Transcript 半導體元件模擬 張書通

半導體元件模擬
張書通
張書通 副教授
學歷：台大電機博士
經歷：1.中興大學奈米科技中心研發組組長
2. 工研院電子所顧問 3.中原電子助理教授
研究領域：
1. 矽鍺半導體技術
2. TCAD元件製程與模擬
3. 新型奈米CMOS元件研究
1
Ge NCs LED
2 Solar Cell 模擬
3
60 nm
HfAlO
Si
Ge dot
Strained Si NMOS
大綱
Part I:能帶結構
- k.p
- Tight-Binding
- Pseudopotential
 Part II:傳輸特性
- Mobility & Velocity
 Part III:模擬實作
- Strained Si CMOS devices
- Solar Cell & LED
- TFT
- SiGe HBT
- III-V HEMT
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參考教科書
Mark Lundstrom et al., “Nanoscale
Transistors: Device Physics, Modeling,
and Simulation,” Springer
 Mark. Lundstrom, “Fundamentals of
Carrier Transport,” Cambridege
 Yongke Sun, Scott E. Thompson et
al.,”Strain Effect in Semiconductor: Theory
and Device Application,” Springer
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評分方式
作業五次(寫程式)，每次10分
 期中考20分
 期末考20分(含上機考試)
 期末報告10分
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