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電子學(含實習)奪分寶典Ⅱ
第八章
場效電晶體之特性
P8-3 表8-1
BJT電晶體與FET電晶體的比較表
特性
電晶體
BJT
FET
1
輸入阻抗
約2kΩ
100M Ω以上
2
障壁電壓
矽：0.7V 鍺：0.2V
無
3
製作密度
低
高
4
工作載子
雙載子
單載子
5
熱穩定度
差
佳
6
頻率響應
較佳
較差
7
增益頻寬積(GBP) 較大
較小
8
交換速度
快
慢
9
雜訊排除能力
差
佳
10
抵補電壓
有
無
11
應用
可作為開關、放大器 可作為電阻、開關、放大器
P8-3 表8-2
JFET
N 通道
P 通道
通道載子
電子
電洞
閘極
P 型
N 型
閘極偏壓方式
(VGS )
VGS＜ 0 (負電壓(逆向
VGS＞ 0 (正電壓(逆向偏壓) )
汲極偏壓方式
(VDS )
VDS＞ 0
符號
偏壓) )
VDS ＜ 0
P8-4 表8-3
MOSFET
N 通道
判別名稱
空乏型
P 通道
增強型
空乏型
增強型
符號
通道載子
電子
電洞
有預設通道
(N 型)
無預設通道
有預設通道
(P型)
無預設通道
閘極偏壓
方式(VGS )
可正可負
必為正
可正可負
必為負
汲極偏壓
方式(VDS )
VDS＞ 0
VDS＞ 0
VDS ＜ 0
VDS ＜ 0
P8-5 表8-4
BJT 及 FET 之比較
BJT
FET
傳導載子
電子及電洞(雙載子) 電子或電洞(單載子)
控制方式
電流控制 IC＝βIB
以IB 控制IC
電壓控制
ID＝ IDSS ×
以 VGS 控制 ID
傳導電流
形成方式
擴散電流
漂移電流
P8-5 表8-5
JFET(Junction(接面型)FET)的構造與符號
接腳名稱
源極( S )
功用
提供通道載子來源的接腳。
汲極(D)
汲取通道載子的接腳。
閘極(G)
在通道的兩側，藉由接面空乏區寬度的變
化，控制通道內載子流量的接腳。
P8-6 圖8-1
JFET的構造與符號 : N通道
(a)結構圖
(b)符號
P8-6 圖8-2
JFET的構造與符號 : P通道
(a)結構圖
(b)符號
P8-7 圖8-3 ~8-8
P8-8 圖8-9
壓控電阻(VVR)
P8-9 圖8-10
P8-9 表8-7
表8-8
元件
控制方式
完成信號放大區域
FET
電壓控制(VGS 控制 ID )
飽和區
BJT
電流控制(IB 控制 IC )
主動區
通道
導通條件
N 通道
0>VGS > VP (∵VGS <0)
P 通道
0<VGS < VP (∵VGS >0)
P8-10
條件
現象
源極被夾止
ID＝ 0
條件
通道內無電流
JFET 工作在截止區
現象
汲極夾止而源極並未夾止
ID＝固定值
JFET 工作在飽和區
P8-10 圖8-11、8-12
JFET 的 N 通道特性曲線與轉移特性曲線
P8-11 圖8-13、8-14
JFET 的 P 通道工作原理與特性曲線
P8-11 表8-9
JFET 在VGS＝ 0 時，有三項固定參數
參數英文名稱
IDSS
參數中文名稱
定義
汲-源極飽和電 汲極通道夾止時的
流
最大定值電流
VP
夾止電壓
或稱 VGS(OFF)
BVDSS
崩潰電壓
備註
所謂參數，即
指JFET製造後，
便已決定之數
使ID＝ 0 的VGS 電壓 據，不能再由
使用者設定或
改變之。
造成閘極接面產生
崩潰現象的電壓