R4不可能严格地全等,R的稍许偏
差,就将造成即使在未受力的时候,
桥路的输出也不一定为零。因此必
须设置调零电路,如图2-10所示。
调节Rp,最终可以使R1/R2= R4/R3, 图2-10 直流电桥的调零
电桥趋于平衡,Eo被预调到零位。
图中的R5是用于减小调节范围的限
流电阻。这种方法在应变和力等相
关测量仪器中被广泛使用。
2.3.6 电阻应变片的测量放大电路
应变片的电桥电路是将应变量ε(ΔR)转换成不平衡
电压的敏感电路,金属电阻应变片受到允许通过电流
(20mA左右)的限制,供桥电压一般不大于10V。若采用
最常用的120Ω电阻的应变片,供桥电压多采用5V。测量的
应变量多数情况下是微应变级的(1ε=106με),产生的电
桥不平衡电压通常也是微伏级(μV)的。如此小的电压量
是不能直接提供给显示仪表、A/D转换电路的,必需经过放
大电路,放大到V级,才能提供给显示仪表等。
这个放大倍数K=102~103,从数百倍到数千倍都有。
一般来说,供桥电压高,放大倍数低点,供桥电压愈低,
放大倍数愈高。又因为信号本身是μV级,因此放大器的内
部干扰和外部噪声都必须不大于μV。如此高的放大要求和
精度要求,一般的运算放大器都不能满足要求,必需采用
高精度的仪表用放大器或专用放大器。
+12V
0.1μF
(7) +VS
Ra
R
+IN (3)
RG (8)
3DH020
R4
VDZ
U4=12V
-12V
R1
R0
R3
R2
A1
AD622
RG
RG (1)
(6) OUTPUT
A3
(5) REF
A2
数
字
电
压
表
-IN (2)
(4) -VS
0.1μF
图2-11 采用仪表放大器的测量电路
图2-11是采用仪表放大器的测量电路,用于静态或缓变量的测量。
图中3DH020是集成恒流三极管(可用3DH系列),Ra可变电阻用于
调节供桥电流稳定在20mA。VDZ是稳压管用于稳定供桥电压,稳压管
电流约为10 mA。R1、R2、R3、R4是公称阻值120Ω的金属膜式电阻
应变片,R0是电桥调零可变电阻,因为用于静态测量,所以没设电容
平衡。仪表放大器AD622的放大倍数由RG电阻调节,RG=50.5KΩ/(K
-1),式中K为所需的放大倍数。设K=100~1000,则RG=500~50Ω。
图2-11适合测量缓变的、具有正负方向的应力应变,其
输出也以正负电压表示。当需要测量快速变化的量时就不适
合了,如应变式加速度传感器测量,动态测量电路如图2-13。
+12V
Ra
0.1μF
(7) +VS
R
Cy
3DH020
A1
Ry
R1
R4
VDZ
U4=12V
+IN (3)
CR
R0
R3
R2
RG (8)
RG
Cy
6) OUTPUT
(
AD622
RG (1)
(5) REF
-IN (2) A2
Ry
A3
(4) -VS
-12V
图2-13 采用仪表放大器的动态测量电路
0.1μF
图2-13中CR是差动可调电容,用于电容平衡调节。Cy、
Ry组成高通滤波器,下限截止频率按式(2-17)计算:
fc
1

2C y Ry
Hz
(2-17)
式2-17中Cy取1μF,Ry≥500KΩ,fc≈0.34Hz。即这个
电路的动态测量下限为0.34Hz。若需更低的下限,如
0.034Hz,则可将Cy取10μF。
对于某些应用测量,如汽车地磅,轨道衡等,没有负
载荷,而且是静态测量。这样的电路可以做得更简单,使
用单电源供电。
2.4 压阻式传感器
压阻式传感器是利用半导体的压
阻效应制成的。半导体材料受到应力
作用时,其电阻率会发生变化,这种
现象称为压阻效应。
压阻式压力传感器与金属膜片式
传感器测量原理相同,只是属于变电
阻率ρ型,因而使用的材料和制作工
艺不同。如扩散硅压阻式传感器(整
图2-15 扩散硅压阻式传感器 体结构如图2-15所示),由硅杯、硅
膜片组成,利用集成电路工艺,设置四个相等的电阻扩散在硅
膜片上,并构成应变电桥。膜片两边有两个压力腔,分别为低
压腔和高压腔,低压腔与大气相通,高压腔与被测系统相连接。
当两边存在压差时,就有压力作用在膜片上,膜片上各点的应
力分布与金属应变片式传感器相同。但压阻式传感器的灵敏度
比金属应变片高50~100倍,有时无需放大可直接测量。
普通压阻式压力传感器属于简单传感器,近年单片集成
硅压力传感器进入市场。单片集成硅压力传感器内部除传感
器单元外,还增加了信号调理、温度补偿、压力修正等电路。
MPX2100/4100A/5100系列集成硅压力传感器,由美国
Motorola公司生产,适合测量管道中绝对压力,下列4种型
号压力传感器的内部结构、工作原理基本相同,主要区别是
测量范围、封装形式不同。
MPX2100、5100的测量范围:0~100kPa;MPX4100
的测量范围:15~115kPa;MPX5700的测量范围:0~
700kPa;电源电压范围:+4.85~5.36V;温度补偿范围;
-40~+125°C。
图2-16 MPX系列压力传感器结构
图2-17 MPX系列压力传感器输出特性
沈阳仪表科学研究院生产的HB2119
系列硅压阻中、高量程压力传感器具有
多种规格,基准量程从4MPa~60MPa,
满量程输出≥50mA,工作温度:-30~
+100℃,补偿温度:0~70℃,长期稳定
性0.2%F.S /年。供电电源:1mA或恒压
5V。其外形如图2-18所示。
图2-19是输出二线制直流信号的测量
电路。图中测压元件是HB2119,信号调
理芯片是XTR105。
XTR105是一种三放大器结构的集成
芯片,管脚布置如图2-20所示。输出4~
20mA的电流,在工业上适合信号远传。
管脚IR1和IR2的驱动电流都为0.8mA,
HB2119只需要任一脚供电即可。
图2-18 HB2119系列传感器
各种电阻型传感器
压力传感器
电子称用测力传感器
电阻应变式力传感器
轧钢机测力传感器
电阻式压力传感器