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第2章
半导体三极管
2.1 三极管的结构、符号及分类
2.1.1 三极管的结构与符号
2.1.2 三极管的分类
2.1.3 三极管的外部结构
2.2 三极管的电流分配与放大作用
2.2.1 载流子的运动及各电极电流的形成
2.2.2 电流放大作用
2.2.3 电流分配关系的测试
第2章
半导体三极管
2.3 三极管的特性曲线
2.3.1 输入特性曲线
2.3.2 输出特性曲线
2.4 三极管的主要参数及温度的影响
2.4.1 主要参数
2.4.2 温度对三极管的特性与参数的影响
2.5 特殊三极管简介
2.5.1 光电三极管
2.5.2 光电耦合器
第2章 半导体三极管
本章重点
• 半导体三极管的基本结构
• 三极管的电流分配与放大作用
• 三极管实现放大作用的内部及外部条件
• 三极管的基本特性
本章难点
• 在放大区三极管具有基极电流控制集电极电流的特性
• 三极管的开关特性
• 用万用表判断三极管的类型、管脚及三极管质量的好坏
第2章
2.1
半导体三极管
三极管的结构、符号及分类
2.1.1
三极管的结构与符号
分为NPN型管和PNP型管
三个区：
发射区
基区
集电区
两个PN结：
发射结
集电结
三个电极：
发射极(e)
基极(b)
集电极(c)
图2-1
三极管的结构示意图与电路符号
第2章
半导体三极管
2.1.2 三极管的分类
按结构类型分为NPN型管和PNP型管
按材料分为硅管和锗管
按功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管
按工作频率分为高频管和低频管
按其工作状态分为放大管和开关管
第2章
半导体三极管
2.1.3 三极管的外部结构
图2-2 常见三极管的外形结构图
第2章
半导体三极管
2.2 三极管的电流分配与放大作用
三极管实现放大作用的内部条件，制作时：
基区做得很薄，且掺杂浓度低
发射区的掺杂浓度高
集电结面积大于发射结面积
外部条件，即发射结正向偏置，集电结反向偏置
(a)为NPN型管的偏置电路；
(b)为PNP管的偏置电路
图2-3 三极管具有放大作用的外部条件
第2章
第2章
半导体三极管
半导体三极管
2.2.1 载流子的运动及各电极电流的形成
ICN
发射区向基区发射电子形成IE的过程
发射结加正偏电压，多子的扩散运动大于少子的漂移运动，
发射区的多子电子源源不断地越过发射结到达基区，基区的
多子空穴源源不断地越过发射结到达发射区，由电子电流和
空穴电流共同形成了发射极电流IE。
电子在基区扩散与复合形成IBN的过程
由发射区扩散到基区的电子浓度，靠近发射结的要高于靠近
集电结的，又形成了浓度差，这样电子要向集电结继续扩散。
在扩散过程中，绝大部分电子扩散到集电结边沿，很少部分
电子与基区的多子空穴复合，复合掉的空穴由基区电源VBB
补充，从而形成基极电流IBN。
电子被集电区收集形成ICN的过程
IE
集电结反偏，使内电场增强，因此一方面阻止了集电区电子
向基区扩散，另一方面将基区扩散到集电结边沿的电子收集
到集电区，形成了集电极电流ICN。
图2-4
IBN
三极管内部载流子的运动情况
第2章
半导体三极管
通过三极管内部载流子的运动可知三极管各极电流的关系
IC=ICN+ICBO
IB=IBN-ICBO
IE=ICN+IBN=IC+IB
对于PNP管，三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反
第2章
2.2.2
半导体三极管
电流放大作用
由于基区很薄，掺杂少，空穴浓度很低，从发射区发射到基区的电
子(IE)大部分被集电极收集形成ICN，只有很小一部分在基区复合，形成
IBN。
共发射极直流电流放大系数
由于
所以
 
I CN
I BN
IC=ICN+ICBO，IB=IBN-ICBO
IC=IB+  (1+  )ICBO
当ICBO可以忽略不计时，可得 c  
把集电极电流的变化量 I C与基极电流的变化量 I B 的比
值称为三极管共发射极交流电流放大系数，用  表示。
I C
 
I B
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半导体三极管
在分析估算放大电路参数时取  = 
通常情况下，β=20～200。
综上：有一小IB就可以获得大IC，实现了小基极电流控制大集电
极电流，这就是三极管的电流放大作用。也证明了三极管是电流
控制器件。当输入电压变化时，会引起输入电流(基极电流)的变
化，在输出回路将引起集电极电流较大变化，该变化电流在集电
极负载电阻 RC 上产生较大的电压输出。这样，三极管的电流放
大作用就转化为电路的电压放大作用。
第2章
半导体三极管
2.2.3 电流分配关系的测试
测试电路
三极管的三种接法：共射极、共集电极和共基极
图2-5 三极管的三种电路
第2章
半导体三极管
共发射极三极管各电极电流分配关系的测试电路
图2-6
三极管电流分配关系的测试电路
第2章
半导体三极管
测试数据
调RP，可测得IB、IC、IE，数据如表2-1所示。
IB/mA
-0.004
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
IC/mA
0.004
0.01
1.09
1.98
3.07
4.06
5.05
6.06
IE/mA
0
0.01
1.10
2.00
3.10
4.10
5.10
6.12
IB、IC、IE测试数据
表2-1
数据分析
满足基尔霍夫电流定律
IB、IC、IE的关系：IE= IB+IC
IC、IB的关系：
I
1.09
C
三极管的直流放大作用   I  0.01  100
B
三极管的交流放大作用   I C  1.98  1.09  0.89  89
I B 0.02  0.01 0.01
第2章
半导体三极管
反向饱和电
流ICBO
当IE=0时，即发射极开路，IC=-IB
当IB=0时，即基极开路，IC=IE≠0
集电极—发
射极的穿透
电流ICEO
第2章
半导体三极管
2.3 三极管的特性曲线
三极管的特性曲线测试电路
图2-7
三极管特性曲线的测试电路
第2章
半导体三极管
2.3.1
输入特性曲线
三极管的输入特性曲线是指当
集电极与发射极之间的电压uCE一定
时 ， 输 入 回 路 中 的 基 极 电 流 iB 与
基—射电压VBE之间的关系曲线。
可用函数式表示为
iB  f (uBE )
uCE 常数
图2-8
三极管的特性曲线输入特性曲线
第2章
半导体三极管
输入特性曲线分析
当Ui=0时
从输入端看进去，相当于两个PN结并联且正向偏置，此时的特性曲线类似于二
极管的正向伏安特性曲线。
当Ui≥1V时
Ui≥1V的曲线比Ui =0时的曲线稍向右移，这是因为Ui ≥1V时，集电结加反偏电
压，使耗尽层加宽，基区变薄，基区复合电流减小，即iE减小，故特性曲线右移，
由于Ui ≥1V以后，不同Ui对应的输入特性曲线基本重合，因此常用Ui ≥1V的一条
曲线来表示三极管的输入特性曲线。
综上：输入特性曲线与二极管正向特性曲线形状一样，也有一段死区。只有当Ui大
于死区电压时，输入回路才有iE产生。常温下硅管的死区电压约为0.5V，锗管死区
电压约为0.1V。另外，当发射结完全导通时，三极管也具有恒压特性。常温下，硅
管的导通电压为0.6～0.7V，锗管的导通电压为0.2～0.3V。
第2章
半导体三极管
2.3.2 输出特性曲线
输出特性曲线是指当 iB 一定时，
输出回路的 iC 与uCE之间的关系曲线。
用函数表示为
iC  f (uCE )
三个区：
放大区
饱和区
截止区
iB常数
图2-8
三极管的输出特性曲线
第2章
半导体三极管
2.3.2 输出特性曲线
输出特性曲线是指当iB 一定时，
输出回路的iC 与uCE 之间的关系曲线。
用函数表示为
iC  f (uCE )
三个区：
放大区
饱和区
截止区
iB 常数
图2-8
三极管的输出特性曲线
第2章
半导体三极管
截止区
iB=0以下的区域称为截止区
iB=0，iC=ICEO时，发射结零偏或反偏，集电结反偏，即uBE≤0，uCE＞0。这
时uCE=UCC，三极管的c-e之间相当于开路状态，相当于开关断开。
放大区
iB＞0以上曲线比较平坦的区域称为放大区
三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置。
受控特性：指iC随着iB的变化而变化，即iC=βiB
恒流特性：指当输入回路中有一个恒定的iB时，输出回路便对应一个不受uCE
影响的恒定iC
各曲线间的间隔大小可体现β的大小。
第2章
半导体三极管
饱和区
uCE≤uBE时的区域称为饱和区
发射结和集电结均处于正向偏置，三极管失去了放大作用，这
时，iC由外电路决定，而与iB无关。将此时所对应的uCE值称为饱和
压降，用UCES表示。一般情况下，小功率管的UCES小于0.4V(硅管约
为0.3V，锗管约为0.1V)，大功率管的UCES约为1～3V。在理想条件
下，UCES0，三极管c-e之间相当于短路状态，相当于开关闭合。
三极管的工作区域可分为三种工作状态
放大、饱和和截止状态
三极管在电路中的作用
既可以作放大元件使用，又可以作开关元件使用。
第2章
2.4
半导体三极管
三极管的主要参数及温度的影响
2.4.1 主要参数
共射电路β
共基电路α
发射极开路，集电结在反向
电压作用下，形成的反向饱
和电流
电流放大系数β (α )
基极开路，集电极—发射
极间加上一定数值的正向
电压时，渡过集电极和发
射极之间的电流
反向饱和电流ICBO
穿透电流ICEO
集电极最大允许电流ICM
iC增大到使值下降到正常
集电极—发射极间的击穿电压U(BR)CEO
值的2/3时，所对应的集电
极电流
集电极最大耗散功率PCM
当基极开路时，集电极与发
射极之间的反向击穿电压
三极管正常工作时最大
允许消耗功率
第2章
半导体三极管
2.4.2 温度对三极管的特性与参数的影响
温度对UBE的影响
三极管的输入
特性曲线温度
升高，曲线左
移
原因：在iB相同的条件下，
输入特性曲线随着温度升
高而左移，使UBE减小。
图2-9
温度对三极管特性的影响
第2章
半导体三极管
温度对ICBO的影响
三极管输出特
性曲线随温度
升高将向上移
动
原因： 温度升 高 ， 本征
激发产 生的载 流子浓度
增 大 ， 少子增 多 ， 所以
ICBO 增加，导致ICEO 增大，
从而使 输出特 性曲线上
图2-9
温度对三极管特性的影响
移
第2章
半导体三极管
温度对β的影响
温度升高，输出特性曲线之间的间隔增大。这是因为温
度升高，载流子运动加剧，载流子在基区的扩散时间缩
短，从而在基区复合的数目减少，而被集电区收集的数
目增多，使得β值增加。
UBE的减小，ICBO和β的增加，
集中体现为管子的集电极电流
iC增大，从而影响三极管的工
作状态。所以，一般电路中应
采取限制因温度变化而影响三
极管性能变化的措施
第2章
半导体三极管
2.5 特殊三极管简介
2.5.1 光电三极管
图2-10 光电三极管的等效电路与电路符号
第2章
半导体三极管
2.5.2 光电耦合器
(a)LED+光敏电阻；
(b)LED+光电二极管；
(c)LED+光电三极管；
(d)LED+光电池
图2-11 光电耦合器电路符号