Transcript Phổ quang điện tử tia X XPS

GVHD: TS Lê Vũ Tuấn Hùng
HV: Trịnh Thị Quỳnh Như
Học liệu mở tiếng Việt:
http://mientayvn.com/OCW/MIT/Vat_li.html




University of Texas at El Paso, Physics Department
Front view of the Phi 560 XPS/AES/SIMS UHV System
XPS còn được gọi là ESCA
(Electron Spectroscopy for
Chemical Analysis).
Kỹ thuật này được sử dụng
rộng rãi vì nó rất đơn giản
và dữ liệu được phân tích
nhanh, dễ dàng.
XPS hoạt động bằng cách
chiếu tia X lên các nguyên
tử của bề mặt vật liệu rắn,
các electron được phóng ra,
gọi là các quang electron
(photoelectron)
Cấu tạo của thiết bị XPS
Cấu tạo của thiết bị XPS
Nguồn tia X
Bơm chân không
Bộ phận
phân tích
Buồng chứa mẫu
Nguồn tia X
Nguồn tia X
Có 2 loại: Kα Al mang năng lượng 1486 eV hoặc Kα Mg mang năng lượng 1256 eV.
Bơm chân không


Loại bỏ khí hấp thụ từ mẫu
Loại bỏ hấp phụ của chất gây ô nhiễm
trên mẫu.
Ngăn chặn sự tạo hồ quang khi có điện
áp cao.
Tạo đường đi thông thoáng cho
electron, photon.
Thiết bị sử dụng những hệ
thống bơm khác nhau để đạt
được môi trường chân không
cao (UHV)
Môi trường chân không cao
ngăn chặn ô nhiễm trên mẫu
và hỗ trợ cho việc phân tích
mẫu chính xác.
Buồng chứa mẫu

Mẫu được đặt ở buồng có thể
tiếp xúc với môi trường bên
ngoài.

Nó sẽ được đóng lại và bơm
chân không thấp.

Sau đó mẫu sẽ được đưa vào
buồng có UHV
First Chamber
Second Chamber UHV
Bộ phận phân tích
Bộ phận phân tích năng lượng
electron có rất nhiều kiểu, nhưng phổ biến
nhất là bộ phận phân tích bán cầu đồng tâm
(CHA), sử dụng điện trường giữa hai bề mặt
bán cầu để phân tán chùm electron theo động
năng của chúng.
Mỗi bản được tích điện trái dấu tạo thành một
điện trường đều cong.
Khi các điện tử di chuyển trong ống, điện
trường này sẽ biến đổi để dẫn các điện tử đi
theo ống.
Ví dụ
Phổ XPS của mẫu kim loại Pd sử dụng bức xạ Mg Kα : hν = 1253.6 eV
335
920
330
690
720
561
673
534