场效应管的识别与检测

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场效应管的识别与检测
场效应管的识别与检测
 场效应管是电压控制型半导体器件。特点:
输入电阻高(107~109欧)、噪声小、功耗
低、无二次击穿,特别适用于高灵敏度和低
噪声的电路。
场效应管外形图
场效应管的类型、结构、原理
 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
N沟道
JFET
结型
(耗尽型)
P沟道
FET
场效应管
N沟道
增强型
P沟道
MOSFET
绝缘栅型
N沟道
耗尽型
P沟道
场效应管的类型、结构、原理

(一)结型场效应管
(JFET)
结型场效应管的结构和
工作原理
 (1)场效应管的三个
极:栅极(G)、源极
(S)、漏极(D)
【闸门、水库、出水口】

结型场效应管(JFET)
 (2)N型沟道源极提供电子,电流从漏极→
源极;

P型沟道源极提供空穴,电流从源极→漏
极;
 (3)N沟道结型场效应管源极与漏极以N型
半导体沟道连接,栅极则是P型半导体,分别
由接点接到外围电路。
结型场效应管(JFET)
(4)场效应管工作时对偏置电压要求如下:
 ◆ 栅-源加负电压(UGS<0),栅-源间的PN结
反偏,栅极电流(IG≈0),场效应管呈现很高的输
入电阻。
 ◆ 漏- 源极间加正电压(UDS>0),使N沟道中的
多数载流子在电场作用下,由源极向漏极漂移,形
成漏极电流(iD)。
 ◆ 漏极电流(iD)主要受栅-源电压(UGS)控制,
同时,也受漏——源电压(UDS)的影响。
结型场效应管(JFET)
工作过程分析:先假定UDS=0。
 当UGS=0沟道较宽,电阻较小;
 当UGS<0,随着值的增加,在这个反偏电压作用
 下,两个PN结耗尽层加宽,沟道将变窄,沟道电阻
加大。

当UGS值大到一定值,耗尽层在夹道中合拢,
 -源电阻无穷大,iD=0,此时的UGS称为夹断电
 压,用UP表示。
 上述分析表明:改变UGS的大小,可以有效控制沟
 道电阻的大小;同时加上UDS,漏极电流iD将受UGS
 控制, UGS值增加,沟道电阻增大, iD减小;

结型场效应管(JFET)
 UDS对iD的影响。假定UGS不变。
当UDS增加时,导电沟道呈稧形,沟道宽
度不均匀,在预夹断前, iD随UDS的增加几乎
呈线性地增加。

当UDS增加到UDS= UGS- UP,即UGD=
UGS- UDS= UP(夹断电压),沟道预夹断,
漏极附近的耗尽层在A点处合拢,此时,与完
全夹断不同, iD≠0,但此后, UDS再增加,
iD变化不大。

结型场效应管(JFET)
 ①结型场效应管的栅极与沟道之间的PN结是
反向偏置的,所以,栅极电流iG≈0,输入电
阻很高;
 ②漏极电流受栅-源电压UGS控制,所以,场
效应管是电压控制电流器件;
 ③预夹断前,即UDS较小时, iD与 UDS基本呈
线性关系;预夹断后, iD趋于饱和。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
Ô´¼« s
二、绝缘栅型场效应管
(MOSFET)
 (一)N沟道增强型
MOS管结构
 四个电极:漏极D,源
极S, 栅极G和衬底B。

d
-
-
Õ¤¼«g
-
N+
N+
P³Äµ×
-
³Äµ× b
g
-
s
b
©¼« d
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
 (二)工作原理
 当UGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的
二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电
流,即管子截止。
 当UGS>0V时→纵向电场,增加UGS→纵向电
场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成
导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以
形成漏极电流I D。
绝缘栅型场效应管(MOSFET)
 N沟道增强型MOS管的基本特性:
 UGS<UT,管子截止;
 UGS>UT,管子导通。
越大,沟道越宽,在相同的漏源电压UDS
作用下,漏极电流ID越大。
 UGS
场效应管的主要参数
 三、场效应管的主要参数
 (1)开启电压VT
(MOSFET)

通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流
ID 时对应的栅-源电压称为开启电压,用
 VGS(th) 或VT 。

开启电压VT是MOS增强型管的参数。当栅
-源电压VGS小于开启电压的绝对值时,场效
应管不能导通。
场效应管的主要参数
 (2)夹断电压VP
(JFET)

当VDS 为某一固定值(如10V),使 iD 等
于某一微小电流(如50mA)时,栅-源极间
加的电压即为夹断电压。当VGS=VP 时,漏
极电流为零。
 (3)饱和漏极电流IDSS(JFET)

饱和漏极电流IDSS 是在VGS=0的条件下,
场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS 是
结型场效应管所能输出的最大电流。
场效应管的主要参数
(4)直流输入电阻RGS

漏-源短路,栅-源加电压时,栅-源极之间的
直流电阻。

结型: RGS >107 Ω;MOS管: RGS >109 ~
1015 Ω;
 (5)跨导gm:漏极电流的微变量与栅-源电压微
变量之比,即gm=△ID/△ VGS。它是衡量场效应管
栅-源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相
当于三极管的hFE。
 (6)最大漏极功耗PD
 PD=UDS*ID,相当于三极管的PCM。

作业:
 1、场效应管有何应用?场效应管主要有哪些
性能参数?
 2、如何用万用表判定场效应管的好坏和极性?
 3、能否用万用表来测量MOS场效应管的好
坏和极性?