Transcript 分子の散乱
1.固体表面と気体分子
1.
表面における分子散乱
2.
適応係数
3.
付着確率と凝縮係数
4.
理想表面と実用表面
5.
吸着平衡
6.
昇温脱離スペクトル
(Lahaye, Thesis)
散乱のダイナミクス
flat panel
Hard cube model
hard sphere
combination
(Lahaye, Thesis)
Classical ball-spring model
Quantum mechanical calc.
表面における分子散乱
1 2
Ei mv vf (v)dv 2kT
2
マクロな量
方向分布
エネルギー分布
付着確率
温度T
分子散乱の方向分布測定
i 50
Ag(111)
先駆的な分子ー表面相互作用の理論
Lenard-Jones、Proc.Roy.Soc.
①
A150(1935)442. The activation of adsorbed atom to higher
vibrational levels.
② A150(1935)456. The evaporation of adsorbed atoms.
③ A156(1936)6, 29. The condensation and evaporation of atoms
and molecules.
④ A156(1936)37. The diffraction and reflection of molecular rays.
⑤ A158(1937)242. The behavior of adsorbed He at low
temperatures.
⑥ A158(1937)253. The diffraction of atoms by a surface
⑦ A158(1937)269. The exchange of energy between a gas and a
solid.
表面分子散乱の方向分布
1
f ( )d cos d
d sin dd
余弦則(拡散)反射
実用表面での室温の気体分子の散乱方向分布
鋼
研磨
アルミ
研磨
ガラス
(Hurlbut, 1957)
TS 220K , Tg 300K
dScos
dS
表面に入射する分子束は
入射角 の余弦に比例する、
表面に全て吸着した場合の
脱離する分子の方向分布?
吸着確率と脱離確率の方向分布?
Steinrueck:Surface Sci.154(1985)99.
吸着確率と脱離確率の方向分布が
一致しない場合、何が起きるか?
反射分子による力積
ランダム入射→圧力の1/2
1
p nmv 2
3
1
2
nmv
6
脱離分子が表面垂直方向に鋭い方向分布のある場合
1
1
2
nv mv nmv
4
4
Pd(111)表面でのCOの散乱
清浄で平坦な表面では
鏡面散乱に近づく傾向がある。
下地の原子の熱運動との
エネルギー交換が、葉形パター
ンを決定する。
古典的モデルが有効。
軽い分子(H2,He,Ne)では、
量子効果が現れる。
h
de Broglie wavelength
mv
π
λh
8m kT
de Broglie 波長
h
mv
h
1
2.73
(nm)
8kTm
M rT
π
モル分子質量
wavelength (nm)
T
(K)
H2
He
Ne
Ar
1
1.9
1.4
0.6
0.4
10
0.6
0.43
0.19
0.14
100
0.2
0.14
0.06
0.04
300
0.1
0.08
0.04
0.02
Hard cube model
古典的散乱
cf
ci
定速
cc
i
Mg
Ms
Ei
2kTs
lobular pattern
Ar/Pt
T=1173K
i=40°
Ts:表面温度
Tg:分子温度
Logan:J.Chem.Phys. 44,195(1966)
Hard Cube Model
入射分子の表面垂直方向の速度分布
2
M g ci
2ci M g
dci
F0 (ci )dci
exp
4
2
2kT cos
cos i 2kTg
g
i
3
3 2πkTg
ci
cosci
4 Mg
c
kTs
M s ci
表面原子の表面垂直方向の速度分布
M s cc 2
Ms
dcc
G0 (cc )dcc 2
exp
2πkTs
2kTs
上方移動との衝突確率
下方移動との衝突確率
ci cc
ci cc
cc
kTs
M s ci
Hard Cube
<1/3
1
2
ci
cc
cf
1
1
1
16
i cot coti
2
1
9
π(
1
)
cos
i
1
TS
T
g
Ar分子線による測定値
Ar分子線による測定値との比較
Slab modelとの比較(Lahaye)
Ar/Pt(111)
Vtot ( R) Vrep ( R ri ) Vatt ( z )
i
Vrep (ri ) Aeri
Vatt ( z )
C
z z0 6 C / Vmin 2
A, , C, Vmin , z0 HFS
Ef mg Nms cos
Ei mg Nms cos2
2
N 2 : bridge site
N 3 : 3fold hollowsite
2
Lahaye
atop without attractive interaction
center
bridge
atop
implantation
trapping
Potential Energy Surface(PES)
を用いた分子動力学シミュレーション (Lahaye)
表面と気体分子:PES
基盤原子間:調和近似
距離:Å
エネルギー:eV
Ar/Ag(111) i=40°
実験>計算
Ar-Ag(111) multiple collision
i 40
Ar/Ag(111) in-plane scattering
付着確率と凝縮係数
付着確率:sticking probability
表面の吸着位置(化学吸着)に
捕捉される確率
凝縮係数:condensation coefficient
表面で物理吸着する確率
多層膜に吸着する過程を含む
凝縮係数
(超高真空の物理)
付着確率
Kisliukモデル
Pre-cursor mediated adsorption
化学吸着サイト非占有に入射
n=1 n=2
Pa Pb Pc 1
Pa 物理吸着
Pc
化学吸着
化学吸着サイト占有に入射
Pa 0, Pb Pc 1
'
Pb
物理吸着
物理吸着
'
n=1について
真空
n=1:非解離
n=2:解離
'
1回目
Pa1 Pa (1 )
Pb1 (1 ) Pb Pb '
Pc1 1 Pa1 Pb1
物理吸着
θ:化学吸着サイト被覆率
1 Pa Pb ( Pa Pb Pb ' )
無限回
The sticking probability of gases chemisorbed on the surfaces of solids 2,
P.Kisliuk: J.Chem.Solids 5(1958)78.
2回目
Pa 2 Pc1 (1 ) Pa
Pb 2 Pc1(1 ) Pb Pb '
Pc 2 Pc1 (1 Pa 2 Pb 2 )
Pc1 1 Pa Pb ( Pa Pb Pb ' ) Pc1
付着確率:S
S Pai Pa (1 ) 1 Pc1 P P
i 1
2
c1
3
c1
Pa (1 )
(1 ) Pa
1 Pc1
Pa Pb ( Pa Pb Pb ' )
初期付着確率
Pa
S0
Pa Pb
2
Kisliuk2
1
S
S 0 Pb '
1
1
K
S 0 1 Pa
1
K
S/S0
S
1
Pb '
Pa Pb
S0=0.84
exp
Kisliuk
: CO/Pt(111)
K=0.3
熱的適応係数:thermal accommodation coefficient
T f Tg
散乱角
Ts Tg
古典的な二体間衝突では、
E 4 cos2
E0
(1 ) 2
E
2
E0 (1 ) 2
表面の場合には、
周りの原子の影響
を考慮し、
ψ
ms
静止
散乱角について積分
mg
ms
気体分子
表面原子
mg
E E f E g : energytransfer
(Bauleの式)
2 .4
2
(1 )
G.Comsa & R.David: Dynamical parameters of desorbing molecules,
Surface Science Reports 5(1985)145.
熱的適応係数(thermal accommodation coefficient)の
格子理論
F.O.Goodman:Surface Science 3(1965)386.
•古典的バネー格子モデル(半無限格子)
•二体間Morseポテンシャル
•断熱近似(表面温度0K)
n (M ; N , ) : dynamicresponsefunction
原子Mが、時刻0に単位速度で運動し始めた
とき、τ時間後の原子Nの変位
1D
3D
maxt
max : maximummodal frequency
補足
熱的適応係数の格子理論
F.O.Goodman: Progress in Surface Science 5, 261(1974).
: J. Phys. Chem.Solids 23, 1269(1962).
1.無限格子から、半無限格子をつくる
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
表面
自由表面:
x(0) x(1)
無限格子では、
t=0に原子Mが変位→
時刻tの原子Nの変位
y( M : N , t )
y(M : N , t ) y(M L : N L, t )
y(M : N , t ) y(M : N 2( N M ), t )
2つの格子原子の変位の和
x(M :, N , t ) y(M : N , t ) y(M (2M 1) : N , t )
x(M :, N , t ) y(M : N , t ) y(M : N (2M 1),t )
x(M : 0, t ) x(M : 1, t )
表面原子:M=0
自由表面!
x(0 : 0, t ) y(0 : 0, t ) y(0 : 1, t )
X 1 ( ) 2 J 0 (t )dt 2 J1 ( )
0
表面原子変位の応答関数
2t
m
20t
表面への原子衝突
原子間相互作用:剛体球ポテンシャル
:衝突
Mg
m
2
熱的適応係数
E
Ei
トラップ状態
Baule の式
minimum
入射エネルギー
適応係数の経験式
TC 2.4
(T ) 1 exp
2
T
(
1
)
b a k BT TC
tanh
exp
D mg T
Goodman &Wachman: J.Chem.Phys. 46(1967)2376.
He/H/W
排気後
水素導入(ステップ状)
清浄化後
Wachman:PhD thesis (Univ.Missouri, 1957)
2.分子と固体表面の相互作用
分子の2体間相互作用
dE
F (r )
dr
r
E Edis Eind Ees Eval
dispersion
アルゴン原子間相互作用
valence
electrostatic
induced
水素原子間相互作用
分子の電気双極子・四極子モーメント
z
+ +q
d
ー -q
r
1 z
(r , z )
dq
3
4πε0 r
双極子モーメント
D:デバイ
d=0.1nm q=1.6 x 10-19 c
(4.8x10-10 esu)
4.8D
1D 1018 esu cm
四極子モーメントの例
N2分子
表面における理論Ⅱ(丸善、1995)、p4.
分子の双極子・四極子モーメント
Kr/Cu(111)
分散力
木原太郎、分子間力(岩波全書)
W2 ( r )
12
r6
3
12 1 (i ) 2 (i )d
π 0
1 (), 2 () : 分極率
2
レナード・ジョーンズ ポテンシャル
(Lennard-Jones)
斥力項
ε
12
r0 12 r0 6
E (r ) 4
r r
rm 21/ 6 r0 1.12r0
r
4 0
r
r0
ε
2
0
rm
引力項
r
4 0
r
r0
6
Lenard-Jones Potential
rm 21/ 6 r0 1.12r0
r0 12 r0 6
E (r ) 4
r
r
分子と表面の相互作用
r0 12 r0 6 2
dE N 4 r sin drdd
r r
固体全体との二体間相互作用
9
3
1 r0
3 1 r0
E 4Nr0
45 r 6 r
表面1層のみとの二体間相互作用
10
4
1 r0
2 1 r0
E (r ) 4N A r0
6 r 3 r
2原子分子の解離エネルギー
物理吸着と化学吸着
物理吸着(Physical adsorption): physisorption
化学吸着(Chemical adsorption): chemisorption
結合エネルギー
表面選択性
多層吸着
解離
相互作用
大
大
なし(単層のみ)
あり(場合による)
化学結合力
小
小
あり,凝縮
なし
分散力
物理吸着の吸着ポテンシャル
He
Zaremba-Kohn: Phys.Rev. B15, 1769(1977).
希ガス分子の吸着位置
fccサイト
オントップサイト
Z (A)
Z ( A)
Z ( A)
Da Silva: Phys.Rev.B72(2005)075424.
化学吸着(酸素分子の解離吸着の模式図)
切断
結合
解離エネルギー
吸着の活性化エネルギー
吸着エネルギー(物理吸着)
物理吸着状態
吸着エネルギー(化学吸着)
化学吸着状態
脱離の活性化エネルギー
Surfaces (Oxford Chemistry Primers, 1998)
back donation
フェルミレベル近傍の
d電子状態密度
化学吸着特性
back donation
表面物理学(村田好正)
シリコン表面での酸素の解離(JRCAT、寺倉清之)
吸着平衡のkinetics
Temperature
Pressure
Adsorption
Desorption
Coverage
Impingement Rate:
1
ν nv
4
Desorption Rate
:coverage
:mean sojourn time
脱離速度と平均滞在時間
吸着分子の脱離速度は、吸着分子密度σに比例し、次のようにあらわすことがで
きる。
被覆率:
脱離速度:
m
m :単分子層吸着分子密度
d
n
kd
dt
n
Ed
0 exp
RT
:平均滞在時間(mean residence time
mean sojourn time)
Ed:脱離の活性化エネルギー
n : 脱離の次数
非解離:n=1、解離:n=2
反応速度論モデル
q
Ed
exp
qad
kT
1
遷移状態の分配関数
E
1
kT
q q
q
1 exp(h / kT )
h
遷移状態
h
qk
T
q
ad
z
表面垂直 振動モード
q qad
s 1
Ed 1
Ed
kT
exp
exp
h kT 0
kT
1
h kT
h
13
0
10 (s)
kT
6.6 1034
4.8 1011
23
1.3810 T
T
分配関数
Physisorption Kinetics (Springer、1986)
運動
自由度
数値例
分配関数
(2πm kT)3 / 2V
h3
並進
3
回転
(線形)
2
回転
(非線形)
8π 2 IkT
qr
h2
3
8π (8π ABC) (kT )
qr
h3
振動
1
qtr
3
1030-1033V
10-102
2
2
3
1/ 2
3/ 2
102-103
3
1
qv
1 exp(h / kT )
1-10
I,A,B,C:慣性モーメント
脱離の活性化エネルギー
(真空の物理と応用、1970)
吸着系
τ0 (s)
Ed(KJ/mol)
Ar/ガラス
9.1×10-12
10.2
Kr/Ni
8×10-14
18.1
H2/Ni
2.2×10-12
48.3
O/W
2.0×10-16
680
DPオイル/ガラス
4.5×10-15
94
(kJ/mole)
吸着平衡と吸着式(温度、圧力、吸着密度)
吸着等温線
温度一定での圧力と吸着密度の関係
※吸着等量線、吸着等圧線
• Henry則(非局在吸着)
m
p
被覆率
• Langmuirの式 局在吸着、
吸着サイト
p / p0
1 p / p0
Langmuirの吸着等温式
M個の吸着サイトにN個の分子が吸着している。
M個のサイトにN個の分子を配置する場合の数 W(M,N)
M!
( M N )!N !
局在吸着モデルの分配関数は、
M!
q0 (T )N
Q
( M N )!N!
ゼロ点振動準位から
のエネルギー
q0 qvib exp( / kBT )
F kT ln Q
kT M ln M N ln N ( M N ) ln(M N ) N ln q0
吸着分子の化学ポテンシャル
ln F
ad kT ln
kT
N M ,T
(1 )q0 (T )
Reference
F.C.Tompkins:Chemisorption of Gases on Metals (Academic Press, 1978), p.134.
吸着分子の化学ポテンシャル
ad kT ln
(1 )q0 (T )
気相単原子分子の化学ポテンシャル
※
h3 P
g kT ln
3
kT 2mkT 2 qg (T )
ad g
Langmuir吸着式
p
p0 1
p
g k BT ln
p0
qg (T ) : ガス分子の内部自由度の分配関数
q0 (T ) 1 の場合
3
(2m kT) 2
p0 kT
q
(
T
)
g
3
h
※ 例えば、ランダウ統計物理学 p.163
Langmuir 吸着等温式
p
p0 (1 )
p0
0
p
1
p
p0
p
1
p0
解離吸着の場合
'
A ' kT ln
(1 ' )qA '
g 2A '
'
p
qA '
p0
1
p
p0
分子間相互作用(平均場近似)
W.L.Bragg and E.J.Williams, Proc.Roy.Soc. A145(699)1934.
p
Z
exp
p0 (1 )qad
kT
Z:最近接吸着サイトの数
ω:吸着分子間相互作用
運動学的な吸着式の導出
1
気相からの供給:
nv s0 (1 )
4
表面からの脱離速度:
p nkT
付着確率
m
m
0 exp(Ed / kT )
1 s0 (1 ) p 8kT
m
4
kT
πm 0 exp(Ed / kT )
Kp
1 Kp
解離吸着では,
Kp
1
2
1 Kp
1
2
Kisliukモデルによる吸着平衡式の導出
Kisliukモデルによる付着確率の被覆率依存性
1
S S0 1
K S0
1 K
1
1
運動学モデル
1 Sp 8kT
m
4 kT πm 0expEd / kT
1 S0 8kT
0expEd / kT K
4 m kT πm
1 1 K
P
1 K
1 K 2 1 K p K p 0
K 1
p 1
1 K p 1 K p
*
*
2
21 K
41 K K * p
答
1 K p 1 K p
*
*
2
21 K
41 K K * p
マクロな表面での吸着分子密度
d 1
nv s
dt
4
平衡状態では
1
nv ( s )
4
sの寄与とτの寄与を分離することができない。
分子線実験