Transcript 配向膜沉積技術
平面顯示器製程技術 助理教授 陳松德 1 配向技術之探討 簡介 配向膜的特性介紹 配向膜上的液晶排列研究 配向膜材料未來的發展趨勢 2 液晶顯示器的基本原理 未偏極化的光 偏光板 導電玻璃 液晶層 導電玻璃 配向膜 配向膜 彩色濾光片 偏光板 3 液晶面板製造流程 4 電場下的液晶動作 5 液晶與配向膜的關係 6 液晶與配向膜的關係 Parallel alignment of liquid crystals Twisted alignment of liquid crystals 7 液晶與配向膜的關係 8 配向膜與液晶機制 9 配向膜與液晶的關係 配向膜:具有直條狀刮痕的薄膜,引導液晶 分子排列方向。 10 配向膜刷磨與配向 磨刷轉輪 配向膜 ITO膜 玻璃基板 刷磨移動方向 11 配向膜刷磨原理 12 配向膜刷磨目的 液晶分子朝一致方向排列 (均勻的顯示效果) 獲得預傾角(Pre-tilt angle) (驅動方向與速度) 擁有錨定能(Anchoring energy) (顯示器之穩定度) 良好的電性(VHR & R-DC) (液晶反應速度) 13 配向膜刷磨方向與預傾角關係 磨刷方向 PI層 溝槽 液晶分子 預傾角 PI層 磨刷方向 14 預傾角存在的必要性 15 錨定能意義 配向膜與液晶分子邊界間的 力量即所謂「錨定能」 16 配向膜基本性能要求 項 目 成膜性 機械特性 配向特性 電氣特性 其它特性 性 能 要 求 必須獲得均勻的膜厚 不產生摩擦筋條,不產生配向膜的切削 對液晶分子的預傾角具有良好的控制性, 受環境變化影響小 不產生殘像、電壓保持率高、頻率特性 良好、不產生靜電破壞 與液晶無任何化學作用、與玻璃有良好 的結合力、容易塗佈,不產生針孔、對 水不敏感、最好具有較低的固化溫度和 良好的透明性 17 配向材料選用 18 常見之聚合物配向膜類型 種 類 聚醯胺酸型 (Polyamic Acid) 方 式 塗佈後進行 加熱處理, 使其Imide 化 聚亞醯胺型 塗佈後進行 (Polyimide) 之熱處理, 主要為去除 溶劑(本身已 Imide化) 優 點 缺 點 薄膜特性受 印刷性佳 材料選擇自 Imidization 程度影響 由度大 附著力佳 可在低溫成 膜 固化時特性 安定 印刷性較差 材料選擇自由 度較低 附著力較低 19 配向膜沉積與刷磨(Rubbing)製程 20 配向膜沉積技術 21 配向膜沉積生產流程 玻璃基板載入 配向膜塗佈 500100 Å 配向膜軟烤 基板清潔 玻璃基板清潔 X,Y:≤ 50 μm Coating good 配向膜刷磨 配向膜固化 重作程序 22 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) -中、小尺寸 23 配向膜沉積技術 24 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) -中、小尺寸 旋塗式沈積法是薄膜材料的單體物質(Monomer) 溶解於特定的有機化學溶劑(Solvent)中,以形成 化學溶液(Chemical Solution)後,再將此溶液 滴到旋塗機(Spin-Coater)內的基材上,並利用 旋塗機加速旋轉時所產生的離心力,將溶液均勻 散佈在整個基材的表面,以完成薄膜塗佈的動作。 接著進行一系列烘烤步驟驅離薄膜中的溶劑,並 使單體產生的相互交鏈反應(Cross-Linking), 以增強低薄膜的物理或化學特性。 25 配向膜沉積技術 狹縫與旋轉塗佈 (Slit & Spin on) -中、大 尺寸 隨著生產設備之大型化,其硬體的限制和設計的 難度以及面板品質要求之提升,尤其在塗佈均勻 性的要求方面更加的嚴格,將使得塗佈設備商面 臨更大的挑戰。為了因應這些需求,液晶顯示器 塗 佈 機 的 發 展 也 由 最 初 的 旋 轉 式 塗 佈 機 (Spin Coater),進而發展為狹縫與旋轉式塗佈機(Slit & Spin Coater),再發展為目前主流使用於第五 世代玻璃基板以上的狹縫式塗佈機(Slit Coater)。 26 配向膜沉積技術 狹縫與旋轉塗佈 (Slit & Spin on) -中、大 尺寸 27 配向膜沉積技術 狹縫與旋轉塗佈 (Slit & Spin on) -中、大尺寸 28 配向膜沉積技術 狹縫或非旋塗式(Slit or Spinless) - 大尺寸 29 配向膜沉積技術 狹縫或非旋塗式(Slit or Spinless) - 大尺寸 30 配向膜沉積技術 狹縫或非旋塗式(Slit or Spinless) - 大尺寸 31 配向膜沉積技術 狹縫或非旋塗式(Slit or Spinless) - 大尺寸 32 配向膜沉積技術 狹縫或非旋塗式(Slit or Spinless) - 大尺寸 印刷製程 a: printing table, b: LCD glass plate, c: dispenser, d: doctor blade, e: anilox role, f: resin letterpress, g: printing role 33 配向膜沉積技術 印刷式 34 柔性凸版(Flexographic)印刷製程 35 Flexographic印刷製程 36 配向膜旋轉塗佈製程 37 旋轉塗佈製程 38 旋轉塗佈製程 旋轉塗佈(Spin coating) 步驟一 於~500 rpm滴注溶液若干秒 步驟二 在~2000 rpm旋轉若干秒 旋轉時間則視視溶劑之黏滯性 而定 39 旋轉塗佈製程 旋轉塗佈薄膜製程特性 40 旋轉塗佈製程 旋轉塗佈薄膜製程特性 41 旋轉塗佈製程 旋轉塗佈薄膜製程特性 42 旋轉塗佈製程 旋轉塗佈薄膜製程特性 43 桌上型旋轉塗佈機 44 配向膜沉積生產線 45 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) Z Dispenser nozzle PI flow Glass Y X q Nozzle position can be adjusted in four directions. Stainless steel bowl Vacuum chuck Air flow Air flow Exhaust Spin motor Vacuum Drain 46 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) -中、小尺寸 烘箱 Resist 熱板 旋轉塗佈(Spin coat) 軟烤 (Soft bake) 固化(Curing) 47 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) -中、小尺寸 注入器 旋塗流程 玻璃基板確實置於真空吸盤座 (Vacuum chuck) 滴注 ~4 ml的 PI溶液 低轉速 ~ 500 rpm/ 30 sec 高轉速 ~ 2000 to 4000 rpm/ 1-2 min 薄膜品質 旋塗時間 旋塗速度 薄膜厚度 薄膜均勻性 微粒污染與缺陷 真空吸盤座 至真空幫浦 與馬達連接 48 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) -中、小尺寸 49 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) 軟烤(Softbake) 提高與基材附著性 提高薄膜均勻性 移除配向膜原料之溶劑 典型烘烤溫度為 90~200°C Chamber cover 於 Hot Plate烘烤3~20分 鐘 置於 Cold Plate進行冷卻 Substrate Hot plate Exhaust 50 配向膜沉積技術 旋轉塗佈 (Spin on) 固化(Curing) 穩定化PI薄膜 移除殘留溶劑 固化溫度與時間需依原廠 配向膜特性設定 51 典型配向膜固化溫度 一般分兩段curing 1250C/30 minutes 2500C-3500/90 minutes 52 低固化溫度配向膜材料 低固化溫度 53 配向膜配向製程 54 配向膜之配向技術 55 量產型刷磨機台 56 配向膜之刷磨機台 57 量產型刷磨機台 58 量產型刷磨機台 59 量產型刷磨機台 尺寸 : 300 × 300mm 速度 : 5 ~ 130mm/sec 行程 : 680mm 刷磨角度 : 0 ~ + 180 ° 60 量產型刷磨機台 Uniform production, improved quality of alignment layers. Programmable rubbing cycle. Upgradable with automatic substrate loader. Detection of defective rubbing cloth Substrate size (diagonal): 356 mm (14") or higher Rotary table : 360° Adjustable rotation speed: 50 1000 rpm Rubbing torque: peak monitored 61 量產型刷磨機台 刷磨機台於動作狀態 未放置玻璃基板 ,刷輪則尚未下降 62 量產型刷磨機台 63 量產型刷磨流程 64 配向刷磨機制 65 配向膜刷磨機制 66 配向膜預傾角 67 基板法線 配向膜預傾角(θp) θp X ψ 68 Mild-layer Tilt Angle 配向膜預傾角與驅動電壓曲線 90 60 30 0 1.0 2.0 Voltage 3.0 69 配向膜形式 液晶分子長軸平行於配向膜,稱為Homogeneous Alignment 長軸垂直於配向膜上,稱為Hetergeneous或Vertical Alignment 液晶分子與配向膜表面呈某一角度的傾斜(即預傾 角,Pretilt Angle),達到均一配向的效果 70 分子結構(Molecular Structure)對配向膜之配向 影響 (a) DMOAP N,N-dimethy1N-Octadecy1-3aminopropyltri methoxy-Sily1 chloride (b) MAP H3C-N-(CH)3Si(OCH3)3 H 側鏈 71 液晶與配向膜 MBBA液晶 N- p-methoxybenzylidence -p'-n-butylaniline 液晶的表面張力>配向膜表面張力 垂直配向 液晶的表面張力<配向膜表面張力 水平配向 MBBA表面張力 卵磷脂 潤濕玻璃 石墨 水 100 (Dyne/cm) 配向膜表面張力 10 (Dyne/cm) 垂直配向 水平配向 72 垂直配向與水平配向 73 表面刷磨方向之配向 Review.J.Cognard Mol.Cryst Liq.Cryst,Vol.78(Suppl 1)1(1981) Seo, et el SID 93 Digest p953 (1993) 74 刷磨式配向與液晶分子排列之作用 75 PI配向膜之分子構型與預傾角 76 刷磨式配向製程 77 配向膜刷磨方向與預傾角 78 配向膜與液晶排列 79 刷磨式配向製程之優、缺點 80 配向膜刷磨前、後AFM影像 81 配向膜刷磨前、後AFM影像 82 配向膜刷磨前、後AFM影像 原始試片 刷磨後試片 83 配向膜刷磨後AFM影像 84 配向膜刷磨後之OM影像 85 配向膜刷磨前、後對液晶之影響 偏光顯微鏡觀察 未配向,黑白不均 有配向,黑白均勻 86 TN型與STN型元件的比較 TN型 STN型 扭曲角 90o 180o~270o 預傾角 1o~2o 4o~7o 厚度 5~10 μm 3~8 μm 間隙誤差 0.5 μm 0.1 μm 87 90o TN型液晶配向膜之配置 88 270o STN型液晶配向膜之配置 89 配向技術之發展 90 大尺寸刷磨式配向製程之瓶頸 91 各型配向技術比較 92 配向技術發展趨勢 現 有 配 向 膜 係 採 由 滾 輪 包 裹 毛 絨 布 進 行 Rubbing方式進行,但摩擦會產生particle, 面板良率因此受影響,且須定期更換毛絨布 會影響製程進行,且六代以上基板面積過大, 滾輪重量將大幅增加,預期將改為非刷膜式 配向,配向膜材料將改為光配向或是電漿配 向。 93 非接觸式配向技術比較 94 光配向技術 95 光配向技術 96 光配向技術優缺點 97 配向膜檢測 98 配向刷磨結果檢測 99 配向刷磨缺陷 100 液晶元件成品規格 101 配向膜材料未來發展的趨勢 低固化溫度 (200 ℃) 高預傾角 STN-LCD 需要高預傾角(~150) 高電壓保持率(Voltage Holding Ratio, VHR) VHR定義為施加於Vo電壓於液晶盒,經過一個畫 面掃描(frame cycle)時間在開路狀態所量測到的 電壓值Vt的比值,VHR=Vt/Vo 提高對比 低直流殘留電位 (DC Residual, R-DC) 施加直流電壓於液晶盒一段長時間,再短路液晶 盒,再將液晶盒做開路量測殘留電壓值 低影像殘留 (Low Image Sticking) 光配向(Photo-alignment) 102