Transcript อิเล็กทรอนิกส์ (อ.ครรชิต)

ฟิ สิกส์ 2 สำหรับวิศกร(Physics II for Engineer)
ผูส้ อน ดร.ครรชิต กำลังกล้ำ
บทที่ 5 อิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น(Basic Electronic)
1. ควำมรูเ้ บื้องต้นของสำรกึ่งตัวนำ
2. กำรนำไฟฟ้ำของสำรกึ่งตัวนำ
3. กำรโด๊ปของสำรกึ่งตัวนำ
4. คุณสมบัตสิ ำรกึ่งตัวนำแบบเอ็นและพี
5. คุณสมบัตแิ ละลักษณะไดโอด
6. ควำมสัมพันธ์ระหว่ำงกระแส และ
แรงดันไฟฟ้ำของไดโอด
7. กำรประยุกต์ใช้งำนไดโอด
1
คุณสมบั
ตแิ ละลักษณะทรำนซิสเตอร์
Lesson8.
V: Basic
Electronic
 อิเล็กทรอนิกส์
หมายถึง การควบคุมหรือออกแบบการไหลของกระแสไฟฟ้ าในวงจรไฟฟ้ า ซึง่ มีอุปกรณ์หรือ
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เป็ นส่วนประกอบของวงจร ทาหน้าที่ควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้ า
1. อุปกรณ์ประเภทพาสซีฟ ซึ่งทางานได้โดยไม่ ตอ้ งใช้ไฟเลี้ยง ได้แก่ ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ และตัว
เหนีย่ วนา 2. อุปกรณ์ประเภทแอคทีฟ ซึง่ ต้องมีไฟมาเลี้ยงจึงจะทางานได้ ได้แก่ ไดโอด ทรานซิสเตอร์ และไอซี
3
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พ้ ืนนำน
3
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
 สัญญำณอิเล็กทรอนิกส์
1.สัญญาณอะนาล็อก(Analog Signal) เป็ นสัญญาณไฟฟ้ าที่มีลกั ษณะต่อเนือ่ งจาก
น้อยไปมาก มีลกั ษณะเป็ นคลืน่ คล้ายกับคลืน่ ที่เกิดจากการสะบัดเส้นเชือก สัญญาณอะนาล็อกถูก
รบกวนได้ง่าย เช่นคลืน่ วิทยุ โทรทัศน์ ดังนัน้ การส่งสัญญาณที่ตอ้ งการความแม่นยา จึงไม่นิยม
ใช้สญั ญาณอะนาล็อก
2.สัญญาณดิจติ อล(Digital Signal)เป็ นสัญญาณไฟฟ้ าที่มีลกั ษณะเป็ นขัน้ บันไดถูก
รบกวนได้นอ้ ยจึงนิยมใช้ในปั จจุบนั เช่นกล้องถ่ายรูป โทรศัพท์ เครือ่ งซีดี
3
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
ทฤษฎีเบื้องต้นของอะตอม
1. ในแตละชั
้นของระดับพลังงาน จะมีจานวน
่
2
อิเล็กตรอนได้ ไมเกิ
่ น 2n
เมื่อ ละระดั
n บชั
= ้นพลังเลขชั
เลขชั
ของชั
้น
2. ในแต
งาน ้นจะมี
ระดับ้นพลั
งงาน
่
K=1,L=2,M=3,N=4,O=5,P=6
ชั้น ย่อยได้ ไม่เกิน 4 ชั้น ย่อย และมีชื่อ เรีย ก
ดัน
งย
นัอย
้ น ดั
อิงเล็นีก้ ตรอนวงนอกสุ
ดมีค2วามส
าคั14
ญมาก
ชั
้
s
,
p
,
d
,
f
6
10
่
3. ในแต
น
้ ยอย
จะมี้จ
s eาได
pไดd้ ดีเfพีย งไร
่ ว บอกว
่ ่ าสารนั
เพราะเป็
นตัละชั
นานวน
น าไฟฟ
้
้
ไม
เกิ
น
คื
อ
โดยอิเ่ ล็กตรอนวงนอกสุดนี้มอ
ี เิ ล็กตรอนไดไม
้ เกิ
่ น 8
ตัว เพื่อ ให้ อยู่ในสภาวะเสถีย ร สามารถท าได้ 3
วิธ ี
4
1. การให้อเิ ล็กตรอนกับอะตอมอืน่
2. ใช้
รับออิเิ ล็เล็กกตรอนร่
ตรอนจากอะตอมอื
น่
3.
วมกันกับอะตอม
อืน่
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
ทฤษฎีแถบพลังงานของสสาร
แถบพลังงานแบ่งออกเป็ น 3 ช่วง
1. แถบนากระแส (Conduction band) เป็ น
แถบทีม่ ีพลังงานจลน์ูงง แต่พลังงานยึดเเนนี่ยส
ตา่ มาก
2. แถบวาเลนซ์ (Valence Band) เป็ นแถบ
ทีม่ ีพลังงานจลน์ตา่ แต่พลังงานยึดเเนนี่ยสูงง
3.แถบช่องว่างพลังงาน (Energy band gap)
เป็ นช่องส่างระนส่างชัน้ สงโคจร อิเล็กตรอนไม่
ูามารถอยงช่ นั้ นี้ไดเ้
6
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
แถบพลังงานของตัวนา ฉนวน และสารกึง่ ตัวนา
7
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
 สมบัตกิ ำรนำไฟฟ้ำของสำร
1. ฉนวน
คื อ วั ส ดุ ที่ มี ว า เ ล น ซ ์
อิเล็กตรอนหลุดออกมาจากอะตอมเป็ นอิเล็กตรอนอิสระได้ยาก ทาให้
2. ตัวนา ากระแสไฟฟ้ าได้ วัส ดุ ป ระเภทนี
ไม่ สามารถน
ด้ แก
คื อ วั ส้ ไดุ
ที่ มี่ วพลาสติ
า เ ล น ซก์
กระเบื
อ
้ ง หรือแก้ว เป็ดนต
อิเล็กตรอนสามารถหลุ
ออกจากวงโคจรเป็
นอิเล็กตรอนอิสระได้งาย
้น
่
สารกึ
ง่ ตัวนางงานไฟฟ้าเข้ าไป จึงสามารถนากระแสไฟฟ
คือ วัส้ ดุาได
ทม
ี่ ้ี
เมือ
่ 3.
เราส
่ งผ่านพลั
คุ
ตก
ิ งึ่ หรื
กลางระหว
นตัวนาและฉนวน โดยเมือ
่
เชณ
เงิน
อทองแดงางสภาวะความเป็
่ เป็ นต้น
่ นสมบั
นาเอาไปทาเป็ นฉนวน ก็ จะเป็ นฉนวนทีไ
่ มดี
่ หรือนาเอาไปทาเป็ น
ตัว นสำรกึ
าก็ เ ป็่งตั
นตั
าที่ไ ม่ดีเ ช่ นกัน วัส ดุ ป ระเภทนี้ ไ ด้ แก่ ซิล ค
ิ อน(Si:

วนวำน(Semicoductor)
Silicon) และเยอรสารกึ
มาเนี
่ยม (Ge: Germanium) เป็ นต้น ว น าและฉนวน
์
่ง ตัว น าเป็ นสารที่ม ีส มบัต ิร ะหว่างตั
เช่น ซิลก
ิ อน เยอรมันเนี ยมเทลลูเนี ยม เป็ นต้น สารดังกลาวเหล
านี
่
่ ้ มี
อิเ ล็ ก ตรอนอิส ระเป็ นจ านวนน้ อย จึง ไม่สามารถให้ กระแสไฟฟ้ าไหลเป็ น
จการน
านวนมาก
เพือ
่ ทมาสร้
าใหา้ได
านวนมาก
จึงต้องปรุง
าธาตุ Ge และ Si
งอุปกระแสไฟฟ
กส์ มีเหตุผนจ
ลสาคั
ญ2
้ กรณ์อิเล็กทรอนิ้ าไหลเป็
แตงโดยการเจื
อปนอะตอมของธาตุ
อน
ื่ ลงไป
ประการ
่ คื1.อ
สามารถน
าไปผ่านกระบวนการให
์ ู ง ถึง
้ มีค วามบริสุ ท ธิส
99.999999999% ซึง่ มีตวั เลขเกาจ
้ านวนสิ บเอ็ดตัว เรียกวา่ บริสุทธิ ์
สามารถเปลี
ย
่ นแปลงคุ
ณสมบั
ิน
ระดับ2. eleven
nine ซึ
ง่ เป็ นสารบริ
สุทธิตช
์ท
้ั างไฟฟ
เยีย
่ ม ้ าด้วยความร้อนหรือ
แสงสวาง
จึงเหมาะทีน
่ าไปสร้างอุปกรณอิ
เล็กทรอนิกส์ทีไ่ วตอความ
่
่
์
5
20/12/2013
Lesson V: Basic Electronic
-
เ ย อ ร มั น เ นี ย ม
( Germanum)
มี
้ง หมด 32
- อิซิเ ล็ลิกกตรอนทั
อ น (Silicon)
มี
ตัอิวเล็กตรอนทัง้ หมด 14
ตัว
ทัง้ สองธาตุมวี าเลนซ ์
อิเล็กตรอน 4 ตัว
โฮล(HOLE) และอิเล็กตรอนอิสระ(FREE ELECTRON)
1. โฮล(Hole) มีลกั ษณะคล้ายประจุบสก แต่ไม่ใช่ป ระจุ
บสก เป็ นช่องส่างที่เกิดเขึ้นเมื่ออิเล็กตรอนไดเ้รบั พลังงาน
จากภายนอกทาใน้นลุดเจากพันธะ
2. อิเล็กตรอนอิสระ(free electron) เป็ นอิเล็กตรอนตัสที่
นลุดเออกมาจากอะตอม มีประจุลบ
5
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
สารที่ใช้เจือในสารกึง่ ตัวนา
สารกึง่ ตัวนา แบ่งตามลักษณะเนื้อสารเป็ น 3 ชนิด
1. สารกึง่ ตัวนาแท้(intrinsic semiconductor)
ไดเ้แก่ ซิลิกอนและเยอรมันเนียม อะตอมแต่ละตัสจะมีการจับกันกับอะตอมข้างเคียงในลักษณะที่มี
สาเลนซ์อเิ ลคตรอนแต่ละตัสร่สมกัน เรียกส่า การจับตัสแบบแขนร่สม(covalent bond) ดัง
รูป
2. สารกึง่ ตัวนาไม่บริสทุ ธิ์(extrinsic semiconductor)
เป็ นูารที่เกิดเจากการเติมูิ่งเจือปนลงในูารกึ่งตัสนาแท้ เพื่อทาใน้กระแูที่
ไนลูารกึ่งตัสนามีมากขึ้น ูานรับูารเจือปนที่ใช้เติมลงในูารกึ่งตัสนานัน้ มี 2
ชนิดเ คือูารกึ่งตัสนาประเภทเอน(N-type) และูารกึ่งตัสนาประเภทพี(Ptype)
3. สารกึง่ ตัวนาประเภทสารประกอบ
ูารกึ่งตัสนาประเภทูารประกอบ ธาตุซลิ ิกอนนรือเยอรมันเนียม ซึง่ มีสาเลนซ์อเิ ลคตรอน 4 ตัส มี
คุณูมบัตเิ ป็ นูารกึ่งตัสนา ในทานองเดเียสกันูารประกอบระนส่างอะตอมของธาตุที่มีสาเลนซ์อิเลคตรอน 3 ตัส
5 ตัส นรือูารประกอบระนส่างอะตอมของธาตุท่มี ีสาเลนซ์อิเลคตรอน 2 ตัส และ 6 ตัส เช่น แกเลียมอาเซน
ไนดเ์(GaAs) แคดเเมียมซัลไฟล์(CdS) เป็ นต้น
เซลล์แคดเมียมซัลไฟด์ (Cds) เมื่อถงกแูงจะมีูภาพเป็ นตัสนามีขนาดเเล็กและไสแูงมากใช้ไดเ้ดเีกบั ูภาพแูง
8.1 สารกึง่ ตัวนาชนิด N
คือ สารกึ่งตัวนาที่เติมธาตุหมู่ 5 ที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 5 ตัว ลงไป เช่น สารหนู(As) ,
ฟอสฟอรัส (P) เข้าไปในผลึกของซิลกิ อน(Si) หรือเจอมาเนียม(Ge) บริสทุ ธิ์
ดังนัน้ อะตอมของธาตุน้ ีจงึ มีอเิ ล็กตรอนเหลืออยู่ 1 ตัว ซึง่ เมื่อได้รบั พลังงานจากภายนอกก็จะ
ทาให้ธาตุเหล่านี้นากระแสได้ทนั ที เรียก สารเจือปนผูใ้ ห้(Donor Impurity)
 จากรูป
แสดงให้เห็นว่า
การเติมูารเจือที่เป็ นธาตุนมง่ 5 (ูารนนง) ทาใน้เกิดเสาเลนซ์อเิ ล็กตรอนที่ไม่มีคทง่ ่อี ะตอมของูารเจือ
อิเล็กตรอนทีไ่ ม่มีคนง่ ้ ี เมื่อไดเ้รบั พลังงานเพียงเล็กน้อย ก็พร้อมที่จะเป็ นอิเล็กตรอนอิูระที่นาไฟฟ้ าไดเ้ ดเังนัน้
ูารกึ่งตัสนาชนิดเ N มีูภาพทางไฟฟ้ าเป็ นลบ
8.2 สารกึง่ ตัวนาชนิด P
คือ สารกึ่งตัวนาที่เติมธาตุท่ีมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 3 ตัวลงไป เช่น โบรอน(B) อลูมิเนียม
(Al) แกลเลีย่ ม (Ga)
ดังนัน้ อะตอมของธาตุน้ ีจงึ ขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว ทาให้เกิดช่องว่าง หรือโฮลขึ้น ซึง่ เมื่อ
ได้รบั พลังงานจากภายนอกก็จะทาให้ธาตุเหล่านี้นากระแสได้ทนั ที เรียก สารเจือปนผูร้ บั (Aceptor
Impurity)
 จากรูป
แสดงให้เห็นว่า
การเติมสารเจือที่เป็ นธาตุหมู่ 3 (แกลเลียม) ทาให้ขาดวาเลนซ์อเิ ล็กตรอนไปหนึ่งตัว เกิด
เป็ นช่องว่าง หรือ โฮล (Hole) ดังนัน้ สารกึง่ ตัวนาชนิด P มีสภาพทางไฟฟ้ าเป็ นบวก
8.3 พาหะข้างน้อยและพาหะข้างมาก
มีอิเล็กตรอนอิูระ เพิ่มมา
ทาในูู้ารดเังกล่าสูามารถ
ถ่ายเทอิเล็กตรอนไดเ้และมี
อานาจไฟฟ้ าเป็ นลบ
N-type
doping
มี ช่ อ งส่า ง (hole) เพิ่ ม มา
ทาในูู้ารดเังกล่าสูามารถ
รับ อิ เ ล็ ก ตรอนไดเ้ และมี
อานาจไฟฟ้ าเป็ นบสก
P-type
doping
ตารางสรุปชนิดของพาหะขางมากและพาหะข
างน
้
้
้ อยใน
สารกึชนิ
ง่ ตัดวนาชนิด N และ
P
พาหะขางมาก
พาหะขางน
้
้
้ อย
P- type semiconductor
โฮล
อิเล็กตรอน
N- type semiconductor
อิเล็กตรอน
โฮล
รอยต่อพี-เอ็น (PN junction)
ถ้านาูารกึ่งตัสนาชนิดเพีและชนิดเเอ็นมาต่อประกบกัน บริเสณ
จุดเเชือ่ มต่อ เรียกส่า รอยต่อพีเอ็น (PN junction) ดเังรงป
9
เกิดเปรากฏการณ์แลกเปลี่ยนพานะข้างมากซึ่งกันและกัน โดเย
อิเล็กตรอนซึง่ เป็ นพานะข้างมากของชนิดเเอ็น(N)ูงญเูียอิเล็กตรอน
ที่เคลื่อนที่ไปยังฝั่ งพี(P) ก็เปลี่ยนเป็ นประจุบสก ขณะเดเียสกันจะ
ูงญเูียโฮล ซึง่ เป็ นพานะข้างมากชองชนิดเพี ก็จะเคลื่อนไปยังชนิดเเอ็น
เปลี่ยนเป็ นประจุลบ
การแพร่กนั ไปมาของพานะทัง้ ูองฝั่งจะนยุดเการแพร่ของพานะ
ข้างมาก เมื่ อ ประจุล บ และประจุบสกที่เ กิ ดเ ขึ้ น ดเัง กล่ าสก่ อ ใน้เกิ ดเ
กาแพงศักย์ ทาใน้พานะทัง้ ูองไมู่ามารถเคลื่อนทีผ่ า่ นไปไดเ้ ในทีูุ่ดเ
การถ่ายเทประจุไฟฟ้ าระนส่างกันนี้จะเข้าูงู่ ภาสะูมดเุล
บริเสณตรงกลางของรอยต่อพี -เอ็น ที่เกิดเขึ้น เรียกส่า บริเสณ
ปลอดเพานะ(Depletion layer) ที่ชส่ งดเีพลีชนั่ จะเกิดเค่าคสาม
ต่างศักย์ไฟฟ้ าขึ้น ซึง่ จะมากนรือน้อยขึ้นอยงก่ บั จานสนประจุ(คสามเข้ม
ูารเจือ)ทีเ่ กิดเขึ้นทีร่ อยต่อนัน้
20/12/2013
Lesson V: Basic Electronic
การไบอัสตรง และไบอัสกลับ (Forward and Reverse bias)
ถ้านาูารกึ่งตัสนาชนิดเพีและเอ็น มาเชื่อมต่อกันเพียงอย่างเดเียส จะไม่มีอะไรเกิดเขึ้น เพราะโฮล
และอิเล็กตรอนไมู่ามารถจะโดเดเข้ามกาแพงศักย์ไดเ้ ถ้ามีการเพิ่มแรงดเันไฟฟ้ าเข้าไปไดเ้ 2 แบบ
1. การไบแอสตรง
คือ การต่อขัส้ บสกของแนล่งจ่ายไฟฟ้ าเข้าทีู่ าร P และต่อขัส้ ลบเข้าทีู่ าร N
ขัส้ ลบของแนล่งจ่ายไฟจะผลักอิเล็กตรอนในูาร N ใน้เคลื่อนทีข่ า้ มช่สงดเีพลีชนั่ ไปยังูาร P
ในขณะที่ อิ เ ล็ ก ตรอนในโฮลที่ ู าร P ก็ จ ะนลุ ดเ ออกมาและเคลื่ อ นไปยัง ขั้ส บสกของ
แนล่งจ่ายไฟ โฮลจึงส่างใน้อเิ ล็กตรอนจากูาร N มารสมไดเ้ การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน
และโฮล ทาให้สารกึง่ ตัวนาสามารถนากระแสได้
2. การไบแอสกลับ
คือ การต่อขัส้ ลบของแนล่งจ่ายไฟฟ้ าเข้าทีู่ าร P และต่อขัส้ บสกเข้าทีู่ าร N
การป้อนไฟฟ้ าแบบไบแอสกลับมีผลทาให้บริเวณช่วงปลอดพาหะมีความกว้างมากขึ้น เนื่องจาก
อิเล็กตรอนอิูระทีู่ าร N ถงกขัส้ บสกของแนล่งจ่ายไฟดเึงดเงดเ
ในขณะเดเียสกันโฮลทีู่ าร P ก็ถงกขัส้ ลบของแนล่งจ่ายไฟดเึงดเงดเ
นัน่ คือ แนล่งจ่ายไฟจะดเึงดเงดเใน้พานะข้างมากของูาร N และ P เคลื่อนที่ออกน่างจาก
รอยต่อ มีแต่พานะข้างน้อยเท่านัน้ ที่ขา้ มไดเ้
ผลคือ จะทาใน้ชส่ งดเีพลีชน่ั กส้างมากขึ้น อิเล็กตรอนซึง่ เป็ นพานะข้างมากในูาร N ไมู่ามารถ
ข้ามช่สงดเีพลีชนั่ ไปรสมกับโฮลซึง่ เป็ นพานะข้างมากในูาร P ไดเ้ ูารกึ่งตัสนาจึงไม่นากระแู
9
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
ไดโอด (Diode)
เป็ นอุปกรณ์อเิ ล็กทรอนิกู์พ้ ืนฐานทีู่ร้างมาจากูารกึ่งตัสนาชนิดเพีและชนิดเเอ็น นามาประกบ
กัน ดเังรงป
ไดเโอดเ ประกอบดเ้สย 2 ขา คือ แอโนดเ(Anode)
และแคโทดเ(Cathode) มีูญ
ั ลักษณ์ และโครงูร้าง
ดเังรงป
โครงสร้างไดโอด
9
สัญลักษณ์ไดโอด
Lesson V: Basic Electronic
20/12/2013
ไดโอด (Diode)
ไดเโอดเ จะมีคณ
ุ ูมบัตเิ นมือนกับูสิตซ์ทปี่ ิ ดเและเปิ ดเสงจร นัน่ คือ
สวิตซ์ปิดวงจร เกิดเขึ้นเมื่อการป้ อนไฟใน้กบั ไดเโอดเแบบไบแอูตรง ก็ยอมใน้กระแูไนล
ผ่านไดเ้
สวิตซ์เปิ ดวงจร เกิดเขึ้นเมื่อการป้ อนไฟใน้กบั ไดเโอดเแบบไบแอูกลับ จะไม่ยอมใน้กระแู
ไนลผ่านไดเ้
ดังนัน้ ไดโอด ทานน้าที่นลัก คือ คสบคุมกระแูใน้ไนลในทิศทางเดเียสในทิศทางการไบแอู
ตรง โดเยการคสบคุมแรงดเันไฟตกคร่อมไดเโอดเเอง
9
20/12/2013
Lesson V: Basic Electronic
คุณสมบัติของไดโอดเมื่อไบแอสตรง และไบแอสกลับ
ความสัมพันธ์ระหว่างกระแสและแรงดันไฟฟ้ าของไดโอด
เ มื่ อ พิ จ า ร ณ า ก ร า ฟ ค ว า ม สั ม พั น ธ ์ ร ะ ห ว่ า ง
กระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า ทีต
่ กครอมไดโอด
แสดงดัง
่
จาก กร าฟเมื่ อ ไบแ อส ตร ง
รูป
จะมีค่ากระแสไฟฟ้ าค่อยๆมีค่า
เพิม
่ ขึน
้
โดยแรงดันทีท
่ าให้
ไดโอดเริม
่ นากระแส เรียกว่า
แรงดันคัทอิน
สาหรับซิลคิ อนไดโอด จะเริม่ นากระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6 โวลต์
เจอมาเนียมไดโอด จะเริม่ นากระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.2 โวลต์
จากกราฟเมือ
่ ไบแอสกลับ
มีคากระแสไหลน
่
้ อยมากเนื่องจากพาหะส่วนน้อยในไดโอด
เรียกว
ม
่ ตัวย้อนกลัอนกลั
บ
่ ้ าป้ อนไฟไบแอสย
ถากระแสอิ
บ มากถึ ง ค่ าๆหนึ่ ง จนรอยต่ อ
้
พังทลาย เรียกวา แรงดันพังทลายทา
ประโยชน์ของไดโอด
ไปยังขั้วบวก
เครื่ องใช้ไฟฟ้ า
ผิด
ขั้ว

ไปยังขั้วลบ
เครื่ องใช้ไฟฟ้ า
ใช้ ป้ องกัน ไม่ ให้ เครื่อ งใช้ ไฟฟ้ า
ก ร ะ แ ส ต ร ง เ สี ย ห า ย ห า ก ต่ อ
แหล ่ งก าเนิ ด ผิ ด ขั้ว ซึ่ ง จะท าให้
วงจรไมมี
่ กระแสไหล
ไดนาโมจักรยาน

แบตเตอรี่
ต่อค้างไว้
ใช้เป็ นสวิตชในวงจรแบตเตอรี
ท
่ ต
ี่ อ
่
์
ค้ า ง อ ยู่ เ ช่ น ว ง จ ร ห ล อ ด ไ ฟ ใ น
จัก รยาน หากไดนาโมหมุ น จะผลิต
แรงดัน ไฟสู ง กว่ าแบตเตอรี่ ท าให้
ประหยัด แบตเตอรี่ เ มื่ อ ปั่ น จัก รยา น
การประยุกต์ใช้งานไดโอด
ไดโอด ยอมให้กระแสไหลผานทางเดี
ยวเมือ
่ ทา
่
ไบแอสตรง จึ ง เป็ นอุ ป กรณ ์ เหมาะสมที่ จ ะแปลงไฟฟ้ า
กระแสสลับให้เป็ นกระแส วงจรทีท
่ าหน้าทีแ
่ ปลงสั ญญาณฟ้า
ดังกลาวนี
้ เรียกวา่ วงจรเรียงกระแส หรือเรียกวา่ วงจร
่
เร็กติฟายเออร ์ (Rectifier)
่
1. วงจรเร็กติฟายเออร์แบบครึง่ คลืน
เนื่ อ งจากแรงดัน ไฟฟ้ าที่ จ่ ายตามบ้ านเรื อ นมี ค่ าสู ง
ส าหรับ วงจรอิเล็ กทรอนิก ส์ ดัง นั้นจึงต้ องต่อหม้ อแปลงเพือ
่ ลดระดับ
สั ญญาณไฟฟ้ากระแสสลับลงมากอนน
าเขาวงจรเร็
กติฟายเออร ์
่
้
โดยวงจรเร็ ค ติฟ ายเออร แบบครึ
่ง คลื่น ประกอบด้ วย
์
ไดโอดตออนุ
กรมกับตัวตานทาน
ดังรูป
่
้
Input
Output
ทีจ
่ ุด 1 เมือ
่ มีแรงดันไฟสลับซีกบวกตาแหน่ง A ป้อนให้
ไดโอด D1 ไดโอด D1 ไดรั
้ บไบอัสตรงนากระแส มีกระแสไหลผาน
่
D1 ผาน
RL ไดแรงดั
นตกครอม
RL ตามจุด 2 ทีต
่ าแหน่ง A
่
้
่
เมือ
่ มีแรงดันไฟสลับซีกลบตาแหน่ง B ของจุด 1 ป้อนให้ไดโอด
D1 ไดโอด D1 ได้รับไบอัสกลับไมน
่ ากระแส ไมมี
่ กระแสไหลผาน
่
RL ไมมี
RL ตามจุด 2 ทีต
่ าแหน่ง B
่ แรงดันตกครอม
่
่
2. วงจรเร็กติฟายเออร์แบบเต็มคลืน
วงจรเร็กติไฟเออรแบบเต็
มคลืน
่ ใช้ไดโอดในการทางาน
์
2 ตัว และใช้หม้อแปลงทีม
่ ข
ี ดทุตย
ิ ภูม ิ 3 ขัว้ ตอ
นไฟสลับ
่ จายแรงดั
่
ออกมาเหมือนกัน 2 ชุด โดยมีขว้ั ตอกลางหรื
อแทปกลาง (Center
่
Tap) เป็ นขัว้ รวมในการท
างาน ลักษณะวงจรและแรงดันทีไ่ ด้ แสดง
่
ดังรูป
Input
Output
ทีจ
่ ุด 1 เมือ
่ มีแรงดันไฟสลับซีกบวกตาแหน่ง A ป้อนให้ไดโอด
D1 ไดโอด D1 ไดรั
D1 ผาน
้ บไบอัสตรงนากระแส มีกระแสไหลผาน
่
่
RL ครบวงจรทีแ
่ ทปกลาง (CT) ไดแรงดั
นตกครอม
RL ตามจุด 2 ที่
้
่
เมือ
่ งมีแA
รงดั
นไฟสลั
บางที
ซีกลบต
าแหน
ง มีBแรงดั
ของจุ
ด 1 บป้ซี
อนให
ไดโอด
่
้
ตาแหน
ส
วนด
านล
ไ
่
ดโอด
D
น
ไฟสลั
ก
ลบจ
ายให
่
่
้
่
่
้
2
Dไดโอด
ไดโอด
D
ได
รั
บ
ไบอั
ส
กลั
บ
ไม
น
ากระแส
ส
วนด
านล
างที
ไ
่
ดโอด
1
้ สกลับไมน
่
่
้
่
D1 ได1รั
้ บไบอั
่ ากระแส
D2
มีแรงดันไฟสลับ ซีก บวกจ่ายให้ ไดโอด D2
ได้รับ ไบอัส ตรง
นากระแสมีกระแสไหลผาน
D2 ผาน
RL ครบวงจรทีแ
่ ทปกลาง (CT)
่
่
่ แบบบริดจ์
3. วงจรเร็กติฟายเออร์เต็มคลืน
ว ง จ ร เ ร็ ก ติ ไ ฟ เ อ อ ร ์ เ ต็ ม ค ลื่ น แ บ บ บ ริ ด จ ์
ประกอบดวย
หม้อแปลงใช้ชนิดทางขดทุตย
ิ ภูมม
ิ ี 2 ขัว้ ตอ
้
่ ใช้ไดโอด
ในการเร็กติไฟเออร ์ 4 ตัว การทางานแตละครั
ง้ ไดโอดทางานเป็ นชุด
่
2 ตัว ลักษณะวงจรและแรงดันทีไ่ ด้ แสดงดังรูป
Input
Output
การตอตั
าให้เราได้
่ วเก็บประจุเขาไปจะท
้
สั ญญาณทีม
่ ค
ี วามเรียบ
ใกลเคี
้ ยงสั ญญาณกระแสตรง
มากยิง่ ขึน
้
http://www.atom.rmutphysics.com/charud/oldnews/0/286/7/5/AltCurrent/Full-wave1.htm
การนาเอาไดโอดไปใช้งาน
ไดโอด
ชนิดตางๆ
่
1. ซีเนอรไดโอด
์
(Zener Diode) เป็ นไดโอดทีอ
่ อกแบบพิเศษโดยจะทางานในสภาวะ
ไบแอสกลับ และมีคุณสมบัตใิ นการรักษาระดับแรงดันไฟฟ้าตกครอม
่
ตัวมันให้มีคาคงที
่ ดังรูป
่
- จากกราฟ ทาให้ทราบวาการใช
่
้ งานซี
เนอรไดโอดเราจะต
อแบบไบอั
สกลับ ซีเนอร ์
่
์
ไดโอดใช้ งานได้ เรี ย กว่ า ระดับ แรงดัน
พังทลายซีเนอร ์ (Zener Breakdown Voltage ;
ซีเ นอร ไดโอด
เหมาะที่จ ะน าไปใช้
์
Vz)
ควบคุ ม แรงดัน ที่โ หลดหรือ วงจรที่ต้ องการ
แรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยูในแหล
งจ
่
่ าย
่
ไฟเลีย
้ ง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร ์
2. ไดโอดเปลงแสง
(Light
่
Emitting
Diode,
LEDวยสารกึ
เป็ นไดโอดที
ป
่ ระกอบด
ง่ ตัวนาชนิด P และ N ประกบกัน
้)
มีผว
ิ ข้างหนึ่ งเรีย บเป็ นมันคล้ายกระจก ได้ออกแบบมาเป็ นพิเศษโดย
เมือ
่ ไดรั
่ ารกึง่ ตัวนาชนิด N
้ บแรงดันไบอัสตรง จะทาให้อิเล็กตรอนทีส
มีพ ลัง งานสู ง ขึ้น จนสามารถวิ่ง ข้ ามรอยต่อไปรวมกับ โฮลใน P จะ
LED
นไดโอดที
ช้ า้สารประเภทแกลเลี
ย
่ ม
เปลงแสงออกมาได
ง้ั สี แเป็ดง
เขียว ใ่ ฟ
ส้ ม เหลือง ฯลฯ
่
้ ซึ่งมีท
อารเซ็
ตามสารทีใ่ ช้ทา
์ นไนตฟอสไฟต
์
์ (GaAsP) หรือสารแกล
เลีย
่ มฟอสไฟต ์ (GaP) มาทาเป็ นสารกึง่ ตัวนา
ชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge ซึง่ ให้
สี เหลืองและเขียว
•LED จะเปลงแสงได
่ มี
่
้ เมือ
กระแสไฟฟ
าน
้ าไหลผ
่
•ขนาดความเข
มของแสงจะขึ
น
้ กับปริมาณ
้
กระแสไฟฟ
าทีไ่ ตหลผ
าน น
•การเปลงแสงสี
างๆจะขึ
้ กับสารกึง่ ตัวนา
่ ้
่ ่
ทีน
่ ามาประดิงแสงจะขึ
ษฐ ์
•ศั กยไฟฟ
าตกคร
อมไดโอดเปล
น
้ กับ
้
่
่
์
การนาไปใช้
ประโยชนของ
LED
์
LCD จะยอมาจาก
Liquid่
crystal display ซึ่งจะใช้ แสง
สว่างส่ องด้ านหลัง (backlight)
เป็ น CCFL (Cold Cathode
Fluorescent Lamp) เพือ
่ ให้
ความสวางกั
บภาพในจอ LCD
่
LED TV จะแทนที่ CCFL
ด้วย LED
ท าให้ ได้ ภาพที่ม ี
ส ว่ า ง - ค ม - ชั ด - ลึ ก ม า ก ก ว่ า
เรี ย กว่ า ค อ น ท ร า ส ข อง มั น ใ ห้
ความ "สวางไสว-มื
ดสนิท" อยาง
่
่
แท้จริง รวมถึงสี สันทีส
่ มจริงมาก
ขึน
้ อีกดวย
้
2. ไดโอดรับ
เป็ นอุปกรณสารกึ
ง่ ตัวนานากระแสได้ก็ เนื่องจากการให้
์
แสง
(Photo
พลั
ง งานเพื
่ อ ดึ งDiode)
อิ เ ล็ ก ตรอนให้ หลุ ด จากบอนด ์ เป็ นผลท าให้ เกิ ด
า ก ก ร า ฟ
า น ว้ กับน
อิเ ล็ ก ตรอนอิส ระและโฮล โดยอาศั ยจแสงในการเพิ
่ม พลังจงานให
อิเล็ ก ตรอนอิส ระทีเ่ กิด ขึน
้ จะแปรตรง
อิเล็กตรอนในเนื้อสาร
กับ ความเข้ มของแสง แต่ เมื่ อ เพิ่ม
ความเข้มของแสงจนถึงค่าหนึ่ งจะไม่
มีการเพิม
่ ของอิเล็กตรอนอิสระอีกแล้ว
ในช่ วงนี้ เ ราจะเรีย กว่ า ช่ วงอิ่ม ตัว
โฟโตไดโอด เป็ นไดโอด
ที่
(saturation
region)
อาศัยแสงจากภายนอกผานเลนซ
่
์ ซึ่งฝังตัวอยู่
ระหว่างรอยตอ
่ กระตุ้นให้ไดโอด
่ p-n เพือ
ทางาน การตอโฟโตไดโอดเพื
อ
่ ใช้งานจะเป็ น
่
แบบไบอัส กลับ ทั้ง นี้ เพราะไมต
่ ้องการให้ โฟ
โตไดโอดท างานในทัน ทีท น
ั ใด แต่ต้ องการ
สวิตชแสงแดด
์
ให้ไดโอดทางานเฉพาะเมือ
่ มีปริมาณแสงสวาง
่
Switch) เป็ นอุปกรณ ์
มากพอตามทีก
่ าหนดเสี ยกอน
กลาวคื
อ (Photoelectric
เมือ
่
่
่
ที้รัท
่ บาหน
เ่ ปิ ด-ปิดดไฟฟ้า โดยใช้แสงเป็ นตัวควบคุ ม
เลนซ ของโฟโตไดโอดได
แสงสว
้ าที่างจะเกิ
์
เช่ น ว่ ไหลนี
ถ้ ามีแ้เพิ
สงน
กระแสรัว่ ไหล ปริมาณกระแสรั
ม
่ ขึน
้ ้ อย หรือ ใกล้ จะมืด สวิต ช ์จะเปิ ด
ตามความเข้มของแสง
และถามี
น
้ เช่นตอนรุงเช
้ แสงสวางมากขึ
่
่ ้า สวิตชก็
์ จะ
ปิ ด
3. ทัลเนล เป็ นไดโอดทีม่ กี ารโด๊ปสารทีร่ อยตอมากเป็
นพิเศษทาให้มี
่
ลักไดโอด
ษณะการท
างานทีพ
่ เิ ศษแตกตางออกไปเมื
อ
่ ให้ไบแอสตรงแกทั
(Tunnel
่
่ นเนล
ไดโอดไดโอดก็
จะนากระแสปกติดงั ในช่วงที1
่
Diode)
เมื่อ แรงดัน ตกคร่อมไดโอดสู ง ถึง ค่าๆหนึ่ ง แทนที่ก ระแสจะไหล
เพิม
่ ขึน
้ ตามกลับลดลงทันทีตรงนี้จะถูกเรียกวาเกิ
่ ดคาความต
่
้านทานมืด
(negativeresistance)
จนกระทั่ ง แรงดัน ตกคร่ อมไดโอดเพิ่ ม ไปถึ ง อี ก
ต าแหน่ งกระแสก็ จ ะเพิ่ ม ขึ้ น เช่ นเดิ ม จากคุ ณ สมบัต ิ ท ี่ เ กิ ด ค่ าความ
ต้านทานมืด นี้เองจึงสามารถนาทันเนลไดโอดนี้ไปใช้ ในวงจรออสซิล
เตอร ์ หรือ ในอุปกรณเก็
้ ล(storage device)
์ บสั ญญาณและขอมู
สั ญลักษณ์
ทันเนลไดโอด
เหตุ ท ี่ล ก
ั ษณะสมบัต ิบ างช่ วงเป็ นความต้ านทานลบ
เพราะวามี
านหนึ
่งของหัวตอ
่ การโด๊ปสารดานใดด
้
้
่ P-N ให้มีสารเจือ
ปนมากกวาปกติ
ถงึ เป็ นร้อยเทาพั
่
่ นเทา่ ซึง่ การโด๊ปมาก ๆ เช่นนี้ทา
ให้ หัว ต่อทีเ่ รีย กว่าดีพลีช่น
ั บางมากเมือ
่ ให้ ไบแอสตรงจึงท าให้ พาหะ
สามารถวิง่ ทะลุรอยตอไปยั
งขัว้ อีกด้านหนึ่งได้ ดังนั้นกระแสจะสูงขึน
้
่
4. ไดโอดดวาแรกเตอร์หรือวาริแคป (VARACTOR OR VARICAP DIODE)
จัด เป็ นไดโอดที่ ส ามารถปรับ ค่ าคาปาซิ แ ต็ น ซ ์ โดย
ขึน
้ อยูกั
่ บการปรับค่าแรงดันไฟฟ้า โดยอาศั ยหลักการของ
ไดโอด ณ การให้ ไฟตรงแบบไบอัส กลับ จะปรากฏว่า
ขณะแรงดันไบอัสกลับ (Reverse Bias Voltage ; Vr) มีคา่
ตา่ Depletion Region จะแคบลง ทาให้คาคาปาซิ
แต็นซ ์
่
ตรงรอยตอมี
่ คาสู
่ ง
แตในทางตรงข
ให้สูงขึน
้
่
้ามถ้าเราปรับ Vr
Depletion Region จะขยายกว้างขึน
้ ทาให้คาคาปาซิ
่
แต็นซตรงรอยต
อมี
่ คาลดลง
่
์
จากลักษณะดังกลาว
เราจึงนาวาริแคปไปใช้
่
ในวงจรปรับ ความถี่ เช่ น วงจรจู น ความถี่อ ต
ั โนมัต ิ (Automatic
Fine Tunning ; AFC) และวงจรกรองความถีซ
่ งึ่ ปรับชวงความถีไ่ ดตาม
ข้อดี และข้อเสียของอุปกรณ์สารกึง่ ตัวนา
1. ข้อดีของอุปกรณ ์
1. ขนาดเล็
สารกึ
ง่ ตัวนาก
น้าใช
หนั้งานด
กเบา วย
2.
้
แรงดั
า่
3. ไมน
ต
Heater
เปิ ดสวิตซแล
่ ไฟฟ
้องมี ้ าต
้
้
์ วใช
งานได
ทั
4.
กินไฟน
้ นที
้ อย แตมี
่
ประสิ
ทก
ธิภ
าพดี้งาน
5. อายุ
ารใช
6.
ความน่าเชือ
่ ถือในการใช้งาน
นาน
ค
ง
7.อนข
่ มีเสีางสู
้ ยงรบกวน
8.
ทนตอการสั
่ นสะเทือนและกระแทกที่
น้อย
่
รุนแรงได้
2. ข้อเสี ยของอุปกรณ ์
1. ไม
สามารถใช
สารกึ
ง่ ตั
่ วนา
้
ก
งไฟฟ
2.าลั
ไม
สามารถท
าอุป
้ าสูงๆได
้ กรณที
่
์ ใ่ ช้กับ
แรงดั
3. เสถีนยไฟฟ
รภาพไม
ดี
ั ้ เมือ
่
้ าสูงๆได
่ นก
ทรานซิสเตอร ์
เกิดจากการนาสารกึง่ ตัวนา 3 ชิน
้ มาประกบกัน ส่วน
ประกบดานนอกทั
ง้ สองทาจากสารกึง่ ตัวนาชนิดเดียวกัน เรียก
้
อิมต
ิ เตอร(Emitter,E)
และคอลเล็กเตอร(Collector,C)
ส่วนกลางทา
์
์
จากสารกึง่ ตัทรานซิ
วนาชนิสดเตอร
ตรงขาม
เรีย
กว่ า่ ยาย
เบส
้์ ทาหน
้ าทีข
สั ญญาณ มีขาใช้งานอยู
ดังรูป : B) เป็ นขาทีถ
่ 3 ขา(BASE
1. ขาเบส
่ ูกโด๊ปสา
รน้อยมาก ซึง่ เป็ นขาทีอ
่ ยู่
ตรงกลางของ
2. ขาคอลเลคเตอร
ทาหน้าที่
ทรานซิสเตอร(Collector:C)
์ ์
สะสมอิเล็กตรอนอิสระ
หรือโฮล ทีม
่ า
จาก E ผานไปยั
งขา B ขนาดของ C จะ
่
ใหญ
3. ขาอิ
ิ เตอร(Emitter:E)
ทาหน้าทีจ
่ าย
่ มต
่
์
อิเล็กตรอนอิสระหรือโฮลไป กวา่ E
ยังขา B ทิศ
ของเครือ
่ งหมายชีใ้ ห้เห็ นชนิดของ
ทรานซิสเตอร ์
ชนิดของทรานซิสเตอร ์
การประกบกัน ของสารกึ่ ง ตัว น าท าได้ โดยการโด๊ ป
(dope) โดยสารกึง่ ตัวนาทีข
่ า E มีความหนาของการโด๊ปน้อยกวา่
สารกึง่ ตัวนาทีข
่ า C ของทรานซิสเตอร ์ ดังนั้น คุณสมบัตท
ิ างไฟฟ้า
ของขา E และ C จึงไมเท
่ ากั
่ น ทรานซิสเตอรมี
์ 2 ชนิด
สั ญลัก
โครงสร้
ษณ์
าง
1. ทรานซิสเตอร ์ ชนิด NPN
สั ญลัก
โครงสร้
ษณ์
าง
2. ทรานซิสเตอร ์ ชนิด PNP
2. การตอวงจรทรานซิ
สเตอร ์
่
การตอวงจรทรานซิ
สเตอร ์ ทาได้ 3 แบบ คือ วงจรเบสรวม
่
่
คอลเล็กเตอรร์ วม
และอิมต
ิ เตอรร์ วม
่
่
1. วงจรเบสรวม
(Common base circuit): PNP
่
ไบแอสตรง: แรงดัน VE ไบแอสตรง
ระหว่างขา E และ B อิเ ล็ ก ตรอน
จากสารกึ่ ง ตัว น าชนิ ด N ที่ ข า B
วิง่ ข้ามรอยตอ
่ P-N ไปยังสารกึง่ ตัวนา
ชนิดP ทีข
่ า E ในทางกลับกัน โฮ
ลจากสารกึ
ว น าชนิ
ไบแอสกลับ่ง: ตั
แรงดั
น ด
VC P ซึที่ง่ข
สูงากวE
่า
วิ
ง่ ข้ามรอยต
N ไปยั
งสารกึ
า
แรงดั
น VE ่อ
ไบแอสกลั
บระหว
างขา
่ ่ง ตัวนB
ช
นิ ด C N ดัที
่ ข้นา จึงBมีโฮลบางส
เ กิ ด ก ร่ วนถู
ะแก
ส
และ
งนั
อิ
มต
ิกเตอร
ผลั
ดัส
นเตอร
ให์ ้ ขIE้ามรอยต
อ
P-N
่ วม
อัตราขยายกระแส(  )ของวงจรทรานซิ
แบบเบสร
คือ ไปยังขา
่
์
Cเกิดเป็ นกระแสคอลเล็กเตอร ์ IC
อัตราขยายแรงดัน( AV) ของวงจรทรานซิสเตอรแบบเบสร
วม
คือ
่
์
1. วงจรเบสรวม
(Common base circuit): NPN
่
ไบแอสตรง: แรงดัน VE ไบแอสตรง
ระหวางขา
B และ E อิเล็กตรอน
่
จากสารกึง่ ตัวนาชนิด N ทีข
่ า E
วิง่ ข้ามรอยตอ
่ P-N ไปยังสารกึง่ ตัวนา
ชนิดP ทีข
่ า B ในทางกลับกัน โฮ
ลจากสารกึง่ ตัวนาชนิด P ทีข
่ า B
บ:อ
VงCสารกึ
ซึง่ สูง่ กว
วิไบแอสกลั
ง่ ข้ามรอยต
N นไปยั
ตัวา่ นา
่ แรงดั
แรงดั
างขา
C
ชนิ
ด นN VทีEข
่ ไบแอสกลั
า E เกิบ
ดระหว
กระแส
่
B ์ ดั
อิและ
มต
ิ เตอร
IEงนั้น จึงมีโฮลบางส่วนถูก
ผลักดันให้ข้ามรอยตอ
่ P-N ไปยังขา
C เกิดเป็ นกระแสคอลเล็กเตอร ์ IC
2. วงจรอิมต
ิ เตอรร์ วม
(Common emitter circuit): PNP
่
ไบแอสตรง: แรงดัน VE
ไบแอสตรง
ระหว่างขา E และ B เกิด กระแส IE
ที
ข
่ า E บ: แรงดัน V ซึง่ สูงกวาแรงดัน
ไบแอสกลั
C
่
VB ไบแอสกลับระหวางขา
B และ C
่
ดังนั้น จึงมีโฮลบางส่วนถูกผลักดันให้ข้าม
รอยตอ
่ P-N ไปยังขา C เกิดเป็ นกระแส
คอลเล็กเตอร ์ IC
อัตราขยายกระแส(  )ของวงจรทรานซิสเตอรแบบอิ
มต
ิ เตอรร์ วม
คือ
่
์
อัตราขยายแรงดัน( AV) ของวงจรทรานซิสเตอรแบบเบสร
วม
คือ
่
์
2. วงจรอิมต
ิ เตอรร์ วม
(Common emitter circuit): NPN
่
มี พ ฤติ ก รรมเช่ นเดีย วกัน
กับวงจรทรานซิส เตอรแบบอิ
มต
ิ เตอรร์ ่วมที่
์
ใช้ทราซิสเตอรชนิ
่ ้ แรงดัน
์ ด PNP แตใช
เลีย
้ งวงจรกลับขัว้ ซึง่ กันละกัน
3. วงจรคอลเล็กเตอรร์ วม
(Common collecter circuit): PN
่
อัตราขยายกระแส(  )ของวงจรทรานซิสเตอรแบบคอลเล็
กเตอรร์ วม
คือ
่
์
อัตราขยายแรงดัน( AV) ของวงจรทรานซิสเตอรแบบคอลเล็
กเตอรร์ วม
คือ
่
์
การประโยชน์จากอิเล็กทรอนิกู์
พาหะส่วนใหญ่ จะไหลจาก ขา E ผาน
ขา B ไปออกยังขา C โดยจะมีน้อยมากทีไ่ หลออกไปทาง
่
ขา B
ทรานซิสเตอรแบบ
npn
์
พาหะส่วนใหญ่ จะไหลจาก ขา C ผาน
ขา B ไปออกยังขา E โดยจะมีน้อยมากทีไ่ หลออกไปทาง
่
ขา B
สาเหตุท ี่ Majority Career ไหลผานการไบแอสย
อนกลั
บไมไหลออกทางขา
B เนื่องจาก
่
้
่
1. ชัน
้ วัสดุกง่ึ ตัวนาทีข
่ า B โดปเจือจางมากจึงเป็ นฉนวน
2. ชัน
้ วัสดุกง่ึ ตัวนาทีข
่ า B บางมากทาให้ ชัน
้ ทีขา C ใกลกั
้ ทีข
่ า E
้ บ ชัน
3. การไบแอสที่ B-C (pnp) และ B-E (npn) เป็ นการขับให้พาหะส่วนใหญมี
่ แรงไหลทะลุการ ไบแอส
ยอนกลั
บไปได้
้
Good luck
Lesson V: Basic Electronic