Transcript Slide 1

1
‫آشنايی با تسليحات غير کشنده‬
‫و علمناه صنعه لبوس لكم لتحصنكم من باسكم فهل انتم‬
‫شاكرون‬
‫( سوره مبارکه انبيا آيه ‪) 80‬‬
‫و ما به او(حضرت داود عليه السالم ) ساخت زره را تعليم‬
‫نموديم تا شما را از آسيب جنگ در امان بدارد ‪ ،‬پس آيا از‬
‫شكر گزارانيد؟‬
‫‪3‬‬
‫فهرست مطالب‬
‫‪EMP‬‬
‫ معرفی منابع‬‫ تاثیرات‬‫ راه های محافظت‬‫‪------------------------------------‬‬‫بمب های گرافیتی‬
‫ معرفی‬‫ تاثیرات‬‫‪ -‬راه های محافظت‬
‫معرفی منابع ‪EMP‬‬
‫‪ ، EMP‬تابش ناگهاني موج الکترمغناطيس ي در زمان بسيار کوتاه است که طيف بزرگ‬
‫فرکانس ي را با دامنه زياد مي پوشاند‪.‬‬
‫طرز عمل اين پالس شبيه يک صاعقه است اما به مراتب موثر تر و سريعتر‬
‫‪5‬‬
‫الف‪ :‬انفجارات هسته اي‪:‬‬
‫تقسيم بندي عملکردي‬
‫پالس هاي ناش ي از انفجارات هسته اي که از نوع باند پايه مي باشند‪ .‬در صورت انفجار در ارتفاعات‬
‫باالتر از جو زمين‪ ،‬گستره تخريب بسيار وسيعی در حدود چند صد کيلومتر دارند‪.‬‬
‫ب‪ :‬بمب هاي الکترومغناطيس ي انفجاري‪:‬‬
‫در نوع انفجاري و يا اصطالحا يکبار مصرف‪ ،‬دو نوع پالس در باند پايه و مايکرويو بر حسب تنوع سيستم‬
‫ها وجود دارد که در هر صورت سيستم تنها يک پالس از خود صادر‬
‫مي کند‪ .‬بکار گيري اين نوع سالح عمدتا بصورت بمب و راکت و يا پرتابه اي مي باشد‪.‬‬
‫پ ‪ :‬توپ هاي الکترو مغناطيس ي با تغذيه الکتريکي‪:‬‬
‫توپ الکترومغناطيس ي بعنوان يک سالح چند بار مصرف است که پالس خروجي در اين سيستم مي تواند‬
‫از هر دو نوع باند پايه و مايکرويو باشد ( فرکانس هاي مايکرويو اين سالح از حدود ‪ 1 GHZ‬تا حدود‬
‫‪ 15 GHZ‬گزارش شده است ) ‪.‬‬
‫‪6‬‬
‫بمب الکترو مغناطيس ي اخال گر الکترونيکي‪:‬‬
‫امواج قدرتي منتشر شده با نفوذ به قسمت هاي مختلف سيستم مانند آنتن ها‪ ،‬محفظه ها و سيستم ها و کابل‬
‫ها و مدارات چاپي و نيمه هادي ها مي توانند باعث تخريب قطعات و اختالل در سيستم هاي الکترونيکي شوند‬
‫‪.‬‬
‫در جنگ خليج فارس‪ ،‬از بمب هاي الکترمغناطيس ‪ EMP‬با توان حدود ‪ 16‬مگاوات بر عليه تجهيزات الکترونيکي‬
‫عراق استفاده شده است‪.‬‬
‫اياالت متحده در سال ‪ 1999‬از تاسيسات استراتژيک يوگسالوي به عنوان يک ميدان آزمايش براي سالح هاي‬
‫الکترومغناطيس ي تهاجمي استفاده نمود‪ .‬در نقطه مقابل‪ ،‬روس ها نيز از بمب هاي الکترو مغناطيس ي بر عليه‬
‫ابررايانه هاي آمريکا استفاده کردند‪.‬‬
‫‪7‬‬
8
‫ویژگی ها‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫هر کشوري حتي با تکنولوژي در سطح دهه ‪ ،1940‬قادر به ساختن اين نوع بمب ها مي باشد‪.‬‬
‫استفاده آنها در سطح کشور ها و حتي توسط تبهکاران با صرف مبلغ حدود ‪ 400‬دالر يک مدل پايه از آن را مي‬
‫توان ساخت‪.‬‬
‫با سرعت نور حرکت مي کنند‬
‫سه اثر حرارتي و بيولوژيکي و الکتريکي‬
‫عموما به وضيعت آب و هوايي حساس نيستند‬
‫دستگاه هاي الکترونيکي حتي هنگامي که خاموش هستند نيز ممکن است در برابر اين سالح ها آسيب پذير‬
‫باشند‪.‬‬
‫‪ ‬با کوچک شدن اندازه دستگاه هاي الکترونيکي و فشرده تر شدن آنها ‪ ،‬حساسيت شان نسبت به ‪HPM‬‬
‫زيادترمي شود‪.‬‬
‫بنابر اين سيستم هاي الکترونيکي پيشرفته‪ ،‬آسيب پذيرترين دستگاه ها هستند‪.‬‬
‫‪ ‬احتمال زياد اصابت به هدف در مقايسه با سالح هاي معمولي ( نيازي به هدف گيري دقيق نيست )‪.‬‬
‫‪ ‬امکان حمله هم زمان به چند هدف‬
‫‪10‬‬
‫هسته اصلي بمب هاي الکترومغناطيس ي ‪:‬‬
‫‪-‬‬
‫مولد هاي شارژ فشرده ( ‪) FCG‬‬
‫‪-‬‬
‫مولد هاي هيدروديناميکي مغناطيس ي (‪) MHD‬‬
‫‪-‬‬
‫منابع مايکرويو توان باال (‪) HPM‬‬
‫مولد هاي ‪: FCG‬‬
‫ايده اصلي ساخت ‪ ، FCG‬استفاده از يک انفجار سريع براي فشرده سازي لحظه اي يک ميدان مغناطيس ي همراه‬
‫با انتقال انرژي زياد از انفجار به ميدان مغناطيس ي مي باشد‪.‬‬
‫‪ ،FCG‬کامل ترين تکنولوژي قابل استفاده در طراحي بمب هاي الکترومغناطيس ي مي باشد‪.‬‬
‫‪11‬‬
12
‫سالح هاي ‪ HPM‬که به آنها سالح هاي ‪ RF‬و سالح هاي با پهناي طيف فوق‬
‫العاده زياد نيز گفته مي شود‪ ،‬اغلب شامل يک منبع تغذيه اوليه انفجاري يا‬
‫الکتريکي‪ ،‬يک مولد ‪ RF‬و يک آنتن مي باشند‪.‬‬
‫محدوده فرکانس ي اين سالح ها ‪ 10‬مگاهرتز تا ‪ 100‬گيگا هرتز است و با تابش باند‬
‫باريک و باند پهن چندين فرکانس هم زمان ايجاد کرده و سطح تواني در حدود‬
‫‪ 100‬مگاوات تا ‪ 100‬گيگا وات دارند ‪.‬‬
‫‪13‬‬
14
‫اثر بر قطعات الكتريكي و الكترونيكي‬
‫آسيب هاي مقاومتي ناش ي از جريان هاي پالس ي سطح باال به وسيله فشار بيش از حد‬
‫حرارتي القاء شده توسط انرژي و شکست ولتاژ ايجاد مي شود‪.‬‬
‫آستانه آسيب براي خازن هاي الکتروليتي در جهت مثبت آنها ‪ 3‬الي ‪ 10‬برابر نرخ ولتاژ ‪ DC‬آنها مي باشد‪.‬‬
‫ترانسفورماتور ها در اثر داغ شدن يا ذوب عايق اطراف سيم‪ ،‬آسيب مي بينند‪.‬‬
‫سوئيچ ها و رله ها نيز در اثر جرقه زني بين شکاف ها معيوب مي شوند‪.‬‬
‫در بررسي میزان نفوذپذیري محفظه ها‪ ،‬پدیده تشدید بسیار حائز اهمیت است‪ .‬فرکانس هاي تشدید‪،‬‬
‫فرکانس هایي هستند که در آنها میزان نفوذ به محفظه ها به بیشترین مقدار ممکن مي رسد‪.‬‬
‫خطوط نواري و مدار هاي چاپي به عنوان یکي از مهمترین بخش هاي یک سیستم الکتریکی‪ ،‬لزوم‬
‫حفاظت از آنها در برابر امواج الکترومغناطیسي خارجي از مهمترین گام هاي طراحي مي باشد‪.‬‬
‫‪15‬‬
‫قطعات ديجيتالي پيشرفته که در ساخت آنها از تکنو لوژي هایی مانند ‪ CMOS‬استفاده مي‬
‫شود‪،‬‬
‫اگر در معرض تابش مستقيم ‪ HPM‬قرار بگيرند‪ ،‬بسيار حساس و آسيب پذيرند‪.‬‬
‫توان مايکروويوي مورد نياز براي ايجاد آشفتگي در قطعه ديجيتال بيشتر از توان مورد نياز براي ايجاد‬
‫اغتشاش در يک قطعه آنالوگ است ‪.‬‬
‫کابلها از نفوذپذيرترين قسمتهاي يک سيستم در مقابل امواج الکترو مغناطيس ي مي باشند‪.‬‬
‫در يک دسته بندي کالن کابل ها به چهار دسته تک سيم و زوج سيم و چند رشته اي و کابل‬
‫شيلد و کواکسيال تقسيم مي شوند‪.‬‬
‫تقسيم بندي از جنبه ديگر ‪ :‬تغذيه اي و اطالعاتي‪.‬‬
‫عمدتا ميزان نفوذ در هاديها در فرکانس هاي پايين ‪ ،‬بيشتر است‪.‬‬
‫در فركانس هاي باال سيم هاي كوتاه هم مانند يك آنتن گيرنده خوب عمل مي كنند‪.‬‬
‫‪16‬‬
‫اقدامات موثر در کاهش اثرات ‪ HPM‬در سيستمهاي الکترونيکي‪:‬‬
‫‪ )1‬حفاظ سازي زير سيستم ها‪ ،‬کابل ها و سيم ها‪.‬‬
‫‪ )2‬فيلترينگ مناسب در کابل هاي اطالعاتي و تغذيه‪.‬‬
‫‪ )3‬ارتباط دادن زير سيستم ها بوسيله کابل هاي فيبر نوري‪.‬‬
‫‪ )4‬استفاده از محدود كننده هاي ولتاژ و جريان زياد‬
‫‪ )5‬جايگزين کردن قطعات حساس مثل تراشه هاي منطقي ‪ MOS‬با معادلهاي مقاوم شده‬
‫آنها‪.‬‬
‫‪ )6‬کم کردن ‪ Duty cycle‬فرستنده ها و گيرنده هاي حساس‪.‬‬
‫‪ )7‬بهينه سازي و اصالح کردن مدارهاي بزرگ و کم کردن تعداد عناصر آنها‪.‬‬
‫‪ )8‬استفاده ازسيستم هاي تطبيق و محافظ براي ورودي تغذيه برق سيستم ‪.‬‬
‫‪ )9‬باندينگ مناسب در محل اتصاالت (کانکتورها ‪)...‬‬
‫‪17‬‬
‫استفاده تور هاي فلزي ‪ se‬در حدود ‪ 20db‬افزايش مي يابد‪.‬‬
‫محفظه ها امواج مخرب فرکانس باال را تا حد زيادي حذف مي کنند اما در فرکانس هاي‬
‫پايين اين عمل به سادگي قابل انجام نمي باشد و براي حذف اين امواج مي توان روش هاي‬
‫برش و لتاژ‪ ،‬انحراف سيگنال به زمين‪،‬انتخاب محل بهينه روزنه ها در حد امکان و همچنين از مواد مغناطيس ي براي تغيير‬
‫نحوه توزيع ميدان داخل محفظه و ‪ ...‬استفاده کرد ‪.‬‬
‫استفاده از خم هاي ربع دايره بجاي خم قائم و پوشش عايقي جهت حفاظت خطوط نواري و مدار هاي چاپي‬
‫قرار دادن کل تجهيزات در داخل يک محفظه‪ ،‬که به قفس فارادي معروف مي باشد‪.‬‬
‫در تکنولوژي مدرن براي انتقال اطالعات به داخل و خارج محفظه از فيبرهاي نوري استفاده می کنند‪.‬‬
‫‪18‬‬
19
20
‫اصول اساس ي در مقابله ‪:‬‬
‫‪ ‬انواع ادوات محدود کننده جريان يا ولتاژ‬
‫‪ ‬اصل جداسازي زيرسيستم ها )‪(Segregation‬‬
‫‪ ‬اصل زمين کردن )‪(Grounding‬‬
‫‪ ‬کانکتورهاي متوقف کننده ولتاژها و جريانهاي بزرگ گذرا‬
‫‪ ‬اصل پوشش )‪(Shielding‬‬
‫‪ ‬طراحي اتاق هاي پوشش مناسب براي کاربردهاي مختلف‬
‫‪ ‬استفاده توأم از فيلترينگ و پوشش‬
‫‪ ‬استفاده از درزگيرها )‪(Gasket‬‬
‫‪ ‬طراحي مناسب بردهاي مدار چاپي براساس اصول ‪EMC‬‬
‫‪ ‬پوشش براي کابلها‬
‫‪ ‬متوقف کردن ولتاژها و جريانهاي بزرگ گذرا‬
‫‪ ‬فيلترهاي ‪EMC‬‬
‫‪21‬‬
‫‪ ‬زمین کردن)‪ (Grounding‬در سيستمها با دو هدف صورت ميپذيرد‪:‬‬
‫ يکي تضمين امنيت پرسنل‬‫ حفاظت از سيستمها و دستگاههاي مختلف‬‫‪‬زمین کردن براي امنیت پرسنل بیشتر در مقابله با صاعقه و نقصهاي سیستم توان‬
‫ميباشد که حتي گاهي باعث جاري شدن جریانهاي دهها کیلوآمپري به زمین ميشوند‪.‬‬
‫‪22‬‬
‫طراحي اتاق هاي پوشش‪:‬‬
‫‪ .1‬درهاي ورود و خروج‬
‫‪ .2‬نصب هواکش با موج بر و جداساز‬
‫‪ .3‬موج بر براي ورود و خروج هوا‬
‫‪ .4‬ورود خروج هوا با جدا ساز‬
‫‪ .5‬سيستم ورود و خروج براي مايعات (لوله هادي با عايق)‬
‫‪ .6‬سيستم ورود و خروج براي مايعات (لوله غيرهادي)‬
‫‪ .7‬ورودي سيگنال‪ ،‬سيستم ورود و خروج براي کابل داراي پوشش و سيستم ورود و خروج‬
‫براي کابل ها غير هادي‬
‫‪23‬‬
‫درهاي ورود و خروج‪:‬‬
‫شرايطي که يک در اتاق پوشش‪ ،‬بايد برآورده سازد‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫از آلياژ مناسب ساخته شده باشد‬
‫با ديوارههاي اتاق اتصال مناسب داشته باشد‬
‫از درزگيرهای مناسب استفاده شده باشد‬
‫در برابر نفوذ هواي آلوده و گازهاي سمي مقاوم باشد‬
‫عايق صوتي باشد‬
‫قابليت تحمل فشار بسيار باال را داشته باشد‬
‫در مقابل آتش مقاومت باشد‬
‫شمايي از يک در تک لنگهاي‬
‫‪ ‬عايق حرارتي باشد‬
‫انواع درهاي اتاق پوشش‪:‬‬
‫‪ (1‬درهاي يک لنگهاي‬
‫‪ (2‬درهاي دو لنگهاي‬
‫‪ (3‬درهاي کشويي‬
‫‪24‬‬
‫مناسبترين نوع هواکشها‪ ،‬هواکش هاي موج بري مي باشند‪.‬‬
‫ابعاد سطح مقطعي چنين موج بري کوچک است‪،‬‬
‫لذا فرکانس قطع هر کدام از اين موج برها‬
‫نمونهاي از هواکش براي اتاق پوشش ‪:‬‬
‫بسيار باالست و امواج‬
‫ً‬
‫‪ EMP‬در آن فرکانس ها احتماال دامنه‬
‫کوچکي دارند‪.‬‬
‫‪25‬‬
‫سيستم ورود لولهها و کابلهاي پوشش دار ‪:‬‬
‫براي اين منظور از ادواتي با نام بوشينگ استفاده ميشود‪.‬‬
‫بوشينگ براي لوله آب ‪:‬‬
‫بوشينگ براي‬
‫کابلهاي پوششدار ‪:‬‬
‫‪26‬‬
‫سيستم ورود کابلهاي غيرهادي‪:‬‬
‫کابلهاي غيرهادي نظير فيبرهاي نوري اگرچه خود‬
‫کمتر حامل امواج ‪ EMP‬ميشوند و آنها را با خود‬
‫داخل پوشش نميبرند‪ ،‬ليکن چنانچه با مکانيزم‬
‫درستي وارد اتاق نشوند‪ ،‬از فواصل ايجاد شده‬
‫در ديواره اتاق پوشش‪ ،‬اين امواج وارد اتاق ميشوند‪.‬‬
‫این وسيله تعدادي سوراخ روي خود دارد که به ابعاد استاندارد خطوط غيرهادي نظير فيبرهاي نوري در آن‬
‫ً‬
‫تعبيه شدهاند‪ ،‬تعداد سوراخ ها معموال بيش از حد نياز ميباشد‪ ،‬براي مسدود کردن سوراخ هاي اضافي از‬
‫پيچهاي ويژه اين سوراخها استفاده ميشود‪.‬‬
‫‪27‬‬
‫استفاده از درزگيرها )‪:(Gasket‬‬
‫‪28‬‬
‫پوشش براي کابلها‪:‬‬
‫از آنجا که امواج حاصل از يک حمله ‪ EMP‬در مجاورت محل وقوع حمله بسيار پرتوان‬
‫ميباشند‪ ،‬به راحتي ميتوانند از پوشش روي کابل عبور کرده‪ ،‬سيگنال عبوري از آن را تحت‬
‫تأثير قرار داده و همراه با آن وارد سيستم شوند‪ ،‬براي جلوگيري از اين پيشامدها با استفاده از‬
‫پوششهاي اضافي‪ ،‬از کابل در برابر ‪ EMP‬حفاظت ميشود‪.‬‬
‫پوششهاي زيپي‬
‫براي تقويت پوشش‬
‫کابلها‬
‫‪29‬‬
‫انواع ادوات محدودکننده جريان يا ولتاژ‪:‬‬
‫‪ -1‬محدود کنندههاي ولتاژ (موازي با سيستم حفاظت شده) ‪:‬‬
‫‪ ‬المپهاي تخليه گازي (ظرفيت انتقال جريان بسيار باال‪ ،‬ولتاژهاي برش بزرگ و سرعت پايين)‬
‫‪ ‬محدود کنندههاي پالسما (ظرفيت انتقال جريان باال‪ ،‬ولتاژهاي برش متوسط و سرعت‬
‫متوسط)‬
‫‪ ‬ادوات سراميکي (وريستورهاي اکسيد فلزي)(سرعت بسيار باال‪ ،‬ظرفيت انتقال جريان باال)‬
‫‪ ‬ادوات حالت جامد (ديودهاي زنر‪Sidactor ،‬ها و ‪( )...‬سرعت هاي عکسالعمل بسيار باال)‬
‫‪ -2‬محدود کنندههاي جريان (سري با سيستم حفاظت شده) ‪:‬‬
‫‪ ‬فيوزهاي هوشمند يا ‪PTC‬ها (عکسالعمل باالتر)‬
‫‪ ‬فيوزهاي شيشه اي (تحمل جريان بزرگتر)‬
‫‪30‬‬
‫وريستورها به طور گستردهاي در حفاظت در برابر ولتاژهاي‬
‫گذرا استفاده شدهاند و در ساختارهاي بستهبندي شده تجاري‬
‫مختلف در دسترس هستند‬
‫ ضخامت متناسب با ولتاژ است‪.‬‬‫ سطح متناسب با جريان‬‫‪ -‬حجم متناسب با انرژي است‬
‫محدود کنندههاي توان‬
‫‪31‬‬
‫کانکتورهاي مقاوم در برابر ‪:EMP‬‬
‫امروزه استفاده از ادوات حفاظت در برابر ‪ Surge‬به قدري توسعه يافتهاند که در بعض ي‬
‫موارد‪ ،‬ديگر نيازي نيست که از آنها به صورت مجزا استفاده شود‪ ،‬بلکه کانکتورهايي ساخته شدهاند که‬
‫ً‬
‫از محدود کنندههاي ولتاژ و جريان در يک بستهبندي کامل سود ميبرند‪ ،‬به عالوه در اين بسته بنديها معموال از‬
‫هيتسينک نيز استفاده ميشود‪.‬‬
‫کانکتوري که از مدارات متعدد موازي براي حفاظت در برابر ‪ Surge‬بهره ميبرد‪،‬‬
‫هرگاه الماني در این کانکتور خراب‬
‫شود‪ ،‬ميتوان با المان گسسته آن را‬
‫جایگزین کرد‪.‬‬
‫‪32‬‬
‫کانکتوري که از مدارات متعدد موازي براي‬
‫حفاظت در برابر ‪ Surge‬بهره ميبرد‬
‫و فيلتر ‪ EMI‬سادهاي نيز دارد‪ .‬در فرکانسهاي‬
‫باالي ‪ 100MHz‬کار ميکنند‪،‬‬
‫ميتواند به خوبي عمل فيلترينگ‬
‫و حفاظت در برابر ‪ EMP‬را همزمان‬
‫انجام دهد‬
‫و قابليت مهم اين وسيله آنست که‬
‫ميتوان آنرا بالفاصله باز کرده و درصورت‬
‫خرابي ديودها انها را تعويض کرد‪.‬‬
‫‪33‬‬
‫فيلترهاي ‪:EMI‬‬
‫فيلترها براي اتالف و تضعيف سيگنالهاي موجود در روي هاديها در فرکانسهاي‬
‫ناخواسته طراحي ميشوند‪ ،‬در حاليکه فرکانسهاي سيگنالهاي اصلي را از خود عبور ميدهند‪.‬‬
‫انواع فيلترهاي ‪:EMI‬‬
‫‪ ‬فيلترهاي مد مشترک (چوکهاي مد مشترک و هستههاي فريتي)‬
‫‪ ‬فيلترهاي خطوط توان‬
‫‪ ‬فيلترهاي خطوط سيگنال يا مد تفاضلي(انواع فيلترهاي ديجيتال و آنالوگ)‬
‫استفاده توأم از فیلترینگ و پوشش‪:‬‬
‫استفاده از پوشش بدون استفاده از فیلترهاي ویژه‪ ،‬کامل نميشود‪.‬‬
‫براي انتقال خطوط سیگنال و توان به داخل یک محفظه پوشش‪ ،‬حتما ً باید از فیلترها‬
‫استفاده کنیم‪.‬‬
‫‪34‬‬
‫ً‬
‫نکته مهم حين استفاده از فيلترها براي اتاق پوشش اينست که فيلتر حتما بايد روي‬
‫ً‬
‫ديوار خارجي اتاق پوشش نصب شده و بدنه فيلتر‪ ،‬حتما بايد زمين شود‪.‬‬
‫‪35‬‬
‫استفاده از پوشش روي ‪PCB‬ها‪:‬‬
‫استفاده از پوشش در روي ‪PCB‬ها براي قطعات حساس و گاهي نيز براي تمام ‪ PCB‬بکار ميرود‪،‬‬
‫استفاده از پوشش در روي ‪PCB‬ها نيز احتياج به فيلترينگ دارد‪.‬‬
‫‪36‬‬
‫فيلترهاي خط توان‬
‫فيلترهاي مد مشترک‬
‫‪37‬‬
:‫منابع و ماخذ‬
: ‫منابع فارس ي‬
82 ‫ مهر ماه‬، ‫ دانشگاه صنعتي شريف‬، ‫) سمينار جنگ الکترو نيک‬1
80 ‫ زمستان‬، ‫) گزينه هايي از مقاالت دکتر دانايي محمد مهدي‬2
:‫منابع انگليس ي‬
1- A. A. smith “coupling of external electromagnetic fields to transmission lines”
new york : wiley 1977
2- C.D. talor.R.S.satterwhile and c. w harrison the response of a terminated two –
wire transmission line exited by anon – unifrom electromagnetic feld : ieee
trans . Antennas propagate . Vol 13 pp 987-989 nov 1965 .
3- E.F. vance . Coupling to shielded cables . New york wiley interscience 1987
4- S.A. Schelkunoff electromagnetic wave . New york : van nostrand , 1945
5- High power microwave sources and technologies robert j.brker .
6- v. dwyer , a. franklhn and d. campbell , thermal failure in semiconductor devices
solid state electronics , vol 33 , no , 5 , pp , 553 – 560 , 1990 .
7- The electromagnetic bomb – a weapon of electrical mass destruction
http ://www . Cs . Monash . Au / carlo.
38
‫صلوات بر محمد و آل محمد‬
‫‪39‬‬