Transcript 2_gyakorlat

2. gyakorlat
Készítette: Földváry Árpád
e-mail: [email protected]
Si adalékolása
• Ionimplantáció
– hideg eljárás
– adalékbevitel elektromos energiával
– kristályroncsolódás
– helyreállító hőkezelés
– tetszőleges profil!
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
2/39
Si adalékolása
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
3/39
Si adalékolása napelemben
• Szelektív emitter
– egyszerű és folyamatos eljárás
– teljesen automatizálható
– nagy hatásfok is elérhető
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
4/39
Si adalékolása
• Szilárd fázisú diffúzió
– magas hőmérsékletű folyamat
– adalékbevitel termikus energiával,
hajtóerő: koncentráció gradiens
– párhuzamosan oxidréteg kialakítható
– profil: exponenciális függvények,
felületi maximum
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
5/39
Si adalékolása
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
6/39
Diffúziós mechanizmus
Az adalékanyag mozgása két mechanizmussal történhet:
- rácsközi (intersticiális) módon
- rácsponti (szubsztitúciós) módon
Intersticiális
Si
Si
Szubsztitúciós
Si
Si
Si
Si
vakancia
Si
Si
Si
Si
Si
Si
adalék atom
Si
Si
Si
Si
adalék atom
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
7/39
Diffúziós mechanizmus
• Valamennyi adalékatom (P, As, Sb, B, In, Ga, stb.)
szubsztitúciós mechanizmussal diffundál a Si-ban.
• Au és egyes fém atomok jellemzően intersticiális
mechanizmussal diffundálnak (igen gyors diffúzió!).
• Szubsztitúciós diffúzió vakanciák megléte esetén mehet
végbe.
• Vannak olyan diffúziós mechanizmusok is, melyek
folyamán szubsztitúciós adalékok mind a vakanciákat,
mind az intersticiális helyeket kihasználják.
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
8/39
Diffúziós állandó
Feltételezzük, hogy a diffúziós állandó NEM függ az
adalékkoncentrációtól, valamint D0 függ a hőmérséklettől, de
a diffúzióra használt hőmérsékleteken elhanyagolható.
E
A
D  D exp 
0
 kT





E A  aktivációs
energia
eV  ban
 Boltzmann
állandó
 8.62  10
k
D 0 és E A táblázatb
ól meghatároz
-5
eV/K
ható
A diffúzió hőmérsékletfüggése exponenciális, a diffúziós
állandón keresztül jellemezhető.
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
9/39
Diffúziós állandók Si-ban
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
10/39
Diffúziós állandók SiO2-ban
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
11/39
A diffúzió matematikája
A diffúzió olyan mechanizmus, melyben az atomok
véletlenszerű (Brown) mozgással haladnak keresztül egy
testen.
Az 1800-as évek közepén Fick két differenciál egyenletet adott
meg, egy vékony membránon keresztüli anyagáramlás
jellemzésére.
Fick I. egyenlet:
J  D
N
x
J - a diffúziós
fluxus
D - az adalék diffúziós
N - adalék koncentrác
x - távolság
Földváry Árpád
(atom/cm
állandója
2
/sec)
2
(cm /sec)
ió (atoms/cm
3
)
(cm)
Napelemek - 2. gyakorlat
12/39
A diffúzió matematikája
Fick II. egyenlet:
kimondja, hogy a membránon keresztül a koncentráció időbeli
megváltozása arányos az ugyanitt fellépő koncentráció
gradiens megváltozásának sebességével:
 N
2
D
x
2

N
t
A
koncentráció
hely
szerinti
függésének,
N(x)
meghatározásához megadott határfeltételek mellett kell
megoldani, de D nem helyfüggő feltételezéssel.
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
13/39
Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett
• Állandó felületi koncentráció biztosításának esete,
anyagfelvitel a felületre.
 N
2
D
x
2

N
t
• Kezdeti feltétel:
N(x>0, t=0) = 0
• Határfeltételek:
N(x=0, t>0) = N0 = állandó
(szilárd oldékonyság szabja meg az adott hőfokon)
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
14/39
Szilárd oldékonyság
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
15/39
Leválasztás
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
16/39
Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett
A határfeltételek behelyettesítésével megkapjuk a profilegyenletet, amely egy erfc függvény:


x
N(x, t)  N 0  erfc 

 2 D l t l 
x j  2 D l t l erfc
1
 NB

 N
 0




A p-n átmenet mélysége abból a
feltételből határozható meg, hogy
a p-n átmeneten N(x)=NB
NB – szelet adalékkoncentrációja
Hibafüggvény menete
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
17/39
Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett
tl3 > tl2 > tl1
lgN
tl = leválasztás ideje
No = állandó felületi
koncentráció
N0
Q a bevitt anyagmennyiség,
vagyis a görbe alatti terület

tl1
tl2
tl3
Q(t) 
 N(x,
t)dx
0
NB
x1
Földváry Árpád
x2
x3
X, μm
Napelemek - 2. gyakorlat
Q(t)  2
D lt l
π
N0
18/39
Leválasztás paramétereinek számítása


x
N(x, t)  N 0  erfc 

 2 D l t l 
NB
N0


x
 erfc 

 2 D l t l 
NB/N0 hányadoshoz tartózó z értékét megkeresni a diffúziós
profil erfc függvényén.
z
2
x
xj 
2 D ltl
z 4D l t l
10
8
x j  μm 

D  cm
2
s

pl: N0=4∙1020; NB=1015; T=1000°C; Dl=3∙10-14 cm2/s; tl=1500s
NB
 2,5  10
N0
Földváry Árpád
-6
z  3,35
Napelemek - 2. gyakorlat
x j  0,45 μm
19/39
Diffúzió profilja (erfc függvény)
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
20/39
Diffúziós állandók Si-ban
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
21/39
Kétlépéses diffúzió: leválasztás (elő-diffúzió)
• Állandó felületi koncentráció biztosítása: leggyakrabban
kemencében, 900-1100ºC közötti hőmérsékleten, állandó
diffúziós
forrásból
választjuk
le
N2
gázban.
Így a felületen nem alakul ki „védőréteg”.
• Időtartama 30-60 perc.
• A forrás lehet szilárd, folyadék vagy gáz halmazállapotú.
• xj ≤ 0.5μm (többnyire tized μm)
SiO2
Si
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
adalékolt
tartomány
SiO2
xj
22/39
Diffúziós források
A gyakorlatban alkalmazott adalékanyagok:
• p: B, Ga, In, Al
• n: P (nagy szilárd oldékonyság, anomáliák), As (kis D), Sb
Diffúziós források típusai:
• szilárd:
B2O3; P2O5; As2O3
• folyadék: Foszfor-oxid-klorid (POCl3); BBr3; AsCl3
• gáz:
Diborán (B2H6); Foszfin (PH3); AsH3
Legjobban kezelhetők a technológia szempontjából a gáz
halmazállapotú források, inert vivőgázba keverve (0,1-1%),
de: mérgezőek vagy robbanásveszélyesek.
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
23/39
Diffúziós kályha és a gázrendszer
Kifújás
Gáztisztító
berendezés
Gáz vezérlő
PH3
N2
Földváry Árpád
O2
Gáz égetés
Diffúziós cső
H2
Napelemek - 2. gyakorlat
24/39
Diffúzió szilárd forrásból
bór tárcsából:
2B2O3 + 3Si → 4B + 3SiO2
A leválasztás csak semleges gázban történhet
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
25/39
Behajtás
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
26/39
Diffúzió véges anyagmennyiségből
Behajtás: az adalékatomokat a felület közeléből a
megkívánt mélységbe juttatjuk.
 N
2
D
x
2

N
t
• Kiindulási feltétel: már van felvitt anyag a felület közelében.
• Határfeltétel:
 N  x, t 
x
0
azaz nem vész el adalékatom az oxidba
x 0
Q= állandó
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
27/39
Diffúzió véges anyagmennyiségből
• A behajtás rendszerint oxidációval együtt történik (további
maszkolás céljából), ezért a ∂N(x,t)/∂x|x = 0 feltétel NEM IGAZ!
• Adalékanyag mindig átkerül az oxidba, részben a befelé
növekedő
oxid
miatt,
részben
az
adalékatomok
szegregációja miatt.
• Továbbá: annak feltétele, hogy a határfeltétel szerint x=0
helyről számíthassuk a profilt az, hogy az ott lévő anyag
valóban végtelenül kis mélységben legyen.
Dt
N(x, t) 
Földváry Árpád
Q
πD l t l

e
behajtás
x

Dt
leválasztá s
2
4D b t b
xj 
Napelemek - 2. gyakorlat
 4D b t b ln
NB
πD l t l
Q
28/39
Diffúzió véges anyagmennyiségből
A kialakult diffúziós profil Gauss eloszlású
lgN
N0
Q = állandó
(görbe alatti terület)
tb3 > tb2 > tb1
tb = behajtás ideje
N0 
tb1
NB
Földváry Árpád
x1
tb2
x2
tb3
Q  2
Q
πD l t l
D lt l
π
N0
x3 X, μm
Napelemek - 2. gyakorlat
29/39
Behajtás paramétereinek számítása
N(x, t)  N 0  e
x

2
NB
4D b t b
e

x
2
4D b t b
~
ye
z
2
N0
NB/N0 hányadoshoz tartózó z értékét megkeresni a diffúziós
profil Gauss függvényén.
z
2
x
xj 
2 Dbtb
z 4D b t b
10
8
x j  μm 

D  cm
2
s

pl: N0=4∙1020; NB=1015; T=1100°C; Dl=3∙10-13 cm2/s; tb=1500s
NB
 2,5  10
N0
Földváry Árpád
-6
z  3,6
Napelemek - 2. gyakorlat
x j  1,5 μm
30/39
Diffúzió profilja (Gauss függvény)
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
31/39
Diffúziós állandók Si-ban
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
32/39
Kétlépéses diffúzió: behajtás
• Termikus úton a megkívánt xj mélységig hajtjuk a
diffundáltatandó anyagot.
• Q ≈ állandó, állandó anyagmennyiséget diffundáltatunk.
• Általában kemencében 1000-1300ºC között végzik.
• Időtartama: 30 perctől akár 10 óráig.
• Oxigén áramban végezhető, ekkor SiO2 nő további
maszkolás céljából.
SiO2
Si
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
SiO2
SiO2
xj
33/39
Diffúzió minősítése
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
34/39
A diffúziós réteg minősítése: négytűs mérés
Kimutatható, hogy:
Rs 
π
V
I
S

V
ln2
I
 4.53
V
S
A
S
Ω/
I
A szelet
Négy tű
ρ 
1
σ
R s  négyzetes
ellenállás
ρ  diffúziós
réteg átlagos fajl. ellenállás
σ  diffúziós
réteg átlagos vezet ővez essége
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
a
35/39
Fajlagos ellenállás (Irvin görbe)
4 tűs mérés → Rs
R
s

ρ
 R
w
s

ρ
x
j
A diffundáltatott réteg
p-típusú, valamint w = xj
Rs= 50 Ω/□
xj= 1,5 μm
ρ  7,5  10
3
N 0  5,2  10
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
19
Ωcm
atom
cm
3
36/39
Diffúziós mélység meghatározása
Gömbcsiszolással:
• Egy nagy átmérőjű gömbbel belecsiszolunk a szeletbe.
• A csiszolatra ezüst-nitrátot cseppentünk és előhívjuk.
• Az előhívás hatására az n-típusú rétegre kiválik az ezüst.
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
37/39
Diffúziós mélység meghatározása
xj 
d d
2
2
2
1
4D
D=44,5mm – csiszoló gömb átmérője
d1=belső kör átmérője
d2=külső kör átmérője
d1
d2
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
38/39
Diffúziós mélység meghatározása
SRP:
spreading
resistance
probe
Földváry Árpád
Napelemek - 2. gyakorlat
39/39