Transcript v I (t)
Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare Partea I – Amplificatoare cu tranzistoare bipolare Partea II – Amplificatoare cu tranzistoare MOS Analiza etajelor de amplificare cu tranzistoare consta in următoarele: • ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM DE CURENT CONTINUU ecuaţiile care determină Punctul Static de Funcţionare al tranzistorului. • ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM VARIABIL DE SEMNAL MIC în domeniul frecvenţelor medii rezistenţa de intrare în circuit Ri rezistenţa de ieşire din circuit Ro factorul de amplificare IDEAL (al amplificatorului izolat) factorul de amplificare in tensiune REAL (al amplificatorului conectat la circuitele externe) I. Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare bipolare Tipuri de amplificatoare cu tranzistoare bipolare: • etaj de amplificare în conexiunea EMITOR COMUN: – Varianta cu condensator in emitor – Varianta fara condensator in emitor • etaj de amplificare în conexiunea COLECTOR COMUN • etaj de amplificare în conexiunea BAZĂ COMUNĂ Schemele electronice ale amplificatoarelor cu TB conectate la circuitele externe Emitor comun cu condensator in emitor Colector comun Emitor comun fara condensator in emitor Baza comuna 1. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar (TB) în conexiunea Emitor Comun (EC) – varianta cu condensator in emitor semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna emitorul Schema electrica a etajului de amplificare cu TB în conexiunea EC cu condensator in emitor borne alimentare RB borne intrare RC iI(t) iO(t) borne iesire Q vO(t) vI(t) RE CE 1. Bornele de alimentare: se aplică sursa de tensiune continuă, necesară furnizării energiei electrice circuitului 2. Bornele de intrare: se aplică semnalul de intrare = informaţia 3. Bornele de ieşire: se furnizează semnalul de ieşire = informaţia amplificată Conectarea circuitelor externe la amplificator – pe aceasta schema electronica se scot in evidenta pierderile de semnal si se calculeaza amplificarile reale borne alimentare CG RC iO(t) CL Sursa de tensiune continuă borne iesire iI(t) + RB Q - borne intrare vO(t) Generator semnal RL vI(t) RE CE sarcina Condensatoarele de cuplare au capacitati mari (mai mari decit 1uF) VCC A. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent continuu. Scop: calcularea PSF-ului tranzistorului şi verificarea regiunii de funcţionare a tranzistorului bipolar; se reaminteşte că într-un circuit de amplificare, un tranzistor bipolar trebuie să funcţioneze în regiunea activă normală (RAN). Determinarea circuitului echivalent în curent continuu RB RC IC I VCC VBE C RE RB CL Sursa de tensiune continuă CG Generator semnal + Q VCE VCE VCC IC RC RE RL 0,5V VCE VCC 1V RE - VCC CE sarcina Determinarea circuitului de polarizare: 1. se elimină (nu se mai desenează) RAMURILE care conţin condensatoare 2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi VARIABILE (adică, sursele de tensiune se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele ale sursei, iar sursele de curent se elimină = nu se mai desenează). B. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil de semnal mic. Scop: calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului, care vor fi utilizaţi pentru modelarea acestuia, în scopul determinării amplificărilor reale, determinate în condiţiile în care amplificatorului i se conectează circuite externe Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic CG RC iI(t) iO(t) Q rπ CL gmVbe vO(t) Generator semnal vI(t) Vbe RE Sursa de tensiune continuă + RB VCC RL CE sarcina Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic: 1. condensatoarele de capacităţi mari (mai mari decât aproximativ 1F) se înlocuiesc cu un fir aplicat între armături 2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi CONTINUE (adică, sursele de tensiune se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele ale sursei, iar sursele de curent se elimină = nu se mai desenează). 3. tranzistorul se înlocuieşte cu circuitul echivalent de semnal mic, valabil pentru domeniul frecvenţelor medii. Circuitul echivalent al amplificatorului izolat, în regim variabil de semnal mic, în domeniul frecvenţelor medii. Formulele de calcul pentru parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar panta tranzistorului biploar: mA g m 40 I C V IC β VCC VBE β RE RB rezistenta baza-emitor in semnal mic: r gm k Metoda de calcul a rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de calcul a rezistentei V Ri t It Circuitul de calcul Vt RB r I t RB r Ri r Vt r I t valoare mică/medie = kΩ Metoda de calcul a rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de calcul a rezistentei V Ro t It Circuitul de calcul Vt RC I t Ro RC valoare medie = kΩ Metoda de calcul a amplificarii în tensiune ideale - metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor AV Vo Vi Circuitul de calcul Vo gm Vbe RC Vi Vbe AV gm RC AV gm RC valoare mare Vo gm RC Vi relatia intre amplitudini semnul “-” indică un defazaj de 1800 între vo şi vi volti Vi 0 -Vi 2 vi(t) = tensiune de intrare gmRCVi Defazajul de 180 0 vo(t) = tensiune de ieşire - gmRCVi Formele de unda ale tensiunilor de intrare, respectiv de iesire ale amplificatorului Metoda de calcul a amplificarii în curent ideale - metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor AI Io Ii Circuitul de calcul Io Ib RC gm Vbe gm Vbe RC 0 RB Ii RB r RB r Ii Vbe r Ib Vbe r Ii AI g m r Vbe RB r valoare mare AI Io Ii relatia intre amplitudini semnul “+” indică un defazaj de 00 între io şi ii amperi Ii 0 -Ii 2 ii(t) = curent de intrare βIi 0 Defazaj de 00 io(t) = curent de ieşire - β Ii Formele de unda ale curentilor de intrare, respectiv de iesire ai amplificatorului Metoda de calculul a amplificarii reale in tensiune a amplificatorului cu TB in conexiunea EC Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in tensiune in care amplificarea ideala si impedantele se vor particulariza in functie structura si datele circuitului Zi Z L AVg AV Z Z Z Z g L o i Amplificarea ideala in tensiune Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat: Zi Ri r Zo Ro RC AV gm RC Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC Z g Rg Z L RL Amplificarea reala in tenisune a amplificatorului cu TB in conexiunea EC rπ RL AVg g m RC Rg rπ RC RL Eliminarea pierderilor de tensiune la bornele de semnal ale amplificatorului conectat la circuitele externe rπ RL AVg g m RC Rg rπ RC RL Pierderile de tensiune la intrare Pierderile de tensiune la iesire Criteriile de proiectare ale amplificatorului necesare pentru eliminarea pierderilor de tensiune la bornele de intrare/ieşire: r Rg RC RL Metoda de calcul a amplificarii reale in curent a amplificatorului cu TB in conexiunea EC Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in curent in care amplificarea ideala si impedantele se vor particulariza in functie structura si datele circuitului Zg AIg AI Z Z i g Zo Z Z L o Amplificarea ideala incurent Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat: Zi Ri r Zo Ro RC AI Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC Z g Rg Z L RL Amplificarea reala in curent a amplificatorului cu TB in conexiunea EC Rg AIg R r g RC R R L C Eliminarea pierderilor de curent la bornele de semnal ale amplificatorului conectat la circuitele externe Rg AIg R r g RC R R L C Pierderile de curent la intrare Pierderile de AV la iesire curent Condiţiile de proiectare care trebuie îndeplinite de amplificator pentru a nu exista pierderi de curent la bornele de intrare/ieşire: r Rg RC RL Exemplul 1: se consideră amplificatorul cu TB din figura de mai jos, în care: VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ, CG=CE=CL=100uF. Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor de semnal mic Ri, Ro şi Av şi estimarea pierderilor de tensiune în cazul în care la intrarea amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o rezistenţă de sarcină de 1kΩ. borne alimentare Rg CG RC iO(t) CL borne iesire iI(t) + RB Q - borne intrare + - vG(t) vO(t) vI(t) RE CE RL VCC 1. Calcul PSF: IC VCC VBE RE RB IC 100 10 0.6V 940 V 1m A 100 0.33k 910k 943 k VCE VCC IC RC RE VCE 10V 1mA 4.7k 0.33k 10V 5.03V 5V 2. Verificarea funcţionării tranzistorului în RAN: 0,5V VCE VCC 1V 0,5V 5V 10V 1V 9V ADEVARAT 3. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar: m A g m 40 I C V rπ β k gm rπ m A m A g m 401 40 V V 100 k 2.5k 40 4. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului Ri r Ri 2.5k Ro RC Ro 4.7k AV gm RC m A AV 40 4.7k 188 V 5. Amplificatorul cu TB poate fi echivalat cu modelul amplificatorului de tensiune: 6. Calcularea amplificării reale în tensiune şi estimarea pierderilor de tensiune la bornele amplificatorului AVg Ri AV Rg Ri 2.5k 1k RL A 188 Vg Ro RL 0.6k 2.5k 4.7k 1k AVg 188 0.8 0.175 Pierderile de tensiune la intrare Pierderile de tensiune la iesire AVg 26.32 Schema electrica si formulele de calcul ale etajului de amplificare cu TB în conexiunea EC cu condensator in emitor Punctul static de funcţionare IC VCC VBE RE RB VCE VCC IC RC RE Parametrii de semnal mic ai amplificatorului Ri r valoare mica = maxim kΩ Ro RC valoare medie = kΩ AV g m RC AI amplificare mare; defazaj 1800 amplificare mare; defazaj 00 2. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiunea Emitor Comun varianta fara condensator in emitor Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu TB în conexiunea EC – varianta făra condensator in emitor Punctul static de funcţionare IC VCC VBE RE RB VCE VCC IC RC RE Parametrii de semnal mic ai amplificatorului Ri r 1 RE valoare medie = zeci kΩ Ro RC valoare medie = kΩ AV AI RC RE amplificare mică; defazaj 1800 amplificare mare; defazaj 00 3. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar (TB) în conexiunea Colector Comun (CC) semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna colectorul Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu TB în conexiunea CC Punctul static de funcţionare IC VCC VBE RE RB VCE VCC IC RE Parametrii de semnal mic ai amplificatorului Ri rπ 1 β RE valoare mare = sute kΩ r valoare mică = zeci Ω Ro 1 AV 1 nu amplifică in tensiune; defazaj 00 1 RB amplificare in curent AI mare; defazaj 1800 R 1 R B E utilizat pentru adaptarea impedanţelor a două circuite conectate. Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea CC conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal generator de tensiune: daca marimea electrica de intrare de interes este tensiunea generator de curent: daca marimea electrica de intrare de interes este curentul electric Exemplul 2: utilizarea amplificatorului cu TB în conexiunea CC ca buffer; buffer = etaj de adaptare a impedanţelor a două circuite Se consideră în primul caz, 2 amplificatoare de tensiune conectate direct, caracterizate de parametri de semnal mic din figura de mai jos. Să se determine amplificarea reală de tensiune. Se consideră un al doilea caz, în care, cele 2 amplificatoare sunt conectate prin intermediul unui “repetor pe emitor”. Să se determine amplificarea reală de tensiune. Se considera Rg=50Ω, iar RL=100kΩ iar datele pentru amplificatoare sunt: Amplificatoarele 1 şi 2 sunt amplificatoare cu TB in conexiunea EC care au urmatoarele date: VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ. (datele din problema precedenta). Amplificatorul cu TB in conexiunea CC: VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=3.3kΩ. v v v v AVG o2 o2 o1 i1 vg vo1 vi1 vg vo 2 Primul raport din relaţia de mai sus se determină observând că RL şi Ro2 formează un divizor de tensiune pentru tensiunea Av2Vi2= Av2Vo1 (Vi2 = Vo1), generată de generatorul de tensiune comandat în tensiune a celui de-al 2lea amplificator liniar: RL AV 2 vo1 RL Ro2 vo 2 RL AV 2 vo1 RL Ro 2 Al 2lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că Ri2 şi Ro1 formează un divizor de de tensiune pentru tensiunea Av1Vi1, generată de generatorul de tensiune comandat în tensiune a primului amplificator liniar: vo1 Ri 2 AV 1 vi1 Ri 2 Ro1 vo1 Ri 2 AV 1 vi1 Ri 2 Ro1 Al 3lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că Ri1 şi Rg formează un divizor de tensiune pentru tensiunea vg, generată de generatorul de tensiune sinusoidala aplicat la intrarea circuitului: vi1 Ri1 vg Ri1 Rg vi1 Ri1 v g Ri1 Rg Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune v Ri1 Ri 2 RL AVG o2 AV 1 AV 2 vg Ri1 Rg Ri 2 Ro1 RL Ro2 Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute in problema precedenta AVG 188 188 2.5k 2.5k 100k 2.5k 0.05k 2.5k 4.7k 100k 4.7k AVG 35344 0.98 0.35 0.95 Pierderile tensiune la intrare Pierderile tensiune la conectarea celor 2 amplificatoare AVG 11517 Pierderile tensiune la iesire Determinarea parametrilor de semnal mic amplificatorul cu TB in conexiunea CC 1. Calcul PSF: IC VCC VBE RE RB IC 100 10 0.6V 940 V 0,75mA 100 3,3k 910k 943 k VCE VCC IC RE VCE 10V 0,75mA 3,3k 10V 2,475V 7,525V 2. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar: mA mA m A g m 40 I C g m 40 0,75 30 V V V rπ β k gm r 100 k 3,3k 30 3. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului cu TB in conexiunea CC Ri rπ 1 β RE r Ro 1 AV 1 Ri 3,3k 101 3,3k 337k Ro 3.3k 32 101 AV 1 v v v v v AVG o2 o2 or o1 i1 vg vor vo1 vi1 vg Fiecare bloc scos in evidenta reprezintă un divizor de tensiune: vi1 Rir Ri 2 RL AV 2 vor AV 1 vi1 vor 1 vo1 vo 2 RL Ro 2 Rir Ro1 Ri 2 Ror v v Rir v Ri 2 RL vi1 Ri1 o 2 AV 2 o1 AV 1 or v R R v R R v R R v g Ri1 Rg or L o2 i1 ir o1 o1 i2 or Ri1 vg Ri1 Rg vo1 Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune v Ri1 Rir Ri 2 RL AVG o2 AV 1 AV 2 vg Ri1 Rg Rir Ro1 Ri 2 Ror RL Ro2 Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute atit in problema precedenta cit si cele obtinute in calculul amplificatorului cu TB in conexiunea CC AVG 188 188 2.5k 337k 2.5k 100k 2.5k 0.05k 337k 4.7k 2.5k 32 100k 4.7k AVG 35344 0.98 0.98 0.99 0.95 AVG 31925 Se observa ca prin introducerea amplificatorului cu TB in conexiunea CC intre cele 2 amplificatoare cu TB in conexiunea EC, amplificarea reala in tensiune a crescut de la 11517 la 31925 4. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar (TB) în conexiunea Baza Comuna (BC) semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna baza Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu TB în conexiunea BC Punctul static de funcţionare IC β VCC VBE β RE RB VCE VCC IC RC RE Parametrii de semnal mic ai amplificatorului: Ri rπ valoare mică = zeci Ω 1 β Ro RC valoare medie = kΩ AV gm RC amplificare mare defazaj 00 AI 1 nu amplifică; defazaj 1800 Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea BC conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal Partea II – Amplificatoare cu tranzistoare MOS Tipuri de amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS • etaj de amplificare în conexiunea SURSĂ COMUNĂ – cu condensator in sursa – fara condensator in sursa • etaj de amplificare în conexiunea DRENĂ COMUNĂ • etaj de amplificare în conexiunea GRILĂ COMUNĂ Schemele electronice ale amplificatoarelor cu MOS conectate la circuitele externe Sursa comuna cu condensator in sursa Drena comuna Sursa comuna fara condensator in sursa Grila comuna 5. Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) cu condensator in sursa semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna sursa Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea SC Punctul static de funcţionare I D k VGS VTH 2 VGS I D RS VGG 0 RG1 VGG VDD RG1 RG 2 1. VGS .... VTH 2. I D .... VDS VDD I D RD RS verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie Parametrii de semnal mic ai amplificatorului: Ri RG unde RG Ro RD si VDS VGS VTH RG1 RG 2 valoare medie = zeci kΩ RG1 RG 2 valoare medie = kΩ AV gm RD amplificare mare; defazaj 1800 AI g m RG VGS VTH amplificare mare; defazaj 00 unde: gm 2 k I D Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea SC conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal 6. Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) fara condensator in sursa semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna sursa Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea SC fara condensator in sursa Punctul static de funcţionare identic ca pentru primul amplificator Parametrii de semnal mic ai amplificatorului Ri RG unde RG RG1 RG 2 valoare medie = zeci kΩ RG1 RG 2 Ro RD valoare medie = kΩ R AV D amplificare mică; defazaj 1800 RS AI g m RG amplificare mare; defazaj 00 7. Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Drena Comuna (DC) semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna drena Schema electrica si calculelel etajului de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea DC Punctul static de funcţionare I D k VGS VTH 2 VGS I D RS VGG 0 RG1 VGG VDD RG1 RG 2 1. VGS .... 2. I D .... VDS VDD I D RS Parametrii de semnal mic Ri RG Ro unde RG RG1 RG 2 valoare medie RG1 RG 2 = zeci kΩ verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie VGS VTH 1 1 gm RS valoare mică = zeci Ω AV 1 nu amplifică; defazaj 00 AI gm RG amplificare mare; defazaj 1800 g 2 k I m D si VDS VGS VTH Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea DC conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal 8. Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Grila Comuna (GC) semnalul de intrare si de iesire au ca borna comuna grila Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea GC Punctul static de funcţionare I D k VGS VTH 2 VGS I D RS VGG 0 RG1 VGG VDD RG1 RG 2 1. VGS .... 2. I D .... VDS VDD I D RD RS verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie VGS VTH Parametrii de semnal mic Ri si VDS VGS VTH 1 gm 1 valoare mică = zeci Ω RS Ro RD AV gm RD amplificare mare; defazaj 00 gm AI 1 nu amplifică; defazaj 1800 gm RS valoare medie = kΩ gm 2 k I D Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea GC conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal Exemplul 3: se consideră amplificatorul cu tranzistor MOS din figura de mai jos, în care, parametrii tranzistorului MOS sunt: VTH=1V, k=0.25mA/V2. Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor de semnal mic Ri, Ro şi Av, Ai, factorul de amplificare de tensiune real, pentru cazul în care la intrarea amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o rezistenţă de sarcină de 4kΩ. Să se deseneze formele de undă ale tensiunii de intrare vG şi de ieşire vO pentru cazul în care vG(t)=1xsin(t) [V]. Să se determine factorul de amplificare în curent real. Punctul static de funcţionare RG1 VDD RG1 RG 2 50 k VGG 10V 5V 50 k 50 k VGG ID VDS VGS VGS I D RS VGG 0 VGS I D 2 5 0 VGG ID I D k VGS VTH 2 I D 0.25 VGS 12 2 2 VGS 0.25 2 VGS 0.25 2 2 VGS 0.25 1 2 5 0 0.5 VGS 4 .5 0 VGS1 3V VGS2 3V se alege soluţia VGS>VTH I D 1mA mA I D 0.25 3V 1V 2 V 2 VGS 3V VDS VDD I D RD RS VDS 10V 1mA 4k 2k 10V 6V 4V verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie VDS VGS VTH 4V 3V 1V adevar at Parametrii de semnal mic ai amplificatorului: Ri RG unde RG RG1 RG 2 RG1 RG 2 Ri 100k100k 50k 100k 100k Ro RD Ro 4k gm 2 k I D mA mA g m 2 0.25 1 mA 1 V V 2 AV gm RD mA AV 1 4k 4 V AI g m RG mA AI 1 50k 50 V Ri 50k Ro 4k AV 4 AI 50 Calcularea amplificarii reale în tensiune Ri 50k AVg Ri AV Rg Ri RL Ro RL AVg 4 0,99 0,5 AVg 2 AV 4 Ro 4k 50k 4k AVg 4 50k 0,6k 4k 4k Formele de undă ale tensiunii de intrare şi de ieşire volti 1 0 -1 2 vG(t) = tensiune de intrare 2 vo(t) = tensiune de ieşire 0 -2 Defazajul de 180 Calcularea amplificarii reale în curent Ri 50k Rg AIg AI Rg Ri Ro Ro RL AIg 50 0,012 0,5 AIg 0,3 AI 50 Ro 4k 0,6k 4k AIg 50 0,6k 50k 4k 4k