Transcript v I (t)
Amplificatoare de semnal mic cu
tranzistoare
Partea I – Amplificatoare cu tranzistoare bipolare
Partea II – Amplificatoare cu tranzistoare MOS
Analiza etajelor de amplificare cu
tranzistoare consta in următoarele:
• ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM DE CURENT CONTINUU
ecuaţiile care determină Punctul Static de Funcţionare al
tranzistorului.
• ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM VARIABIL DE SEMNAL MIC în
domeniul frecvenţelor medii
rezistenţa de intrare în circuit Ri
rezistenţa de ieşire din circuit Ro
factorul de amplificare IDEAL (al amplificatorului izolat)
factorul de amplificare in tensiune REAL (al amplificatorului
conectat la circuitele externe)
I. Amplificatoare de semnal mic cu
tranzistoare bipolare
Tipuri de amplificatoare cu tranzistoare bipolare:
• etaj de amplificare în conexiunea EMITOR COMUN:
– Varianta cu condensator in emitor
– Varianta fara condensator in emitor
• etaj de amplificare în conexiunea COLECTOR COMUN
• etaj de amplificare în conexiunea BAZĂ COMUNĂ
1. Etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar (TB) în
conexiunea Emitor Comun (EC)
– varianta cu condensator in
emitor
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna emitorul
Schema electrica a etajului de amplificare cu TB în conexiunea EC
borne
alimentare
RB
borne
intrare
RC
iI(t)
iO(t)
borne
iesire
Q
vO(t)
vI(t)
RE
CE
1. Bornele de alimentare: se aplică sursa de tensiune continuă, necesară furnizării
energiei electrice circuitului
2. Bornele de intrare: se aplică semnalul de intrare = informaţia
3. Bornele de ieşire: se furnizează semnalul de ieşire = informaţia amplificată
Conectarea circuitelor externe la amplificator – pe
aceasta schema electronica se scot in evidenta
pierderile de semnal si se calculeaza amplificarile reale
borne alimentare
CG
RC
iO(t)
CL
Sursa de
tensiune
continuă
borne iesire
iI(t)
+
RB
Q
-
borne intrare
vO(t)
Generator
semnal
RL
vI(t)
RE
CE
sarcina
Condensatoarele de cuplare au capacitati
mari (mai mari decit 1uF)
VCC
A. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent
continuu.
Scop:
calcularea PSF-ului tranzistorului şi verificarea regiunii de funcţionare a
tranzistorului bipolar; se reaminteşte că într-un circuit de amplificare, un
tranzistor bipolar trebuie să funcţioneze în regiunea activă normală (RAN).
Determinarea circuitului echivalent în curent continuu
RB
RC
IC I VCC VBE
C
RE RB
CL
Sursa de
tensiune
continuă
CG
Generator
semnal
+
Q
VCE
VCE VCC IC RC RE
RL
0,5V VCE VCC 1V
RE
-
VCC
CE
sarcina
Determinarea circuitului de polarizare:
1. se elimină (nu se mai desenează) RAMURILE care conţin condensatoare
2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi VARIABILE (adică, sursele de
tensiune se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele
ale sursei, iar sursele de curent se elimină = nu se mai desenează).
B. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil
de semnal mic.
Scop:
calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului, care vor fi utilizaţi
pentru modelarea acestuia, în scopul determinării amplificărilor reale,
determinate în condiţiile în care amplificatorului i se conectează circuite externe
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic
CG
RC
iI(t)
iO(t)
Q
rπ
CL
gmVbe
vO(t)
Generator
semnal
vI(t)
Vbe
RE
Sursa de
tensiune
continuă
+
RB
VCC
RL
CE
sarcina
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic:
1. condensatoarele de capacităţi mari (mai mari decât aproximativ 1F) se înlocuiesc
cu un fir aplicat între armături
2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi CONTINUE (adică, sursele de tensiune
se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele ale sursei, iar sursele
de curent se elimină = nu se mai desenează).
3. tranzistorul se înlocuieşte cu circuitul echivalent de semnal mic, valabil pentru
domeniul frecvenţelor medii.
Circuitul echivalent al amplificatorului izolat, în regim
variabil de semnal mic, în domeniul frecvenţelor medii.
Formulele de calcul pentru parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar
panta tranzistorului biploar:
mA
g m 40 I C
V
IC
β VCC VBE
β RE RB
rezistenta baza-emitor in semnal mic:
r
gm
k
Metoda de calcul a rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar
formula finala de calcul a rezistentei
V
Ri t
It
Circuitul de calcul
Vt RB r I t
RB r
Ri r
Vt r I t
valoare mică/medie = kΩ
Metoda de calcul a rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar
formula finala de calcul a rezistentei
V
Ro t
It
Circuitul de calcul
Vt RC I t
Ro RC
valoare medie = kΩ
Metoda de calcul a amplificarii în tensiune ideale - metoda de
calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de
calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor
AV
Vo
Vi
Circuitul de calcul
Vo gm Vbe RC
Vi Vbe
AV gm RC
AV gm RC
valoare mare
Vo gm RC Vi
relatia intre
amplitudini
semnul “-” indică un defazaj de 1800 între vo şi vi
volti
Vi
0
-Vi
2
vi(t) = tensiune de intrare
gmRCVi
Defazajul
de 180
0
vo(t) = tensiune de ieşire
- gmRCVi
Formele de unda ale tensiunilor de intrare, respectiv de iesire ale amplificatorului
Metoda de calcul a amplificarii în curent ideale - metoda de
calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de
calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor
AI
Io
Ii
Circuitul de calcul
Io
Ib
AI gm r
RC
gm Vbe gm Vbe
RC 0
RB
Ii
RB r
RB r
Ii
Vbe
r
Ib
Vbe
r
Ii
Vbe
RB r
valoare mare
AI
Io Ii
relatia intre
amplitudini
semnul “+” indică un
defazaj de 00 între io şi ii
amperi
Ii
0
-Ii
2
ii(t) = curent de intrare
βIi
io(t) = curent de ieşire
0
Defazajul
de 00
- β Ii
Formele de unda ale curentilor de intrare, respectiv de iesire ai amplificatorului
Metoda de calculul a amplificarii reale in tensiune
a amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in
tensiune in care amplificarea ideala si impedantele se
vor particulariza in functie structura si datele circuitului
Zi Z L
AVg AV
Z Z Z Z
g L
o
i
Amplificarea ideala in tensiune
Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat:
Zi Ri r
Zo Ro RC
AV gm RC
Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Z g Rg
Z L RL
Amplificarea reala in tenisune a amplificatorului cu TB in conexiunea EC
rπ RL
AVg g m RC
Rg rπ RC RL
Eliminarea pierderilor de tensiune la bornele de semnal ale
amplificatorului conectat la circuitele externe
rπ RL
AVg g m RC
Rg rπ RC RL
Pierderile de
tensiune la intrare
Pierderile de
tensiune la iesire
Criteriile de proiectare ale amplificatorului necesare pentru eliminarea
pierderilor de tensiune la bornele de intrare/ieşire:
r Rg
RC RL
Metoda de calcul a amplificarii reale in curent a
amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in
curent in care amplificarea ideala si impedantele se vor
particulariza in functie structura si datele circuitului
Zg
AIg AI
Z Z
i
g
Zo
Z Z
L
o
Amplificarea ideala incurent
Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat:
Zi Ri r Zo Ro RC
AI
Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Z g Rg
Z L RL
Amplificarea reala in curent a amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Rg
AIg
R r
g
RC
R R
L
C
Eliminarea pierderilor de curent la bornele de semnal ale
amplificatorului conectat la circuitele externe
Rg
AIg
R r
g
RC
R R
L
C
Pierderile de
curent la intrare
Pierderile de
AV la iesire
curent
Condiţiile de proiectare care trebuie îndeplinite de amplificator pentru a
nu exista pierderi de curent la bornele de intrare/ieşire:
r Rg
RC RL
Exemplul 1: se consideră amplificatorul cu TB din figura de mai jos, în care: VCC=10V, VBE=0.6V, =100,
RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ, CG=CE=CL=100uF.
Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor de semnal mic Ri, Ro şi Av şi estimarea
pierderilor de tensiune în cazul în care la intrarea amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui
rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o rezistenţă de sarcină de 1kΩ.
borne alimentare
Rg
CG
RC
iO(t)
CL
borne iesire
iI(t)
+
RB
Q
-
borne intrare
+
- vG(t)
vO(t)
vI(t)
RE
CE
RL
VCC
1. Calcul PSF:
IC
VCC VBE
RE RB
IC
100 10 0.6V
940 V
1m A
100 0.33k 910k 943 k
VCE VCC IC RC RE
VCE 10V 1mA 4.7k 0.33k 10V 5.03V 5V
2. Verificarea funcţionării tranzistorului în RAN:
0,5V VCE VCC 1V
0,5V 5V 10V 1V 9V ADEVARAT
3. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar:
m A
g m 40 I C
V
rπ
β
k
gm
rπ
m A
m A
g m 401 40
V
V
100
k 2.5k
40
4. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului
Ri r
Ri 2.5k
Ro RC
Ro 4.7k
AV gm RC
m A
AV 40
4.7k 188
V
5. Amplificatorul cu TB poate fi echivalat cu modelul amplificatorului de tensiune:
6. Calcularea amplificării reale în tensiune şi estimarea pierderilor de tensiune
la bornele amplificatorului
AVg
Ri
AV
Rg Ri
2.5k
1k
RL
A
188
Vg
Ro RL
0.6k 2.5k 4.7k 1k
AVg 188 0.8 0.175
Pierderile de
tensiune la
intrare
Pierderile de
tensiune la iesire
AVg 26.32
2. Etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar în
conexiunea Emitor Comun
varianta fara condensator in
emitor
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu
TB în conexiunea EC – varianta făra condensator in emitor
Punctul static de funcţionare
IC
VCC VBE
RE RB
VCE VCC IC RC RE
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului
Ri r 1 RE valoare medie = zeci kΩ
Ro RC valoare medie = kΩ
AV
RC
RE
amplificare mică; defazaj 1800
3. Etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar (TB) în conexiunea Colector
Comun (CC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna colectorul
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu
TB în conexiunea CC
Punctul static de funcţionare
IC
VCC VBE
RE RB
VCE VCC IC RE
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului
Ri rπ 1 β RE valoare mare = sute kΩ
r
valoare mică = zeci Ω
Ro
1
AV 1 nu amplifică in tensiune; defazaj 00
1 RB amplificare in curent
AI
mare; defazaj 1800
R
1
R
B
E
utilizat pentru adaptarea
impedanţelor a două
circuite conectate.
Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea CC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
generator de tensiune: daca marimea electrica de intrare de interes este tensiunea
generator de curent: daca marimea electrica de intrare de interes este curentul electric
Exemplul 2: utilizarea amplificatorului cu TB în conexiunea CC ca buffer;
buffer = etaj de adaptare a impedanţelor a două circuite
Se consideră în primul caz, 2 amplificatoare de tensiune conectate direct, caracterizate de
parametri de semnal mic din figura de mai jos. Să se determine amplificarea reală de tensiune.
Se consideră un al doilea caz, în care, cele 2 amplificatoare sunt conectate prin intermediul
unui “repetor pe emitor”. Să se determine amplificarea reală de tensiune.
Se considera Rg=50Ω, iar RL=100kΩ iar datele pentru amplificatoare sunt:
Amplificatoarele 1 şi 2 sunt amplificatoare cu TB in conexiunea EC care au urmatoarele date:
VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ. (datele din problema
precedenta).
Amplificatorul cu TB in conexiunea CC: VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=3.3kΩ.
v
v
v v
AVG o2 o2 o1 i1
vg
vo1 vi1 vg
vo 2
Primul raport din relaţia de mai sus se determină observând că RL
şi Ro2 formează un divizor de tensiune pentru tensiunea Av2Vi2=
Av2Vo1 (Vi2 = Vo1), generată de generatorul de tensiune
comandat în tensiune a celui de-al 2lea amplificator liniar:
RL
AV 2 vo1
RL Ro2
vo 2
RL
AV 2
vo1 RL Ro 2
Al 2lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că
Ri2 şi Ro1 formează un divizor de de tensiune pentru tensiunea
Av1Vi1, generată de generatorul de tensiune comandat în
tensiune a primului amplificator liniar:
vo1
Ri 2
AV 1 vi1
Ri 2 Ro1
vo1
Ri 2
AV 1
vi1 Ri 2 Ro1
Al 3lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că
Ri1 şi Rg formează un divizor de tensiune pentru tensiunea vg,
generată de generatorul de tensiune sinusoidala aplicat la
intrarea circuitului:
vi1
Ri1
vg
Ri1 Rg
vi1
Ri1
v g Ri1 Rg
Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune
v
Ri1
Ri 2
RL
AVG o2 AV 1 AV 2
vg
Ri1 Rg Ri 2 Ro1 RL Ro2
Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute in problema precedenta
AVG 188 188
2.5k
2.5k
100k
2.5k 0.05k 2.5k 4.7k 100k 4.7k
AVG 35344 0.98 0.35 0.95
Pierderile
tensiune
la intrare
Pierderile
tensiune la
conectarea
celor 2
amplificatoare
AVG 11517
Pierderile
tensiune
la iesire
Determinarea parametrilor de semnal mic amplificatorul cu TB in conexiunea CC
1. Calcul PSF:
IC
VCC VBE
RE RB
IC
100 10 0.6V
940 V
0,75mA
100 3,3k 910k 943 k
VCE VCC IC RE VCE 10V 0,75mA 3,3k 10V 2,475V 7,525V
2. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar:
mA
mA
m A
g m 40 I C g m 40 0,75 30
V
V
V
rπ
β
k
gm
r
100
k 3,3k
30
3. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului cu TB in conexiunea CC
Ri rπ 1 β RE
r
Ro
1
AV 1
Ri 3,3k 101 3,3k 337k
Ro
3.3k
32
101
AV 1
v
v
v
v v
AVG o2 o2 or o1 i1
vg
vor vo1 vi1 vg
Fiecare bloc scos in evidenta reprezintă un divizor de tensiune:
vi1
Rir
Ri 2
RL
AV 2 vor
AV 1 vi1 vor
1 vo1 vo 2
RL Ro 2
Rir Ro1
Ri 2 Ror
v
v
Rir
v
Ri 2
RL
vi1
Ri1
o 2
AV 2
o1
AV 1 or
v
R
R
v
R
R
v
R
R
v g Ri1 Rg
or
L
o2
i1
ir
o1
o1
i2
or
Ri1
vg
Ri1 Rg
vo1
Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune
v
Ri1
Rir
Ri 2
RL
AVG o2 AV 1 AV 2
vg
Ri1 Rg Rir Ro1 Ri 2 Ror RL Ro2
Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute atit in problema precedenta
cit si cele obtinute in calculul amplificatorului cu TB in conexiunea CC
AVG 188 188
2.5k
337k
2.5k
100k
2.5k 0.05k 337k 4.7k 2.5k 32 100k 4.7k
AVG 35344 0.98 0.98 0.99 0.95
AVG 31925
Se observa ca prin introducerea amplificatorului cu TB in conexiunea CC intre cele 2
amplificatoare cu TB in conexiunea EC, amplificarea reala in tensiune a crescut de la
11517 la 31925
4. Etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar (TB) în conexiunea Baza
Comuna (BC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna baza
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de
amplificare cu TB în conexiunea BC
Punctul static de funcţionare
IC
β VCC VBE
β RE RB
VCE VCC IC RC RE
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului:
Ri
rπ
valoare mică = zeci Ω
1 β
Ro RC valoare medie = kΩ
AV gm RC amplificare mare defazaj 00
AI 1 nu amplifică; defazaj 1800
Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea BC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
Partea II – Amplificatoare cu
tranzistoare MOS
Tipuri de amplificatoare de semnal
mic cu tranzistoare MOS
• etaj de amplificare în conexiunea SURSĂ COMUNĂ
– cu condensator in sursa
– fara condensator in sursa
• etaj de amplificare în conexiunea DRENĂ COMUNĂ
• etaj de amplificare în conexiunea GRILĂ COMUNĂ
5. Amplificator cu tranzistor MOS
in conexiunea Sursa Comuna
(SC) cu condensator in sursa
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna sursa
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea SC
Punctul static de funcţionare
I D k VGS VTH 2
VGS I D RS VGG 0
RG1
VGG
VDD
RG1 RG 2
1. VGS .... VTH
2. I D ....
VDS VDD I D RD RS
verificarea funcţionării MOS in reg.
saturaţie
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului:
Ri RG
Ro RD
unde RG
VGS VTH
si VDS VGS VTH
RG1 RG 2
valoare medie = zeci kΩ
RG1 RG 2
valoare medie = kΩ
AV gm RD amplificare mare; defazaj 1800
AI gm RG
amplificare mare; defazaj 00
unde:
gm 2 k I D
Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea SC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
6. Amplificator cu tranzistor MOS
in conexiunea Sursa Comuna
(SC) fara condensator in sursa
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna sursa
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea SC fara condensator in sursa
Punctul static de funcţionare
identic ca pentru primul amplificator
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului
Ri RG
unde RG
RG1 RG 2
valoare medie = zeci kΩ
RG1 RG 2
Ro RD valoare medie = kΩ
R
AV D amplificare mică; defazaj 1800
RS
7. Amplificator cu tranzistor
MOS in conexiunea Drena
Comuna (DC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna drena
Schema electrica si calculelel etajului de amplificare cu tranzistor MOS în
conexiunea DC
Punctul static de funcţionare
I D k VGS VTH 2
VGS I D RS VGG 0
RG1
VGG
VDD
RG1 RG 2
1. VGS ....
2. I D ....
VDS VDD I D RS
Parametrii de semnal mic
Ri RG
Ro
unde RG
RG1 RG 2 valoare medie
RG1 RG 2 = zeci kΩ
verificarea funcţionării MOS in reg.
saturaţie
VGS VTH
1
1
gm
RS
valoare mică = zeci Ω
AV 1 nu amplifică; defazaj 00
AI gm RG amplificare mare; defazaj 1800 g 2 k I
m
D
si VDS VGS VTH
Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea DC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
8. Amplificator cu tranzistor
MOS in conexiunea Grila
Comuna (GC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna grila
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea GC
Punctul static de funcţionare
I D k VGS VTH 2
VGS I D RS VGG 0
RG1
VGG
VDD
RG1 RG 2
1. VGS ....
2. I D ....
VDS VDD I D RD RS
verificarea funcţionării MOS in reg.
saturaţie
VGS VTH
Parametrii de semnal mic
Ri
si VDS VGS VTH
1
gm
1 valoare mică = zeci Ω
RS
Ro RD
AV gm RD amplificare mare; defazaj 00
gm
AI
1 nu amplifică; defazaj 1800
gm
RS
valoare medie = kΩ
gm 2 k I D
Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea GC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
Exemplul 3: se consideră amplificatorul cu tranzistor MOS din figura de mai jos, în care, parametrii
tranzistorului MOS sunt: VTH=1V, k=0.25mA/V2. Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor
de semnal mic Ri, Ro şi Av, Ai, factorul de amplificare de tensiune real, pentru cazul în care la intrarea
amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o
rezistenţă de sarcină de 4kΩ. Să se deseneze formele de undă ale tensiunii de intrare vG şi de ieşire vO pentru
cazul în care vG(t)=1xsin(t) [V]. Să se determine factorul de amplificare în curent real.
Punctul static de funcţionare
RG1
VDD
RG1 RG 2
50 k
VGG
10V 5V
50 k 50 k
VGG
ID
VDS
VGS
VGS I D RS VGG 0 VGS I D 2 5 0
VGG
ID
I D k VGS VTH 2
I D 0.25 VGS 12
2
2
VGS 0.25 2 VGS
0.25 2 2 VGS 0.25 1 2 5 0 0.5 VGS
4 .5 0
VGS1 3V VGS2 3V se alege soluţia VGS>VTH
I D 1mA
mA
I D 0.25 3V 1V 2
V 2
VGS 3V
VDS VDD I D RD RS
VDS 10V 1mA 4k 2k 10V 6V 4V
verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie VDS VGS VTH 4V 3V 1V
adevar at
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului:
Ri RG
unde RG
RG1 RG 2
RG1 RG 2
Ri
100 k 100 k
50 k
100 k 100 k
Ro 4k
Ro RD
gm 2 k I D
AV gm RD
AI gm RG
Ri 50k Ro 4k
g m 2 0.25
AV 1
AI 1
mA
V2
1mA 1
mA
4k 4
V
mA
50 k 50
V
AV 4 AI 50
mA
V
Calcularea amplificarii reale în tensiune
Ri 50k
AVg
Ri
AV
Rg Ri
AV 4
Ro 4k
50k
4k
RL A 4
Vg
50
k
0
.
6
k
4k 4k
Ro RL
AVg 4 0,99 0,5 AVg 2
Formele de undă ale tensiunii de intrare şi de ieşire
volti
1
0
-1
2
vG(t) = tensiune de intrare
2
vo(t) = tensiune de ieşire
0
-2
Defazajul
de 180
Calcularea amplificarii reale în curent
Ri 50k
AIg
Rg
AI
Rg Ri
Ro
Ro RL
AIg 50 0,012 0,5 AIg 0,3
AI 50
Ro 4k
0,6k
4k
AIg 50
0,6k 50k 4k 4k