Transcript (四擇一) Wet clean process - DIW tank clean efficiency improve

6/20 期末考方式
 題目: (四擇一)
1.
Wet clean process - DIW tank clean efficiency improve
- 如何以流場或機械力方式提升洗淨能力
2. Dry etch process - 如何避免 wafer or parts arcing
- 如何降低天線效應或減少 parts 曝露在 plasma 中
3. 提出能夠 real time 監控 chamber 內 微粒 (particle) 的方式
- 要有原理 / 量測方法
4.
Lithography process - 如何減少地震對 scanner 的 impact
- 如何以機構設計來減少共振
 分組方式 :

以 PPT格式撰寫, ,頁數至少10頁, 首頁要有分工說明
6/18 前mail 給助教, 當日需展示投影片
 當日以抽籤方式安排 6 組上台報告, 每組15min (自願者全組加5分)
 課後依紙本報告評分

 提示:

1
© 2012 TSMC, Ltd
請以量化或建立Model 型式(以何理論依據) 探討, 不要只以定性描述
Wet Clean
DIW tank clean efficiency improve
2
© 2012 TSMC, Ltd
Dry etcher
Wafer / parts arcing prevention
3
© 2012 TSMC, Ltd
Sample
Real time particle monitor method
4
© 2012 TSMC, Ltd