Transcript 2Mb/1Mb F-RAM 新製品のご紹介

2Mb/1Mb F-RAM
新製品のご紹介
サイプレスは業界で最もエネルギー効率の良い
2Mb/1Mb不揮発性RAMソリューションを提供します
001-92389
Rev **
オーナー：EWOO
技術指導者：TUP
2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
性能向上の要望が
不揮発性RAMの成長を推進
不揮発性RAM（NVRAM）の全世界TAM1は2014 2 年に5億9000万米ドルで、
2018年まで年平均成長率が10%である予測。
サイプレスのNVRAMは、これら高成長のNVRAM市場に提供されます：
多機能プリンタ
工業用制御およびオートメーション
スマートメーター
車載電子部品
コンピューティングおよびネットワーキング
パラレルF-RAM
これら市場に提供される高性能のシステムは電力喪失時に
データを瞬時かつ正確に取り込むことを必要とします
シンプルで電池不要でエネルギー効率の良いシステムが望まれます
シリアルF-RAM
代替ソリューションであるEEPROMおよびバッテリ バックアップSRAMは
上記いずれの要求にも対応できません
高性能のシステムは、高速で、信頼性が高くて、シンプルで、
エネルギー効率の良い不揮発性 メモリを必要とします
1 Total
Available Market、ある商品の最大可能市場規模のこと。「有効市場」とも。
Research社
2 Web-Feet
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
3a
サイプレスはNVRAM市場のリーダー
サイプレスは、シリアルとパラレル不揮発性 RAM 製品分野で最多の品揃えを提供
F-RAM™：業界で最もエネルギー効率の良いシリアルNVRAM
nvSRAM：業界最速のパラレルNVRAM
サイプレスは、業界で最もエネルギー効率が良く、信頼性が高いF-RAM製品の幅広い品揃えを提供
F-RAMは最先端のEEPROMの消費電力の30%を消費し、書き換え回数1 億回を提供
メモリ容量は 4Kb ～ 2Mb、電圧範囲は 2.0V ～ 5.5V
SPI と I2C シリアル F-RAM 製品を SOIC8、DFN8、EIAJ パッケージで提供
リアルタイムクロックとカウンタ内蔵F-RAM製品も提供
サイプレスは、業界最速のパラレルnvSRAM製品を広範囲に提供
アクセス時間20ns～45ns、無制限の書き込み／読み込みサイクル回数
メモリ容量64Kb ～ 16Mb、3.0Vと5.0Vの電源電圧、1.8VのI/O電圧
非同期 x8, x16, x32 SRAM パラレルインターフェースを多種多様のパッケージで提供
リアルタイムクロック内蔵 nvSRAM 製品を提供
サイプレスは：
F-RAMとnvSRAM製品を量産した最初の会社であり、25年以上の実績があります
新製品に重点を置いた投資を続けています
最も厳しい自動車用と軍用規格に準じた製品の提供に取り組んでいます
F-RAMとnvSRAM製品の長期間供給を保証します
10億個以上のNVRAM製品を出荷しています
サイプレスは、世界一クリティカルなデータを取り込み保護するために、業界で最速、
最もエネルギー効率が良く、最も信頼性が高い NVRAM ソリューションを提供しています
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
3b
サイプレスNVRAM
2MbシリアルF-RAM
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
シリアル不揮発性メモリの用語
不揮発性 メモリ（NVM）
電力喪失時に情報を保持するメモリ
不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）
アドレスを指定してアクセスし、データを順不同で格納できる不揮発性メモリ
強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）
高速書き込み、高耐久性、省エネルギーの不揮発性メモリであり、データを保存するために強誘電体技術を使用するもの
電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（EEPROM）
フローティングゲート技術を用いてデータを保存する、普通の不揮発性メモリ
ページ書き込み
固定長の連続したメモリ ブロックへの書き込み
内部書き込み時間
データが入力バッファに入れられた後、EEPROM がページ書き込みを完了するのに必要な 5ms の時間
書き換え回数
不揮発性メモリセルが寿命に至るまでの書き換え可能な回数
消去回数の平均化
最大 8 倍の余剰容量を持つ EEPROM とソフトウェアアルゴリズムを使用して、セルの書き換え回数が
限界に達する前にストレージを未使用のアドレスに移動する、EEPROM の書き換え回数を向上させる方法
AEC-Q100
自動車向け電子部品評議会により規定された品質規格であり、ICの信頼性を検証し、
それらを 車載用アプリケーションに適合させるために使用されます
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
4
シリアル NVM 設計の問題
1. 多くの電子機器では、電力喪失後にシステムデータを不揮発性メモリに確実に保存する必要があります
EEPROM は、ページ書き込みに 5ms の内部書き込み時間を要し、その間電力を維持する必要があります
内部書き込み時間は電力喪失時のページ書き込みのためにコンデンサか電池を必要とし、
そのためコストが増え信頼性が低下します
メモリが放射線および／または磁場への曝露に起因して破壊された時に、
必要不可欠なデータが失われる可能性があります
2．多くのデータロギングアプリケーションは、EEPROM の 100 万回の書き込みサイクルの限界を
超えています
ウェアレベリングは、製品寿命まで EEPROM の書き換え回数を向上させるために必要です
ウェアレベリングは、最大8倍のメモリ容量とソフトウェアの付加を必要とし、そのため設計工数とコストが増えます
3．EEPROMを使用しているシステムは、過剰な電力を消費します
EEPROM の内部書き込み時間 5 ms のため
ウェアレベリングに必要な処理のため
サイプレスの2MbのシリアルF-RAMは、これら問題を全て解決します。これは：
内部書き込み時間がないので、電力喪失時にページ書き込みを完了させるためのコンデンサと電池を必要としません
100兆回の書き込みサイクルを提供し、ウェアレベリングを必要としません
アクティブ時の消費電力がEEPROMより2～5倍少ない
放射線と磁場耐性F-RAMメモリ セルでデータを保護します
サイプレスの2Mb F-RAMは、EEPROMの書き換え回数の1億倍でアクティブ時の消費電力が2～5倍少ない
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5
シリアル F-RAM は優れたソリューション
従来型の複雑な
EEPROM ベースの設計を
簡略化する・・・
シリアル不揮発性メモリに F-RAM を選
択することにより・・・
ミッションクリティカルなアプリケーショ
ンをはじめ、多くのアプリケーションに、
より低いコストで優れたソリューションを
提供する。
2Mbシステム用
の2x2Mb
ウェアレベリング用の8倍のEEPROM容量
複合プリンタ
ファイルシステム
工業用制御
スマートメーター
コントローラ
車載電子部品
メモリ
ウェアラブルな医療機器
摩耗したセル
EEPROM書き換え回数を向上させるために
ウェアレベリングを実行するソフトウェアア
ルゴリズム
SOIC8 EEPROMを
F-RAM にそのまま交換
内部書き込み時間 5ms の間
電力を維持するために付加するコンデンサ
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6
サイプレス2MbシリアルNVRAMと
競合製品の比較
機能
F-RAM
FM25V20
F-RAM
MB85RS2MT
EEPROM
M95M02
SPI速度
40MHz
25 MHz
5MHz
書き込み遅延
0ms
0ms
5ms
書き換え回数（サイクル数）
1014
1013
4 x 106
寿命 @5ms
書き込み周波数1
15,855年
159年
83分
アクティブ書き込み電流2
0.6mA
2.2mA
3mA
データ保持期間
100年
10年
200年
車載用AEC-Q100
有
無
無
1 EEPROMの内部書き込み時間5msにより制限される同等の書き込み周波数
2 条件：最大電流、SPI、5MHz、2.7～3.6V、−40°C～+85°C
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7
F-RAM ポートフォリオ
低消費電力 | 高い書き換え耐性
512Kb～8Mb
SPI F-RAM
FM25V20A
2Mb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
より高い密度
NDAが必要
営業担当者に連絡
FM25H20/V20
2Mb；H20：2.7～3.6V
V20：2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM25V10/VN10
1Mb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM25V05
512Kb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
4Kb～256Kb
FM25V02/W256
256Kb；V02：2.0～3.6V
W256：2.7～5.5V
20-、40-MHz SPI；Ind1
FM25V01
128Kb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM25640/CL64
64Kb；3.3、5.0V
20MHz SPI；Ind1、オートE2
I2C F-RAM
プロセッサ用
ワイヤレス
メモリ
パラレルF-RAM
ワイヤレス メモリ
NDAが必要
営業担当者に連絡
FM28V202A
2Mb；2.0～3.6V
60ns；x16；Ind1
FM28V102A
1Mb；2.0～3.6V
60 ns；x16；Ind1
FM24V10/VN10
1Mb；2.0～3.6V
3.4 MHz I2C；Ind1
FM24V05
512Kb；2.0～3.6V
3.4 MHz I2C；Ind1
FM24V02/W256
FM33256
256Kb；V02：2.0～3.6V 256Kb；3.3V；16MHz SPI
W256：2.7～5.5V
Ind1；RTC3；電源異常
1-、3.4-MHz I2C；Ind1 ウォッチドッグ；カウンタ
FM24V01
128Kb；2.0～3.6V
3.4MHz I2C；Ind1
FM28V020
256Kb；2.0～3.6V
35ns；x8；Ind1
FM31256/31(L)278
256Kb；3.3、5.0V；1MHz
I2C； Ind1； RTC3； 電源異常
エラー；ウォッチドッグ；カウンタ
FM1808B
256Kb；5.0V
70ns；x8；Ind1
FM3164/31(L)276
FM24C64/CL64
64Kb；3.3、5.0V；1MHz
64Kb；3.3、5.0V
I2C； Ind1； RTC3； 電源異常
1-MHz I2C；Ind1、Auto E2 エラー；ウォッチドッグ；カウンタ
FM25C160/L16
16Kb；3.3、5.0V
20MHz SPI；Ind1、オートE2
FM24C16/CL16
16Kb；3.3、5.0V
1MHz I2C；Ind1
FM25040/L04
4Kb；3.3、5.0V
20-MHz SPI；Ind1、Auto E2
FM24C04/CL04
4Kb；3.3、5.0V
1-MHz I2C；Ind1
FM18W08
256Kb；2.7～5.5V
70ns；x8；Ind1
FM16W08
64Kb；2.7～5.5V
70ns；x8；Ind1
1工業用グレード−40ºC～+85ºC
2 AEC-Q100
−40º C～+125º C
量産中
3 リアルタイムクロック
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
開発／企画中
新製品
10
2Mb SPIシリアルF-RAM
ブロック図
アプリケーション
多機能プリンタ
工業用制御
スマートメーター
車載電子部品
ウェアラブルな医療機器
2Mb SPIシリアルF-RAM
4
制御
制御ロジック
命令レジスタ
特長
高速のシリアル ペリフェラル インタフェース（SPI）
百兆回の読み出し／書き込み回数
シリアルEEPROMからの置き換え
動作電圧範囲：2.0-3.6V
少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA）
100 年間のデータ保持
工業用温度範囲で動作
車載用動作温度
パッケージ：8ピンTDFN、8ピンSOIC
F-RAM
アレイ
アドレス
レジスタ
シリアル
入力
データ I/O
レジスタ
ステータス
レジスタ
資料
出荷予定
暫定版データシート：営業担当者まで
サンプリング：Q2 2014（工業用）、Q3 2014（車載用）
量産：Q2 2014（工業用）、Q3 2014（車載用）
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シリアル
出力
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11
サイプレスNVRAM
2Mb/1MbパラレルF-RAM
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パラレル不揮発性メモリの用語
不揮発性メモリ（NVM）
電力喪失時にデータを保持するメモリ
不揮発性ランダム アクセスメモリ（NVRAM）
アドレスを指定してアクセスし、データを順不同で格納できる不揮発性メモリ
書き換え回数
不揮発性メモリセルが寿命に至るまでの書き換え可能な回数
バッテリバックアップSRAM（BBSRAM）
電池を接続し、電力喪失時にデータを保持するSRAMメモリ
有害物質規制（RoHS）
電子電気部品における環境的有害物質の使用を除去するように規制する欧州連合（EU）による指令
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
4
パラレルNVM設計の問題
1. 多くのシステムには、高い書き換え回数を有する高速不揮発性メモリが必要です
従来のEEPROMおよびフラッシュ不揮発性メモリは、書き込み時間が遅く（> 1ms）、書き込み回数に限度があります。
メモリが放射線および／または磁場への曝露に起因して破壊された時に、必要不可欠なデータが失われる可能性があります
2．従来型のBBSRAMソリューションは望ましくないトレードオフを強いられます。
電池には電源管理 回路およびファームウェアが必要となり、システム コストを追加し、複雑さを増加させます。
コイン型電池はソリューションの信頼性を低減させ、寿命があり、システムの保守と一時停止が必要になります
システム電源が回復する前に電池の電荷が失われるとデータを失う危険性があるので、早期に修理が必要です
電池クレードルが回路基板の面積を消費します
電池はRoHS規制に違反する重金属を含みます。
サイプレスの2Mb、1MbのパラレルF-RAMは、これらの問題を解決しますそれらは：
90nsの読み出し／書き込みアクセス時間および百兆回の書き込み回数の信頼性を提供します
放射線と磁場耐性F-RAMメモリ セルでデータを保護します
システムの全ライフサイクルでは電力喪失の時にデータを保持する電池を必要としません
電力喪失時の外部電源管理回路やファームウェアを必要とせず、データを確実に保存できます
電池クレードルに必要な基板面積を必要としません
RoHS指令に準拠しています
サイプレスRoHS準拠の2Mb、1MbのパラレルF-RAMは、従来の不揮発性メモリよりも速くて、
信頼性が高くてBBSRAMソリューションより実装し易いです
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
5
パラレルnvSRAMは優れたソリューション
複雑な
BBSRAMベースの設計を簡
略化する・・・
パラレル
不揮発性メモリ ソリューションとして
F-RAMを選択することにより・・・
ミッションクリティカルなアプリケーシ
ョンのために、より高い速度でより少な
いコストでより高い信頼性を持つソリュ
ーションを提供します。
標準SRAMメモリ
工業用オートメーション
コンピューティングおよびネッ
トワーキング
電力喪失時にデータを保持するための電池
電池不要のパラレルF-RAMソリューション
電池を配置するために
必要な基板領域
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
6
サイプレス2MbパラレルNVRAMと
競合製品との比較
機能
F-RAM
FM28V202
非同期
SRAM1 + 電池
R1LV0216BSB
F-RAM
MB85R4002A2
MRAM
MR2A16A3
容量
2Mb
2Mb
4Mb
4Mb
アクセス時間
90ns5
55ns
150ns
35ns
電池
不要
有
無
無
アクティブ書き込み電流2
7mA
9mA
20mA
40mA
RoHS準拠
有
無
有
有
データ保持期間
100年
5年
10年
20年
磁場による破壊リスク
無
無
無
有6
1 低消費電力2Mb非同期SRAM
2 富士通社製4Mb
F-RAM；富士通社は2MbのパラレルF-RAMを提供していません
MRAM；Everspin社は2MbのパラレルMRAMを提供していません
4 条件：最大電流、x16、150ns、2.7～3.6V、−40°C～+85°C
5 アクセス時間がさらなる短縮したい場合は、20nsのアクセス時間に対応するnvSRAM製品のポートフォリオを参照してください。
6MRAMはモータや電磁石の近くに発生した磁場によって破壊される可能性がある
3 Everspin社製4Mb
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技術指導者：TUP
16Mb nvSRAM新製品プレゼンテーション（エンジニアリング）
7a
サイプレス1MbパラレルNVRAMと
競合製品との比較
機能
F-RAM
FM28V102
非同期
SRAM1 + 電池
R1LV0108ESF
F-RAM
MB85R1001A
MRAM
MR0A16A
容量
1Mb
1Mb
1Mb
1Mb
アクセス時間
90ns2
55ns
150ns
35ns
電池
不要
有
無
無
アクティブ書き込み電流3
7mA
9mA
15mA
36mA
RoHS準拠
有
無
有
有
データ保持期間
100年
5年
10年
20年
磁場による破壊リスク
無
無
無
有4
1 低消費電力1Mb非同期SRAM
2 より高速なアクセス時間を必要とするアプリケーションでは、サイプレスのnvSRAMは、この密度での25nsのアクセス時間を提供しています
3 条件：最大電流、x16、150ns、2.7～3.6V、−40°C～+85°C
4MRAMはモータや電磁石の近くに発生した磁場によって破壊される可能性がある
001-92389
Rev **
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
7b
F-RAMポートフォリオ
低消費電力 | 高い書き換え耐性
FM25V20A
2Mb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
より高い密度
NDAが必要
営業担当者に連絡
FM25H20/V20
2Mb；H20：2.7～3.6V
V20：2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM25V10/VN10
1Mb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
4Kb～256Kb
512Kb～8Mb
SPI F-RAM
I2C F-RAM
プロセッサ用
ワイヤレス
メモリ
パラレルF-RAM
ワイヤレス メモリ
NDAが必要
営業担当者に連絡
FM28V202A
2Mb；2.0～3.6V
60 ns；x16；Ind1
FM28V102A
1Mb；2.0～3.6V
60 ns；x16；Ind1
FM24V10/VN10
1Mb；2.0～3.6V
3.4MHz I2C；Ind1
FM25V05
512Kb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM24V05
512Kb；2.0～3.6V
3.4MHz I2C；Ind1
FM25V02/W256
256Kb；V02：2.0～3.6V
W256：2.7～5.5V
20、40MHz SPI；Ind1
FM24V02/W256
256Kb；V02：2.0～3.6V
W256：2.7～5.5V
1、3.4MHz I2C；Ind1
FM33256
256Kb；3.3V；16MHz SPI
Ind1；RTC3；電源異常
ウォッチドッグ；カウンタ
FM25V01
128Kb；2.0～3.6V
40MHz SPI；Ind1
FM24V01
128Kb；2.0～3.6V
3.4MHz I2C；Ind1
FM31256/31(L)278
256Kb；3.3、5.0V；1MHz
I2C； Ind1； RTC3； 電源異常
エラー；ウォッチドッグ
；カウンタ
FM1808B
256Kb；5.0V
70ns；x8；Ind1
FM25640/CL64
64Kb；3.3、5.0V
20MHz SPI；Ind1、オートE2
FM24C64/CL64
64Kb；3.3、5.0V
1MHz I2C；Ind1、
オートE2
FM3164/31(L)276
64Kb；3.3、5.0V；1MHz
I2C； Ind1； RTC3； 電源異常
エラー；ウォッチドッグ
；カウンタ
FM16W08
64Kb；2.7～5.5V
70 ns；x8；Ind1
FM25C160/L16
16Kb；3.3、5.0V
20MHz SPI；Ind1、オートE2
FM24C16/CL16
16Kb；3.3、5.0V
1MHz I2C；Ind1
FM25040/L04
4Kb；3.3、5.0V
20MHz SPI；Ind1、オートE2
FM24C04/CL04
4Kb；3.3、5.0V
1MHz I2C；Ind1
FM28V020
256Kb；2.0～3.6V
70ns；x8；Ind1
FM18W08
256Kb；2.7～5.5V
70 ns；x8；Ind1
1工業用グレード−40ºC～+85ºC
2 AEC-Q100
−40º C～+125º C
量産中
3 リアルタイムクロック
001-92389
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
開発／企画中
新製品
10
2MbパラレルF-RAM
ブロック図
アプリケーション
工業用オートメーション
コンピューティングおよびネットワーキング
2MbパラレルF-RAM
列デコーダ
非同期パラレル インターフェース：25nsのアクセス時間、
x8、x16、x32のバス
百兆回の読み出し／書き込み回数
動作電圧範囲：2.0-3.6V
少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA）
100年間のデータ保持
工業用温度範囲で動作
パッケージ：44ピンTSOP II
5
制御
制御
ロジック
資料
出荷予定
暫定版データシート：営業担当者まで
サンプル：Q2 2014
量産：Q2 2014
001-92389
Rev **
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技術指導者：TUP
2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
行デコーダ
特長
アドレス ラッチ
17
アドレス
F-RAMアレイ
I/Oラッチ&バス
ドライバ
16
データ
11a
1MbパラレルF-RAM
ブロック図
アプリケーション
工業用オートメーション
コンピューティングおよびネットワーキング
1MbパラレルF-RAM
列デコーダ
非同期パラレル インターフェース：90nsのアクセス時間、
x16バス幅
百兆回の読み出し／書き込み回数
動作電圧範囲：2.0-3.6V
少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA）
100年間のデータ保持
工業用温度範囲で動作
パッケージ：44ピンTSOP II
5
制御
制御
ロジック
資料
出荷予定
暫定版データシート：営業担当者まで
サンプル：Q2 2014
量産：Q2 2014
001-92389
Rev **
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技術指導者：TUP
2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
行デコーダ
特長
アドレス ラッチ
16
アドレス
F-RAMアレイ
I/Oラッチ&バス
ドライバ
16
データ
11b
活動開始に当って
1.
F-RAMのSPIガイドをダウンロード
2.
オンライン技術サポートを受けるために 、www.cypress.comに登録
3.
暫定版データシート：営業担当者まで
001-92389
Rev **
インフォテインメント システム
Hyundai社製
自動車安全システム
Hyundai社製
スマート E メーター
Landis ＋ Gyr社製
複合プリンタ
リコー社製
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
モータ制御
SEW社製
12
付録
001-92389
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オーナー：EWOO
技術指導者：TUP
2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
15
2MbシリアルF-RAM
製品セレクタ ガイド
2MbシリアルF-RAM部品番号
インターフェース 周波数
電源電圧（Min.）
電源電圧（Max.） 温度
パッケージ
FM25V20A-DG
SPI
40MHz
2.0V
3.6V
-40-85° C
8-TDFN
FM25V20A-G
SPI
40MHz
2.0V
3.6 V
-40-85° C
8-SOIC
FM25V20A-DGQ
SPI
33MHz
2.0V
3.6 V
-40-105° C
8-TDFN
CY15B102Q-SXE
SPI
25MHz
2.0V
3.6V
-40～125° C
8-SOIC
2MbシリアルF-RAM部品番号デコーダ
FM 25 V 20 A – XX X
温度範囲：空白 = 工業用、Q = 拡大された工業用
パッケージ：DG=8-TDFN、G=SOIC
ダイ改訂：
密度：20=2Mb
電圧：2.0～3.6V
インターフェース：25 = SPI
会社ID：FM = Cypress
2Mb車載用シリアルF-RAM部品番号デコーダ
CY 15 B 102 Q – S X E
温度範囲：E = 車載用-E
鉛含有：X = 無鉛
パッケージ：S = 8-SOIC
インターフェース：Q = SPI
密度：102 = 2Mb
電圧：B = 2.0-3.6V
マーケティング コード：15 = F-RAM
会社ID：CY = サイプレス
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
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2Mb/1MbパラレルF-RAM
製品セレクタ ガイド
2Mb/1MbパラレルF-RAM
部品番号
インターフェース
容量
アクセス時間 バス幅
最小値電源電圧
最大値電源電圧
温度
パッケージ
FM28V202A-TG
非同期パラレル
2Mb
90ns
x16
2.0V
3.6V
-40～85° C
44TSOP II
FM28V102A-TG
非同期パラレル
1Mb
90ns
x16
2.0V
3.6V
-40～85° C
44TSOP II
2Mb/1MbパラレルF-RAM部品番号デコーダ
FM 28 V XXX A - TG
パッケージ：TG = 8-TSOP II
ダイ改訂：
密度：202 = 2Mb、102 = 1Mb
電圧：2.0～3.6V
インターフェース：28 = 非同期パラレル
会社ID：FM = Cypress
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技術指導者：TUP
2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
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参考およびリンク
サイプレス不揮発性製品ウェブサイト：www.cypress.com/nonvolatile
一般に公開された不揮発性製品のドキュメントおよび添付資料
サイプレス不揮発性製品ロードマップ：サイプレス不揮発性RAMロードマップ
データシート、およびNDAロードマップについては、
サイプレスの販売代理店または[email protected]のメール アドレスまでご連絡ください。
アプリケーション ノート： 不揮発性製品アプリケーション ノート
知識ベース：不揮発性製品知識ベース記事
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
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2MbシリアルF-RAMソリューションの価値
競合企業
$4.32
競合製品
EEPROM：（2x）ST M95M02 2Mb
価格：（2 x $2.16）：$4.321
その他部材費
ページ書き込み毎の内部書き込み時間5ms：
次善のオプション追加の2.2mF基板静電容量
を必要とする
価格：$0.401
付加価値
ページ書き込み毎の内部書き
込み時間5ms
$0.40
部品表の統合化の価値
$0.40
ウェアレベリング ファーム
ウェアの開発
$0.50
総付加価値
$0.50
合計価格
$5.22
ウェアレベリング ファームウェアの開発
サイプレスの対抗ソリューション： FM25V20A-G
新しいファームウェアの開発、試験および認証
合計費用； $5.00
25人週 @ $2,000/人週（100,000製品で償却済み）
4%の合計節約； $0.22
追加価値：$0.50
11k単位の価格
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2MbパラレルF-RAMソリューションの価値
競合企業
競合製品
低消費電力SRAM：R1LV0216BSB-5SI
価格：$2.241
電池+クレードル
その他部材費
$2.24
$2.12
電源管理回路
電池+クレードル：Panasonic CR2477 + Memory Protection
Devices Inc. BH1000G-ND
価格：$2.121
電源管理回路：Maxim MXD1210ESA
価格：$3.702
$3.70
その他部材費
$5.82
出荷後の電池交換
基板面積の節約
$9.93
$0.12
付加価値
付加価値合計
出荷後に電池交換する費用
価格：$9.933
$10.05
合計価格
$18.11
基板面積の節約
価格：$0.124
サイプレスの対抗ソリューション： FM28V202A-TG
合計費用； $12.50
31%の合計節約； $5.61
1
1k単位の価格 2 メーカーのウェブサイトからの価格 3 $5.76（15年間に4回、電池代$1.44）+ 人件費：
$4.17（15年間に4回
、人件費が$50/時間、交換時間を 電池1個につき75秒と見積もる）
4
8層のプリント基板の場合の、平方センチにつき0.01米ドル節約形式に基づいた、12.25平方センチに当た
る削除金額
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19b
1MbパラレルF-RAMソリューションの価値
競合企業
競合製品
低消費電力SRAM：R1LV0108ESF-5SI
価格：$0.941
電池+クレードル
その他部材費
$0.94
$2.12
電源管理回路
電池+クレードル：Panasonic CR2477 + Memory Protection
Devices Inc. BH1000G-ND
価格：$2.121
$3.70
部品表の統合化の価値
$5.82
出荷後の電池交換
電源管理回路：Maxim MXD1210ESA
価格：$3.702
基板面積の節約
付加価値
付加価値合計
出荷後に電池交換する費用
価格：$9.933
$9.93
$0.12
$10.05
合計価格
$16.81
基板面積の節約
価格：$0.124
サイプレスの対抗ソリューション： FM28V102A-TG
合計費用； $9.66
43%の費用削減： $7.15
1
1k単位の価格 2 メーカーのウェブサイトからの価格 3 $5.76（15年間に4回、電池代$1.44）+ 人件費：
$4.17（15年間に4回
、人件費が$50/時間、交換時間を 電池1個につき75秒と見積もる）
4
8層のプリント基板の場合の、平方センチにつき0.01米ドル節約形式に基づいた、12.25平方センチに当た
る削除金額
001-92389
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2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
19c