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MEMS集中講義 2013 追加分
50μm
半導体イオンセンサ ( ＩＳＦＥＴ
(Ion Sensitive Field Effect Transistor)
(4年生の時に研究室先輩の野宮氏(当時日立武蔵工場)
に製作依頼していたもの)
(松尾正之、江刺正喜、飯沼一浩, 電気関係学会東北支部連合大会 (1971))
追加
2
イオンに感じないため
の埋め込み拡散層
追加
装着し易く工夫したISFET(半導体イオンセンサ)
(M.Esashi, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343)
3
1980年に製品化
追加
4
凹みに入れた細分割した一重らせんDNAは、塩基分子(A,T,C,G)を持つ核酸分子
溶液を入れた時に選択的な結合(A-T, G-C)をして二重らせんDNAを合成する。液
を切り替えたとき、この結合で生成される水素イオンはpH変化として検出される。
ISFET付凹みを1.6億個/チップ持つ3 チップ 全DNA解析装置
(IEEE Spectrum, March 12, 2013, 25)
追加
Cu基板上で使える化学増幅型ポジレジスト
(2008 マイクロマシン/MEMS技術大全 p.652)
追加
6
DCスパッタリング
RFスパッタリング
ダブルカソードスパッタリング
(ターゲット上に正電荷が蓄積され
ない)
(李正中、光学薄膜と成膜技術、アグ
ネ技術センター)
追加
追加
(a) Film transfer process, (b) Device transfer process, (c) Device transfer process
(via-last)
(via-first)
ヘテロ集積化プロセス
8
追加
人と接触する安全なロボット用の触
覚センサネットワーク (イベントドリ
ブン、割込型)
(室山真徳、巻幡光俊 他、電気学会論文誌Ｅ, 129, (2009) 450)
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通信信号波形
変更
触覚センサネットワーク
(M.Makihata, M.Muroyama et.ai., 2012 MRS Spring Meeting, San Francisco (2012) B3.2)
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差周波数変調シリコン加速度センサ
(A.A.Trusov, A.M.Shkel et.al. (U.C.Irvine), MEMS2013, p.29)
追加
追加
Whole-angle gyro (積分ジャイロ)
(I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)
HF2LI Lock-in Amplifier
Zurich Instruments
The HF2LI is an advanced digital lock-in amplifier with an extended signal frequency range of
50 MHz. With its 2 physical units, it replaces 2 traditional lock-in amplifiers for measurement
setups; its 128-bit processing delivers unprecedented performance. The HF2LI is a
technology milestone in both the support of existing applications and in the enabling of the
development of many new ones.
HF2LI Key Features
2 independent lock-in units
1 fundamental and 2 harmonic frequencies per lock-in unit
1 µHz - 50 MHz frequency range
210 MSample/s, 14 bit A/D conversion
5 nV/√Hz input noise voltage
追加
1 µs - 500 s time constant
6 to 48 dB/oct filter slope (1st to 8th order)
4x 1 MSample/s, 16 bit, ±10 V auxiliary analog output
2x 400 kSample/s, 16 bit, ±10 V auxiliary analog input
USB 2.0 high-speed host connection
Included graphical user interface, programing interfaces and data server
追加
追加
(I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)
追加
(I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)
追加
(I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)
追加
(I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)
追加
19
追加
20
追加
位相検出、自己校正 MEMSジャイロ
(A.N.Shirazi, F.Ayazi et.al. (Georgia Tech. USA), Transducers2013, p.960)
21
追加
M.Daial, F.Ayazi et.al., 2012 Solid-State Sensors, Actuators and
Microsystems Workshop (2012) pp.328-331)
22
追加
23
追加
(日経マイクロデバイス 2007 April)
追加
携帯電話機向け1チップのSi電子コンパス
(日経マイクロデバイス 2007 April)
追加
(旭化成の携帯電話用磁気センサ (カタログ))
追加
(旭化成の携帯電話用磁気センサ (カタログ))
振動子を用いた磁気センサ
磁場中、梁の共振周波数の電流 iで駆動
→ 梁が共振し、振幅は磁気強度に比例
→ ピエゾ抵抗素子で振動を検出
(E.Donzier (Sextant), Sensors and
Actuators A, 25-27n(1991) 357-361)
ローレンツ力による変位を容量
変化で検出する磁気センサ
(H.Emmerich (Bosch), IEEE Trans.on (B.Eyre, K.S.J.Pister (UCLA) et.al., IEEE 追加
Electron Devices, 47 (2000) 972-977) Electron Device Letters, 19 (1998) 496-498
歩行速度の分解能を100μm/secに改善
靴底面圧分布計測用GRSA (Ground Reaction Sensor Array)
(Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)
追加
29
追加
(Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)
30
Single ended
追加
(Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)
31
追加
(Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)
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ピアースガン型nc-Si電子源アレイ
追加
第10回 マイクロシステム融合研究会 – MEMS製品製作・製造 日時 : 9月12日（木）13:00-17:00, 18:00-20:00 交流会
場所 : 東北大学 「西澤記念研究センター」 http://www.music.tohoku.ac.jp/coin/attach/JNRC_access.pdf 内 「仙台MEMSショールーム」
主催 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) 産総研 集積マイクロシステ
ム研究センター (UMEMUSUME) MEMSパークコンソーシアム(MEMSPC)
問合先 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター 蛸島武尚、Tel.022-795-6256, Fax
022-795-6259、E-mail [email protected]
参加 : 無料、当日直接参加可、交流会(3000円)
【プログラム】
13:00 阿部均 (大日本印刷) 「MEMSファンドリーの動向と課題」
13:20 細野靖幸 (村田製作所) 「MEMSビジネスとフィンランドVTI関係」(仮題)
13:40 加藤健二 (協同インターナショナル) 「スウェーデンSilex社のMEMSファウンダリビジネス」
14:00 野代卓司 (アダマンド工業) 「カナダMicralyne社のMEMSファウンダリビジネス」
14:20 秋永広幸(産総研) 「産総研ナノプロセシング施設～先端機器共用による産業界への課
題解決支援～」
15:10 戸津健太郎 (東北大) 「試作コインランドリにおける企業の製品製作」
15:30 徳永博司 (M.T.C.)「受託開発を行う場としての試作コインランドリ」
15:40 西竹宏 (ソニーセミコンダクタ)「ソニーセミコンダクタのMEMSファウンダリビジネス」
16:00 瀬戸幸 (経済産業省) 「産業活性化へのMETIの取組」(仮題)
追加
16:20 三宅常之 (日経BP) 「LSI高付加価値化としてのMEMS」
16:40 原山優子 (内閣府) 「産学連携」(仮題)
18:00-20:00 交流会 (四季彩)
http://www.eng.tohoku.ac.jp/map/?menu=campus&area=c&build=03)
10/31 (Thu.) μSIC Symposium and FhG Symposium
Sendai sun plaza, Crystal room, Miyagino room
9:00-12:00 μSIC Symposium (Micro System Integration Initiative先端融合関係)
T.Ono (Tohoku Univ) & Group leaders
12:30-14:00 Lunch
14:00-17:30 (18:00) FhG Symposium
14:00-14:05
14:05-14:15
14:15-14:25
14:25-14:35
14:35-14:50
14:50-15:00
15:00-15:30
15:30-16:00
16:00-16:30
16:30-17:00
17:00-17:30
18:00-20:00
L. Granrath (Welcome and Introduction)
S. Tillich (Prime minister of Saxony, Germany)
Yukimoto Ito (Deputy Mayer)
S. Satomi (President of Tohoku Univ)
A. v. Zyl (Rector of Chemnitz Univ.)
M. Kotani (Tohoku Univ.)
T. Gessner (Fraunhofer ENAS, Chemnitz Univ.)
Break
K.-D. Lang (Fraunhofer IZM)
S. Tanaka (Tohoku Univ.)
A. Schubert (Fraunhofer IWU)
Banquet
11/1 (Fri.) Technical tour (Nishizawa center + company)
追加
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第2回 東北大- IMEC シンポジウム、日時 : 11月8日（金） 9:00-14:30
場所 : 東北大学 「西澤記念研究センター」 http://www.music.tohoku.ac.jp/coin/attach/JNRC_access.pdf 内 「仙台MEMSショールーム」
主催 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC)
趣旨 : ベルギーのIMECはアジアの戦略連携校である東北大学と、シンポジウムを開催しま
す。今年は東北大学で公開で行いますので、宜しければご参加ください。講演は英語。問
合先 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター 蛸島武尚、Tel.022-795-6256,
Fax 022-795-6259、E-mail [email protected]
参加 : 無料、当日直接参加可
9:00 Opening Address (Masayoshi Esashi)
9:10 Overview of MEMS Hands-on Facility (Kentaro Totsu)
9:30 Overview of IMEC (Jo de Boeck)
9:50 MEMS (Shuji Tanaka)
10:10 MEMS (Xavier Rottenberg)
10:50 Biodevice (Yoichi Haga)
11:10 Bio device (Peter Peumans)
11:30 Imaging device (Shigetoshi Sugawa (or Rihito Kuroda)
11:50 Imaging device (Andy Lambrechts)
12:10 Lunch
13:10 Body area network, Sensors, Energy harvesters (Hiroki Kuwano)
追加
13:30 Body area network, Sensors, Energy harvesters (Chris Van Hoof)
13:50 Photovoltaics and large area device (Seiji Samukawa)
14:10 Photovoltaics and large area device (Philip Pieters)
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