Transcript Оборудование, используемое при реализации образовательных
Slide 1
Оборудование, используемое при реализации
образовательных программ подготовки
магистров в области проектирования и
производства СБИС с топологическими
нормами 90 нм
Slide 2
САПР компании Synopsys
Sentaurus Lithography
Optical EUV PWA
E-beam
УМК - Компьютерное моделирование процессов фотолитографии:
Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессе
фотолитографической проекции.
Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения.
Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии.
Тема 4. Калибровка модели фоторезиста.
Slide 3
Высокочастотная
Измерительное оборудование
зондовая установка Cascade
Agilent, Tektronix
УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного
контроля СБИС
Лабораторные работы: 1. «Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в
производстве СБИС».
2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС,
анализ результатов контроля».
УМК - Особенности создания тестовых структур СБИС
Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».
2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».
3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».
4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Slide 4
Программный пакет приборно-технологического
моделирования Synopsys (лицензия A-2007.12), США
УМК - Технология спецсхем
Лабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с
использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD».
2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами».
3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного
транзистора средствами программ TCAD».
Slide 5
Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС
осаждения тонких пленок методом термического
испарения металлов в вакууме, Россия
УМК - Технологические процессы наноэлектроники
Лабораторные работы:
1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».
2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».
3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».
4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Slide 6
Установка плазмоактивируемого химического
осаждения из газовой фазы «Corial D250»,
Франция
УМК - Методы осаждения диэлектрических материалов
Лабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO2 и Si3N4, используемых
в качестве пассивирующих покрытий ИС».
Slide 7
Программно-аппаратный комплекс моделирования
в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур
Лабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование
параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм».
2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига».
3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)».
4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».
Slide 8
Программно-аппаратный комплекс моделирования
в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
УМК - Базовая КМОП-технология
Лабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с
проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование».
2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное
моделирование».
3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB».
4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОПтранзисторов с проектными нормами 90 нм».
Slide 9
Программные пакеты САПР Cadence
УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими
нормами 90 нм
УМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИС
УМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементами
УМК – Проектирование и верификации СФ-блоков
Slide 10
Малогабаритная вакуумная установка настольного типа
МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления
УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой
металлизации СБИС
Slide 11
Электронно-ионный микроскоп
Helios NanoLab 650, Голландия
УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур
Лабораторные работы:
1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами
растровой электронной микроскопии».
2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ».
3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного
пучка».
Slide 12
Зондовая установка Cascade Microtech PM5
Probe System
УМК – Особенности контроля технологических операций
и межоперационного контроля СБИС
Slide 13
Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System
УМК – Особенности контроля технологических операций
и межоперационного контроля СБИС
Оборудование, используемое при реализации
образовательных программ подготовки
магистров в области проектирования и
производства СБИС с топологическими
нормами 90 нм
Slide 2
САПР компании Synopsys
Sentaurus Lithography
Optical EUV PWA
E-beam
УМК - Компьютерное моделирование процессов фотолитографии:
Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессе
фотолитографической проекции.
Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения.
Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии.
Тема 4. Калибровка модели фоторезиста.
Slide 3
Высокочастотная
Измерительное оборудование
зондовая установка Cascade
Agilent, Tektronix
УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного
контроля СБИС
Лабораторные работы: 1. «Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в
производстве СБИС».
2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС,
анализ результатов контроля».
УМК - Особенности создания тестовых структур СБИС
Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».
2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».
3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».
4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Slide 4
Программный пакет приборно-технологического
моделирования Synopsys (лицензия A-2007.12), США
УМК - Технология спецсхем
Лабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с
использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD».
2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами».
3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного
транзистора средствами программ TCAD».
Slide 5
Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС
осаждения тонких пленок методом термического
испарения металлов в вакууме, Россия
УМК - Технологические процессы наноэлектроники
Лабораторные работы:
1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре».
2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором».
3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами».
4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».
Slide 6
Установка плазмоактивируемого химического
осаждения из газовой фазы «Corial D250»,
Франция
УМК - Методы осаждения диэлектрических материалов
Лабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO2 и Si3N4, используемых
в качестве пассивирующих покрытий ИС».
Slide 7
Программно-аппаратный комплекс моделирования
в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур
Лабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование
параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм».
2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига».
3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)».
4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».
Slide 8
Программно-аппаратный комплекс моделирования
в среде TCAD
Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E2011.09
УМК - Базовая КМОП-технология
Лабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с
проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование».
2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное
моделирование».
3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB».
4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОПтранзисторов с проектными нормами 90 нм».
Slide 9
Программные пакеты САПР Cadence
УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими
нормами 90 нм
УМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИС
УМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементами
УМК – Проектирование и верификации СФ-блоков
Slide 10
Малогабаритная вакуумная установка настольного типа
МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления
УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой
металлизации СБИС
Slide 11
Электронно-ионный микроскоп
Helios NanoLab 650, Голландия
УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур
Лабораторные работы:
1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами
растровой электронной микроскопии».
2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ».
3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного
пучка».
Slide 12
Зондовая установка Cascade Microtech PM5
Probe System
УМК – Особенности контроля технологических операций
и межоперационного контроля СБИС
Slide 13
Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System
УМК – Особенности контроля технологических операций
и межоперационного контроля СБИС