Transcript 固相法
Che5700 陶瓷粉末處理 有幾種可能性途徑: 固固反應; 氣固反應; 固相分解反應 等 特色: 不容易混合均勻 (compared to liquid, gas phases) 反應速率較慢, 不需要高溫/長時間 反應速率隨時間遞減, 經常剩下些許未反應核心core 固固反應時, 可能生成不想要的中間相 反應完畢後, 經常需要研磨以得到微細粉末 研磨過程則容易引進雜質 製程步驟不多, 所以成本未必高 Che5700 陶瓷粉末處理 SiC粉體製備 • 不同的方法經常互相競爭; (1) Acheson process: SiO2 砂 + C (coke) 電弧爐中加熱反 應 (> 2000oC) 粗晶粒的SiC 研磨, 純化; 主流方法, 不純物包括未反應之Si, Fe, O等; 副反應 SiO2 + C SiO + CO (此反應在低溫區會逆轉回去, fine dust) (2) 氣相法: SiH4, SiCl4, chlorosilane為原料 + CH4 (or C2H4) 加熱進行氣相反應 (even by plasma, or laser) 收集 成品, 雜質由原料帶入, 以及未完全反應造成 • 純度佳者為淺綠色 (> 99.8%); 其次深綠 (~99.5%), 黑 色 (~99%), 灰色 (~90%) • 原料之一 petroleum coke 成本不可忽略 •一些SiC商業製程的比較; 其中也許牽涉到專利問題 •可以用HF溶去未反應之SiO2 Che5700 陶瓷粉末處理 Si3N4粉末製備 (1) 直接氮化: Si粉 研磨 + 催化劑及黏著劑 捏和 成形乾燥 高溫氮化反應 研磨篩分純化 除去未反應之物 得到產品 (氮化反應為放熱, 可 能造成溫度過高, 甚至於Si粉末熔化) (2) 氣相反應法: SiCl4 + NH3 先得到Si(NH)2 + NH4Cl 煆燒燒除NH4Cl, HCl 得到先導體粉末Si(NH)2 1000oC煆燒先得到amorphous Si2N3H (remove NH3) 繼續升溫1400-1500oC得到結晶態Si3N4 (3) 液相反應法: 與前述氣相法相近, 但反應物使用液態 的NH3 過濾清洗得到silicon imide Si(NH)2 煆 燒得到產物 Che5700 陶瓷粉末處理 Si3N4粉末製備(2) • SiCl4 (g) + NH3 (g) Si(NH)2 + NH4Cl (s) H = -161.5 Kcal/mol …. 放熱反應, 需要控制溫度 (4) SiO2 + C powder 研磨混合 氮氣氛(may have some hydrogen to minimize oxidation)下加 熱反應 粉碎篩分 純化 得到產品 Mostly heterogeneous reactions; 少許 homogeneous reactions 取自陶 業雜誌 氣態 SiCl4 與 液態NH3 反應製 程 •一些Si3N4的商業製備方法, 及產品特性比較 •產品可以是 , , or amorphous form; 其中beta form最 穩定, 但燒结困難些, 所以避免產生之 如此多不同的原料, 所得到粉末的特性(含價格)自然也有 所不同 成本的比較; 表中數字會因時因地而異 取自Am. Cer. Bull. 70(1), 1991. Che5700 陶瓷粉末處理 AlN Powder Synthesis 氣相法: AlCl3 + 4 NH3 AlN + 3 NH4Cl; 900-1500oK, >5 hr …成本高產率小 有機金屬前驅物法: R3Al(l) + NH3 R3AlNH3 in sequence to get AlN + 3 RH; 400-1000oK (同上, 可能積碳) 氧化鋁加碳粉還原法: Al2O3 + N2 + 3C 2 AlN + 3 CO; 1500-2200oK, >5hr; 有工業應用 金屬鋁直接氮化法: 2 Al + N2 2 AlN; 1000-1500oK, >5hr, 有工業應用 燃燒法: 比較新, 有些潛力 彼此競爭態勢明顯 Che5700 陶瓷粉末處理 反應的重要參數 一如氮化矽製程所顯現, 固相法合成粉末中幾 個重要的條件, 包括: 原料(粉末)的純度, 粒徑, 表面狀況等 原料彼此間的混合程度 (需要擴散的距離) Any carrier (solvent, or carrier gas)? 其純度 及效應 反應溫度, 時間 催化劑存在否? (有時候某些雜質可能成為催 化劑) 反應路徑 (機制), 是否生成中間相? Shrinking core & shrinking sphere models Examples of Shrinking Core Reactions FeO + H2 Fe + H2O CaCO3 + heat CaO + CO2 Che5700 陶瓷粉末處理 熱力學與動力學 可以表現出該反應是否為spontaneous reaction; G 為負值, 則反應應為spontaneous, 除非受限 於動力學or質傳效應 (most likely). 反應大致分為: decomposition, oxidation, reduction等; 也許是多重反應 影響熱力學的項目: 氣相部分: 分壓, 總壓, 水氣, or even CO2; Grxn Go RT ln K Che5700 陶瓷粉末處理 固體擴散 理論上氣固反應的動力學速率控制步驟可能包括以下 幾個: (a) 表面反應; (b) 粒子週邊的質傳; (c) 產物層 內的擴散; (d) 粒子週邊的熱傳; (e) 產物層的熱傳. 其中最常見者都以固相質傳為主要的速率控制步驟. • 當然也可能在不同 溫度下, 由不同的 機制控制 取自TA Ring, 1996, 不同溫度時, 控制機制不同 Che5700 陶瓷粉末處理 Shrinking Sphere Model 當產品會flakes off the original particle時, 就成為 shrinking sphere model, 例如CaCO3分解反應 所以本模式包括以下幾個步驟: (a) mass transfer of A to particle; (b) surface reaction; (c) mass transfer of product away from particle; (d) heat transfer 另一類模式: nucleation and growth model – e.g. 7 C + 2 B2O3(l) B4C (s) + 6 CO (g) ; 其中B4C的結晶與成 長為動力學主要內容; Avrami kinetics: ln( 1 – XB) = - (k t)m (general form); Che5700 陶瓷粉末處理 Solid-Solid Reactions 屬於主要的類別, 許多合成反應都屬於此類, e.g. NiO + Al2O3 NiAl2O4 ZnO + Al2O3 ZnAl2O4 BaCO3 + TiO2 BaTiO3 + CO2 (g) 4 B + C B4C SiO2 + C SiC + CO2 carbothermal reaction 除了固固相間的擴散外, 在足夠高溫下, 也會出現氣相間 的反應機制, e.g. SiO2 + C SiO (g) + CO; SiO + 2C SiC + CO (前者反應在超過1900oK時自由能小於零) 氧氣的分壓, 往往是形成氧化物與碳化物之間的競爭關 鍵 CO + ½ O2 CO2 K = PCO2/[PCO x PO2] Solid-Solid Inter-diffusion Diffusion flux 與物種濃度Ci, ion mobility Bi 以及 electrochemical potential gradient 成正比, 所以影響 固相擴散的因素就是影響上述諸項目的因素 = chemical potential; = electrical potential; Z = valence of species; F = Faraday constant; d i J i Ci Bi dx [1 ( Z 1) X B ] 2/3 i i Zi F ( Z 1)(1 X B ) 2/3 2K Z (1 Z ) 2 t R Carter eq. For solid reaction kinetics •取自TA Ring, 1996; •幾種不同的擴散機制 •Charge balance應該維持, 如果形成space charge就會 有電場形成, 會影響離子的運 動 (in opposite direction); •所以有diffusion couple; 通 常當然由擴散較慢的物種控 制速率 雜質(Fe)的效應: form為whisker; T 反應機制的示意圖: nucleation of Si3N4 on Si growth + CVD Si3N4 (whisker form) 可能阻隔Si與N2反應