Dispositivos de cuatro capas (PNPN)
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Dispositivos de cuatro capas (PNPN)
SCR (Rectificadores Controlados de Silicio)
Dispositivo de 4 capas y 3 terminales
Manejo de potencias significativas
I > 5kA
V > 10kV
Las junturas externas están polarizadas en
directa y la interna en reversa.
Una corriente por el gate sirve para
polarizar la juntura intermedia y poner el
disp. en conducción
The diode model
Ppio. De funcionamiento: Actúa como un par de transistores
realimentados positivamente.
BJT son intrínsicamente
de baja ganancia (ancho
base comp. a diff. length)
La suma α1 + α2 resulta < 1 (los transistores
son de bajo beta) para Vak bajas
La relación aumenta con Vak debido a:
a)
Aumento de la zona de vac en J2,3 y por
ende de I y del factor de transporte
b)
Mayores niveles de inyección aumentan la
eficiencia de Emisor
c)
La multiplicación de portadores en J2,3
siempre produce el disparo (aún a pesar
de los dos anteriores)
Una Ig > 0 produce corriente inicial mayor, y el
dispositivo se activa con menor tensión
Vak
Operación
SCR de Cátodo cortocircuitado
Características de encendido
reproducibles
Adds a contact to P3 far from the
gate
A bajas I, P3/N4 está en cc y la
ganancia de N4-P3-N2 es 0.
A mayores I, la VB se incrementa
y P3-N4 se polariza en directa
Conduce corriente en un solo
sentido
Puede dispararse también por
tensiones directas altas o dV/dt
(capacidad de J2,3)
Una vez disparado conduce
siempre y cuando I>IH
Un pico elevado de corriente
di/dt (para prendido) puede
quemar el dispositivo
Factores importantes
Peak forward and reverse breakdown voltages
Maximum forward current
Gate trigger voltage and current
Minimum holding current, IH
Power dissipation
Maximum dV/dt
Ventajas
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran
corriente directa
Puede bloquear ambas polaridades de una señal de A.C.
Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa pequeñas
Desventajas
El dispositivo no se apaga con Ig=0
No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensión
Tienen un rango limitado de operación con respecto a la
temperatura
Triacs
El dispositivo puede encenderse tanto con tensión
A1-A2 positiva como negativa, utilizando una tensión
del signo adecuado en el gate.
MAC210A8
DIAC
No conduce hasta que se supera la
tensión de disparo
Puede utilizarse para disparar un
triac
Disipaciones típicas de ½ a 1 W
Características Típicas
Aplicaciones
• Control de iluminación
• Control de motores
• Llaves de protección y conección de circuitos
Opto-SCR
Opto-Triacs
Transistor Unijuntura
Sobre una determinada tensión Vp exhibe una zona de resistencia negativa
Factores: Ip – corriente pico de emisor; Vmax; Rbb – resistencia de base;
Vp
Transitor Unijuntura (2)
Aplicación típica: Oscilador de relajación
Memristor
Memristor
Mq
v dt M i dt
HP Memristor
Referencias
Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals,
Addison –Wesley, 1996. Capítulo 13.