Transcript 谐振放大器
第 2 章 高频小信号放大器 概述 高频电路的基础知识 晶体管高频小信号谐振放大器 小信号谐振放大器的稳定性 集中选频放大器 1 2.1 概 述 一、高频小信号放大器的功能 实现对微弱的高频信号进行不失真的放大 高频: 指被放大信号的频率在几百KHz~几百MHz 小信号: 指放大器输入信号小,有源器件工作在线性 范围内,分析电路时可采用有源四端网络 分析法分析 高频小信号放大器功能的表示形式: 输入信号频谱与输出信号频谱相同 2 二、高频小信号放大器的分类 按负载性质分: 谐振放大器 (又称调谐放大器) 用LC谐振回路作负载 (如集中选频放大器) 非谐振放大器 按所放大信号的频谱宽窄分 窄带放大器 宽带放大器 用LC谐振回路或集中选频滤波器 做负载 用纯阻或变压器做负载, 带宽较宽, 3 三、高频小信号放大器的主要技术指标 1、电压增益与功率增益 功率增益 电压增益 Po 输出给负载的功率 Ap Pi 输入功率 uo 输出电压 Au ui 输入电压 2、通频带 1 定义:放大器的电压增益下降到最大值的 2 倍时所对 应的频带宽度。常用 2△f0.7(或BW0.7)表示。 BW0.7 f 2 f1 2f 0.7 0.707 Av 0 2△f0.7 f1 f2 4 3、选择性: 表示选取有用信号,抑制无用信号的能力。 . Au . Auo 2△f0.7 理想 1.0 0.707 0.1 实际 f 2△f0.1 f0 矩形系数:表征放大器选择性好坏的一个参量,用来表 示实际曲线形状接近理想矩形的程度 2f 0.1 K r 0.1 2f 0.7 K r 0.1 1 ,选择性越好。 Au 0.1Au时所对应的频 0 带宽度 5 4、工作稳定性: 指放大器的工作状态、晶体管参数、电路元件参 数等变化时,放大器主要性能指标的稳定程度。 一般的不稳定现象是:增益变化、中心频率偏移、通频 带变窄、谐振曲线变形等,不稳定的极端情况是放大器 发生自激,放大器不能正常工作。 5、噪声系数: 指输入端的信噪比与输出端的信噪比的比值 NF ( S / N )i P P si ni ( S / N )O Pso Pno ( N F )dB 10 lg( Psi Pni ) Pso Pno 希望放大器本身产生的噪声越小越好,要求噪 声系数接近 1。 6 2.2 高频电路的基础知识 一、LC谐振回路 主要特点: 选频、滤波作用 分为: LC 并联谐振回路 LC 串联谐振回路 7 (一)LC串联谐振回路 1 回路阻抗: Z r j (L ) 1 C 谐振频率: 0 0 LC Z r 2 (L 1 ) 2 0 C 1 L C arctan Z Z z r Z 阻抗特性: r0 0 阻抗幅频特性 C 0 90º 0º L 特点: Z r (谐振电阻) 0 (作为陷波器) . U 电流最大I r . -90º s 0 0 阻抗相频特性 当 f f 0 时, Z 0 ,回路呈纯阻性 f f 0 时, Z 0 ,回路呈感性 f f 0 时, Z 0 ,回路呈容性 8 有负载时 空载时 空载品质因数: 谐振条件下,回路的存储能量 与消耗能量之比。 Q L 0 0 r 0 有载品质因数: Q L 1 Cr 0 L 0 r 0 L 0 r r 0 所以Q Q L 0 L 9 谐振曲线: (回路中电流幅值与外加信号源频率之间的关系) 当加激励电压时,流过电 路的电流可表示为: 回路谐振时,电流最大,谐振 电流为: I ( jw) U U Z r j ( wL 1 ) wC I ( jw ) 0 U r 10 (二)LC并联谐振回路 L . Is G0 C r0 Z 1.回路阻抗 (R0) L 的等效 R 0 损耗电阻 L Cr 0 1 1 ( r j L ) ( r j L ) 1 LC jC j C Z 1 Cr0 1 1 r j ( L ) 1 r j (L ) j (C ) r j L C C L L j C (L r ) 0 0 0 0 0 0 回路导纳 1 Cr 1 Y G jB j (C ) Z L L Cr 1 G B C L L 0 0 0 0 11 2.回路谐振特性 1 Cr 1 Y G jB j (C ) Z L L 0 0 (1)谐振条件: 当回路的电纳等于0时(即虚部为0),回路呈谐振状态 (2)谐振阻抗: Y G0 R p R0 谐振电阻: L Z R (达到最大值,且为纯阻性) Cr 0 0 (3)谐振频率: 谐振时,由于B=0,即 0C ω0 . 1 , LC f0 1 2π LC 0 1 0 0 L 1 LC f0 1 2 LC . (4)谐振电压:U 0 I s R0 . 谐振时电压达到最大值且与 I s 同相 12 3.品质因数 . I L0 IC 0 它反映谐振回路损耗的大小 物理意义:谐振条件下,回路储存能量与消耗能量之比 2 2 0 0 R U Q R C L R L U 0 0 0 0 0 Q 0 0 1 0C L LC L (谐振回路的特性阻抗) C 谐振时 0 L 谐振电阻 L R R Q Q C p 谐振电阻 谐振时回路的感抗值(或容抗值) 0 0 0 13 4.回路阻抗特性 Z 1 1 R Y G j ( wC 1 ) 1 jQ ( w w ) wL w 0 0 0 R Z 1 Q ( w w ) w w 0 0 0 2 0 0 0 2 w w ( w) arctan Q ( ) w w 0 0 0 Z RP L 0 0 -90º z 90º 0º C 阻抗幅频特性 阻抗相频特性 在谐振时,回路相移为零,阻抗最大,导纳最小,且为纯阻性 失谐时,回路有相移,且回路阻抗下降。 当 f f 0 时, Z 0 f f 0 时, Z 0 f f 0 时, Z 0 ,回路呈纯阻性 ,回路呈容性 ,回路呈感性 14 5.谐振曲线 (回路两端电压幅值与工作频率之间的关系) . . U I Z s Z 1 1 R Y G j ( wC 1 ) 1 jQ ( w w ) wL w 0 0 0 0 0 I R U ( w) I Z w w 1 jQ ( ) w s 0 s 0 0 0 谐振时,输出电压 U (w ) I R 0 s 0 相对输出电压 U ( w) U (w ) 0 ? 15 U ( w) U (w ) 0 1 w w 1 Q ( ) w w 2 0 2 0 0 Q1 Q2 > Q1 Q2 在谐振点, U/U0=1。随着|Δw|的增大,U/U0 将减小。 对于同样的偏离值Δw ,Q越高,U/U0衰减就越多,谐振曲线就越 尖锐,即回路两端电压衰减越快,对外加信号的选频作用越显著, 即选择性越好 结论:Q值越高,谐振曲线就越尖锐,回路选择性越好 16 6.负载电阻对回路的影响 考虑RL后的并联谐振回路,如图所示。 谐振频率 f0 1 2π LC 回路等效谐振电阻 不变 R R // R R p 有载品质因数 QL 0 R 1 1 L Lg L( g g ) 0 而空载品质因数 (不考虑RL) 由于 L 0 0 0 L R0 1 Q0 0 L 0 Lg 0 R R0 ,所以 QL Q 0 结论:考虑RL,Q下降,选择性变坏,但通频带加宽。 17 LC串并联相比较 18 LC串并联相比较 19 例1 已知LC并联谐振回路的电感L在 f 30MHz 时测得 L 1uH, Q0 100 试求谐振频率 f 0 30MHz 时的C和 并联谐振电阻 R p 解: 20 例2 RS . Us [解] 下图中,L = 586 H, C = 200 PF, r = 12 , RS = RL= 100 k ,试 分析信号源及负载对谐振回路特性的影响。 L r C RL R0 1. 计算无 RS、 RL时回路的固有特性:f0、Q0、RP、BW0.7 21 2. 计算有 RS、 RL时回路的特性:f0、Q、RP、BW0.7 RS . Us L r C RL 22 二、串并联阻抗的等效互换 等效互换的原则:等效互换前的电路与等效互换后的电路阻抗相等 R2 ( jX 2 ) R2 X 22 R22 X 2 R1 jX1 2 j 2 2 R2 jX 2 R2 X 2 R2 X 22 2 R X 2 2 \R 1 2 R2 X 22 R22 X 2 X1 2 R2 X 22 R2 X1 Q1 Q2 Q R1 X2 结论:串并联等效互换后Q不变。 23 R2 X 22 R2 1 R1 2 R2 2 2 2 R2 R2 X 2 1 Q 1 X 22 R22 X 2 X2 1 X1 2 X2 2 2 1 X2 R2 X 2 1 1 Q2 R22 R2 (1 Q 2 ) R1 Q 2 R1 (Q 1) X 2 (1 1 Q 2 ) X 1 X 1 结果表明:串联电路转换为等效并联电路后,电抗元件性质不变, 且在高Q时,电抗值基本不变,而并联电路的电阻为串联电路的Q2倍 24 三、并联谐振回路的耦合连接与阻抗变换电路 并联谐振回路作为放大器的负载时,连接的方 式直接影响放大器的性能。 选频 一般具有 的作用 阻抗变换 25 (一)变压器阻抗变换电路 M + u1 C N1 + RL N2 u2 - - 设变压器为无耗的理想变压器,则等效到初级回路的电阻RL'上所消 耗的功率应和次级负载RL上所消耗功率相等,即 u12 u22 RL RL 设接入系数 p 或 RL u12 N12 2 2 RL u2 N2 N1 2 RL ( ) RL N2 N U 2 N1 2 U1 则 RL' 1 RL 2 p 注:(1) p 反映电压比 (2)若 p 1 ' 则 R L RL ,实现从低阻向高阻的变换 26 (二) 自耦变压器阻抗变换电路 2 2 uab 2 ucb RL uab ( N1 N 2 ) 2 2 则 RL RL ucb N 22 RL N1 N 2 2 RL ( ) RL N2 设接入系数 p U N2 cb N1 N 2 U ab 接入系数的定义: 则 RL' 1 RL 2 p 转换前的圈数(或容抗) p 转换后的圈数(或容抗) 27 (三)双电容分压阻抗变换电路 1 C 2 p 1 C C C1 C2 C1 C2 C C1C2 C1 C2 C1 C2 2 1 R 2 RL ( ) RL p C1 ' L 28 (四)双电感抽头阻抗变换电路 L1 和 L2 是各自屏蔽的(令M=0) 0 L2 L2 p 0 ( L1 L2 ) L1 L2 L1 L2 2 1 R 2 RL ( ) RL p L2 ' L 29 在实际应用中,除了阻抗需要变换外,有时电压源, 电流源,电容, 电感需要折算,根据接入系数的定义, 可得到其他量的变比关系: 1 RL 2 RL p CL p 2CL I g pI g g L p 2 g L 1 X L 2 X L p 1 U g U g p 30 例3 下图所示电路为一等效电路,其中 L 0.8uH, Q0 100, C 5pF, C1 20pF, C2 20pF, R 10kΩ, RL 5kΩ 计算回路的谐振频率、谐振电阻。 分析:此题是基本等效电路的计算,其中L为有损电感,应考 虑损耗电阻R0,其次应进行抽头电路等效变换。 解: 31 例4 下图中,线圈匝数 N12 = 10 匝, N13 = 50 匝, N45 = 5 匝,L13= 8.4 H, C = 51 pF, Q0 =100, Is = 1 mA , RS =10 k, RL= 2.5 k, 求有载品质因数QL、通频带BW0.7、谐振输出电压Uo。 1 + 5 2 RL Uo R C Is s 4 – 3 解:将Is 、RS 、 RL均折算到并联谐振回路1-3两端如 右图所示 32 2.3 晶体管高频小信号谐振放大器 以谐振回路为选频网络的高频小信号放大器称为小信 号谐振放大器或小信号调谐放大器。 作用:选出有用频率信号并加以放大,而对无用频率 信号予以抑制。(选频和放大) 构成:小信号放大器 + LC谐振回路 按谐振回路分:单调谐放大器、双调谐放大器、参差调谐 放大器。 33 一、晶体管高频小信号等效电路 晶体管的高频小信号等效电路主要有两种表示方法: 物理模型等效电路:混合 型参数等效电路。 网络参数等效电路:y 参数等效电路。 (一)混合л型等效电路 Cb'c rbb' rb'c Cb'e ub'e rb'e gm ub’e rce rbb’—基区的体电阻 26 26(mV ) rb / e (1 0 ) 0 () rb‘e —发射结电阻,约几百欧 Ie I e (mA) cb‘e —发射结电容, 约20PF-0.01μF 34 Cb'c rbb' rb'c Cb'e ub'e rb'e gm ub’e rce rb‘c —集电结电阻,约10kΩ~10MΩ。可忽略。 cb‘c —集电结电容,数值较小,约几个皮法 gm —晶体管跨导,表示晶体管的放大能力,几十毫西门子以下 I gm 0 e rb 'e 26 g mU b 'e -表示晶体管放大作用的等效电流源 rce—晶体管c-e电阻,一般在几十千欧以上 35 (二) y 参数等效电路 c b Ic Uc Ib Ub e . . 如果取电压 U b 和 U c 为自变量,电 . Ib yie | U b Uc 0—— 输入导纳 Ib yre | —— 反向传输导纳 U c U b 0 Ic yfe —— 正向传输导纳 | U 0 Ub c . 流 I b 和 I c 为参数量,可得共射极 Y 参 数系的约束方程: I b yieU b yreU c Ic yoe | —— 输出导纳 U 0 b Uc I c yfeU b yoeU c 36 根据上式可以得到晶体管的Y参数等效电路。 Ib Ic yie U yoe y feU b y reU c U c b 注:(1) , 是受控电流源, (2) 正向传输导纳 愈大,晶体管的放大能力愈强; (3) 反向传输导纳 愈大,晶体管的内部反馈愈强,减小 有利于放大器的稳定工作。 (4)四个 y 参数都是复数,为了计算方便,可表示为: j fe yie gie jC ie y fe y fe e yoe goe jC oe yre yre e j re 37 (三)混合 参数等效电路与 y 参数等效电路的转换 gbe jCbe yie ( 1 rbb gbe ) jCbe rbb gbc jCbc yre ( 1 rbb gbe ) jCbe rbb gm y fe ( 1 rbb gbe ) jCbe rbb yoe gce jCbc rbb gm gbc jCbe ( 1 rbb gbe ) jCbe rbb 38 二、单调谐回路谐振放大器 (一) 放大器的电路组成 (1) 电路的直流偏置是由 R1、 R2 、 Re来实现。 (2) CB CE 为高频旁路电容。 (3)LC并联谐振回路为放大器的集电极负载,起选频作用。 (4) 为了实现晶体管输出阻抗与负载之间的阻抗匹配,减少晶 体管输出阻抗与负载对回路的影响,晶体管的输出及下一级 放大器均通过阻抗变换电路接入。 39 (二)放大器的高频等效电路 第一步:由原电路画出交流通路 3 Vcc:交流接地 Cb、Ce:交流短路 + U i – 4 L c b C + Yie –U o 2 e 1 5 交流通路 40 第二步:由交流通路画Y参数等效电路 3 + U i – 4 L c b C + Yie –U o 2 e 1 5 交流通路 41 有用部分 p1 p2 集电极的接入系数 N12 p1 N13 负载的接入系数 N 45 p2 N13 假设晶体管的yre=0, 将所有参数折合到LC回路两端, g 0 为回路本身的损耗 go 简化的高频等效电路 1 0 LQ0 42 (三)放大器的技术指标 ① 电压增益 Y 当放大器谐振时: 0C 1 0 0 L 即谐振频率: p1 p2Y fe U Au 0 1 Ui g jC j L 谐振时电压增益: Au 0 相角: 回路有载品质因数: p1 p2Y fe g u0 1800 fe 增益幅值: Au 0 p1 p2 Y fe g 43 ② 谐振曲线 (表示放大器的相对电压增益与输入信号频率的关系。) -广义失谐因子 Au Au0 1 2f 2 1 (Q L ) f0 1 1 2 44 ③ 放大器的通频带 0.707 2△f0.7 2△f0.1 0.1 f1 2 f 0 .7 f2 f0 QL ④ 放大器的矩形系数 K r 0.1 102 1 9.95 1 说明谐振曲线与矩形相差较远,选择性较差, 这是单调谐放大器的缺点。 45 三、多级单调谐回路谐振放大器 设放大器有m级,每级都是单调回路,且谐振频率相同为 f 0 (每级的 y re 0 ) 1)总电压增益 A m Au1 Au 2 Aum 当各级电压增益相同,则 , Am ( Au1 ) m Am 0 ( Au10 ) m 2)谐振曲线 m级相同的放大器级联时,它的谐振曲线等于各单级谐振曲线的 乘积。即 Am 1 1 ( )m ( )m Am 0 2f 2 1 2 1 (Q L ) f0 可见,级数越多,谐振曲线越尖锐 46 3)总通频带 Am 1 1 ( )m Am 0 1 2 2 1 m 2 1 1 ( 2f 0.7 ) m QL 2m 1 f0 1 m 2 1 1 ——带宽缩减因子 可见级联后总通频带变窄。 结论:级联的放大器级数m越多,总增益越大,但总通频带 越窄。 47 4)总矩形系数 1 m (2f 0.1 ) m 100 1 f0 QL 由该表知,级联的放大器级数越多,K r 0.1 虽有所改善,但效果不大。 由以上分析知,单调谐放大器的选择性差,增益和通频带的矛盾 突出。改善放大器选择性和解决其增益与通频带之间的矛盾的有效方 法是采用参差调谐放大器和双调谐放大器。 48 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 一、谐振放大器不稳定的原因 原因: yre 0 即Π等效电路中 Cbc 存在 。 Cbc低频时可忽略,高频时不可忽略。它使输出信号反馈到 输入端,一定条件下导致自激,放大器将不稳定。 49 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 1.放大器的输入导纳 Yi 从晶体管的ce两端向 谐振回路看的等效负 载导纳 Yi (Yi yie ) 可见,由于Yre的存在,使得放大器的输入 ' 导纳与负载导纳 Y L 有关 。 50 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 2. 输出导纳Y0 Y0 y fe yre Ic Yo yoe Uc yie Ys 由于yre的存在,使得放大器的输 出导纳Yo不仅与晶体管的输出导纳 yoe有关,而且还与放大器输入端 的信号源内导纳Ys有关。 51 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 二、放大器的稳定系数 +. / Ui 而 通过 yre 反馈到输入端的反馈电压 . / . 若U i U i 则放大器要产生自激振荡 稳定系数 S=1 为维持自激振荡的条件,放大器不稳定; S<1,一定要产生自激; S>>1,放大器稳定,一般S>>5就可认为是稳定的。 52 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 三、提高谐振放大器稳定性的方法 选用Yre(或 Cb’c )小的晶体管 从电路上消除内反馈的影响, 使管子单向化 中和法 失配法 1. 中和法 , 在晶体管放大器的输出与输入之间引入一个附加的外部反馈 . . 电路,以抵消晶体管内部 Yre的反馈作用。 内反馈: I F y re U 21 . IN YN I yre F . 外反馈: I N YN U 45 反馈作用抵消,应有 I IF IN 0 yreU 21 YNU 45 U 21 YN yre U 45 53 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 1. 中和法 Cb/c 通常 y re 的实部很小,可以忽略。 故常采用一个电容CN来抵消 虚部中的电容反馈, 中和电容 CN 由于 C re与C b 'c有关,常用 C b 'c代替 C re I1 + U12 I2 U 32 + I I1 I2 U12 jCbc U 32 jCN 0 U12 ,U 32的相差1800 \U12 jCbc U 32 jC N CN U12 N Cbc 12 Cbc U 32 N 32 54 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 I1 I2 + U12 - + U 45 - I I1 I2 U12 jCbc U 45 jCN 0 U12 ,U 45的相差1800 \U12 jCbc U 45 jC N U12 N12 CN Cbc Cbc U 45 N 45 55 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 2. 失配法 增大负载导纳YL,使回路总导纳增大, 导致输出回路严重失配,输出电压减小, 从而减小内反馈。 失配法的实质:是降低放大器的电压增益,以满足稳定的要求。 降低电压增益方法较多,例如,可选用合适的接入系数;在谐振回路两端 并端电阻来实现降低电压增益。在实际应用中,较多的是采用共射—共基 级联放大器,其等效电路如图所示。 T2 + U i T1 + C L U o – T2(共基):输入阻抗小(输 入导纳大)→ T1的负载导纳大 → 从而使共发晶体管内部反馈 减弱,稳定性大大提高 – 共发-共基组合电路调谐放大器 56 2.5 小信号调谐放大器的稳定性 2. 失配法 共发电路在负载导纳很大的情况下, 虽然电压增益减小,但电流增益仍较 大;而共基电路虽然电流增益接近1, 但电压增益却较大。所以二者级联后, 互相补偿,电压增益和电流增益都比 较大。 T2 + U i – T1 C L + U o – 共发-共基组合电路调谐放大器 共射—共基级联晶体管可以等效为一个共射晶体管。 yi yie yf y fe yre yr yre yoe y fe yo yre 57 2.6 集中选频放大器 2.6.1 集中选频滤波器 一、陶瓷滤波器 二、声表面波滤波器 58 利用某些陶瓷材料的压电效应构 成的滤波器,称为陶瓷滤波器。它的 等效品质因数QL为几百,比LC滤波 器高。 a l. 压电效应和压电振荡 在陶瓷片两个电极上加交变 电压时,它将会产生一定频率的 机械变形;而当陶瓷片发生机械 变形时(拉伸或压缩),它的表 面又会产生电荷,两极间产生电 压,上述物理现象称为压电效应。 Lq JT C0 Cq rq b 单片陶瓷滤波器 的等效电路和符号 当固有振动频率与外加信号频率相同时,由于压电效应 陶瓷片产生谐振,这是机械振动幅度最大,陶瓷片表面产 生电荷量的变化也最大,因而外电路中的电流也最大。这 表明具有串联谐振的特性。 59 2. 陶瓷滤波器的等效电路和振荡频率 当陶瓷片不振动时,可等效为一个平板 电容C0,称为静态电容;其值决定于陶瓷片 的几何尺寸和电极面积。 当陶瓷片产生振动时,陶瓷片的惯性等 效为电感Lq。 a Lq C0 Cq rq b 图 3.6.2 石英谐振器 基频等效电路 陶瓷片的弹性等效为电容Cq,Cq << C0 。 陶瓷片的摩擦损耗等效为电阻rq,理想情况下rq=0。 60 当等效电路中的Lq、Cq、rq支路产生串联谐 振时,该支路呈纯阻性,其串联谐振频率 1 fs 2 π Lq Cq a Lq C0 Cq 并联谐振频率 rq 1 fp 2π Lq Cq C0 fs 1 Cq b C0 Cq C0 由于Cq<< C0,所以f s ≈f p。 61 图 3.6.10 四端陶瓷滤波器 陶瓷滤波器工作频率从几百千赫到几十兆赫,具有体积小、成 本低,受外界影响小等优点。缺点是频率特性曲线较难控制, 通频带也不够宽。 谐振子数目愈多,滤波器的带外衰减性能愈强。 End 62 图 声表面波滤波器结构示意图 原理:加输入信号,发端叉指间产生交变电场,由于压 电效应,基片表面产生弹性形变,激发出与输入信号同 频率的声表面波,沿基片传送到收端。收端换能器产生 逆压电效应,在叉指间产生电信号,并传送给负载。 63 图 3.6.13 均匀叉指换能器声振幅-频 率特性曲线 64 表面声波滤波器具有体积小、重量轻、中心频率 可做得很高、相对频带较宽、矩形系数接近于1等特 点,并且它可以采用与集成电路工艺相同的平面加工 工艺,制造简单、成本低、重复性和设计灵活性高, 可大量生产,所以是一种很有发展前途的滤波器。 End 65 2.6.2 集中选频放大器应用举例 集中选频放大器:是以集中选频滤波器为 负载的放大器,有选择性好、性能稳定等 优点。如电视接收机中的中频放大器。 66 2.7 放大器的噪声 2.7.1 概述 所谓干扰(或噪声), 就是除有用 信号以外的一切不需要的信号及各种电磁 骚动的总称。 电阻等有耗元件 放大器的内 部噪声主要 有 晶体管 场效应管等电子器件产生 67 2.7 放大器的 噪 声 2.7.2 电子噪声的来源与特性(内部噪声) 1. 电阻热噪声 :电阻内部自由电子的热运动 产生的。因热运动产生杂乱起伏的微弱电流,被 称为起伏噪声电流,因而在电阻两端产生起伏电 压。这种噪声电压被称为电阻的热噪声。频谱宽, 各个频率分量的强度相等,与白光光谱类似,故 也称为白噪声。 68 69 2. 晶体三极管的噪声 一般比电阻热噪声大。 1)热噪声:发射区、基区、集电区的体电阻 和引线电阻产生的热噪声。基区体电阻产 生的为主。 2) 散粒噪声:由于单位时间内通过PN结 的载流子数目随机起伏,使得通过PN结 的电流在其平均值上下作不规则起伏变 化而形成噪声。是晶体管的主要噪声源 。 70 3)分配噪声:在晶体管中,通过发射结的 非平衡载流子大部分达到集电结,形成集电 极电流,而小部分在基区内复合,形成基极 电流。这两部分电流分配比例是随机的,从 而造成集电极电流在其静态值上下起伏变化, 产生的噪声。 4) 闪烁噪声:也称低频噪声。在高频工作时 一般可以忽略。 3. 场效应管噪声 :主要由沟道电阻产生的 71 2.7.3 噪声系数 1. 噪声系数的定义 图 2 — 35 为一线性四端网络, 它的噪声系数定 义为输入端的信号噪声功率比(S/N)i与输出端的信号噪 声功率比(S/N)o的比值, 即 Si Ni 线性电路 KP NF So No 图 2 — 35 噪声系数的定义 72 Psi/Pni N F= Pso/Pno 噪声系数通常用dB表示, 用dB表示的噪声系数为 思考:理想情况下, NF =? 73 结论:NF总是大于1。其值越接近1表示 放大器内部噪声性能越好。 例2.4.1 已知放大器输入信号功率Psi=2µW, 输入噪声功率为Pni=0.02pW,输出信号功 率Pso=200µW,输出噪声功率Pno=8pW, 试求输入、输出信噪比及噪声系数。 74 2. 多级级联网络的噪声系数的公式为 N F 3 1 N F 2 1 N F N F1 K Pm1 K Pm1 K Pm2 从式(2 — 78)可以看出, 当网络的额定功率增益远大 于1时, 系统的总噪声系数主要取决于第一级的噪声系数。 越是后面的网络, 对噪声系数的影响就越小, 这是因为越 到后级信号的功率越大, 后面网络内部噪声对信噪比的 影响就不大了。 因此, 对第一级来说, 不但希望噪声系数 小, 也希望增益大, 以便减小后级噪声的影响。 75 例5:设一放大器以简单并联振荡回路为负 载,信号中心 频率f=10MHz,回路电容 C=50pF,试计算所需的线圈电感值。 又若线圈品质因数为Q0=100,试计算回路 谐振电阻和回路带宽。若放大器所需的 带宽为0.5MHz,则应在回路上并联多大 电阻才能满足放大器所需带宽要求? 76 例6:在前述高频小信号放大器中,已知工作 f0=30MHZ,gie=1.2ms,Cie=12PF;goe=400µs, Coe=9.5PF; Yfe =58.3ms.回路电感 L13=1.4µH,线圈匝数比n1=1, n2=10/3,Q0=100.负载是另一级相同的放大器。 求谐振电压增益振幅Au0和通频带BW0.7。又 回路电容C多少时,才能使回路谐振? 77