ตัวอย่าง

Download Report

Transcript ตัวอย่าง

5.5 The Method of images
เมื่อเราทราบว่าผิวตัวนาคือ ผิวสมศักย์ ดังนั้นถ้าอ้างอิงในผิวสมศักย์มีศกั ย์
อ้างอิงเป็ นศูนย์ จะสามารถหาศักย์ไฟฟ้ าที่จุดใดๆ โดยใช้วิธีกระจก
(images method) ดังนี้
คือการมองว่าอีกฟากหนึ่ งที่สมมาตรกัน มีระบบประจุชนิดตรงข้ามกันอยู่
ตัวอย่าง จงหาความหนาแน่นฟลักซ์ไฟฟ้ าที่จุด P(2,5,0) บนระนาบผิวตัวนา
z=0 (conducting plane z = 0) โดยมีระบบประจุเส้น ρL =
30 nC/m อยูท่ ี่ตาแหน่ง x=0,z=3
ทาการนาเอาผิวตัวนาออกชัว่ คราว แล้ว เพิ่มระบบประจุชนิดตรงข้ามเข้าไป ดังรู ป
ทาการหาสนามสุ ทธิที่จุด P เนื่องจากสนามอันเกิดจากระบบประจุท้ งั สอง


R  2aˆ x  3aˆ z ; R  2aˆ x  3aˆ z

 30109  2aˆ x  3aˆ z 
L

E 

 aˆ R   

13 
2 0 R
 2 0 13 

  30109  2aˆ x  3aˆ z 
L

E 

 aˆ R   

13 
2 0 R
 2 0 13 
 

 E  E  E  249aˆ z V/m


 D   0 E  2.20aˆz nC/m2
 s at P  2.20 nC/m2
5.6 Semiconductors
เนื่องจากประจุที่เป็ นพาหะของสารกึ่งตัวนามี สองชนิด คือ electron และ
hole ดังนั้น การเคลื่อนที่ของประจุจะตรงข้ามกันในสนาม แต่วา่ การเกิด
กระแสจะไปในทิศทางเดียวกัน ดังนั้นสภาพนาไฟฟ้ าจึงประกอบไปด้วยสอง
ส่ วนประกอบนี้
    e e   h  h
ความหนาแน่นของ electron และhole ขึ้นอยูก่ บั อุณหภูมิ และเมื่ออุณหภูมิ
สู งขึ้นความคล่องตัวจะมีค่าลดลงแต่ความหนาแน่นประจุเพิม่ ขึ้นมาก ดังนั้นสภาพนา
ไฟฟ้ าจึงมีค่าเพิ่มขึ้น เช่นความนาของเยอรมันเนียมเพิ่มประมาณสิ บเท่าเมื่ออุณหภูมิ
เพิ่มจาก 300 K เป็ น 360 K และลดลงประมาณสิ บเท่าเมื่ออุณหภูมิลดลงจาก
300 K เป็ น 255 K
ความนาของสนามไฟฟ้ าของตัวนาจะลดลงเมื่ออุณหภูมิเพิม่ ขึ้น เป็ นปรากฏการณ์ที่
ตรงกันข้ามของชนิดสารทั้งสอง
5.7 The nature of dielectric materials
เมื่อให้สนามไฟฟ้ าแก่สาร dielectric ความสามารถในการเรี ยงตัวกันของ
ประจุบวกและลบเพื่อต้านสนามภายนอกที่แตกต่างกันอาจสามารถจาแนกเป็ น
polar molecule เมื่อมีสนามไฟฟ้ าภายนอกมาจะทาให้เกิดการเรี ยง
ตัวของไดโพลแล้วการเรี ยงตัวเป็ นระเบียบและคงอยูเ่ มื่อสนามภายนอกออก
nonpolar molecule เมื่อมีสนามไฟฟ้ าภายนอกมาจะทาให้เกิด
การเรี ยงตัวของไดโพลขึ้นในตอนที่มีสนามอยู่
เมื่อให้สนามไฟฟ้ าแก่สาร dielectric การเรี ยงตัวของโมเลกุลเพื่อจะพบว่า
เกิดไดโพลไฟฟ้ าขึ้นมากมายในโมเลกุลของสาร
nv




ptotal   pi
p  Qd
i 1
เราจะนิยามความเป็ น มหภาคของไดโพลไฟฟ้ าเหล่านี้ ใหม่เป็ นPolarization
(electric dipole moment per unit volume)

1 nv 
P  lim
pi

v 0 v
i 1
มีหน่วย C/m2


P  nQd
มีหน่วย C/m2
ดังนั้นถ้า n เป็ น จานวนไดโพลต่อหน่วยปริ มาตร Polarization มีค่า
จากรู ปดังกล่าวจานวนประจุที่บนผิว Δs คือ
 
Qb  nQd  S
 
 
Qb  nQd  S  Qb  P  S
Qb (bound charge) คือประจุที่เกิดขึ้นก็ต่อเมื่อให้สนามไฟฟ้ าไปแล้ว
เท่านั้น ซึ่ งแตกต่างกับประจุอิสระ Q ( free charge )ซึ่ งอยูไ่ ด้โดยไม่มี
เงื่อนไข
- + - +
- + - +


S
- + - +
S
- + - +
- + - +
- + - +
เนื่องจากระบบประจุแบบผูกพันธ์ดงั กล่าวเกิดขึ้นที่บริ เวณในโดเมนของไดอิเล็ก
ตริ กส์ ดังนั้น ทิศของเวกเตอร์ ของพื้นผิวต้องชี้เข้า ซึ่ งจะขัดกับเวกเตอร์ของผิวที่
เคยนิยามกันเอาไว้ดงั นั้นถ้าใช้นิยามเดิมจะกาหนดให้
 
Qb    P  dS
S
ถ้ากาหนดให้ QT เป็ นจานวนประจุรวมทั้งหมด QT  Qb  Q

QT เป็ นจานวนประจุรวมทั้งหมดที่อยูภ่ ายในสนามไฟฟ้ า E
QT  
S
 
 0 E  dS
Q  QT  Qb  
 
Q   D  dS
S

 
D  0E  P
S
 
Qb    P  dS
S

 
( 0 E  P)  dS

 
Q    v dv     Ddv   D  dS
v

Q    v dv    D  
v
v

Q    v dv    D  v
v

Qb    b dv    P  b
v

QT   T dv     0 E  T
v

 
D  0E  P
Polarization มีหลายแบบ แบบ linear isotropic คือ


P  e 0 E




D   0 E  e 0 E  (e 1) 0 E   R  e  1



D   0 R E  E
   0 R
5.8 Boundary conditions for perfect dielectric
materials

S
 
 E  dL  0
เลือกทางที่ Δh→0
Etan1w  Etan2 w  0
Etan1  Etan2
 
D  dS  Q
เลือกผิวที่มี Δh→0
DN1S  DN 2S  Q  s S
DN1  DN 2  s
ถ้ารอยต่อไม่มีประจุเชิงผิวเลย
DN1  DN 2
จะเห็นได้วา่ E เกิดความต่อเนื่องแนวสัมผัส และD เกิดการต่อเนื่องแนวตั้งฉากผิว
Etan1  Etan2
Dtan1
1
 Etan1  Etan2 
DN1  DN 2
Dtan2
2
 1 E N 1   2 EN 2
Dtan1  1

Dtan 2  2
จากรู ป
DN1  D1 cos1  D2 cos2  DN 2
Dtan1 D1 sin 1 1


Dtan2 D2 sin  2  2
 2 D1 sin 1  1D2 sin 2
tan1 1

tan 2  2
2
 2 
2


D2  D1 cos 1    sin 1 สาหรับการวิเคราะห์ปัญหา ไม่
จาเป็ นต้องจาสมการที่ยงุ่ ยาก
 1 
อย่างนี้ เพียงแค่ทราบว่าปริ มาณ
2
 1 
ใดมีความต่อเนื่องกันแบบใดก็
2
2


E2  E1 sin 1    cos 1
จะสามารถทาโจทย์ได้
 2 
2
Etan1  Etan2
DN1  DN 2  s
ถ้ารอยต่อไม่มีประจุเชิงผิวเลย
DN1  DN 2
สาหรับ boundary condition ของผิวตัวนากับ dielectric
Dt  Et  0

 v
 J  
t

 v
  E  
t
 v
 
 D  

t
Ex
Dn  En   S

  v
D  
 t
  v
v  
 t
  t
v   0e 
 r  80;  2 104
 80 8.8541012
Tr  relaxationtime 
 3.54 s
4

2 10