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磁場的性質:
磁鐵依其磁性的來源可分永久磁鐵與電磁鐵。
永久磁鐵:不需要通電,材料本身就具有磁性。
電磁鐵:通電才具有磁性,電流消失,磁性也跟著消失。
磁鐵兩端的磁性最強,稱為磁極。其中一端稱為 N 極,另一端稱為 S 極。磁鐵
的磁極必然成對出現,一端為 N,另一端必為 S。磁性具有同性相吸,異性相斥
的作用。
地球本身就是一個大磁鐵,地磁的 S 極位於地球北極,而地磁的 N 極位於地球
南極,因此指南針的 N 極被地磁 S 極吸引指向北方,而指南針的 S 極被地磁 N
極吸引指向南方。
馬蹄形永久磁鐵
條形永久磁鐵
電磁鐵
通常用磁力線來描述磁場,磁力線是一種假想的虛構曲線,可用來形容磁場的存在,
以及它的大小及方向等,其性質如下:
1. 磁力線為法拉第首創,用來描繪磁場情形的一種假想的虛構曲線。
2. 磁力線從 N 極出發,由 S 極進入,在磁鐵內部則由 S 極回到 N 極,構成一個
封閉路徑。
3. 磁極必然成對存在。
4. 磁力線永不相交,即經過磁場中任一點,只舒一根磁力線。
5. 磁力線離開或進入物體,均與物體表面垂直。
6. 磁力線的密度與磁場大小成正比。
7. 磁力線上任一點切線的方向,即為磁場的方向。
8. 磁力線間有互相排斥的特性。
***本章所討論的磁場均集中在導線通電後所產生的磁場,亦即電磁感應。
安培右手定則:
電荷流動就會產生磁場。若右手大姆
指指向電流的方向,則其餘 4 指所指
的方向即為磁場的方向。若右手4 指
指向電流的方向,則大姆指所指的方
向即為磁場的方向。
磁場強度(Magnetic field intensity):
通常以 H 來代表磁場強度,單位為 A/m (安培/米)。安培定律說明了磁場強度 (H)
與電流 (I) 的關係。
安培定律:
沿著一個封閉的路徑對磁場強度作積分,積分的結果等於此封閉路徑內所流過的
總電流。
 H  dl   i
安培右手定則:
右手大姆指指向電流的方向,則其餘 4 指所指的方向
即為磁場積分的方向。
若封閉的路徑上磁場強度都相同,則安培定律可簡化成
H  l  i
磁通量(magnetic flux):
在磁場強度為 H 的空間中,物質會感應出磁力線,甚至真空中也會有磁力線產生。
磁力線的數目(總量)稱為磁通量,以 f 來表示,單位為 Wb (韋伯) 。磁力線是將無
形或抽象的現象具體化的描述方法,我們可以想像將 1Wb 定義,相當於 1 × 108 條
磁力線。
磁通量密度(magnetic flux density):
空間中某點磁力的大小通常與磁力線的密度有關,而非磁通的總量。磁力線的密度
通常稱為磁通量密度,定義為單位面積所通過的磁通量,以 B 來表示磁通量密度,
單位為 Wb/m2,或 T,兩者代表相同的涵義。
B
f
A
磁通量密度另一種常用的單位為高斯 (Gauss),1Wb/m2 = 104 Gauss
物質的導磁係數:
如前所述,在磁場強度為 H 的空間中,物質會感應出磁力線,所感應出的磁通量
密度除了與磁場強度 H 有關外,也與物質本身的材料種類有關。物質的導磁能力
用導磁係數來描述,導磁係數以 m 來表示。
B=mH
m 的單位為 Wb/Am
以上公式說明了物質的導磁係數 m 愈大,或磁場強度 H 愈強,所產生的磁通量密
度 B 愈 大。
物質的相對導磁係數:
在真空中也可以導磁,若其導磁係數為 m0,而通常物質的導磁係數 m 是真空導
磁係數 m0 的數百倍至數萬倍,此倍數稱之為相對導磁係數 mr。因此
m
若 mr = 1000,表示此物質的導磁能力是真空中的 1000 倍。
mr 
m0
m0 = 4p × 10-7 Wb/Am
飽合與磁滯:
線圈通電流產生磁場,磁場強度為 H。材料感應出磁
力線,磁通量密度為 B。當磁場還小的時候,兩者成
正比,磁場強度愈大,磁通密度愈大。當磁場加強到
某一程度,磁通密度會達到飽合,此時,即使再加強
磁場強度也無法再使磁通量密度增加了,此現象稱為
飽合。若將電流降低至零,磁場強度降為零,可是材
料仍然有殘留的磁力線與磁性,此現象稱為磁滯。
電荷流動在磁場中受力:
將一導線置於磁場中並通以電流,則此導線會受力。此導線其中微小的一段所
受的力為:
df = i dl × B
其中,× 號為向量的外積,B 為磁通量密度,i 為電流,dl 為
導線微小一段的長度,df 為其所受的力。使用粗體字強調其
方向性。整條導線之受力即為上式之積分。
若導線為直線,電流與磁通量密度固定,則導線受力大
小可簡化為
f = i l B sin(q)
當導線與磁場垂直時,sin(90º) = 1,所受的力最大。當導線與磁場平行時,
sin(0º) = 0,所受的力為零。
磁生電:磁場的變化會感應出電壓。
***相對於導線而言,磁場一定要有變化才可以感應出電壓。
法拉第定律:
將導線或線圈置於磁場中,相對於導線而言,若磁場產生變化,則會在導線兩端
感應出電壓。感應電壓的大小與線圈的匝數及磁通量的變化率成正比。
eN
df
dt
e:感應電壓
N:線圈匝數
df
:磁通量的變化率
dt
磁通量的變化通常有兩種方式:
1. 磁場的大小自已產生變化。
2. 磁場固定不變,但導線在磁場中運動,切割磁場,相對於導線而言,磁場在變化。
楞次定律:
磁場變化會感應出電壓,電壓會使導線兩端產生電流,此電流所建立起的新的
磁場會來抵抗原有磁場的變化。
如左圖所示,若導線向上方運動,相對於導線而言,上方的
磁力線變少了,下方的磁力線變多了,因此感應電壓與電流
的方向,會建立一個新的磁場,此新磁場的磁力線會與上方
的磁力線同方向,來增加磁力線數目,阻止磁力線變少。
注意:新磁場磁力線的方向,在導線上方與原有磁場同向,
同向相斥。 在導線下方與原有磁場反向,反向相吸。
因此,磁力會有抵抗導線運動的趨勢,要使導線向
上方運動,必須要施力來抵抗磁力,這就是機械能
轉換成電能的現象。
電感 (Inductor):
導線繞線圈就形成電感,在電感的線圈上通電流就會產生磁場,依安培定律,磁場
強度與電流成正比。若電感的電流變化,則磁通量會變化,在電感兩端會感應出電
壓,稱為自感。依法拉第定律,感應電壓與磁通量變化率成正比。而磁通量又與電
流成正比,因此電感因電流變化所感應出的電壓與電流變化率成正比。此感應電壓
稱為電感的電壓。
di
L 為電感值,單位為 H (亨利)
vL
dt
電感串聯:
串聯電路上電流都相同
v1  L1
di
di
di
,v2  L2 ,,vn  Ln
dt
dt
dt
v = v1 + v2 + …… + vn ,則
di
di
di
di
L  L1  L2    Ln
dt
dt
dt
dt
因此, L = L1 + L2 + …… + Ln
電感並聯:
結論:
電感串聯與電阻串聯求法相同
電感並聯與電阻並聯求法相同
並聯電路上電壓都相同
di
di
di
di
 L1 1  L2 2    Ln n
dt
dt
dt
dt
di v di1 v di2
v
din
v

,

,

,


,

所以
dt L dt L1 dt L2
dt L n
vL
又並聯電路上 i = i1 + i2 + …… + in
di di1 di2
di


   n
dt dt dt
dt
v
v
v
v






代入可得 L L L
Ln
1
2
所以
1 1
1
1






兩端消去 v 可得 L L L
Ln
1
2
電感儲存能量:
加電壓於電阻電感電路,電感的電流會上升,建立起磁場,以磁能的形式儲存能量。
電感電壓: vL  L
電阻電壓:vR = R i
di
dt
由 KVL: VS = vR + vL ,代入可得
L
di
 R i  VS
dt
若初始時電流為零,即 i(0) = 0
解微分方程式可得電流:
R
t
t

V
V
i  S (1  e L )  S (1  e T )

R
R
t
 t

di
而電感的電壓 vL  L  VS e L  VS e T
R
T
L
R
稱為電感的時間常數
時間常數愈大,電流上升愈慢
dt
電感儲存能量時電流上升曲線:
i
VS
R
R
t
VS
L
i
(1  e
)

R
0
0
電感儲存能量時電壓變化曲線:
vL
當時間趨近於無窮
大時,電壓為零,
VS
電流不再增加,但
R
 t
有電流流過,此時
vL  VS e L
達到穩態,電感的
線圈在電路中的功
能如同一條電線,
0
亦即,電感達穩態
0
時,如同短路。
電感釋放能量:
若電感在初始時電流為 I0,若電源被短路時,電感的磁能會開始釋放
di
電阻電壓:vR = R i
電感電壓: vL  L
dt
由 KVL: vR + vL = 0,代入可得
L
di
Ri0
dt
若初始時電流為 I0,即 i(0) = I0
解微分方程式可得電流: i  I 0 e

R
t
L
 I0 e

t
T
電阻的電壓 vR  R i  R I 0 e

R
t
L
R
 t
di
而電感的電壓 vL  L   R I0 e L
dt
電感釋放能量時電流下降曲線:
R I0
i
電感釋放能量時電壓變化曲線:
vR  R I0 e
I0
i  I0 e

R
t
L

0
vL   R I0 e
0
0
R
t
L
-R I0
-1.2

R
t
L
電容與電感的比較:
儲能
電
容
以電場
方式儲
存能量
電
感
以磁場
方式儲
存能量
穩態
如同
斷路
如同
短路
特性
電壓無
法跳升
電流無
法跳升
時間常數 電壓電流關係
RC
dv
iC  C C
dt
L
R
di
vL  L L
dt
儲存能量
vC  VS (1  e

釋放能量
t
T)
t
V
iL  S (1  e T )

R
vC  V0 e
iL  I 0 e


t
T
t
T