Transcript 5. Kartojimas - VGTU Elektronikos fakultetas

ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipoliai tranzistoriai. Apibendrinimas
Raskite dvipolio tranzistoriaus h parametrus, kai IBQ = 40 mA ir UKEQ= 2 V.
Input characteristic
Output characteristics
IB / μA
IC / mA
140
8
120
7
100
6
80
5
60
4
70
50
30
3
40
2
20
1
0
0,2
0,25
0,3
0,35
0,4
I B = 10 μA
0
0
1
2
3
4
5
UBE / V
UCE / V
CCB = 2 pF, fT = 600 MHz
VGTU Elektronikos fakultetas
6
[email protected]
7
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
h parametrų skaičiavimas
h11E 
h12 E 
U1
I1 U 2  0

U BE
I B U KE  const  U KE Q
U1
U BE
U BE


U 2 I 1  0 U KE I B  const U KE 3  U KE1 I B  I BQ
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
h parametrų skaičiavimas
h11E 
h11E 
U1
I1 U 2  0
U BE
I B U KE  const  U KE Q
h11E 
0,4  0,275
6
13010
 960 
h12 E  ?
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
h parametrų skaičiavimas
h21E 
I2
I I
I
 K
 K 3 K1
I 1 U 2  0 I B U KE  const I B3  I B1 U KE  U KE Q
h22 E 
I2
I K

U 2 I 1  0 U KE I B  const  I BQ
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
h parametrų skaičiavimas
h21E
I2
I K 3  I K1
I K
(5,2  1) 103




 70

6
U

U
U

0
I1 2
I B U KE  const I B3  I B1 KE
(70  10) 10
KE Q
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
h parametrų skaičiavimas
h22E
I2
I K
(3,6  2,9) 103



 0,175 mS
I

const

I
I

0
U2 1
U KE B
5 1
BQ
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipolio tranzistoriaus T pavidalo ekvivalentinė grandinė
Nubraižykite nagrinėto dvipolio tranzistoriaus T pavidalo ekvivalentinės
grandinės schemą.
Raskite schemos aktyviųjų elementų parametrus.
Laikydami, kad tranzistorius panaudotas vidutinių dažnių silpnų signalų
stiprintuve (įėjimo įtampos kintamoji dedamoji - 10 mV, apkrovos varža 1000 Ω) apskaičiuokite išėjimo įtampą ir įtampos stiprinimo koeficientą.
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipolio tranzistoriaus T pavidalo ekvivalentinė grandinė
rE 
kT 1
0,025

q I KQ
I KQ
rB  h11B  βrE
rKE  1 / h22 E
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Tranzistoriaus, įjungto pagal BE schemą T pavidalo ekvivalentinė
grandinė
rE 
kT 1
0,025

q I KQ
I KQ
 
0
1  j /  
CKE   CK
VGTU Elektronikos fakultetas
rB  h11E  rE (1   )
rKE  1 / h22 E
f   fT / β0
C E , CKE ( K )
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipolio tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinė grandinė
Nubraižykite nagrinėto dvipolio tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės
grandinės schemą.
Raskite schemos aktyviųjų elementų parametrus.
Laikydami, kad tranzistorius panaudotas vidutinių dažnių silpnų signalų
stiprintuve (įėjimo įtampos kintamoji dedamoji - 10 mV, apkrovos varža 1000 Ω) apskaičiuokite išėjimo įtampą ir įtampos stiprinimo koeficientą.
Užbaikite ekvivalentinės grandinės elementų parametrų skaičiavimus
(raskite talpas).
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipolio tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinė grandinė
gm 
I KQ
0,025
ro 
rπ 
 40I KQ
U
1
 2
g 22
I2
U 1 0


gm
U KE
100
 ... 
I K
I KQ
rB  h11E  rπ
C m  CK
VGTU Elektronikos fakultetas
gm
Cπ 
 Cμ
2π f T
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriai. Apibendrinimas
Raskite lauko tranzistoriaus parametrus, kai UUIQ = - 0.4 V , USIQ= 5 V, sudarykite jo
ekvivalentinę schemą ir raskite jos elementų parametrus.
http://web.iot.dk/kbj/komponenter/Datablade/2n5457.pdf
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas
(0,73  0,25) 103
S  gm 
 1,2 103 A/V
 0,6  0,2
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas
ro 
VGTU Elektronikos fakultetas
20  2.5
3
(0.46  0.44) 10
 875k
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas
0,9 103
S  gm 
 1,13103 A/V
0,8
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus parametrų skaičiavimas
UUI0 = -1,2 V, ISmax = 1,05 mA.
UUIQ = -0,5 V, ISmax = 0,4 mA.
S  gm 
2 I SQ I Smax
 U UI0
2I
S  g m  Smax
 U UI0

 U UIQ
1 
 U
UI0

2 0,4 1,05
 1,08 mA/V.
1,2
 2 1,05  0,5 

1 
  1,02 mA/V.

1
,
2
1
,
2



Bendru atveju:
I S  K (U UI  U UI0 ) 2 ;
S  g m  2 K (U UI  U UI0 );
S  gm 
VGTU Elektronikos fakultetas
2 I SQ
U UIQ  U UI0
.
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus ekvivalentinės grandinės schema
Sudarykite nagrinėto lauko tranzistoriaus ekvivalentinės
grandinės schemą.
Apskaičiuokite dažnį fT.
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Lauko tranzistoriaus  pavidalo ekvivalentinė grandinė
gm 
I S
U UI
U SI
ro 
I S
U SI  const
U SI  const
VGTU Elektronikos fakultetas
C US  C12
C UI  C11  C12
CSI  C 22  C12
fT 
gm
2 π (C UI  C US )
[email protected]
ELEKTRONIKOS ĮTAISAI
2007
Dvipoliai tranzistoriai. Apibendrinimas
1. Tranzistorius įjungtas pagal BE schemą. Darbo taške (kai bazės srovė – 0,5
mA ir kolektoriaus-emiterio įtampa - 5 V), tranzistoriaus įėjimo varža yra 150
Ω, bazės srovės perdavimo koeficientas - 120, išėjimo laidumas - 0,2 mS.
Kolektoriaus sandūros talpa - 2 pF. Dažniui padidėjus iki 10 MHz, bazės
srovės perdavimo koeficientas sumažėja iki 12. Sudarykite tranzistoriaus Π
pavidalo ekvivalentinės grandinė schemą. Raskite jos elementų parametrus.
2. Sudarykite T pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą ir raskite jos
elementų parametrus.
VGTU Elektronikos fakultetas
[email protected]
http://web.iot.dk/kbj/komponenter/Datablade/2n5457.pdf