Transcript 1 - Vilniaus universitetas

Logika
Loginės operacijos
Konjunkcija
Disjunkcija
Inversija
IR
ARBA
daugyba
sudėtis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
X
X
Y
IEC
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
1
1
MIL/ANSI
DIN
Disjunkcija ,
ARBA ,
sudėtis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
IEC,
MIL/
ANSI
DIN
Konjunkcija, AND, loginė daugyba
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Funkcija
x1
x2
00 01 10 11
Funkcijos
žymėjimas
f0
f1
f2
f3
f4
f5
f6
f7
f8
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
x1 x2
x1 x2
x1
x2 x1
x2
x1 x2
x2 Vx1
x2 x1
f9
f10
f11
f12
f13
f14
f15
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
x1  x2
^x2
x2 x1
^ x1
x1 x2
x1 |x2
1
Funkcijos
pavadinimas
konjunkcija
draudimas
draudimas
sudėtis moduliu 2, XOR
disjunkcija
Pirso funkcija, ARBA-NE
ekvivalentiškumas
implikacija
implikacija
Šeferio funkcija, IR-NE
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Loginiai ventiliai
IR, ARBA, NE
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
1
1
1
&
1
0
&
0
1
1
0
1
1
&
1
1
1
sumatorius
1
0
1
&
0 1 Vienskiltis
1 0
0
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vienskiltis sumatorius (su pernaša)
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties
sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių
sudėties operacija atrodo taip:
o ją realizuojanti loginių elementų schema :
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
trigeris
S
R
1
1
Q
S(tn)
R(tn)
Q(tn)
0
1
0
1
0
0
1
1
Q(t0)
1
0
-
Q
Statinės atmintinės ląstelė (trigeris)
Jeigu
Aktyvūs S, R =“0” (inversiniai įėjimai)
Pasyvūs S, R = “1” or “3rd state”,
=>
S
R
&
Q
&
Q
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
diodas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
npn (pagrindiniai emiterio srities krūvininkai yra elektronai) tranzistoriaus pagrindiniai
veikimo principai:
•
•
•
•
Bazės-emiterio pn sandūra sujungta tiesiogiai, todėl elektronai pasiekia bazės sritį.
Bazės sritis labai plona ir mažai legiruota (nedaug skylių), todėl tik nedidelė dalis iš
emiterio “atkeliavusių” elektronų rekombinuoja, o kita dalis lieka bazės srityje.
Bazės-kolektoriaus sandūra yra “atbulinė” kolektoriaus elektronams ir bazės skylėms, bet
tiesioginė į bazę patekusiems emiterio elektronams. Šiuos elektronus traukia prie
kolektoriaus prijungtas teigiamas maitinimo šaltinio kontaktas. Todėl didžioji dalis bazėje
esančių emiterio elektronų įveikia bazės-kolektoriaus pn sandūrą ir patenka į kolektoriaus
sritį, taip sukurdami kolektoriaus srove IC.
Kuo didesnis UB1 potencialas, tuo mažesnis barjeras emiterio elektronams
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vienpolių tranzistorių su valdančiąja pn sandūra (a, b), MDP
tranzistorių su indukuotuoju kanalu (c,d) ir MDP rranzistorių su
pradiniu kanalu (e,f) sutartiniai grafiniai žymėjimai: a, c,e - su n
kanalu; b,d.f – su p kanalu
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Tranzistorinio invertoriaus schema
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
3 būsenų schema
išrinkimas
įvestis
išvestis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
3 etapų logika
Kombinatorius formuotuvas
buferis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
3 būsenų schema
išrinkimas
įvestis
išvestis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Trigeris
(Loginės ir
principinė
scemos)
S
R
1
1
Q
Q
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Duomenys
Valdymas (adresai)
Dinaminės atmintinės
ląstelė
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Klausimai
ir
pertrauka
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas