Transcript Document
หน่ วยความจาภายใน และหน่ วยความจาภายนอก หัวข้ อการเรี ยนร้ ู หน่ วยความจาหลักแบบเซมิคอนดักเตอร์ - การจัดโครงสร้ าง - DRAM และSRAM - ประเภทของ ROM - โครงสร้ างภายในชิ พ - การบรรจุชิพ - การจัดวางโครงสร้ างชิ น้ ส่ วน ดิสก์ แม่ เหล็ก - กลไกในการอ่ านและบันทึกข้ อมูลบนสื่ อแม่ เหล็ก - การจัดโครงสร้ างของข้ อมูล และการฟอร์ แมท - คุณลักษณะทางกายภาพ - ค่ าประกอบประสิ ทธิ ภาพของดิสก์ หน่ วยความจาหลักแบบเซมิคอนดักเตอร์ คอมพิ วเตอร์ ในยุคแรก ๆ สิ่ งที่ นามาใช้ เป็ นอุปกรณ์ สาหรั บบันทึ ก ข้ อมูลหน่ วยความจาหลัก คือ เฟอร์ โรแม็กเนติก (ferromagnetic) ที่ ทาเป็ นรู ป วงแหวน และนามาเรี ยงเป็ นแถวซึ่ งเรี ยกว่ า “core” และทาให้ หน่ วยความจา ถูกเรี ยกว่ า “memory core” มาจนถึงในปั จจุบัน ต่ อมาได้ นาเทคโนโลยี เซมิ คอนดักเตอร์ (semiconductor) มาใช้ เป็ นหน่ วยความจาหลักแทน และใช้ ม า จนถึงทุกวันนี ้ หน่ วยความจาหลักแบบเซมิคอนดักเตอร์ เฟอร์ โรแม็กเนติก (ferromagnetic) ที่ ทาเป็ นรู ปวงแหวน และนามา เรี ยงเป็ นแถวซึ่ งเรี ยกว่ า “core” และทาให้ หน่ วยความจาถูกเรี ยกว่ า “memory core” มาจนถึงในปั จจุบัน การจัดโครงสร้ าง หน่ วยย่ อยเล็กที่ สุดของเซมิ คอนดักเตอร์ เรี ยกว่ า เซลล์ หน่ วยความจา (memory cell) โดยมีคุณลักษณะพืน้ ฐานที่เหมือนกัน คือ เซลล์ มีสถานะที่ เสถียรสองสถานะ ซึ่ งนามาใช้ แทนความหมายบิ ต “0” และบิต “1” เซลล์ สามารถที่ จะถูกทาให้ เปลี่ยนสถานะ (write) ได้ เซลล์ สามารถถูกตรวจสอบสถานะ (read) ได้ การจัดโครงสร้ าง รู ปแสดงการทางานของเซลล์ หน่ วยความจา DRAM และ SRAM จัดอยู่ในประเภท “random access” คื อข้ อมูลแต่ ละ word ใน หน่ วยความจาสามารถถูกอ้ างอิง (อ่ านหรื อบันทึ ก) ได้ โดยตรง ผ่ านสายสัญญาณ ที่นามาใช้ ในการกาหนดตาแหน่ งข้ อมูลที่ต้องการ คุณลักษณะที่สาคัญของแรมสองประการคือ 1. สามารถอ่ านหรื อบันทึกข้ อมูลได้ อย่ างง่ ายดายและรวดเร็ วด้ วยการใช้ สัญญาณไฟฟ้ า 2. ข้ อมูลที่ เก็บอยู่นั้นเป็ นการเก็บไว้ ชั่วคราว หน่ วยความจาแรมจะต้ อง ได้ รับพลังงานไฟฟ้ ามาป้ อนอยู่อย่ างต่ อเนื่ องตลอดเวลา เมื่อใดก็ต ามที่ พลังงาน ไฟฟ้ าหายไป ข้ อมูลทั้งหมดที่เก็บอยู่ในหน่ วยความจาก็จะหายไปในทันที หน่ วยความจาเซมิคอนดักเตอร์ ตารางแสดงประเภทของหน่ วยความจาเซมิตอนดักเตอร์ Dynamic RAM หน่ วยความจาชนิด dynamic RAM หรื อ DRAM ประกอบด้ วยเซลล์ ที่ใช้ เก็บข้ อมูลที่ ใช้ วิธีการอัดประจุไฟฟ้ าเข้ าไปเก็บไว้ ในตัวคาปาซิ เตอร์ (capacitor) แล้ วใช้ แทนความหมายบิต “0” หรื อบิต “1” dynamic คือ คุณลักษณะที่จะต้ องมีการอัดประจุไฟฟ้ าให้ อยู่เสมอ Dynamic RAM รู ปแสดงโครงสร้ างเซลล์ หน่ วยความจาแบบทั่วไป Static RAM Static RAM จัดว่ าเป็ นอุปกรณ์ ดิจิตอล ที่ มีการจัดเตรี ยมอุปกรณ์ ภายใน เป็ นลักษณะเดี ยวกับโครงสร้ างของโปรเซสเซอร์ ใน SRAM ค่ าไบนารี่ (“0” หรื อ “1”) จะถูกเก็บไว้ ด้วย flip-flop logic gate ซึ่ งสามารถเก็บค่ าไว้ ในตัวเองได้ นานตราบเท่ าที่มีพลังงานไฟฟ้ าป้ อนให้ อย่ างต่ อเนื่อง โดยไม่ ต้องอาศัยการถ่ ายเท ประจุไฟฟ้ าเหมือนกับที่เกิดขึน้ ใน DRAM Static RAM – 32k x 8 bit .3” Wide, 20ns Static RAM -32k x 8 bit, .6” Wide, 70ns การเปรียบเทียบระหว่ าง SRAM กับ DRAM ทั้ง static และ dynamic แรมสามารถเก็บข้ อมูลได้ เพียงชั่วคราว DRAM นั้นมีโครงสร้ างที่ ง่ายกว่ าและมีขนาดเล็กกว่ า SRAM จึ งสามารถบรรจุ จานวน เซลล์ ต่อพืน้ ที่ได้ มากกว่ า ทาให้ มีราคาถูกกว่ า SRAM ที่มีขนาดความจุเท่ า ๆ กัน DRAM จาเป็ นจะต้ องมีวงจรสาหรั บการกระตุ้น (refresh cycle) เป็ น ระยะ ๆ อย่ างสมา่ เสมอ SRAM มีความเร็ วในการทางานสูงกว่ า DRAM โดย ระบบคอมพิ ว เตอร์ ส่ วนใหญ่ น า DRAM มาใช้ เป็ นหน่ วยความจาหลัก และนา SRAM ใช้ เป็ นหน่ วยความจา cache ประเภทของ ROM ROM (Read Only Memory) ประกอบด้ วยข้ อมูลที่ ถกู บันทึ กไว้ เป็ นการ ถาวร ซึ่ งไม่ สามารถแก้ ไขได้ ROM จึ งไม่ จาเป็ นต้ องอาศัยพลังงานไฟฟ้ าในการ จัดเก็บข้ อมูล โปรแกรมที่ มีการเรี ยกใช้ โดยโปรแกรมอื่น ๆ อยู่เป็ นประจา โปรแกรมระบบ ตารางข้ อมูลเกี่ยวกับฟั งก์ ชัน ข้ อดีของ ROM คือ การที่ ข้อมูลหรื อโปรแกรมถูกจัดเก็บไว้ อย่ างถาวร ในหน่ วยความจาจึ งไม่ มีความจาเป็ นต้ องถูกอ่ านขึน้ มาจากอุปกรณ์ ไอโอภายนอก ซึ่ งจะต้ องเสี ยเวลาเป็ นอย่ างมาก ประเภทของ ROM programmable ROM หรื อ PROM เป็ น ROM ขนาดเล็กเพื่อการบันทึ ก ข้ อมูลในปริ มาณไม่ มากนัก โดยสามารถบันทึกข้ อมูลได้ แบบถาวร อย่ างไรก็ตาม การบันทึ กข้ อมูลลงใน PROM จาเป็ นต้ องใช้ เครื่ องมือพิเศษ และชิ พแต่ ละตัวก็ สามารถบันทึกข้ อมูลลงได้ เพียงครั้ งเดียวเท่ านั้น ประเภทของ ROM EPROM (Erasable PROM) สามารถบันทึ กข้ อมูล และนามาใช้ อ่านได้ ในภายหลัง ก่ อนการบันทึกข้ อมูลชิ พประเภทนีจ้ ะถูกนามา “ล้ าง” ข้ อมูลทั้งหมด โดยการอาบตัวชิ พด้ วยแสงอัลตร้ าไวโอเลตผ่ านช่ องหน้ าต่ างขนาดเล็กบนตัวชิ พ จากนั้นจึ งนามาบันทึ กข้ อมูลลงไปด้ วยเครื่ องมืออิ เล็กทรอนิ กส์ ข้ อมูลที่ บันทึ ก แล้ วก็จะเป็ นข้ อมูลที่ ถูกฝั งอยู่ในชิ พตลอดไป หรื อจนกว่ าจะถูก นามาล้ างและ บันทึกข้ อมูลใหม่ ประเภทของ ROM EEPROM (Electronically EPROM) มีความสามารถในการบันทึ ก ข้ อมูลใหม่ ลงไปได้ โดยไม่ จาเป็ นต้ องลบข้ อมูลเก่ าทิ ้งไปก่ อน นั่ นคื อสามารถ เลือกลบข้ อมูลทีละไบต์ หรื อทีละหลายไบต์ ที่ต้องการได้ ประเภทของ ROM flash memory จะใช้ เทคโนโลยีลบข้ อมูลด้ วยสั ญญาณไฟฟ้ า และใช้ ทรานซิ ส เตอร์ เพี ย งตั ว เดี ย วในการเก็บ ข้ อ มู ล หนึ่ ง บิ ต ท าให้ สามารถบรรจุ หน่ วยความจาไว้ ในชิ พตัวหนึ่งได้ เป็ นจานวนมาก โครงสร้ างภายในชิพ ในภาพรวมของโครงสร้ างลาดับชั้นของหน่ วยความจา จะมีข้อดี ข้อเสี ย ระหว่ า งความเร็ ว ความจุ และราคา สามารถน ามาใช้ พิ จ ารณาการจั ด วาง โครงสร้ างและฟั ง ก์ ชั น ตรรกะของเซลล์ ภ ายในชิ พ ได้ เ ช่ นเดี ย วกั น ส าหรั บ หน่ วยความจาเซมิคอนดักเตอร์ สิ่ งที่ นามาใช้ พิจารณาเป็ นหลักในการออกแบบ คือ จานวนบิตที่สามารถอ่ านหรื อบันทึกข้ อมูลได้ ในแต่ ละครั้ ง แนวทางหนึ่งของ การออกแบบคือ การสร้ างชิ พให้ มีจานวนบิตเท่ ากับจานวนบิตใน word ข้ อมูลที่ มีการอ้ างอิงถึงของโปรเซสเซอร์ หน่ วยความจาจะมีโครงสร้ างเป็ นแถวที่ มีขนาด B บิต จานวน W word โครงสร้ างภายในชิพ รู ปแสดงหน่ วยความจาขนาด 16 Megabit DRAM (4M×4) การบรรจชุ ิพ รู ปแสดงการบรรจุเซมิคอนดักเตอร์ ลงในชิ พและขาสัญญาณต่ าง ๆ การบรรจชุ ิพ ชิ พขนาด 8 Mbit ที่ จัดโครงสร้ างแบบ 1M × 8 ในกรณี นีเ้ รี ยกว่ า one-word-per-chip ซึ่ งประกอบด้ วยขา 32 ขา ทาหน้ าที่ดังนี ้ บอกต าแหน่ ง ของ word ที่ ต้องการอ้ างอิ ง สาหรั บชิ พขนาด 1 M word จะต้ องใช้ จานวน 20 ขา คือหมายเลข A0-A19 (220 = 1M) ข้ อ มู ล ที่ ถู ก อ่ า นจะส่ งผ่ า นออกมาทางสาย 8 เส้ น คื อ หมายเลข D0-D7 สายไฟฟ้ าสาหรั บให้ พลังงาน (power line) หมายเลข Vcc สายดิน (ground) จานวน 1 เส้ น หมายเลข Vss จานวน 1 เส้ น การบรรจชุ ิพ สายกระตุ้นให้ ชิพทางาน (chip enable:CE) เนื่องจากในระบบ ประกอบด้ วยชิ พมากกว่ า 1 ตัว ซึ่ งต่ างก็เชื่ อมต่ อเข้ ากับสายบัสบอกตาแหน่ งชุด เดียวกัน สาย CE จึ งนามาใช้ ในการกาหนดตัวชิ พที่ ได้ รับอนุญาตให้ ทางาน สาย CE นีถ้ กู ควบคุมโดยบิตที่อยู่ในสายสัญญาณบัสบอกตาแหน่ ง สาย Vpp ซึ่ งเป็ นสายสั ญญาณที่ ถูกบังคับโดยคาสั่ งในโปรแกรม ผู้ใช้ สาหรั บการสั่งให้ บันทึกข้ อมูล การจัดวางโครงสร้ างชิ้นส่ วน รู ปแสดงการจัดโครงสร้ าง หน่ วยความจาขนาด 256 Kbytes การจัดวางโครงสร้ างชิ้นส่ วน รู ปแสดงการจัดโครงสร้ างหน่ วยความจาขนาด 1 Mbyte หน่ วยความจาภายนอก ดิสก์ แม่ เหล็ก ดิ สก์ สร้ างขึ น้ มาจากวัสดุที่ไม่ มีสนามแม่ เหล็ก เป็ นรู ป จานกลมเรี ยบ เรี ยกว่ า แกน (substrate) แล้ วนามาเคลือบด้ วยสารเหนี่ยวนาแม่ เหล็ก ในปั จจุบัน ได้ หันมาใช้ แกนที่ทาจากแก้ ว ซึ่ งคุณสมบัติที่เหนือกว่ า คือ แก้ วมีผิวที่ เรี ยบกว่ าโลหะชนิ ดอื่น จึ งช่ วยให้ การฉาบสาร แม่ เหล็กนั้นมีความเรี ยบมากกว่ าทาให้ แผ่ นดิสก์ มีความน่ าเชื่ อถือสูงขึน้ ช่ วยลดความผิดพลาดทางการผลิต ทาให้ การบันทึ กข้ อมู ลและ การอ่ านข้ อมูลมีข้อผิดพลาดน้ อยลง หน่ วยความจาภายนอก ดิสก์ แม่ เหล็ก สามารถสนับสนุนอุปกรณ์ ที่มีคุณสมบัติ fly height ลดลง ทาให้ มีความเที่ยงตรงในการทางานมากขึน้ มีความแข็งมากกว่ า ช่ วยในการลดอาการแกว่ งตัวของดิสก์ มีความทนทานต่ อแรงสั่นสะเทือน และรอยขูดขีดมากกว่ า กลไกในการอ่ านและบันทึกข้ อมูลบนสื่อแม่ เหล็ก ข้ อมูลถูกบันทึ กลงบนแผ่ นดิสก์ และสามารถอ่ านกลับมาใช้ ง านได้ ใน ภายหลัง โดยผ่ านอุปกรณ์ เรี ยกว่ า หั วอ่ าน/เขียนข้ อมูล (head) ซึ่ งมักจะแยกออก จากกันเป็ น หัวอ่ านข้ อมูล (read head) และหัวบันทึกข้ อมูล (write head) ใน ระหว่ างที่ มีการอ่ านหรื อบันทึ ก ข้ อมูล หั วอ่ านหรื อบันทึ กข้ อมูล จะนิ่งอยู่กับที่ ในขณะที่ แผ่ นดิ สก์ นั้นจะหมุนไปเรื่ อย ๆ อยู่ข้างใต้ กลไกในการอ่ านและบันทึกข้ อมูลบนสื่อแม่ เหล็ก รู ปแสดงหัวอ่ านเขียนข้ อมูล การจัดโครงสร้ างของข้ อมูลและการฟอร์ แมท หั วอ่ าน/บันทึ กข้ อมูล จั ดเป็ นอุปกรณ์ ขนาดเล็กที่ สามารถอ่ านข้ อมูล หรื อบันทึ กข้ อมูลลงบนแผ่ นดิ สก์ ที่หมุนรอบตัวเองได้ การทางานในลักษณะนี ้ ทาให้ การบันทึกข้ อมูลบนแผ่ นดิสก์ มีลกั ษณะเป็ นวงแหวนขนาดต่ าง ๆ ซึ่ ง เรี ยกว่ า ร่ องบันทึกข้ อมูล (tracks) ซึ่ งมีขนาดเท่ ากับ หั วอ่ าน/บันทึ กข้ อมูล โดยปกติ มี จานวนร่ องบันทึ กข้ อมูลนับพั น ร่ องต่ อแผ่ นดิสก์ หนึ่งด้ าน การจัดโครงสร้ างของข้ อมูลและการฟอร์ แมท รู ปแสดงแผนการวางข้ อมูลบนแผ่ นดิสก์ การจัดโครงสร้ างของข้ อมูลและการฟอร์ แมท รู ปแสดงแผนการวางข้ อมูลบนแผ่ นดิสก์ สองแบบ การจัดโครงสร้ างของข้ อมูลและการฟอร์ แมท รู ปแสดงรู ปแบบร่ องบันทึกข้ อมูลแบบ Winchester (Seagate ST506) คณ ุ ลักษณะทางกายภาพ แผ่ นดิสก์ จะถูกยึดติดไว้ กับตัวขับดิสก์ (disk drive) ซึ่ งประกอบด้ วย แขนกลที่มีหัวอ่ าน/บันทึกติดอยู่ มีแกนกลางซึ่ งใช้ เป็ นตัวหมุนดิสก์ และอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์ ใช้ สาหรั บการบันทึกหรื ออ่ านข้ อมูล ดิสก์ ที่ติดตั้งแบบถาวร (nonremovable disk) นั้นแผ่ นดิสก์ จะเป็ นส่ วนหนึ่ งของตัวขับดิสก์ ไม่ สามารถแยก จากกันได้ สาหรั บดิสก์ ส่วนใหญ่ จะฉาบสารแม่ เหล็กไว้ ทั้งสองด้ านของแผ่ นดิสก์ ทาให้ สามารถบันทึ กข้ อมูลได้ ทั้งสองด้ านซึ่ งเรี ยกว่ า “double sided” ในขณะที่ ดิสก์ ร่ ุ นเก่ าบางชนิดจะเป็ นแบบด้ านเดียวหรื อ “single-sided” คณ ุ ลักษณะทางกายภาพ รู ปแสดงส่ วนประกอบของ ตัวขับดิสก์ คณ ุ ลักษณะทางกายภาพ รู ปแสดงร่ องบันทึกข้ อมูล และไซลินเดอร์ คณ ุ ลักษณะทางกายภาพ โดยทั่วไปหั วอ่ าน/บันทึ กจะถูกวางในตาแหน่ งที่ คงที่ ซึ่ งลอยอยู่เหนื อ แผ่ นดิสก์ เพียงเล็กน้ อย (ช่ องว่ างนีเ้ รี ยกว่ า air gap) การที่ หั ว อ่ า น/บั น ทึ ก ลอยอยู่ เ หนื อ แผ่ น ดิ ส ก์ นั้ น ท าให้ หั ว จะต้ อ ง สามารถสร้ างสนามแม่ เหล็กได้ แรงเพียงพอที่ จะมีผลต่ อการบันทึ กข้ อ มูลลงบน ผิวของแผ่ นดิสก์ และจะต้ องมีความไวเพียงพอในการสัมผัสกับสนามแม่ เหล็กที่ ผิวได้ ในขณะที่อ่านข้ อมูล ดังนั้นความสัมพันธ์ ระหว่ างความหนาแน่ นของข้ อมูล และช่ องว่ าง air gap คือ ถ้ าช่ องว่ างนั้นมีขนาดแคบลงก็จะทาให้ ความกว้ างของร่ องบันทึ กแคบลงไปด้ วย ทาให้ มี ปริ มาณความจุข้อมูลสูงขึน้ ค่ าประกอบประสิทธิภาพของดิสก์ รายละเอี ย ดในการท างานไอโอของดิ ส ก์ นั้ น ขึ ้ น อยู่ กั บ ระบบ คอมพิวเตอร์ ระบบปฏิ บัติการ และคุณลักษณะของช่ องสื่ อสารไอโอและหน่ วย ควบคุมดิสก์ รู ปแสดงแกนเวลาการทางานของการถ่ ายเทข้ อมูล เวลาค้ นหา (Seek time) เวลาค้ นหา หมายถึง ระยะเวลาที่ ตัวขับดิ สก์ ใช้ ในการเคลื่ อนหั วอ่ าน/ บันทึ ก จากตาแหน่ งที่ อยู่ในขณะนั้นไปยังตาแหน่ งร่ องบันทึ ก ข้ อมูลที่ ต้องการ เวลาค้ นหาประกอบด้ วยสองส่ วนคื อระยะเวลาขั้นต้ นที่ เริ่ มขยับแขนกล และ ระยะเวลาที่ ใช้ ในการเคลื่อนหั วอ่ าน/บันทึ กข้ ามร่ องบันทึ กข้ อมูลต่ าง ๆ เมื่อแขน กลเคลื่อนที่ด้วยความเร็ วคงที่ (Redundant Array of Inexpensive Disks) คือ เทคโนโลยีการนา ฮาร์ดดิสก์ หลายๆ อันมาต่อเข้าด้วยกัน เพื่อให้มองเห็นเป็ นอันเดียว เพื่อวัตถุประสงค์ตา่ งๆ เช่น เพิ่มความ น่าเชือ่ ถือของข้อมูล หรือเพิ่มประสิทธิภาพการอ่าน/เขียนข้อมูล หลักการโดยรวมของ RAID คือ การสาเนาข้อมูล (mirroring) การแบ่งส่วนข้อมูล (striping) และการแก้ไข ความผิดพลาด (error correction) หากจะแบ่ง RAID ตามประเภทของการจัดการจัดเก็บข้อมูลและ เทคโนโลยีแล้วจะมีมากกว่า 10 ชนิด แต่ที่นยิ มและใช้กนั อย่างแพร่หลาย จริงๆจะมีอยู่ราว 5 ชนิดคือ RAID-0, RAID-1, RAID-0+1, RAID-3 และ RAID-5 นอกจากนีแ้ ล้วประเภทของ RAID ชนิดใหม่ที่กาลังได้ร ัั บความ นิยม เพิ่มขึน้ ในขณะนีค้ ือ RAID-30 และ RAID-50 • เป็ นการทาให้ ความเร็วของ ฮาร์ ดดิสก์ เพิ่มขึน้ เป็ น 2 เท่ า • ซึ่งความเร็วในการเขียนและอ่ าน ข้ อมูลจากฮาร์ ดดิสก์ จะเพิ่มตาม จานวนฮาร์ ดดิสก์ ท่ นี ามาใช้ ข้ อมูลที่ เราจัดเก็บลงไปในฮาร์ ดดิสก์ จะถูก แบ่ งเป็ นส่ วนๆ • RAID 1 เป็ นการทาให้ ข้อมูลมี ความปลอดภัยสูงขึน้ คือ เมื่อเราจัดเก็บข้ อมูลลงไปใน ฮาร์ ดดิสก์ ข้ อมูลจะถูกจัดเก็บ เหมือนกันและพร้ อมกัน ถ้ าข้ อมูลเกิด การเสียหายที่ฮาร์ ดดิสก์ ตัวใดตัวหนึ่ง ก็ยังสามารถใช้ ข้อมูลจากฮาร์ ดดิสก์ อีก ตัวได้ • เป็ นการนา RAID 0 กับ RAID 1 มาใช้ ร่วมกัน เพื่อให้ ได้ ทงั ้ ความเร็วและความ ปลอดภัยไปพร้ อม ๆ กัน ซึ่ง จะต้ องใช้ ฮาร์ ดดิสก์ 4 ตัว โดย หลัก • RAID 3 เหมาะสาหรับ ใช้ ในงานที่มีการส่ งข้ อมูล จานวนมากๆ เช่ นงานตัดต่ อ Video • ได้ นาข้ อดีของ RAID แบบ ต่ างๆ มารวมไว้ ในตัวเอง คือ ราคา ประสิทธิภาพ และความสามารถ ในการป้องกันข้ อมูลสูญหาย 1. 2. 3. จะทาให้ อัตราการโอนถ่ายข้อมูลสูงกว่าอัตราการโอนถ่ายข้อมูล ฮาร์ดดิสต์ตวั เดีย่ วๆ สร้างความปลอดภัยให้ขอ้ มูล เรามัน่ ใจได้ว่าข้อมูลจะไม่มวี นั สูญ หาย ถ้าหากมีฮาร์ดดิสต์ ตัวใดตัวหนึง่ ในอะเรย์ เสียอย่าง กะทันหัน เพิ่มความจุของระบบจัดเก็บข้อมูลต่อไดร์ฟได้อย่างไม่จากัด 1. 2. ราคาแพง การติดตัง้ เป็ นแบบกึง่ ถาวร ต้องจัดการดูแลเป็ นพิเศษ คาถามท้ ายบท 1. จงเปรี ยบเทียบความแตกต่ างระหว่ าง SRAM กับ DRAM 2. ประเภทของ ROM มีกี่ประเภท อะไรบ้ าง จงอธิ บาย 3. double sided แตกต่ างจาก single-sided อย่ างไร 4. ประโยชน์ ของการใช้ งานแบบ raid