问题:介质分界面上的麦克斯韦方程? 束缚电荷和电流分布 ε3 ε2 ε1 面电荷、面电流会在 介质内部产生附加场 界面两侧场量发生跃变 界面上的麦克斯韦方程组——边值关系 积分形式的麦克斯韦方程组: D dS Q S B dS L E dl S t
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Transcript 问题:介质分界面上的麦克斯韦方程? 束缚电荷和电流分布 ε3 ε2 ε1 面电荷、面电流会在 介质内部产生附加场 界面两侧场量发生跃变 界面上的麦克斯韦方程组——边值关系 积分形式的麦克斯韦方程组: D dS Q S B dS L E dl S t
问题:介质分界面上的麦克斯韦方程?
束缚电荷和电流分布
ε3
ε2
ε1
面电荷、面电流会在
介质内部产生附加场
界面两侧场量发生跃变
界面上的麦克斯韦方程组——边值关系
积分形式的麦克斯韦方程组:
D dS Q
S
B
dS
L E dl S
t
B dS 0
S
H dl I d D dS
L
dt
积分形式
D f
B
E t
B 0
D
H J
f
t
微分形式
§5.电磁场边值关系
一、法线分量的边值关系
二、切向分量的边值关系
三、其它边值关系
介质2
介质1
E1t E2 n
E1
ˆ
n
ˆ
E2n E2 cos n E2
E2
E1n
E2 t
切向分量关系——界面上取狭长闭合矩形回路——M方程旋度公式
法向分量关系——界面上取扁平圆柱体——M方程散度度公式
一、电磁场量的法线方向分量的边值关系
1. D 的法向边值关系
S 2
①在界面上取微小扁平状柱体
∆S1= ∆S2= ∆S
D f
h
介质1
D1
S1 Sn
积分形式
D2
介质2
②取法向,从介质1指向介质2
S2 Sn
ˆ
n
D ds f dV Q f
S
V
求矢量 D 穿过圆柱体表面的通量是多少?
S1
D2 S2 D1 S1 C Q f
S 2
ΔQ=ρ ΔS Δh
有限
ˆ
n
D2
2
0
ρ不可能无穷大,所以体电荷密度不适
应。引入面电荷密度σ
h
1
D1
S1
D2 S2 D1 S1 C Q f
S 2
Q S
由于Δh→0,所以通过侧面
的通量ΔC忽略不计。
( D2 D1 ) S Q
n ( D2 D1 )S f S
n ( D2 D1 ) f
ˆ
n
D2
2
h
1
D1
S1
D 的法向方向有突变,
突变量为电荷面密度σ。
这是一个十分重要的结论!
D2n D1n f
讨论:
f 0,
D2n D1n
f 0,
D2n D1n
D2n D1n f
P2n P1n p
n ( P2 P1 ) P
D 0E P
0 (E2n E1n ) f p
f p
E2n E1n
0
讨论:
一、 (1)极化电荷面密度影响极化矢量的跃变 Pn ;
(2)自由电荷面密度影响电位移矢量的跃变 Dn ;
二、
(3)总电荷面密度影响电场强度矢量的跃变 En 。
a) 对于两种电介质的分界面 f 0,则得
E2 n 1
不连续 , 有跃变
E1n 2
b) 只有导体与介质交界面上,存在 f 0 。这时 D 、E 在法线上都不
D2n D1n 连续, 无跃变
连续,有跃变。
2. B 的法向边值关系
B 0
积分形式
B 的法向没有突变,连续
B ds 0
S
n ( B2 B1 ) 0
B2 n B1n
讨论: 均匀各向同性介质
2 H 2 n 1 H1n
H 2 n 1
不连续, 有跃变
H1n 2
一、电磁场量的切线方向分量的边值关系
1. H 的切向边值关系
面电流分布:即电流集中分布在靠近表面的薄层内(薄层的厚度
→0)(例如磁性物质表面的磁化电流)
nˆ
c
介质2
介质1
b
H1
H2
N
dl2
d
dl1
t
a
ab=cd= ∆ l
bc=da= ∆h
l 2 l t
l1 lt
①在界面上取狭长回路
②取分界面法向 nˆ ,从介质1指向介质2,切向为
路的法向单位矢量为:
N n t
t ,回
D
H J f
t
l2 l
D
LH dl S ( J f t ) dS
由于回路所围面积趋于零,而
d
有限量,
l1 l
D dS 0
D 为
t
dt
D
H 2 l2 H1 l1 C ( J f
) lhN
t
Δh→0时,横截面变为横截线。
( H 2 H1 ) lt lN 定义电流线密度 。
I f j f S f l
( N n) ( H 2 H1 ) N
N [n (H2 H1 )] N
0
H 的切向有突变!
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
H2t H1t f
2. 导出 B 的切向边值关系
B 0 J f J P J M J D
L
D
H J f
t
B dl 0 ( I I m I p I D )
n B2 B1 0 M
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
3. E 的切向边值关系
B
E
t
E的切向分量连续!
d
L E dl dt SB dS
n ( E2 E1 ) 0
E1t E2t
为零!
D 的切向分量一般不连续!
小结 电磁场的边值关系
D f
法向
D 的法向分量有突变!
n ( D2 D1 ) f
D2n D1n f
n ( B2 B1 ) 0
B2 n B1n
B 0
B 的法向分量连续!
D
H J f
t
切向
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
H2t H1t f
n ( E2 E1 ) 0
E1t E2t
B
E
t
H 的切向有突变!
E 的切向分量连续!
小结
散度方程 n
旋度方程 n
体密度→面密度
边
值
关
系
电磁场的边值关系
n (D
2 D
1) f
n ( B2 B1 ) 0
n ( E2 E1 ) 0
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
D2n D1n f
E1t E2t
B2 n B1n
H2t H1t f
除前面4式,常用边值关系:
ˆ
p n ( P2 P1 )
m n (M 2 M1 )
稳定电流时: n ( J 2 J1 ) 0
J 2 n J 1n
Note:
1
n ( E2 E1 ) ( f P )
0
n ( B2 B1 ) 0 ( f m )
介质分界面上
f 0
f 0
解边界问题的方法:
①取坐标
②定法线方向
分析各个分界面。在每个界面上,写出边值关系
B2 n B1n
E1t E2t
D2 n D1n
H2t H1t f
导体内,E=D=0,
如,E2t=0, D2n=0(2为导体时)
简化方程求得E1t 、 E1n
E1 E1t E1n n
③束缚电荷分布
(法一) P ( 0 ) E
(法二) E2 n E1n
f p
0
P P
P n ( P2 P1 )
。。。。。
若导电: n ( J 2 J1 ) 0
J 2 n J 1n
J 1E1 2 E2
例:无穷大平行板电容器内有两层介质,极板上面电荷密
度为 f ,求电场和束缚电荷分布。
[分析]:用边值关系求解。取坐标向下为x轴,取从
介质指向真空为法线方向。分别为 n1 和 n2 。
[求解]:①上导体板与ε’’的分界面,介质为1,
导体为2。
由边值关系: E E
1t
2t
D2 n D1n
因为导体内,E=0,所以 E2t=0, D2n=0
边值关系变为: E1t 0
D1n f
f
f
所以
E ' ' E1t E1n n
n
i
''
''
②下导体板与ε’的分界面
2 n2
1 ''
x
1 '
2
n1
f
f
2 n2
1 ''
取法向 n i,导体为2,介质为1。
由边值关系:
E1t E2t
D2 n D1n
x
因为导体内,E=0,所以 E2t=0, D2n=0
边值关系变为: E1t 0
D1n f
f
所以
E ' E1t E1n n
i
'
③束缚电荷分布
' 0
P ' ( ' 0 ) E '
fi
'
' ' 0
P ' ' ( ' ' 0 ) E ' '
fi
''
1 '
2
n1
' P P ' 0
' 'P P ' ' 0
f
f
上导体板和介质2界面处:
' ' 0
P ' ' n ( P2 P1 ) n P1 (i ) P' '
f
''
下导体板和介质1界面处:
' 0
P ' n ( P2 P1 ) n P1 i P'
f
'
介质1和介质2分界面处
' 0
' ' 0
P n ( P2 P1 ) i ( P' P' ' )
f
f
'
''
小
一、电磁场的边值关系
散度方程 n
n
旋度方程
体密度→面密度
边
值
关
系
除前面4式,常用边值关系:
稳定电流时:
Note:
1
n ( E2 E1 ) ( f P )
0
n ( B2 B1 ) 0 ( f m )
结
n (D
2 D
1) f
n ( B2 B1 ) 0
n ( E2 E1 ) 0
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
ˆ
p n ( P2 P1 )
m n (M 2 M1 )
n ( J 2 J1 ) 0
J 2 n J 1n
分界面上 f 0
f 0
D2n D1n f
E1t E2t
B2 n B1n
H2t H1t f
二、电磁场的能量守恒定律
麦氏方程组
洛伦兹力公式
坡印亭矢量
能量守恒
S f
t
ω 的定义和物理意义
S的定义和物理意义
S EH
1 1
ED H B
2
2
(各向同性线性介质)
能量守恒定律的积分形式:
d
S d f dV dV
dt
真空中的麦克斯韦方程组
静磁场
静电场
1 QQ'
电荷守恒定律 J
库仑定律 F
r
0
3
4 0 r
t
q
r
电场强度 E ( x )
4 0 r 3
高斯定律
环路定律
1
E
d
s
s
0
dV
V
E dl 0
l
1
E
(
x
)
(
x
)
0
E ( x ) 0
变 法拉第电磁感应定律
B
化
E感
电
t
磁
E
位移电流
J
D
0
场
t
Q
0
毕奥—萨伐尔定律
Id l r
(线)
B ( x ) 0 L
3
4
r
0 J ( x ' ) r
B( x )
dV (体)
3
L
4
r
安培环路定律 L B dl 0 S J ds
磁场的高斯定理 B ds 0
S
B( x ) 0
B( x ) 0 J ( x )
E
0
B
E
t
B 0
E
B
J
0
0 0
t
洛伦兹力公式
F qE qv B
电动力
学的理
论基础
介质中的麦克斯韦方程组
p P
介质极化
P
p
i
nql
i
V
外场
随时
间变
化
∵电荷守恒
ˆ
p n ( P2 P1 )
极化电流
P
jp
t
磁化电流
介质磁化
M
m
i
i
V
nia
Jm M
m n (M 2 M1 )
真空中的麦氏方程组
D 0E
介质中的麦克斯韦方程组
D f
引入
B
D
E
D 0E P
t
B 0
引入H
B
D
H M
H J f
t
0
M P0
B 0 H
本
构
方
程
D E
B H
j E
介质分界面上的麦克斯韦方程组——边值关系
D f
B
E
t
B 0
D
H J
f
t
n
n
体密度→面密度
边
值
关
系
n (D
2 D
1) f
n ( B2 B1 ) 0
n ( E2 E1 ) 0
ˆ
n ( H 2 H1 ) f
其他常用边值关系:
边值关系的分量形式
ˆ
p n ( P2 P1 )
D2n D1n f
E1t E2t
m n (M 2 M1 )
n ( J 2 J1 ) 0 (稳定电流)
B2 n B1n
J 2 n J 1n
1
n ( E2 E1 ) ( f P )
0
n ( B2 B1 ) 0 ( f m )
H2t H1t f
f 0, f 0
导体与介质分界面上 f 0, f 0
介质分界面上