Transcript 非同期SRAM

新製品のご紹介:
ECC付き4Mb非同期SRAM
ECC = Error-Correcting Code
(エラー訂正コード)
システムの信頼性を1000倍高める
ECC内蔵の高速、低消費電力非同期SRAM
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
最新のシステムは
非常に信頼性の高いSRAMを必要とする
昨今のシステムではSRAM中のビットエラーは許されない
宇宙からの自然放射線により、低率の避けられないビット エラーが発生
高度なコンピュータ システムは、コンフィギュレーション メモリ1 として信頼性が非常に高い高速SRAMが必要
電池でバックアップされるシステムは、重要なデータを長期間格納するために信頼性が非常に高い低消費電力SRAMが必要
そのため、SRAMにおけるエラー検出と訂正は、重要なアプリケーションに必須
プログラマブル ロジック コントローラー
シーメンス社製
ルーター
シスコ社製
ソフト エラー2はコンフィギュレーション情報の
破損による誤動作を引き起こす
ソフト エラーはコンフィギュレーション情報の
破損による誤動作を引き起こす
多機能プリンター
キャノン社製
ソフト エラーにより、誤ったコンフィギュレーション
とステータス情報が生成される
最新のシステムは、信頼性が非常に高い高性能SRAM (エラー訂正コード (ECC) 内蔵) が必要
1 起動時にシステム
コンフィギュレーション レジスタをロードするために使用されるメモリ デバイス。起動時のシングルビットエラーはシステムをクラッシュさせる
2 宇宙からの自然放射線により生じるビットエラー
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
3a
サイプレスはSRAM市場のリーダー
サイプレスは世界最大 かつ最も経験豊富な非同期SRAMメーカー
市場で40％以上のシェア
10世代の非同期SRAMを提供してきた経験
他のどの競合メーカーよりも研究開発に多くを投資
サイプレスは、業界で最も幅広い非同期SRAMの品揃えを用意し以下の製品を提供:
600種の非同期SRAM
メモリ容量が64Kb～32Mbの高速非同期SRAM
メモリ容量が64Kb～64Mbの低消費電力 (MoBL®) SRAM
産業用、車載用、耐放射線強化の製品
シングル ビットエラーの検出および訂正のためのECC回路を内蔵した非常に信頼性の高いSRAM
サイプレスは最も頼れる非同期SRAMメーカーで、以下を提供:
≥99.4%納期を保証し、5週間以内のリードタイムで提供
複数の認定ファブ、アセンブリ サイトやテスト サイト
20年まで従来製品をサポート
信頼性がECCなしの標準SRAMより1000倍高い非常に信頼性の高い4Mb ECC付き非同期SRAM新製品を
ご紹介
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
3b
技術用語
非同期SRAM
読み出しまたは書き込み動作時に外部クロックを必要としないSRAMデバイス
高速SRAM
アクセス時間が20ns以下の高速非同期SRAM
More Battery Life (MoBL®) SRAM
スタンバイ電流が2.5µA/Mb以下の低消費電力非同期SRAM
PowerSnooze™ SRAM
ディープスリープ電流が4μA/Mb以下の省電力モードを持つ高速SRAM
非常に信頼性の高いSRAM
SERが0.1FIT/Mb未満のSRAM
ソフト エラー
宇宙からの自然放射線により生じるビットエラー
ソフト エラー率 (SER)
デバイスがソフトエラーに遭うと予測される割合
故障率 (Failures-in-time：FIT)
デバイスの予測故障率の信頼性評価単位
1FIT/Mbは、デバイス動作10億時間にわたって1メガビットのデータ当たりに1つの故障が発生するという意味
エラー訂正コード (ECC)
ビット エラー を検出し訂正するためにパリティ ビットが追加されたデータ
ERRピン
シングル ビットエラーの発生を示す、ECC付きサイプレス非同期SRAMのステータス ピン
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
4
エンジニアが直面する課題
ECCなしの標準SRAMでは、10FIT/Mb未満の故障率 (FIT) を達成できない
現在の標準SRAMのFITは150～1,500FIT/Mbの範囲
システム レベルのECCソリューションによるソフト エラーの訂正はシステム設計上の望ましくないトレードオフが必要
システム レベルのECCソリューションは設計の複雑性と設計サイクル タイムを増加
これらのソリューションはメモリとエラー訂正チップの追加を必要とし、基板の面積とコストを増加
最新の設計には、高速アクセス時間かつ低スタンバイ電流のメモリが必要
アクセス時間が10nsである標準的な4Mb高速SRAMは、10mAの高いスタンバイ電流を消費
スタンバイ電流が8μAである標準的な4Mb低消費電力SRAMは、アクセス時間が45ns
サイプレスの4Mb ECC付き非同期SRAMはこれらの課題を解決
FIT<0.1 FIT/Mbを保証
基板面積、コスト、設計の複雑性を低減するECC付きシングル チップ ソリューションを提供
10nsのアクセス時間かつ15µAのディープスリープ電流 (PowerSnooze SRAM) を達成
サイプレスの非常に信頼性の高い4Mb 非同期SRAMは、高速かつ低消費電力に対応
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
5
サイプレス4Mb非同期SRAMと
競合製品との比較
高速SRAMの機能
CY7x1041xx
IS61/64WVxx
R1RW/P04xx
内蔵ECC
有
有
無
ソフト エラー率
<0.1FIT/Mb
<0.5 FIT/Mb1
>150FIT/Mb
電圧範囲
1.65V～5.5V
2.4V～3.6V
3.0V～3.6V
アクセス時間 (最大)
10ns
8ns
10ns
動作電流
45mA
35 mA
115mA
データ保持電圧 (最小)
1.0V
2.0V
2.0V
スタンバイ電流 (最大)
15µA2
6,000µA
5,000µA
低消費電力SRAMの機能
CY6214xx
IS62/65WVxx
RM/1LV/P04xx
内蔵ECC
有
無
無
ソフト エラー率
<0.1FIT/Mb
>150FIT/Mb
<6.25FIT/Mb
電圧範囲
1.65V～5.5V
1.65V～3.6V
2.7V～3.6V
アクセス時間 (最大)
45ns
35ns
45ns
スタンバイ電流 (最大)
8.7 µA
10µA
7µA
データ保持電圧 (最小)
1.0V
1.2V
1.5V
1 実測値
001-96520
Rev **
2 PowerSnooze
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
7
非同期SRAM製品
大容量 | 広い電圧範囲 | 車載用A、E1、2 | 内蔵ECC3
高速SRAM
低消費電力SRAM (MoBL® : More Battery Life)
ECC3
32Mb～128Mb
ECCなし
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
CY7C107x
32Mb；3.3V
12ns；x8、x16
Ind5
2Mb～16Mb
64Kb～1Mb
CY6218x
64Mb；2.5、3.0V
55ns；x8、x16
Ind5
ECC3
ECC3
Quad-SPI、ECC3
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
詳細情報
NDAが必要
営業担当者まで
CY6216x
16Mb； 1.8V～5.0V
45ns；x8、x16、x32
Ind5、Auto E2
CY7S106x
16Mb；1.8V～5.0V
10ns；x8、x16、x32
Ind5 、Auto E2
CY6214x
4Mb；1.8V～5.0V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto E2
CY7S104x
4Mb、1.8V～5.0V
10ns；x8、x16
Ind5、Auto E2
CY6217x
32Mb；2.5、3.0、5.0V
55ns；x8、x16
Ind5
CY7C106x
16Mb； 1.8V～5.0V
10ns；x8、x16、x32
Ind5 、Auto E2
CY7C106x
16Mb；1.8V、3.3V
10ns；x8、x16、x32
Ind5
CY7C105x
8Mb；3.3V
10ns；x8、x16
Ind5
CY7C1012
12Mb； 3.3V
10ns；x24
Ind5
CY7C104x
4Mb；3.3、5.0V
10ns；x4、x8、x16
Ind5 、Auto A、
E1、2、RH6
CY7C1010/11
2Mb；3.3V
10ns；x8、x16
Ind5 、Auto A、E1、2
CY7C1034
6Mb；3.3V
10ns；x24
Ind5
CY7C104x
4Mb；1.8V～5.0V
10ns；x8、x16
Ind5 、Auto E2
CY6214x
4Mb；1.8、3.0、2.5～5V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto A、E1、2
CY6213x
2Mb；1.8、2.5～5.0V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto A、E1、2
CY7C1024
3Mb；3.3V
10ns；x24
Ind5
CY7C19x/1399
256Kb；3.3、5.0V
10ns；x4、x8
Ind5 、Auto A1
CY6212x
1Mb；2.5～5.0V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto A、E1、2
CY6264
64Kb；5.0V
55ns、70ns；x8
Ind5
CY62256
256Kb；1.8、3.0、5.0V
55ns；x8
Ind5 、Auto A、E1、2
低消費電力スリープモード付き高速SRAM
産業グレード -40ºC～+85ºC
6 放射防止、軍用グレード -55ºC～+125ºC
新製品
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
1
4
2
5
AEC-Q100 -40ºC～+85ºC
AEC-Q100 -40ºC～+125ºC
3 内蔵エラー訂正コード
001-96520
Owner: SAYD ECC
Rev **
CY6216x
16Mb；1.8、3.0、5.0V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto A1
CY6215x
8Mb； 1.8、3.0、2.5～5V
45ns；x8、x16
Ind5 、Auto A、E1、2
CY7C1020
CY7C1019/21/100x
512Kb；2.6、3.3、5.0V 1Mb; 2.6、3.3、5.0V
10ns；x16
10ns; x4、x8、x16
Ind5 、Auto E2
Ind5 、Auto A、E1、2
CY7C185
64Kb；5.0V
15ns；x8
Ind5
ECCなし
PowerSnooze™4 シリアルSRAM
量産中
サンプル出荷
開発中／企画中
10
4Mb ECC付き高速SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
スイッチ、ルーター
IP電話
試験装置
車載用
計算サーバー
軍用、航空宇宙システム
機能
容量
型番
アクセス時間
4Mb
8Mb
16Mb
CY7C104x
CY7C105x
CY7C106x
10 ns
10 ns
10 ns
電源電流
(85℃時の最大値)
45 mA
60 mA
110 mA
ブロック図
アクセス時間: 4Mbの場合、10ns (製品一覧を参照)
バス幅: 4Mbの場合、x8、x16
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
産業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビット エラーを検出／訂正するエラー訂正コード (ECC)
マルチ ビットエラーを回避するビット インターリーブ
シングル ビットエラーを示すエラー表示 (ERR) ピン
ECC付き高速SRAM
SRAMアレイ
ECC
エンコーダー
入力
バッファ
8、16
18～23
アドレス
I/Oマルチプレクサ
アドレス
デコーダー
センス
アンプ
SRAMアレイ
データ
ERR
ECC
デコーダー
制御ロジック
CE
OE
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 2015年第2四半期
量産: 2015年第4四半期
バイト HIGHイネーブル
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
1
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
2
WE
BHE1
BLE2
バイトLOWイネーブル
11a
ECC付き4Mb MoBL® SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
プログラマブル ロジック コントローラー
携帯機器
多機能プリンター
車載用
埋込型医療機器
計算サーバー
機能
容量
型番
4Mb
8Mb
16Mb
32Mb
64Mb
128Mb
CY6214x
CY6215x
CY6216x
CY6217x
CY6218x
CY6219x
スタンバイ電流
(85℃時の最大値)
8.7 µA
9 µA
16 µA
60 µA
60 µA
120 µA
スタンバイ電流
(25℃時の標準値)
3.7 µA
3.0 µA
5.3 µA
8.5 µA
8.5 µA
17.0 µA
ブロック図
アクセス時間: 4Mbの場合、45ns
スタンバイ電流: 4Mbの場合、8.7µA
バス幅: 4Mbの場合、x8、x16
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
産業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビットエラーを検出／訂正するエラー訂正コード (ECC)
マルチ ビットエラーを回避するビット インターリーブ
シングル ビットエラーを示すエラー表示 (ERR) ピン
MoBL®3 ECC付きSRAM
SRAMアレイ
18～23
アドレス
ECC
エンコーダー
入力
バッファ
8、16
アドレス
デコーダー
I/Oマルチプレクサ
SRAMアレイ
データ
ERR
センス
アンプ
ECC
デコーダー
制御ロジック
CE
OE
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 2015年第2四半期
量産: 2015年第4四半期
2 バイトLOWイネーブル
バイトHIGHイネーブル
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
1
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
WE
3
BHE1
BLE2
More Battery Life
11b
4Mb PowerSnooze™高速SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
プログラマブル ロジック コントローラー
携帯機器
多機能プリンター
車載用
計算サーバー
機能
容量
型番
アクセス時間
4Mb
8Mb
16Mb
CY7S104x
CY7S105x
CY7S106x
10 ns
10 ns
10 ns
ディープスリープ電流
(85℃時の最大値)
15 µA
15 µA
22 µA
ブロック図
アクセス時間: 4Mbの場合、 10ns (製品一覧を参照)
PowerSnooze™: 新しい電力節減 (ディープスリープ) モード
ディープスリープ電流: 4Mbの場合、 15µA (製品一覧を参照)
バス幅: 4Mbの場合、x8、x16
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
産業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビットエラーを検出／訂正するエラー訂正コード (ECC)
マルチ ビットエラーを回避するビット インターリーブ
PowerSnooze™付きの高速SRAM
ECC
エンコーダー
20
アドレス
入力
バッファ
8、16
アドレス
デコーダー
SRAMアレイ
I/Oマルチプレクサ
センス
アンプ
データ
ERR
ECC
デコーダー
電源管理ブロック
(PowerSnoozeを
有効化)
制御ロジック
DS1
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 2015年第2四半期
量産: 2015年第4四半期
1 ディープスリープ
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
2
バイトHIGHイネーブル
CE
OE
3
WE BHE2 BLE3
バイトLOWイネーブル
11c
始めてみましょう！
1.
ECC付き非同期SRAMのウェブページを参照: www.cypress.com/AsyncSRAMECC
2.
非同期SRAMのロードマップをダウンロード : www.cypress.com/AsyncRoadmap
3.
暫定版データシート: 営業担当者まで
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
12
付録
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
15
製品セレクタ ガイド:
4Mb MoBL SRAM
製品番号
CY62147G30-45BVXI
CY62147G30-45ZSXI
CY62148G30-45ZSXI
CY62147GE30-45BVXI
CY62147GE30-45ZSXI
CY62147G18-55BVXI
CY62146G30-45ZSXI
CY62148G30-45SXI
CY62146GE30-45ZSXI
CY621472G30-45ZSXI
CY62148G-45ZSXI
CY62147G30-45B2XI
バス幅
x16
x16
x8
x16
x16
x16
x16
x8
x16
x16
x8
x16
アクセス時間
45ns
45ns
45ns
45ns
45ns
55ns
45ns
45ns
45ns
45ns
45ns
45ns
# CEピン
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
2
ERRピン
無
無
無
有
有
無
無
無
有
無
無
無
電圧
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
1.65V～2.20V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
4.50V～5.50V
2.20V～3.60V
温度
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
パッケージ
48-VFBGA
44-TSOP II
44-TSOP II
48-VFBGA
44-TSOP II
48-VFBGA
44-TSOP II
32-SOIC
44-TSOP II
44-TSOP II
32-TSOP II
48-VFBGA
4Mb MoBL SRAM製品番号の読み方
CY 6214 X GX XX - XX XX X XI
鉛フリー、産業用温度グレード
チップ イネーブル: 空白 = デュアル チップ イネーブル；1 = シングル チップ イネーブル
パッケージ タイプ: BV = 48-VFBGA、ZS = 44-TSOP II、S = 32-SOIC
速度グレード: 45 = 45ns、55 = 55ns
電圧範囲: 30 = 2.20V～3.60V、18 = 1.65V～2.20V、空白 = 4.50V～5.50V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 7 = x16、8 = x8
6214: 4Mb MoBL SRAMファミリ
会社ID: CY = サイプレス
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
16a
製品セレクタ ガイド:
4Mb高速SRAM
製品番号
CY7C1049G30-10ZSXI
CY7C1049GE30-10VXI
CY7C1041G30-10ZSXI
CY7C1041GE30-10ZSXI
CY7C1049G-10VXI
CY7C1041G-10ZSXI
CY7C1041G30-10BVXI
CY7C1041G-10VXI
CY7C1041G18-15BVXI
CY7C1041G30-10BVJXI
CY7C1041G30-10VXI
CY7C1049G-10ZSXI
バス幅
x8
x8
x16
x16
x8
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x8
アクセス時間
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
15ns
10ns
10ns
10ns
# CEピン
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
ERRピン
無
有
無
有
無
無
無
無
無
無
無
無
電圧
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
4.50V～5.50V
4.50V～5.50V
2.20V～3.60V
4.50V～5.50V
1.65V～2.20V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
4.50V～5.50V
温度
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
パッケージ
44-TSOP II
36-SOJ
44-TSOP II
44-TSOP II
36-SOJ
44-TSOP II
48-VFBGA
44-SOJ
48-VFBGA
48-VFBGA
44-SOJ
44-TSOP II
16Mb高速SRAM製品番号の読み方
CY 7C104 X GX XX - XX XXX XI
鉛フリー、産業用温度グレード
パッケージ タイプ: ZS = 44-TSOP II、V = 36-SOJ、BVX = 48-VFBGA
速度: 10 = 10ns、15 = 15ns
電圧範囲: 18 = 1.65V～2.20V、30 = 2.20V～3.60V、空白 = 4.50V～5.50V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 1 = x16、9 = x8
7C104: 4Mb 高速SRAMファミリ
会社ID: CY = サイプレス
001-96520
Rev **
Owner: SAYD ECC
ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
16b
製品セレクタ ガイド:
4Mb PowerSnooze SRAM
製品番号
CY7S1041G30-10BVXI
CY7S1049G30-10VXI
CY7S1041G30-10ZSXI
バス幅
x16
x8
x16
アクセス時間
10ns
10ns
10ns
# CEピン
1
1
2
ERRピン
無
無
無
電圧
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
2.20V～3.60V
温度
-40°C～85°C
-40°C～85°C
-40°C～85°C
パッケージ
48-VFBGA
36-SOJ
44T-SOP II
16Mb PowerSnooze SRAM製品番号の読み方
CY 7S104 X GX XX - XX XXX I
温度グレード: 産業用
鉛フリー パッケージ タイプ: VX = 36ピンSOJ、ZSX = 44ピンTSOP II
、BVX = 48ボールVFBGA
速度: 10 = 10ns
電圧範囲: 30 = 2.20V～3.60V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 1 = x16、9 = x8
7S104: 4Mb PowerSnoozeファミリ (ディープスリープ機能)
会社ID: CY = サイプレス
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ECC付き4Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
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参考資料およびリンク
ECC付き非同期SRAMのウェブページ: www.cypress.com/AsyncSRAMECC
非同期SRAM入門のウェブページ: www.cypress.com/GettingStarted
非同期SRAMのロードマップ: www.cypress.com/AsyncRoadmap
サイプレス製品セレクタ ガイド: www.cypress.com/PSG
知識ベース記事: www.cypress.com/AsyncKBA
非同期SRAMデータシート: www.cypress.com/AsyncDatasheets
非同期SRAMアプリケーション ノート: www.cypress.com/AsyncAppNotes
SRAM基板設計ガイドライン: www.cypress.com/SRAMDesignGuidelines
4Mb ECC付き非同期SRAM暫定版データシート: 営業担当者まで
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4Mb MoBL ECC SRAMソリューションの
価格
競合製品
競合製品
$4.11
非同期の低消費電力SRAM (IS62WV25616DBLL-45TLI) (ECCなし)
IS62WV6416DBLL-45TLI
価格: $4.111
$1.64
その他部材費
$1.64
その他部材費
ECCデータ用の追加SRAM (IS62WV6416DBLL-45TLI)
価格: $1.642
追加コスト
ECCによって削減可能な基板面積
追加コスト: $0.013
基板面積の削減
$0.01
ECC処理用の
MCUのプログラミング費用
$0.15
総追加コスト
ECC処理用のMCUのプログラミング費用
付加価値: $0.154
$0.16
合計価格
$5.91
ECC付きの非同期MPWR SRAM: CY62146G30-45ZXSI
合計価格: $4.461
25%の費用削減: $1.45
1 2014年6月20付けDigikey社のウェブサイト掲載1000個購入時の価格
(32ビット データに当たり6ビットを格納するために) ECC方式を実装するために使用
平方インチ$0.05を計測単位として、0.15平方インチ = $0.01が削減可能
(100,000個想定で) 人週$3,000を計測単位として5人週 = $15,000が削減可能
2 1Mb追加SRAMは、
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PowerSnooze 4Mb ECC付き高速SRAM
競合製品
非同期高速SRAM (IS61WV25616EDBLL-10TLI) (ECCなし)
価格: $3.521
競合製品
$3.52
PowerSnooze
$1.96
総追加コスト
$1.96
追加コスト
PowerSnooze:
低消費電力のためバッテリ費用削減
このアプリケーションはバッテリ式で、動作時間の20%でスタンバイ モ
ードに入り、6年間毎日12時間動作と仮定
追加コストの計算:
1.総デバイス スタンバイ時間
6 × 12 × 365 × 20% = 5256時間
2.スタンバイ モードでのIS61WV25616EDBLL-10TLI消費電力
3.3V × 6mA = 19,800µW
3.スタンバイ モードでのサイプレスのPowerSnooze付き高速SRAMの消費電力
3.3V × 15µA = 49.5µW
4.よって、消費電力の削減は
19,800µW – 49.5µW = 19,750µW = 0.000019750kW
5.一時間あたりのバッテリ費用削減
$18.90/kWh2 × 0.000019750kW = $0.000373
6.5,256時間の費用削減 (合計金額)
5,256 × $0.000373 = $1.96
合計価格
$5.48
PowerSnoozeとECC付き
非同期高速SRAM: CY7S1041G30-10ZSXI
合計価格: $4.823
12%の費用削減: $0.66
1 2014年7月3日付けDigikey社のウェブサイト掲載1000個購入時の価格
2 1kWh当たりのバッテリ
コスト = $18.90
3 Digikey社の1000個購入時の見積り金額
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