Transcript 新製品のご紹介: 1Mb Quad SPI nvSRAM

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新製品のご紹介:
1Mb Quad SPI nvSRAM
高速不揮発性RAMの性能を維持しながら、
バッテリを不要にしピン数を削減
001-96336
Rev *A
Owner: SKRG
Tech lead: EWOO
1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
目標
I
1. パラレル不揮発性RAMに相当する速度と信頼性の16ピン シリアル不揮発性RAMを用いた設計が可能になって
いることを顧客に通知
2. 1Mb Quad SPI nvSRAM製品ファミリを紹介
Definition:
D = Distribution Presentation
C = Customer Presentation
D+C = Both Distribution and Customer Presentations
I = Internal use only
3. サイプレスが不揮発性RAMソリューションの世界的リーダーであることを顧客に再認識してもらう
まとめ:
サイプレスの1Mb Quad SPI nvSRAMは16ピン パッケージで高速かつ信頼性の高いパラレル
不揮発性RAMを提供
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
アジェンダ
D
次の30分で以下の内容について説明
この新製品で獲得できる営業案件について
技術用語
エンジニアが直面している設計上の課題とその解決策
他社製品との比較
案件の有無を見極めるための確認事項
製品ポートフォリオ
新製品の仕様
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
3
信頼性および性能の要求によって
不揮発性RAMが成長
D+C
不揮発性RAM (NVRAM) の世界におけるTAM1は2014年に5億9000万米ドル2、
2018年までに年平均成長率が10%と予測されている
サイプレスの1Mb Quad SPI3 nvSRAMのアプリケーション例:
コンピューティングおよびネットワーキング
工業用オートメーション
RAIDストレージ
これらのアプリケーションは、電力喪失時に即時に確実なデータ取得を必要とする高性能システムを使用
これらのシステムは、高速パラレルNVRAMのデータ スループット性能およびピン数が少なく設計しやすい
Quad SPIインターフェースを必要とする
これらのシステムを購入する顧客はバッテリのないNVRAMソリューションを優先
バッテリ バックアップSRAMなどの現在のNVRAMソリューションはこれら全ての要件を満たせない
パラレル バッテリ バックアップSRAMからQuad SPI NVRAMへの業界のシフトを利用
1 Total
Available Market、ある商品の最大可能市場規模を意味し、「有効市場」とも呼ばれる
Research社およびサイプレスの調査
3 クアッド シリアル ペリフェラル インターフェース
2 Web-Feet
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
4a
サイプレス: NORフラッシュ、SRAM、
NVRAM市場のNo. 1 競合他社のメモリ製品ポートフォリオとの比較
D+C
製品カテゴリ
サイプレス
競合メーカー
ISSI
Micron
東芝
性能上の利点
Winbond Macronix
富士通
メトリクス
パラレルNORフラッシュ





最高読み出し帯域幅
最速プログラム／消去
102MBps
No. 1
NOR
シリアルNORフラッシュ
フラッシュ





最高読み出し速度
最速プログラム／消去
160MBps


最高読み出し速度
333MBps
最高RTR (ランダム トラン
ザクション レート)
2.1GT/s
HyperFlash™
No. 1
SRAM
No. 1
NVRAM
1
QDR®-IV同期SRAM

ECC2付きの非同期
SRAM


高信頼性
<0.1FIT2
MicroPower SRAM


最低スタンバイ電流
1.5µA
最低スタンバイ電流
100µA
シリアルF-RAM™
4

パラレルnvSRAM5

最速NVRAM6
20ns

最大容量 NVRAM6
16GB
7
AGIGARAM®

サイプレスは組み込みシステムに対応した高性能メモリの最も幅広いポートフォリオを提供する
1パラレルNORフラッシュ
メモリのピン数の1/3だけでQuad SPI NORフラッシュ メモリより高い帯域幅を提
供するサイプレスのNORフラッシュ メモリ製品ファミリ
2 エラー訂正コード
3 故障率 (10億時間)
4 強誘電体RAM
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5 不揮発性SRAM
6 メモリ位置へ順不同で読み出す／書き込むために直接アクセスを可能にする不揮発性メモリ
7 サイプレスの商標の一つ
4b
専門用語
D+C
不揮発性メモリ (NVM)
電力喪失時にデータを保持するメモリ
不揮発性ランダム アクセス メモリ (NVRAM)
アドレスを指定して、格納されたデータに順不同でアクセスできるNVM
書き換え可能回数
NVMセルが寿命に至るまでの書き換え可能な回数
Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon (SONOS)
不揮発性メモリのストレージ セルを構成する、ポリシリコン ゲート (S)、Oxide Nitride Oxide (ONO) 構造のゲート絶縁物と
シリコン基材 (S) で造られたトランジスタ
不揮発性SRAM (nvSRAM)
SONOS構造のNVMセルが各SRAMセルに埋め込まれ、電力喪失時にデータを保持できる高速SRAMメモリ
クアッド シリアル ペリフェラル インターフェース (Quad SPI)
シリアル バス スループットを向上させるため4本の個別のSPIチャネルを組み合わせた高速インターフェース
電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ (EEPROM)
フローティング ゲート技術を用いてデータを保存する一般的なNVM
バッテリ バックアップSRAM (BBSRAM)
バッテリに接続し電力喪失時にデータを保持するSRAMメモリ
特定有害物質使用制限 (RoHS)
電子電気部品における環境的有害物質の使用を除去するように規制する欧州連合 (EU) による指令
独立したディスクの冗長アレイ (RAID)
複数のディスク ドライブを使用して冗長性を向上させるストレージ技術
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
5
高速NVM設計上の課題
D+C
1. 多くのシステムには、高い書き換え可能回数を有する高速NVMが必要
従来のEEPROMおよびフラッシュNVMは、書き込み時間が遅く (>1ms)、書き換え可能回数に制限あり
低消費電力非同期SRAMのアクセス時間は短いが、電力喪失時にデータを格納するため電池によるバックアップが必要
ほとんどのNVRAMは、44ピン高速パラレル インターフェースの性能にかなう16ピン シリアル インターフェースを提供しない
2. BBSRAMソリューションは望ましくないトレードオフを強いられる
バッテリは基板面積を消費し電源管理コントローラーを必要とし、システムのコストおよび複雑さを増加させる
コイン電池の寿命は3年でシステムの保守と一時停止を必要とし、コストを増加させる
停電後、電源が回復される前に電池が消耗してきれた場合、迅速な修理が必要
電池はRoHS規制に違反する重金属を含む
3. 多くのシステムには正確なタイムスタンプが必要
データのタイムスタンプに使用される正確な外部リアルタイム クロック チップはコストと複雑さを増加させる
サイプレスの1Mb Quad SPI nvSRAMはこれらの課題を解決
書き換え可能回数が無制限で、24MBps以上のランダム読み出し／書き込みアクセス時間に対応
44ピンx16、40nsパラレル インターフェースのスループットを超えるクロック レート108MHzの16ピンQuad SPIインターフェースを搭載
電力喪失時、磁場でも、バッテリなしで確実にデータを格納
外部電源管理コントローラーを不要にする
高精度なリアルタイム クロックのオプションを搭載
サイプレスの1Mb Quad SPI nvSRAMはバッテリを不要にしピン数を削減することで設計を簡素化
001-96336
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Tech lead: EWOO
1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
6
Quad SPI nvSRAMは優れたソリューション
D+C
複雑なBBSRAMベース
の設計を簡略化・・・
NVMソリューションにQuad SPI
nvSRAMを選択することにより ・・・
ミッション クリティカルなアプリケーション
に高速で信頼性の高いシリアルNVRAM
ソリューションを提供
低消費電力非同期SRAM
コンピューティングおよび
ネットワーキング
工業用オートメーション
RAIDストレージ
電力喪失時にデータを格納する
ための電池
RTC内蔵のQuad SPI nvSRAMソリューション
電池を配置するために必要な
基板面積
001-96336
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7
サイプレス1Mb Quad SPI NVRAM
ソリューションと競合製品との比較
D+C
機能
クアッドSPI
nvSRAM
CY14x101xS
マイクロパワー
SRAM + バッテリ
IS62WV1288DBLL
クアッドSPI
MRAM1
MR10Q010
最大クロック レート
108MHz
該当なし
104MHz
ランダム データ スループット2
24MBps
22MBps
23MBps
バースト データ スループット3
54MBps
22MBps
52MBps
パッケージ ピン
16
32
16
コントローラー ピン4
6
29
6
アクティブ書き込み電流
38mA (108MHz時)
該当なし5
220mA (104MHz時)
スリープ電流
10µA
10µA (スタンバイ)
100µA
磁場耐性
有
有
無6
リアルタイム クロックのオプション
有
無
無
1 磁気素子を用いてデータを格納する磁気抵抗ランダム
アクセス メモリ
バーストでの完全なランダム読み出し／書き込み
3 完全な1Mbメモリ バーストでの書き込み／読み出し
4 MCUに接続するためのピン
5 インターフェースの違いのため直接比較はなし。このSRAMデバイスは22MHzで8mAを消費
6 MRAMは、モーターやソレノイドの近くで生じた磁場で破損する可能性がある
2 4バイト
001-96336
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8
1Mb QSPI nvSRAMソリューションの価格
競合製品
D
1Mb低消費電力SRAM: ISSI IS62WV1288DBLL
価格: $1.641
競合製品
$1.64
電池 + ケース
$2.12
その他部材費
電池 + ケース: パナソニック社製CR2477電池 + Memory
Protection Devices社製BH1000G-NDケース
価格: $2.121
電源管理コントローラー: Maxim社製MXD1210ESA
価格: $4.012
電源管理コントローラー
その他部材費
22µF外付けコンデンサ
追加コスト
$4.01
$6.13
-$0.22
出荷後の電池交換費
22µF外付けコンデンサ: パナソニック社製ECS-F0JE2262B
価格: -$0.221
基板面積の節約
出荷後の電池交換費
価格: $9.093
総追加コスト
基板面積の節約
追加価値: $0.124
1
$9.09
$0.12
$8.99
合計価格
2014年8月7日付けDigikeyウェブサイト掲載の1千個購入時の価格
2014年8月7日付けMouserウェブサイト掲載の1千個購入時の価格
3 $4.92 (15年間に4回、電池代$1.23) + 人件費: $4.17 (15年間に4回、人件費が$50/時間、
交換時間を長く見積もって電池1個につき75秒)
4 12.25平方センチメートル、$0.01/平方センチメートル
5 Cypress.comに掲載された1千個購入時の価格
$16.76
サイプレス ソリューション: CY14V101QS-SF108XI
合計価格: $7.985
52%のコスト削減: $8.78
2
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
9
案件の見極め
D
お客様の案件が次のいずれかに該当するかを確認
1. マイクロパワーSRAM + 電池を使用してNVRAMソリューションを実装している
2. パラレルnvSRAM、パラレルMRAM、またはパラレルFRAMを使用してNVRAMソリューションを実装している
3. データのタイムスタンプに外部リアルタイム クロックを使用している
4. Quadインターフェースに対応しているNVRAMソリューションを必要としている
001-96336
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1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
10
Vaulted in spec 00189686- Updated to reflect
Support for Extended
Temperature
nvSRAMポートフォリオ
大容量 | 高速
I2C nvSRAM
SPI nvSRAM
SPI nvSRAM
CY14V116F/G
16Mb；3.0、1.8V I/O
30ns；ONFI3 1.0
x8、x16；Ind1
CY14B116R/S
16Mb；3.0V
25、45ns；x32；Ind1
RTC2
より高い密度
DDRx6 nvSRAM
NDAが必要
営業へ問い合わせ
CY14B108K/L
8Mb; 3.0V
25、45ns；x8；Ind1
RTC2
CY14B108M/N
8Mb; 3.0 V
25、45ns；x16；Ind1
RTC2
CY14B116K/L
16Mb；3.0V
25、45ns；x8；Ind1
RTC2
CY14B116M/N
16Mb；3.0V
25、45ns；x16；Ind1
RTC2
CY14B104K/LA
4Mb; 3.0V
25、45ns；x8；Ind1
RTC2
CY14V104LA
4Mb；3.0、1.8V I/O
25、45ns；x8；Ind1
CY14B104M/NA
4Mb; 3.0V
25、45ns；x16；Ind1
RTC2
CY14V104NA
4Mb；3.0、1.8V I/O
25、45ns；x16；Ind1
CY14V101PS
1Mb；3.0、1.8V I/O
108MHz QSPI5；Ind1
Ext. Ind7；RTC2
CY14B101KA/LA
1Mb; 3.0V
25、45ns；x8；Ind1
RTC2
CY14V101LA
1Mb；3.0、1.8V I/O
25、45ns；x8；Ind1
CY14B101MA/NA
1Mb；3.0V
25、45ns；x16；Ind1
RTC2
CY14V101NA
1Mb；3.0、1.8V I/O
25、45ns；x16；Ind1
CY14B101P
1Mb；3.0V
40MHz SPI；Ind1
RTC2
CY14B256KA/LA
256Kb; 3.0 V
25、45ns；x8；Ind1
RTC2
CY14V/U256LA
256Kb；3.0、1.8V I/O
35ns；x8；Ind1
CY14E256LA
256Kb；5.0V
25、45ns；x8；Ind1
STK14C88-5
256Kb；5.0V
35、45ns；x8；Mil4
CY14B256P
256Kb；3.0V
40MHz SPI；Ind1
RTC2
CY14B256I
256Kb；3.0V
3.4MHz I2C；Ind1
RTC2
STK11C68-5
64Kb；5.0V
35、55ns；x8；Mil4
STK12C68-5
64Kb；5.0V
35、55ns；x8；Mil4
CY14B064P
64Kb；3.0V
40MHz SPI；Ind1
RTC2
CY14B064I
64Kb；3.0 V
3.4MHz I2C；Ind1
RTC2
64Kb - 256Kb
512Kb - 16Mb
パラレルnvSRAM
パラレルnvSRAM
4
2 リアルタイム
5
クロック
3 オープンNANDフラッシュ インターフェース
001-96336
Rev *A
Owner: SKRG
Tech lead: EWOO
新製品
軍用グレード−55ºC～+125ºC
クワッドSPIインターフェース
6 Double Data Rate (ダブル データ レート)
1 工業グレード−40ºC～85ºC
より高い密度
QSPI5 nvSRAM
NDAが必要
営業へ問い合わせ
7
新製品
CY14V101QS
1Mb；3.0、1.8V I/O
108MHz QSPI5；Ind1
Ext. Ind7
CY14B101I
1Mb；3.0V
3.4MHz I2C；Ind1
RTC2
CY14B512P
512Kb；3.0V
40MHz SPI；Ind1
RTC2
CY14B512I
512Kb；3.0V
3.4MHz I2C；Ind1
RTC2
拡張された工業グレード (−40ºC～+105ºC)
状況
出荷予定
量産
サンプル出荷
QQYY
QQYY
開発中
計画中
11
1MbクアッドSPI nvSRAM
Updated to reflect Support
for Extended Temperature
D+C
アプリケーション
ブロック図
コンピューティングおよびネットワーキング
工業用オートメーション
RAIDストレージ
VCAP2
1MbクアッドSPI
nvSRAM
電源制御
STORE
108 MHz is not a standard. LSI
requested that speed to allow them
to replace their x8 parallel part
特長
制御
QSPI I/O
Quad SPIインターフェース: 108MHz
無制限の書き込み回数
電源異常時のSTOREサイクルが100万回
データ保持期間: 85ºCで20年間
動作電圧: 3.0V、1.8V I/O
低いスタンバイ電流 (280µA) とスリープ電流 (10µA)
工業用温度範囲: -40ºC～+85ºC
拡張された工業用温度範囲: -40ºC～+105ºC
高精度なリアルタイム クロック (RTC) 内蔵
パッケージ: 16-SOIC、24 BGA
制御
ロジック
STORE／
RECALL制御
SRAMアレイ
4
RECALL
I/O制御
ソフトウェア
コマンド検出
XIN1
XOUT1
RTC
VRTC
HSB3
出荷予定
資料
暫定版データシート:
営業へ問い合わせ
サンプル出荷: 2015年第3四半期
量産:
2015年第4四半期
1
2
001-96336
Rev *A
2
SONOSアレイ
Owner: SKRG
Tech lead: EWOO
水晶発振器に接続
外部コンデンサ接続
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3 hardware
store busy
(ハードウェア ストア ビジー)
12
設計を開始する前に
C
1. アプリケーション ノートをダウンロード: サイプレス不揮発性製品アプリケーション ノート
2. オンライン テクニカル サポートを受けるために登録
3. アドバンス データシートを要求: 営業担当者まで
RAIDカード
LSI Logic 社製
001-96336
Rev *A
Owner: SKRG
Tech lead: EWOO
プログラマブル ロジック コントローラー
Keyence社製
1Mb Quad SPI nvSRAM新製品のご紹介
ルーター
Cisco 社製
13
サイプレスNVRAMのメリット
D
最小限の技術サポートで簡単に設計できるソリューション
長い製品ライフ サイクルによる持続的な売上
他の顧客に対しデザイン ウィンを簡単に再現
Cypress Global Registration Programによってデザイン ウィンを保護
18%～25%のマージンでサイプレスの需要創出プログラムを最大限に活用
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14
提案営業を始めよう！
D
1. 同行訪問できるお客様アカウントをリストアップ
2. スクリプトEメールを使って問い合わせる
3. 「Comparison Between nvSRAM and BBSRAMs」アプリケーション ノートをダウンロードし顧客に見せる
RAIDカード
LSIロジック社製
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プログラマブル ロジック コントローラー
Keyence社製
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ルーター
Cisco 社製
15
D+C
付録
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16
nvSRAM製品セレクタ ガイド
D+C
1Mb Quad SPI
nvSRAM製品番号
インター
フェース
クロック
周波数
電源電圧
I/O電圧 グレード
CY14V101QS-SF108XI
クアッドSPI
108MHz
3.0V
1.8V
工業用
CY14V101QS-SF108XQ
クアッドSPI
108MHz
3.0V
1.8V
CY14V101PS-SF108XI
クアッドSPI
108MHz
3.0V
CY14V101QS-SE108XI
クアッドSPI
108MHz
CY14V101QS-SE108XQ クアッドSPI
温度
パッケージ
RTC
-40～85ºC
16-SOIC
無
拡張された工業グレード -40～105ºC
16-SOIC
無
1.8V
工業用
-40～85ºC
16-SOIC
有
3.0V
1.8V
工業用
-40～85ºC
16-SOIC
無
108MHz
3.0V
1.8V
拡張された工業グレード -40～105ºC
16-SOIC
無
クアッドSPI
108MHz
3.0V
1.8V
工業用
24-BGA
無
CY14V101QS-BK108XQ クアッドSPI
108MHz
3.0V
1.8V
拡張された工業グレード -40～105ºC
24-BGA
無
CY14V101QS-BK108XI
-40～85ºC
1Mb QPSI nvSRAM製品番号解説
CY 14 V 101 QS – SF 108 X I
温度範囲: I = 工業用、Q = 拡張された工業グレード
鉛含有: X = 鉛フリー
周波数: 108 = 108MHz
パッケージ: SF = 16-SOIC標準；SE = 16-SOICカスタム；BK = 24 BGA
インターフェース: QS = Quad SPI；PS = RTC内蔵のQuad SPI
容量: 101 = 1Mb nvSRAM
電圧: V = 3.0V、1.8V I/O
マーケティング コード: 14 = nvSRAM
会社ID: CY = サイプレス
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17
Eメール スクリプト
D
件名: バッテリを不要にしピン数を削減した高速不揮発性RAMソリューション
<名前>様
最近、他には無い不揮発性メモリ ソリューションについての資料を見て、貴社のことを考えておりました。
サイプレスは、高速かつ信頼性の高い不揮発性メモリを必要とするエンジニアの皆様に1Mb Quad SPI nvSRAM
を提供しております。パラレルNVRAMのスループットに匹敵する、非常に高速な (108MHz) Quad SPIインター
フェースを使用しており、電力喪失時にデータを保持するためのバッテリを必要としません。
ご関心はございますか。今週の<水曜日>か<木曜日>にご訪問させていただきたくお願い申し上げます。
貴社のご都合をお聞かせください。
<営業担当者>
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参考資料およびリンク
D+C
ビデオ: nvSRAM Basics Video
nvSRAMデータシート: 1Mb nvSRAM、4Mb nvSRAM、8Mb nvSRAM、16Mb nvSRAM (暫定版)
ONFI対応nvSRAMデータシート: 16Mb nvSRAM (暫定版)
リアルタイム クロック内蔵nvSRAMデーターシート: 1Mb nvSRAM、4Mb nvSRAM、8Mb nvSRAM、
16Mb nvSRAM (暫定版)
アプリケーション ノート: Comparison Between nvSRAM and BBSRAMs
アプリケーション ノート: Replacing 4Mbit (256K x16) MRAM with Cypress nvSRAM
アプリケーション ノート: nvSRAM with RTC Design Guidelines
ウェブサイト: Cypress Parallel nvSRAMs
nvSRAM製品セレクタ ガイド: nvSRAM Product Selector Guide
製品ロードマップ: Cypress Nonvolatile RAM
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1Mb QSPI nvSRAMソリューションの価格
C
競合製品
1Mb低消費電力SRAM: ISSI IS62WV1288DBLL
価格: $1.641
競合製品
$1.64
電池 + ケース
$2.12
その他部材費
電池 + ケース: パナソニック社製CR2477電池 + Memory
Protection Devices社製BH1000G-NDケース
価格: $2.121
電源管理コントローラー: Maxim社製MXD1210ESA
価格: $4.012
電源管理コントローラー
その他部材費
22µF外付けコンデンサ
追加コスト
$4.01
$6.13
-$0.22
出荷後の電池交換費
22µF外付けコンデンサ: パナソニック社製ECS-F0JE2262B
価格: -$0.221
基板面積の節約
出荷後の電池交換費
価格: $9.093
総追加コスト
基板面積の節約
追加価値: $0.124
1
$9.09
$0.12
$8.99
合計価格
2014年8月7日付けDigikeyウェブサイト掲載の1千個購入時の価格
2014年8月7日付けMouserウェブサイト掲載の1千個購入時の価格
3 $4.92 (15年間に4回、電池代$1.23) + 人件費: $4.17 (15年間に4回、人件費が$50/時間、
交換時間を長く見積もって電池1個につき75秒)
4 12.25平方センチメートル、$0.01/平方センチメートル
5 Cypress.com掲載の1千個購入時の価格
$16.76
サイプレス ソリューション: CY14V101QS-SF108XI
合計価格: $7.985
52%のコスト削減: $8.78
2
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