Transcript Yarı İletkenler

1
2
3
4
İÇİNDEKİLER
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Yarı İletkenler ve Yarı İletken Teknolojisi…..................................................................................................................6
Madde……………………………………………………………………………………………………………………………..13
Atom…………………………………………......................................................................................................................14
İyon…………………………………………....................................................................................................................…16
Molekül………………………………....................................................................................................................……….18
Değerlik Elektron…………..................................................................................................................………………….19
Kovalent Bağ………...................................................................................................................…………………………22
İletkenler………...................................................................................................................………………………………25
Yalıtkan…………...................................................................................................................…………………………….28
Yarı İletkenler……......................................................................................................................…………………………32
Atomlarda Enerji Seviyeleri ve Band Yapıları…………………………....................................................……………..28
Saf Olmayan Germanyum ve Silisyum Kristal Yapısı……………………………………………….……………………43
N Tipi Malzeme Elde Edilişi……………………………………………………………………………………………….…..47
P Tipi Malzeme Elde Edilişi……………………………………………………………………………………….…………..49
Azınlık ve Çoğunluk Taşıyıcılar………………………………………………………………………………………………51
Yarı iletkenlerin Tarihsel Gelişimi…………………………………………………………………………………..………..52
Yarı iletkenlerin Kullanım Alanları………………………………………………………………………………...…………54
Diyot………………………………………………………………………………………………………………………..……..55
Led…………………………………………………………………………………………………………………………………58
Transistör……………………………………………………………………………………………………………..………….60
NPN Tıp Transistör…………………………………………………………………………………….……………………….63
PNP Tıp Transistör……………………………………………………………………………………….…………………….64
Nokta Temaslı Transistör…………………………………………………………………………………..…………………66
Yüzey Temaslı Transistör………...............................................................................................………………………...66
Tek Eklemli Transistör………………………………………………………………………………………..……………….67
Alan Etkili Transistör…………………………………………………………………………………………………………..67
Foto Transistör………………………………………………………………………………………………………………… 68
Gaz sensörleri……………………………………………………………………………………………………………..…….69
İşlemciler ………………………………………………………………………………………………………………………...71
Güneş Pilleri………………………………………………………………………………………………………………….….73
Güneş Pillerinin Dünyadaki ve Türkiyedeki Önemi………………………………………………………..……………..77
Yarı İletkenlerin Yararları……………………………………………………………………………………………………...78
Türkiyede Yarı İletken Teknolojisi…............................................................................................................................79
Yarı İletkenler Konusunun İlköğretim Müfredatındaki Yeri………………………………………………………...……85
5
YARI İLETKENLER
VE
YARI İLETKEN TEKNOLOJİSİ
6
Elektroniğin temeli
Adeta elektroniğin temeli olan yarıiletkenler
elektronik için vazgeçilmez malzemelerdir.
Yarıiletkenler günümüzde; elektronik
endüstrisinde,bilimsel çalışmalarda,enerji
üretiminde ve daha birçok alanda yaygın
olarak kullanılmaktadır. Eğer yarıiletkenler
olmasaydı ben bu yazıyı bilgisayarda
yazamazdım hatta bırakın bilgisayarı daha nice
elektronik alet olmayacaktı.
7
8
PEKİ
NEDEN YARI İLETKENLER ?
9
İletkenler her zaman tümüyle iletken,
yalıtkanlarda her zaman tümüyle yalıtkan
olmasından, yarıiletkenlerin ise, hem
iletken hem de yalıtkan özellik gösteren
malzeme elde etmek mümkün
olmasından dolayı.
10
Yarıiletkenlere farklı katkı atomları ekleyerek,
istenirse yük taşınımı elektronlarla veya deşiklerle
(hole) iletmek mümkün olacağından (iletkenlerde
ise bu işlem sadece elektronlarla yapılmaktadır).
Bunun bir sonucu olarak: Diyot (iki uçlu) ve
transistör (üç uçlu) gibi kontrol işlevli devre
elemanları yapmanın mümkün olmasına olanak
sağladığı için.
11
Elektroniğin temelini oluşturan
yarıiletkenlerin detaylı izahından
önce,daha iyi anlaşılması için; madde ve
onun en küçük birimi olan atomları iyi
anlamak gerekmektedir. Bu bağlamda
öncelikli olarak atomik yapıya ilişkin temel
bilgilere yer verilecektir.
12
MADDE
Dünyada bilinen ve
şu anda varlığı
saptanabilmiş 116
element
vardır.Bunların
yaklaşık 90 kadarı
doğada bulunurken,
diğerleri laboratuar
koşullarında
üretilmişlerdir. Ve
bütün elementler
atomların
birleşiminden
oluşmuştur
13
ATOM
Maddenin en küçük
yapı birimi olan atom ise
ortada bir çekirdek ve
bunun etrafındaki
değişik yörüngelerde
hareket eden
elektronlardan oluşmaktadır.Elektronlar, negatif
elektrik yüküne
sahiptirler. Bir etkime
yolu ile atomdan ayrılan
elektronların bir devre
içerisindeki hareketi,
elektrik akımını
oluşturur.Elektronların
her madde içerisindeki
hareketi aynı değildir.
14
Atomlarda çekirdeğe
en yakın yörüngedeki
elektronların enerji
seviyeleri en düşüktür.
Çekirdekten
uzaklaştıkça enerji
seviyeleri artar.
Elementler içinde en
basit yapıya sahip olan
madde hidrojen
atomudur.Bu atom
ortada bir çekirdek ile
onun etrafındaki
yörüngede dönen bir
elektrondan oluşmuştur.
15
İYON
Elektriksel açıdan dengesiz
haline atomun "iyon"
denir.Dış etkilerle atomun
son yörüngesinde bulunan
elektronun biri alınırsa
elektriksel denge bozularak
atom, artı yüklü iyon
durumuna geçer. Şayet
dengedeki bir atomun son
yörüngesine bir elektron
girecek olursa atom eksi
yüklü iyon durumuna geçer.
16
Ama atomlar, fazla olan elektronlarını
verip nötr (yüksüz) hale geçmek isterler.
Yani, üzerlerindeki fazla elektronları ilk
fırsatta komşu bir atoma vermeye
çalışırlar.
17
MOLEKÜL
Bir kaç maddenin
birleşiminden oluşmuş
yeni maddenin en
küçük parçacığına
molekül denir.
Örneğin, suyun oluşumu
için 1 oksijen atomuyla 2
hidrojen atomu gerekir.
Bakır sülfat molekülünde
ise "1 bakır atomuyla, 1
kükürt atomu ve 4
oksijen atomu vardı.İşte
bu birleşimlerin en küçük
yapı taşı moleküldür.
18
Değerlik elektron
Değerlik elektron ya da Valans elektron, bir atomun en
dış kabuğunda (valans yörüngesi) bulunan elektronlara
verilen isimdir. Valans elektronları bir elementin diğer
elementler ile kimyasal olarak nasıl etkileştiğini
kararlaştırması açısından önemlidir. Bir atomdaki daha
az değerlik elektron sayısı atomu daha az kararlı ve
etkileşime karşı daha fazla istekli yapar. Bunun tam tersi
de aynı şekilde doğrudur, valans kabuğu valans
elektronları ile dolu ise atomun aktivitesi düşüktür ve
diğer kimyasal elementler veya kendi türünden kimyasal
elementler ile yapılacak etkileşimler için daha az
isteklidir.Örneğin; 5 elektronlu bir atomun elektron dizilişi
2,3'tür.Bu atomun değerlik elektron sayısı 3 olur.
19
Ancak,valans elektronları serbest hale
geçirecek seviyeleri madde yapısına
göre şöyle değişmektedir:
• İletkenler için düşük seviyeli enerji
yeterlidir.
• Yarıiletkenlerde oldukça fazla enerji
gereklidir.
• Yalıtkanlar için çok büyük enerji
verilmelidir.
20
Valans elektronlara enerji veren etkenler :
1)Elektriksel etki
2)Isı etkisi
3)Işık etkisi
4)Elektronlar kanalıyla yapılan
bombardıman etkisi
5)Manyetik etki
21
Kovalent Bağ
Maddelerin içinde bulunan
atomların elektronları
dizilirken kimyasal olarak 8’li
bağlarla birbirine bağlanırlar.
Yani, kovalent yapının
oluşması için "8 elektrona"
gerek vardır. Ve bu işlem
yarıiletken atomlarının son
yörüngelerindeki elektronların
karşılıklı kullanımıyla
gerçekleşir.Yani silisyumun (ya
da germanyumun) dört
elektronu komşu silisyum
atomlarının elektronlarını
ortak olarak kullanır. Ortak
kullanımdaki elektronlar hem
kendi hem de komşu atom
çevresinde döner.Buna
"kovalent bağ" denir.
22
Silisyum ya da germanyum kristali ısıtılır veya
elektrik akımının etkisine maruz bırakılırsa, kovalent
bağların çekim kuvvetini yenen çok az sayıdaki
elektron serbest hale geçer. Halbuki aynı uygulama
iletkenlere yapılsa (örneğin bakır) sayılamayacak
derecede çok sayıda elektron serbest hale geçer.
Valans elektronlar
Kovalent bağ
23
• Elektron hareketine göre maddeler üçe
ayrılır:
- İletkenler
- Yalıtkanlar
- Yarıiletkenler
24
İletkenler
Bir atomun en dış
yörüngesinde az
sayıda (1-2-3) elektron varsa, bu
elektronları çekirdeğe
bağlayan güç
zayıftır.Örneğin bakır
atomunun son
yörüngesinde
1elektron vardır ve bu
çekirdek tarafından
kuvvetlice
çekilmediğinden çok
kolayca serbest hale
geçebilir.
25
Bakırdan yapılmış bir
iletkenin iki ucuna belli
bir gerilim uygulanırsa,
elektronlar pilin eksi (-)
ucundan artı (+) ucuna
doğru gitmeye başlar.
İşte bu elektron hareketi
,elektrik akımını oluşturur.
Gerilim kaynağının artı
ucu elektronları
yakalarken, eksi ucu
maddeye elektron verir.
Burada gerilimi, bir çeşit
elektron pompası olarak
düşünebiliriz. Gerilimin
büyüklüğü artarsa,
elektronlar daha hızlı bir
şekilde ilerlerler.Yani
ortalama hızları artar.
26
Başka bir deyişle son
yörüngesinde (valans
bandı) 1-2-3 elektron
bulunduran maddeler az
ya da çok elektrik akımını
iletirler.En dış
yörüngesinde 2 elektron
bulunduran demir ve 3
elektron bulunduran
alüminyumun iletkenlikleri
bakıra göre azdır.Şekil
2.6'da bakırdan yapılmış
iletkende serbest
elektronlar, şekil 2.7'de
bakır iletkende serbest
elektronların hareketi,
şekil 2.8'de bakır
atomunun yapısı ve şekil
2.9'da bakır atomunun
basit olarak gösterilişi
verilmiştir.
27
Yalıtkanlar
Gerilim
uygulandığında
iletkenliği çok alçak
düzeyde olan
malzemelere yalıtkan
denir.Başka bir deyişle,
elektrik akımını
"iletmeyen" maddeler
yalıtkandır.Atom yapısı
açısından
bakıldığında, son
yörüngelerinde (valans
bandı) 5-6-7-8 elektron
bulunduran tüm
maddeler az ya da
çok
yalıtkandırlar.Yalıtkanla
rda atomlar arası
boşlukta serbest
elektron bulunmaz.
Elektronlar çekirdeklere
sıkı bağlarla bağlıdırlar.
28
Yani, her atom nötr
durumdadır. Bir yalıtkana
"fazladan yüklenen şarj",
yalıtkanın o bölgesinde statik
olarak kalır.Yükler atomdan
atoma iletilmediği için
yalıtkan üzerinde başka bir
bölgeye geçiş söz konusu
değildir.Şekilde de
görüldüğü gibi plastik, cam,
kauçuk,mermer, kağıt, tahta
gibi yalıtkanlık düzeyi yüksek
olan maddelerin atomlarının
son yörüngelerinde 8 adet
elektron vardır. Yani bu
atomlarda son yörünge
elektron bakımından doymuş
durumdadır. Dışarıya
elektron verme ya da
dışarıdan elektron alma çok
zordur.
29
Akımı hiç geçirmeyen madde
var mıdır?
Aslında elektrik akımını hiç geçirmeyen
madde yoktur. Yalıtkan olarak bilinen
maddeler "çok az" bir akım geçirirler.
İyi bir yaIıtkan olarak kabul edilen polistirin'in 1
Cm3'ünde 6,1.1010 adet serbest elektron
bulunur. Fakat bu canlılar için zararı değildir.
Yalıtkana uygulanan gerilim arttıkça geçirdiği
akım da artmaya başlar. Belli bir gerilim
seviyesinden sonra yalıtkan tamamen iletken
olur. Buna y
“alıtkanın delinmesi“denir. Her
yalıtkanın delinmesine yol açan gerilim değeri
ayrıdır.
30
Elektrik ve elektronik çalışmalarında
kullanılan el takımlarının sap izoleleri
incelenecek olursa, burada yalıtkanın
dayanabileceği son (maksimum)
gerilim değeri yazılıdır. Örneğin
penselerin sap izolesinde “
10.000 Volt”
yazar.Bu, plastik yalıtkan 10.000 Volt'tan
sonra iletken hale geçebilir anlamı taşır.
31
YARI İLETKENLER
Son yörüngelerinde (valans bandı) 4
elektron bulunduran maddelerdir .Yarı
iletkenlerin direnci iletkenlerin
direncinden yüksek,yalıtkanların
direncinden düşüktür. Yani iletkenlik
bakımından iletken ve yalıtkanlar
arasında yer alırlar.
32
33
Yarı iletkenlerin 1 Cm3'ünün iki yüzü
arasındaki direnç normal oda sıcaklığında
0,1-50 W arasındadır. Bu tip maddelerin
dirençleri sıcaklık ile düzgün değişme
göstermez.
Yarı iletkenlerin bazıları "bileşik", bazıları
"element"dir. Bileşiklere örnek olarak "çinko
oksit" ile "bakır oksiti" verebiliriz. Elementlere
örnek ise "germanyum" ve "silisyum (silikon)
gösterilebilir.
34
Yarı iletkenler kristal yapıdadır. Yani atomları
belirli bir sistemle sıralanmıştır. Bu yapı tekli kristal
(mono kristal) ya da çoklu kristal (poli kristal)
olabilmektedir. Silisyum (silikon) ve germanyum
atomlarının son yörüngelerinde dörder elektron
vardır. Germanyumun ve silisyumun saf kristalleri
oldukça iyi bir yalıtkan olmalarına karşın atom
yapılarına küçük miktarlarda arsenik, indiyum
vb. ekleyerek iletkenlikleri önemli ölçüde
değiştirilebilir.
35
36
Tablo 2.1 - Elektronikte yararlanılan yarı iletkenler ve
kullanılma yerleri
ADI
KULLANIM YERİ
Germanyum (Ge) (Basit eleman) Diyot, transistör, entegre, devre
Silikon (Si) (Basit eleman)
Diyot, transistör, entegre, devre
Selenyum (Se) (Basit eleman)
Diyot
Bakır oksit (kuproksit) (CuO)
(Bileşik eleman)
Diyot
Galliyum Arsenid (Ga As) (Bileşik Tünel diyot, laser, fotodiyot, led
eleman)
Indiyum Fosfur (In P) (Bileşik
eleman)
Diyot, transistör
Kurşun Sülfür (Pb S) (Bileşik
eleman)
Güneş pili (Fotosel)
37
ATOMLARDA ENERJİ SEVİYELERİ VE
BAND YAPILARI
Bir maddeyi elektriksel bakımdan iletken
hale getirebilmek için dışarıdan bir enerji
uygulanması gerekir. Bu enerji miktarı üç
ayrı enerji bandının oluşmasını sağlar.
Bunlar, şekil 2.13'de görülebileceği gibi
"iletkenlik bandı", "yasak bandı" ve
"valans bandı"dır
38
Herhangi bir atomun valans bandındaki
elektronların yörüngesinden koparak iletkenlik
bandına geçmesi için, bu iki band arasındaki
yasak bandı geçmesi gerekir.
• a- Yasak band: Elektron bakımından boş
bulunan ve valans bandındaki elektronların
iletkenlik bandına geçmesini zorlaştıran boşluğa
denir.
• b- İletkenlik bandı: Valans bandından kopan ve
akım taşıyabilecek durumda olan elektronların
bulunduğu banddır. Maddeler, elektronlarının
bu banda geçmesiyle iletken hale gelirler.
39
40
İletkenlerin "valans bandı enerji
seviyesiyle" "iletkenlik bandı enerji
seviyesi" aynıdır.Bu nedenle iletkenlerde
küçük bir enerji uygulanmasıyla pek çok
valans elektron serbest duruma
geçebilmektedir. Başka bir anlatımla,
iletkenlerde yasak band yok denecek
kadar azdır. Bu sayede elektronlar
kolaylıkla valans bandından iletkenlik
bandına atlayabilirler.
41
Yarı iletkenlerin valans bandıyla iletkenlik
bandı arasında belirli bir boşluk bandı
vardır.Bundan dolayı yarı iletkenlerin
iletkenlik oluşturabilmesi için, valans
elektronlarına boşluk bandı kadar ek
enerji uygulamak gereklidir.
Yalıtkanlardaysa oldukça büyük bir
boşluk bandı vardır. Bundan dolayı
elektronları valans bandından iletkenlik
bandına geçirebilmek için çok yüksek
değerli enerjiye gerek vardır.
42
SAF OLMAYAN (KATKILI) GERMANYUM VE
SiLiSYUMUN KRiSTAL YAPISI
43
a- P ve N tipi yarı iletken maddelerin
oluşturulmasında kullanılan katkılama
maddeleri
P ve N tipi yarı iletkenler germanyum ya da
silisyuma belli oranlarda yabancı madde
katılmasıyla oluşturulmaktadır. Son yörüngesinde
(valans yörünge) 3 elektron bulunduran maddeler
kullanıldığında P tipi bir yarı iletken oluşurken, 5
elektron bulunduran maddeler kullanıldığında ise N
tipi yarı iletken elde edilmektedir.
44
• Son yörüngesinde üç valans
elektronu bulunan maddeler:
İndiyum,alüminyum, galyum,bor...
45
• Son yörüngesinde beş valans
elektronu bulunan maddeler:
Arsenik, antimon, fosfor...
46
N tipi malzeme elde edilişi
N tipi malzeme için
monokristal yapıdaki
malzemeye 5A grubu
elementler katılır.5A
grubu elementlerin 5 tane
Valans elektronu vardır.4
elektron etraftaki silisyum
veya germenyum
atomuyla bağ
yapar.Fakat 5 elektron
sanki boştaymış gibi 5A
grubu elementinin
yörüngesinde kalır.Bu
sayede N tipi malzemenin
içinde çok kolay şekilde
serbest hale geçebilecek
elektronlar
bulunur.Elektron
fazlalığından dolayı
Negatif yüke sahip
olduğundan N tipi adı
verilmiştir..
47
Aşağıdaki şekilde 5A grubu elementi olan Arseniğin Germenyuma
katılmış hali gözükmektedir .N tipi malzemelerde elektrik akımı fazla
gözüken elektron ile iletilir.
48
P tipi malzeme elde edilişi
P tipi malzeme de ise
katılan elementler 3A grubu
elementleridir.Bu elementler
de 4A grubu elementleriyle
bağ yaptıklarında 7
elektrona sahip olurlar.Sanki
bir elektron boşlukları varmış
gibi davranırlar.P tipi
malzemelerde ise elektrik
akımı yani elektronlar bu
boşluklardan geçerler.Yani
bir atomun boşluğuna
elektron bağlanır sonra
komşu atoma geçer ve
böylece elektron akışı
sağlanmış olur.Akım sanki
boşluklardan geçiyormuş
gibi görülür.
Bu yüzden P tipi
malzemelerde akımı
boşluklar taşır denir.Bu tür
malzemelerin elektronu
eksik olduğundan pozitif
özellik gösterilir.P adı buradan
gelmektedir.
49
Aşağıdaki sembolik yapıya benzer bir yapı vardır.
50
Azınlık ve Çoğunluk Taşıyıcılar :
Silisyum ve germanyum maddeleri tamamıyla saf olarak elde
edilememektedir. Yani maddenin içinde, son yörüngesinde 5 ve 3
elektron bulunduran atomlar mevcuttur. Bu da P tipi maddede
elektron, N tipi maddede oyuk oluşmasına sebep olur. Fakat P tipi
maddede istek dışı bulunan oyuk sayısı, istek dışı bulunan elektron
sayısından fazladır. Aynı şekilde N tipi maddede de istek dışı bulunan
elektron sayısı istek dışı bulunan oyuk sayısından fazladır. İşte bu fazla
olan oyuk ve elektronlara "Çoğunluk Taşıyıcılar" az olan oyuk ve
elektronlara da "Azınlık Taşıyıcılar" denir. Azınlık taşıyıcılar yarı iletkenli
elektronik devre elementlerinde sızıntı akımına neden olur. İçeriğinde
çok sayıda yarı iletkenli devre elemanı bulunduran entegrelerde
fazladan gereksiz akım çekimine yol açar ve bu da elemanın
ısınmasına, hatta zarar görmesine neden olur.
51
YARIİLETKENLERİN TARİHSEL GELİŞİMİ
Yarıiletkenler; 1839 yılında Alexandre Edmound tarafından
keşfedilmiştir.Alexandre Edmound aynı elektrolit içine batırılmış iki
elektrottan biri üzerine ışık düşürmüş ve bunlar arasında bir potansiyel
fark olduğunu gözlemlemiştir.1883,Farady gümüş sülfatın direncinin
sıcaklıkla azaldığını tespit etmiştir.1920 de ise selenyum ve bakıroksit
algılayıcıların kullanımı başlamıştır.
1923 yılında yayınlanan redresör teorisi,yarıiletkenlerin teorik
incelemesinde ilk adım olarak kabul edilmektedir.
İkinci Dünya Savaşı ile birlikte güvenlik acısından radar
gereksinimleri, yarıiletken diyotların gelişimlerine kapı aralamıştır.1958
yılında Amerika Birleşik Devletleri’nde nokta temaslı algılayıcılar
geliştirilmiş ve böylece yarıiletkenlerdeki gelişmeler sonucunda
transistör icat edilmiştir.Elektron lambalarının bütün işlerini yerine
getiren transistörler ayrıca ek üstünlüklerine de sahiptir.Transistörler
elektron lambalarına göre daha küçük boyutlu,hafif,mekanik etkilere
karşı daha dayanıklı,daha uzun ömürlü ve verimi daha iyi olan
aygıtlardır.Bu özellikleri ile transistörler elektronik sanayinde devrim
olarak nitelendirilmektedir.
52
•
Günümüzde de yarıiletken teknolojisine olan ilgi her geçen gün
artmaktadır.Yarıiletken teknolojisi aynı zamanda önemli bir ticari ürün
konumuna gelmiştir.Birleşmiş Milletler Sanayi Kalkınma Örgütü’nün (UNIDO)
verilerine göre,yarıiletkenler son yıllarda ihracatı en hızlı artan maddeler
arasında ilk sırada yer almaktadır.Bununla bağlantılı olarak yarıiletkenleri
kullanan ileri elektronik ve bilişim sektörü de daha hızlı gelişmektedir.
53
YARI İLETKENLERİN KULLANIM ALANLARI
• Yarı iletkenler aşağıdaki maddelerin
yapımında kullanılmaktadır
• 1.Diyot
• 2.Led(Light Emitting Diode)
• 3.Transistörler
• 4.Gaz Sensörü
• 5.İşlemciler
• 6.Güneş Paneli
54
DİYOT
Diyot; yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır.Diyotta bir yönde
geçen akım ihmal edilebilecek kadar küçük,diğer yöndeki direnç ise çok
büyüktür.
Yarı iletken diyotlar; P ve N tipi germanyum veya silisyum yarı iletken
kristallerinin bir araya getirilmesiyle oluşur.Elektrik ve elektronikte
kullanılmaktadır.
Germanyum veya silisyum nokta temaslı diyot; 0,5 mm çapında ve
0,2 mm kalınlığındaki N tipi kristal parçacığı ile “fosfor-bronz ’’ veya
“berilyum-bakır’’ bir telin temasını sağlamaktadır.
55
Bu tür diyotta,N tipi kristale noktasal olarak büyük bir pozitif gerilim
uygulanır.Pozitif gerilim; temas noktasındaki bir kısım kovalan bağı kırarak
elektronları alır.Böylece çok küçük çapta bir P tipi kristal ve dolayısıyla da
PN diyot oluşturulmuş olur.
Nokta temaslı silikon diyotlar;mikro dalga karıştırıcısında,televizyon,
video dedüksiyonunda kullanılmaktadır.
Germanyum diyotlar ise; radyo frekans ölçü aletlerinde(voltmetre,
dalgametre,rediktör vb…) kullanılır.
56
•Gördüğümüz gibi diyotlar yarı iletken maddelerden
yapılmaktadır.Televizyon,voltmetre vb. yerlerde kullanılmaktadır.
57
LED
LED; yarı iletken, diyot temelli,ışık yayan bir elektronik devre elemanıdır.
Başlangıçta yalnızca zayıf kırmızı ışık yaymaktaydılar ama günümüzde;
Görünür ışık, Morötesi,Kızılötesi gibi çeşitli dalga boylarında ve yüksek
parlaklıkta ışık verebilmektedirler.
LED P-N jonksiyonlu bir elemandır ve dolayısıyla P-N jonksiyonuna ait
özellikleri içermektedir. LED’lerin yapısında bulunan yarıiletken malzeme,
LED’den yayılan ışının spektrumunu belirler.
58
LED P-N jonksiyonlu bir yarıiletken olup iletim yönünde kutuplandığı
takdirde ışık yayacak şekilde tasarlanmıştır.Bir direnç uygulandığında P tipi
yarı
iletkendeki boşluklar ile N tipi yarı iletkendeki elektronlar P-N bileşiminde
birleşirler.Elektronlar ve fotonlar birbirini tamamlayarak bir foton yayarlar. Bu
ışık ; kırmızı, yeşil, sarı, ya da kızıl ötesi gibi çeşitli, renklerde olabilir. Normal
diyotta da olduğu gibi LED’de de küçük değerde bir eşik gerilimi vardır.Bu
eşik
gerilimi aşıldığında jonksiyonun direnci düşer ve akım iletmeye başlar.
LED’lerin devrelerde kullanımında bu akım bir dirençle sınırlandırılmalıdır.
LED’in yaydığı ışık miktarı üzerinden geçen akıma bağlıdır. Bu akım doğru
akım olabilir.
59
TRANSİSTÖR(GEÇİRGEÇ)
İki P-tipi yarıiletken madde arasına n-tipi yarıiletken;ya da
iki N-tipi yarıiletken madde arasına bir P-tipi yarı iletken madde konularak
oluşan iki eklemli ve üç bölgeli yarıiletken devre elemanına Transistör
denir.
İşlevsel tanım olarak transistör; akım yada gerilimdeki ufak
değişimlerle
daha büyük akım ya da gerilimleri kontrol eden yarıiletken devre
elemanıdır.
60
Transistörler yarıiletken teknolojisinin sıçrama noktası kabul edilmektedir.
İnsan yaşamında çok zaman alan işlemler transistörler sayesinde daha
pratik,kararlı,ucuz,hızlı ve küçük hacimli cihazlarla yapılmaya başlanmıştır.
Transistörler;elektronik ve haberleşme alanındaki gelişmelerin yanında
bilgisayar teknolojisine de büyük katkılar sağlamıştır.Ayrıca transistörlerin
kuvvetlendirici,anahtarlama elemanı,değişken direnç,gerilim düzenleyicisi ve
işaret algılayıcısı olarak geniş bir kullanım alanı vardır.
61
Transistörler yapısal olarak iki kısımda incelenmektedir:Bunlar;
1.NPN Tip Transistörler
2.PNP Tip Transistörler
62
NPN TİP TRANSİSTÖRLER
NPN tip transistörler;iki tane n-tipi yarıiletkenin arasına bir tane zıt tipteki
p-tipi yarıiletkenin ince bir tabaka halinde yerleştirilmesiyle oluşur.Arada
bulunan bu katman;toplayıcı ve yayıcı katmanlar arasındaki elektron ve
boşluk
geçişini kontrol eder.
Görüldüğü gibi NPN Tip Transistörler sırasıyla N,P ve N tipi yarıiletkenlerin
birleşmesiyle oluşmuştur.Sandviçi andıran bir yapısı vardır.
NPN transistördeki akım iletimi PNP transistöre göre daha hızlı olduğundan
devrelerde daha yaygın olarak kullanılmaktadır.
63
PNP TİPİ TRANSİSTÖRLER
PNP tip transistörler;iki tane P-tipi yarıiletken arasına bir tane zıt
özelliğe sahip N-tipi yarıiletken madde konularak oluşturulmuştur.Sırasıyla
P,N ve P tip yarıiletkenlerin birleşmesiyle oluşur.Yapısı sandviçe
benzemektedir.
P-tipi yarıiletkenlerin arasında bulunan N-tipi yarıiletken madde
toplayıcı ve yayıcı katmanlar arsındaki elektron ve boşluk geçişini kontrol
etmektedir.
64
Transistörler işlevsel olarak 5 kısımda incelenmektedir.Bunlar;
1.Nokta Temaslı Transistör
2.Yüzey Temaslı Transistör
3.Tek Eklemli Transistör
4.Alan Etkili Transistör
5.Foto transistörler
65
NOKTA TEMASLI TRANSİSTÖR
Yapılan ilk transistörlerdir.PNP tipi özellik gösterir.İki ayaklı kristal bir
diyottan oluşmaktadır.Bu kristale taban, ayaklardan birine
toplayıcı,diğerine yayıcı adı verilmiştir.Gücü miliwatt seviyesindedir ve
alçak frekanslarda kullanılmaktadır.
YÜZEY TEMASLI TRANSİSTÖR
Aynı tipten iki bölge arasına diğer tipten ince bir tabaka yerleştirilerek
oluşturulan transistörlerdir.Bu transistörler NPN yada PNP olacak şekilde üç
kristal parça birbirine eklenerek oluşturulmuşlardır.Günümüzde bütün
transistörlerin yapı taşı niteliğindedirler.
66
TEK EKLEMLİ TRANSİSTÖR
Yapısında tek PN eklemi bulunduğu için “Tek Eklemli” olarak
nitelendirilmektedir.Bu transistörler negatif direnç özelliği gösterirler.
Kararlı karakteristik özelliktedirler.Askeri ve sivil endüstride kullanım alanı
oldukça geniştir.Ayrıca;gecikmeli devrelerde,flaş
devrelerinde,salıngaçlarda ve kontrol devrelerinde kullanılmaktadırlar.
ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
Biri diğerinin üzerinde bulunan iki yarıiletken malzeme tabakasından
oluşmuş bir devre elemanıdır.İki kısımda incelenir:Birleşim Yüzeyli Alan
Etkili Transistör ve Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör.Birleşim
yüzeyli; TV video,kesintisiz güç kaynağı verici,alıcı vb. hassas devrelerde
kullanılır.Metal oksit yarıiletken alan etkili transistörler ise;bilgisayar
teknolojilerinde ve entegre yapımında kullanılmaktadır.
67
FOTO TRANSİSTÖR
Elektrik akımını ışık ile kontrol eden devre elemanıdır.Normal
transistörden tek farkı;toplayıcı ile yayıcı arasından geçen akımı taban
ile değil,taban ile toplayıcının birleşim yüzeyine düşen morötesi ışıkla
kontrol ediyor olmasıdır.Foto transistör ile normal transistörün arka arkaya
bağlanmasıyla bir çeşit çift foto transistör elde edilir.Bunlar ışığa karşı
daha duyarlıdır.
Foto transistörler; TV,video,müzik seti,klima gibi aletlerin uzaktan
kumanda devrelerinde,gün ışığına duyarlı olarak çeşitli aygıtların ve
alarm sistemlerinin çalıştırılmasında kullanılmaktadır.
68
GAZ SENSÖRLERİ
Yarı iletken oksitler ortam gazlardaki küçük konsantrasyonlarda
elektrik direncindeki değişimleri göstermek için
bulunmuştur.Örneğin n-tipi SnO2 , ZnO,-Fe2O3,TiO2 ve
Ag2O;genellikle n-tipi
yarı iletkenler gaz sensörü teknolojisinde kullanılır.Bu malzemelerin
çoğu su buharına karşı hassastır,bu yüzden 350°C ve üzeri
sıcaklıklarda su buharı adsorbe miktarının ihmal edilebildiği
derecelerde kullanılmalıdır.
Adsorbsiyonun adsorbe edilmiş oksijenden iletim bandından
veya donor dopant’dan elektron transferi ile pozitif bir alan
oluşturur ve bunu karşılayacak negatif yük yüzeyde
toplanır.Elektrostatik alan,adsorbent yüzey bölgesindeki yük
transferi durana kadar aktive eder.
69
Prosesi kontrol eden elektrostatik kuvvetler yüzeyde yaklaşık
1 m kalınlıkta bölgeye etki etmektedir.Bu seviyenin altında
dağıtılan
oksit içindeki elektronlar etkilenmezler.Redükleyici gazlar eğer
adsorbe
edilirse yüzeylerindeki oksijenin bir kısmını geri verirler,kondüksiyona
uygun olan elektronlar serbest bırakılır.Burada olay;çevre
atmosferinde
ki azalan iyonları yerine koyarak oksijen ile birlikte dinamik dengenin
sağlanması ve yüzey bölgelerindeki elektron konsantrasyonunun
redükleyici gaz konsantrasyonuna bağlı olmasıdır.
70
İŞLEMCİLER
Mikroişlemciler, yarıiletken temelli tüm ürünler arasında en gelişmiş
olanlarıdır, öyle ki her biri milyarlarca transistörden oluşmuş olup,
işlevsellikleri hayret uyandırmaktadır. Bir işlemci elektriksel sinyalleri 0 ve 1
(ikili sistemle çalışan bilgisayarlarımız için anlamlı olan tek değerler) şeklinde alır
ve verilen komuta göre bunları değiştirerek sonucu yine 0'lardan ve 1'lerden
oluşan çıktılar halinde verir. Sinyal yollandığı zaman ilgili hatta bulunan voltaj o
sinyalin değerini verir. Örneğin 3.3 voltla çalışan bir sistemde 3.3 voltluk bir sinyal
1, 0 voltluk bir sinyal de 0 değerini üretir.
71
İşlemciler aldıkları sinyallere göre karar verip çıktı oluştururlar. Karar verme
işlemi
her biri en az bir transistörden oluşan mantık kapılarında yapılır. Transistörler,
girişlerine
uygulanan akım kombinasyonlarına göre devreyi açıp kapayabilen ve bu
sayede de
elektronik bir anahtar görevi gören yarıiletken devre elemanlarıdır. Modern
işlemcilerde
bu transistörlerden milyonlarca tanesi aynı anda çalışarak çok karmaşık mantık
hesaplarını yapabilirler. Mantık kapıları karar verirken (yani akımın geçip
geçmeyeceğini
belirlerken) Boolean Mantığı'nı kullanırlar.
72
GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLVATİK PİL/
KOLEKTÖR
Güneş pilleri yüzeylerine gelen,güneş ışınları aracılığı ile yenilenebilir güneş
enerjisini doğrudan kullanılabilir elektrik enerjisine dönüştüren yarıiletken
malzemelerdir.Başka bir deyişle;elektronik düzeneklerin içerisinde kullanılan ve
çok küçük boyutlara sahip yarıiletken maddelerin, geniş yüzey
alanlarına uygulanmış şeklidir.
Güneş pilleri;silisyum(Si) başta olmak üzere galyum arsenik
(GaAs),kadmiyum sülfür(CdS) ve kadmiyum tellür(CdTe) yarıiletken
maddelerden yapılır.Yarıiletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri
için n yada p tipi katkılanmaları gerekir.
73
En yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan n-tipi
silisyum elde etmek için ,silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5.
grubundan bir element eklenir.
Örneğin fosfor eklediğimizde: silisyumun son yörüngesinde 4
fosforun son yörüngesinde 5 elektron olduğu için,fosforun fazla olan tek
elektronu kristal yapıya 1 elektron verir.Her bir milyon silikon atomuna 1
tane fosfor atomu atıldığı düşünülürse;fosfor atomu komşu silisyum
atomlarıyla bağlandığında fosfor atomunun çekirdeği tarafından
sadece bir elektron tutulur.Bu durumda bir milyon silisyum atomu
birbirine bağlıdır.Böylece silisyum yarıiletken hal almıştır.
P-tipi silisyum elde etmek için silisyum eriyiğine 3. gruptan alüminyum,
bor,indiyum gibi bir element eklenir.
74
Güneş pillerindeki herhangi bir yarıiletkende n-tipi ve p-tipi bölgeler oluşur.
Burada güneş pili;elektronları n-tipi bölgesine,boşlukları da p-tipi bölgesine
iten
bir pompa gibi çalışır.Yani başlangıçta nötr olan bölgeler negatif,p-tipi
bölgeler
ise pozitif yüklenmiş olur.Yarı iletkenin iki ucu bir dış devreye bağlandığında,
bu yükler akarak elektrik akımını oluşturur.Elde edilen akım doğru akımdır ve
fotoakım olarak adlandırılır.Fotoakım,güneş ışınları pil üzerine düştüğü sürece
akmaya devam eder.
Son yıllarda gelişen teknoloji ile birlikte güneş pillerinin uygulama alanları
Artmakta ve kullanımları yaygınlaşmaktadır.Bu teknolojilerde hedef ;en düşük
Maliyetle en yüksek verimin sağlanmasıdır.
75
Güneş pilleri üretimde kullanılan kristalin cinsine göre;P-N
Birleşimli Güneş Pilleri,p-n Birleşimli Güneş Pilleri ve Amorf Silisyum
Güneş Pilleri
olmak üzere 3 kısımda incelenir.
76
GÜNEŞ PİLLERİNİN DÜNYADAKİ VE TÜRKİYE’DEKİ ÖNEMİ
Dünya genelinde kurulu bulunan düzlemsel
güneş pillerinin alanı 100 milyon m2, Türkiye de
ise bu oran 12 milyon m2 dolaylarındadır.En
fazla güneş pili bulunan
ülkeler;ABD,Japonya,Türkiye,Avustralya,İsrail
ve Yunanistan’dır.Türkiye’de güneş pilinden
yıllık enerji üretim hacmİ 750 bin m2 dir.
Güneş pilleri Türkiye de özellikle sıcak su
arıtma sistemlerinde yaygın olarak
kullanılmaktadır.Akdeniz ve ege bölgelerinde
kullanılmakta olan bu sistemlerden yılda
yaklaşık 290 bin ton eşdeğer petrol ısı enerjisi
üretilmektedir.
77
YARI İLETKENLERİN YARARLARI
• Günümüzde; Güneş enerjisini elektrik enerjisine
çevirmemizi sağlayan güneş panellerinin yapımında yarı
iletkenlerden faydalanılmaktadır.
• Radyo televizyon bilgisayar vb. birçok teknolojik araç
gereci kullanabiliyorsak bu yarı iletkenler sayesindedir.
• Yarı iletken maddelerden yapılan yapılan mikro işlemciler
bilgisayarda çok hızlı işlem yapabilmemizi sağlamaktadır.
•
Günümüzde gelişmekte olan nanoteknolojide yarı iletken
maddelerden yararlanılmaktadır.
• Uzaktan kumanda ile TV,müzik çalar,Klima vb. birçok
aygıtı çalıştırabiliyorsak yarıiletken maddeler saysindedir.
78
Türkiye’de
Yarıiletken
Teknolojisi
79
Türkiye'nin yeni gözdesi
‘yarı iletken' teknoloji
Türkiye, geleceğin en önemli teknolojileri arasında gösterilen "yarı
iletken" teknolojisinde geldiği aşamayla göz dolduruyor.
Dedektör, lazer, gaz analiz sensörleri, termal kameralar, gece
görüş sistemleri gibi hassas cihazların yapımında ihtiyaç duyulan
yarı iletken malzemeler, Gazi Üniversitesi (GÜ) bünyesindeki "Yarı
İletken Teknolojisi İleri Araştırma Laboratuvarında
üretiliyor.Üniversitede 3 yıl önce faaliyete geçen laboratuvar,
özellikle nano teknolojide kullanılan malzemelerin üretilmesi
konusunda Türkiye’yi benzer laboratuvar örneklerinde ön sıraya
taşıdı.
Devlet Planlama Teşkilatı (DPT) desteğiyle kurulan laboratuvar,
dedektör, lazer, gaz analiz sensörleri, termal kameralar, gece görüş
sistemleri gibi cihazların yapımında kullanılan yarı iletken
malzemelerin üretilmesi konusunda Türkiye’nin kendine yeten bir
ülke olması için başladığı 3 yıllık çalışma sonucunda hedeflediği
noktaya ulaştı. Böylece Türkiye, bilim ve teknolojideki strateji
hedefleri arasında yer alan yarı iletken nano yapıların geliştirilme
hedeflerini beklentilerden daha önce yakaladı.
Laboratuvardaki teknik donanımın dünyadaki benzerlerinden
hiçbir farkının olmaması, bu alanda çalışan beyinlerin yurt dışına
göçünü engellerken, ilgili alanda lisans üstü eğitim için de yurt
dışına öğrenci gönderme ihtiyacını önemli ölçüde azalttı.
80
Ortak projeler
GÜ Fen Edebiyat Fakültesi Fizik
Bölümü Başkanı Prof. Dr.
Süleyman Özçelik, Türkiye’nin
bilim ve teknolojideki
önceliklerinde yarı iletken
teknolojisi ile nanoteknolojinin ilk
sıralarda yer aldığını söyledi.
Özçelik, laboratuvarın 2001
yılında sivil ve askeri amaçlar
içingeliştirilecek elektro-optik
cihazların temel malzemesi olan
yarı iletken malzemelerin
epitaksiyel olarak üretilmesi ve
bu alanda yetenekli
araştırmacıların yetiştirilmesi
amacıyla DPT desteğiyle
kurulduğunu belirtti.
Laboratuvarlarında yıllar
boyu oluşan birikimlerle çeşitli
algılamasistemlerinin
geliştirildiğini kaydeden Özçelik,
savunma sanayinin ihtiyaçlarına
yönelik Bilkent Üniversitesi
Nanoteknoloji Araştırma
Merkezi, ODTÜ ve ASELSAN
birlikteliği ile yürütülen
projelerde de yer aldıklarını
kaydetti.
81
Cep telefonlarından trafik lambalarına …..
Yarı iletken malzemelerin savunma sistemlerinden, cep
telefonuna, uydu sistemlerinden, bilgisayar teknolojisine kadar
pek çok uygulama alanı olduğuna dikkati çeken Özçelik, "Yarı
iletken teknolojisi bugün olduğu gibi geleceğin de en önemli
teknolojilerinden biri. Otomobillerin panel aydınlatmaları, cep
telefonlarındaki aydınlatma, trafik ışıkları gibi aydınlatma ve
işaretleme artık yarı iletken diyotlarla sağlanıyor" diye konuştu.
Yarı iletken algılama sistemlerinin yangınlarda gaz
analizinde, sağlıkta hızlı ve doğru sıcaklık ölçümlerinde, vücut
sıvısı analizlerinde ve çeşitli hastalıkların teşhisinde kullanıldığını
belirten Özçelik, "Teknoloji, askeri alanda da hedef belirleme
ve gece görüş sistemleri gibi pek çok yerde uygulama alanı
bulmaktadır" dedi.
Yarı iletken dedektör teknolojisinden sivil alanların yanı sıra
savunma, havacılık ve uzay teknolojisinin ve bağımsız
savunma sistemlerinin gelişmesine katkısının büyük olduğunu
anlatan Özçelik, Türkiye’de bu alanda yapılan sınırlı sayıdaki
araştırma ve üretim faaliyetlerinin artırılmasının yapılacak ve
desteklenecek Ar-Ge çalışmalarına bağlı olduğunu söyledi.
82
Hedef: Milli Teknoloji
Yarı iletken ileri araştırma laboratuvarlarında son teknoloji ile
üretilen malzemelerin son üç yıldır yapılan çalışmalar
neticesinde dedektör, lazer algılama ve görüntüleme
sistemlerinde kullanılır hale geldiğini ifade eden Özçelik,
"Laboratuvar, hem yarı iletken malzemeyi yüksek kalitede
üretebilecek hem de onun her türlü analizini yapabilecek alt
yapıya sahip. Bu yönüyle Türkiye’nin en bütünleşik
laboratuvarlarından biri.Türkiye, yarı iletken malzemeler
teknolojisinde kendine yeten bir ülke olma yolunda hızla
ilerliyor" diye konuştu.
Hazırladıkları yeni bir proje hakkında da bilgiler veren
Özçelik, şunları kaydetti: "Hedefimiz yarı iletken lazer ve
dedektör cihaz prototiplerinin geliştirilmesi. Bu tür projelerle
ilgili alanda milli teknolojimizin geliştirilmesine katkı
sağlanmakta, dışa bağımlılığımızı azaltabilecek adımlar
atılmakta ve bu alanda özgüven kazanılmasına katkı
sağlanabilmektedir."
83
Laboratuvar bütün araştırmacılara açık!!
İleri teknolojilerin sermayeden çok nitelikli insan gücü
gerektirdiğine dikkati çeken Özçelik, yarı iletken teknolojisinde
15 öğretim üyesinin rehberliğinde çok sayıda yüksek lisans ve
doktora öğrencisini yetiştirdiklerini anlattı. Özçelik, şunları
kaydetti: "Araştırmacı ve akademisyen yetiştirmenin yanı sıra
sektörlerin Ar-Ge birimlerinin de ihtiyaçlarını karşılamayı
amaçlamaktayız.Bu ve benzeri merkezler sayesinde yarı
iletken teknolojileri alanında lisansüstü öğrenci yetiştirmek
amacıyla yurt dışına öğrenci gönderme ihtiyacı da
azalacaktır.
Yarı iletken teknolojisi alanında kendisini yetiştirmek isteyen
üniversite mezunlarının genç fizikçi ve elektronik
mühendislerinin yüksek lisans ve doktoralarını birimimizde
yapmaları mümkündür.
Laboratuvar, yurt dışında bu alanda çalışan ancak yeterli
alt yapı
olmadığından Türkiye’ye dönemeyen bilim insanlarının da
çalışabileceği bir kapı olmuştur. Bu rolü ile bu teknolojik
merkez, beyin göçünü tersine çevirme yönünde katkı
sağlamaktadır."
Alt yapısı yeterli olmayan üniversitelerin bilim insanlarının da
laboratuvarlarından yararlandığını kaydeden Özçelik, bütün
araştırmacıları laboratuvardan yararlanmaya davet etti.
84
YARIİLETKENLER KONUSUNUN
İLKÖĞRETİM MÜFREDATINDAKİ YERİ
İlköğretimin ikinci kademesinde 8.sınıfta Yaşamımızdaki Elektrik
ünitesinde Yarıiletkenler konusuna yer verilmektedir.Bu konu
ile ilgili kazanımlar şöyledir:
1. İletken,yalıtkan ve yarıiletken maddenin ne demek olduğunu
bilir.
2. Yarıiletken teknolojisinin temelini Germanyum ve Silisyum
elementlerinin oluşturduğunu öğrenir.
3.Yarıiletkenlerin teknolojik gelişmedeki önemini anlar
4.Günümüzde yaygın olarak kullanılan aygıtların yapımında
yarıiletkenlerden yararlanıldığının farkına varır
85
Konuyla İlgili Sorular
• 1)Yarıiletkenleri elektronik teknolojisinde
bu kadar önemli yapan özellikleri
nelerdir?
• 2) N tipi malzeme nasıl elde edilir?
• 3)Transistör çeşitleri nelerdir?
86
Cevaplar
• 1)Aynı malzemeden hem iletken hem de yalıtkan özellik
gösteren malzeme elde etmek mümkün kılması. Ayrıca
yarıiletkenlere farklı katkı atomları ekleyerek istenirse yük
taşınımını elektronlarla veya deşiklerle (hole) iletmek
mümkün (iletkenlerde sadece elektronlarla
yapılmaktadır).Bunların sonucu olarak ta elektronik için
çok gerekli olan kontrol işlevli devre
elemanları(diyot,transistör vb) yapılabilmektedir.
• 2) N tipi malzeme için monokristal yapıdaki malzemeye
5A grubu elementler katılır.5A grubu elementlerin 5 tane
Valans elektronu vardır.4 elektron etraftaki silisyum veya
germenyum atomuyla bağ yapar.Fakat 5 elektron sanki
boştaymış gibi 5A grubu elementinin yörüngesinde kalır.Bu
sayede N tipi malzemenin içinde çok kolay şekilde serbest
hale geçebilecek elektronlar bulunur.Elektron
fazlalığından dolayı Negatif yüke sahip olduğundan N tipi
adı verilmiştir.Aşağıdaki şekilde 5A grubu elementi olan
Arseniğin Germenyuma katılmış hali gözükmektedir. N tipi
malzemelerde elektrik akımı fazla gözüken elektron ile
iletilir.
87
3)
Transistörler yapısal olarak iki kısımda incelenmektedir:
Bunlar:
1.NPN Tip Transistör
2.PNP Tip Transistörler
Transistörler işlevsel olarak 5 kısımda incelenmektedir.
Bunlar;
1.Nokta Temaslı Transistör
2.Yüzey Temaslı Transistör
3.Tek Eklemli Transistör
4.Alan Etkili Transistör
5.Foto transistörler
88
KAYNAKÇA
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
http://tr.wikipedia.org/wiki/Yar%C4%B1_iletken
http://eng.harran.edu.tr/~nbesli/SEG/02.YariIletkenler.pdf
http://w3.balikesir.edu.tr/~kahveci/dersler/te-04.pdf
http://www.silisyum.net/htm/yari_iletkenler/iletken_yalitka
n_ve_yari_iletkenler.htm
http://www.scribd.com/doc/45921926/YARI%C4%B0LETKENLER-VE-KULLANIM-ALANLARI
http://www.turkbilim.org/bilim-haberleri/turkiyenin-yenigozdesi-yari-iletken-teknoloji.html
http://www.izoelektronik.com/yari-iletkenler-1.htm
http://www.bilgiustam.com/diyot-nedir-nasil-calisir/
http://www.silisyum.net/htm/transistorler/transistorler.htm
http://www.guvenlikdanismanlik.com/gaz-alarm-algilama.htm
Fizikte Özel Konular-Mehmet Fatih TAŞARFen ve Teknoloji Öğretmen Kılavuz Kitabı 8. Sınıf
89