Transcript 非同期SRAM

新製品のご紹介:
ECC付き16Mb非同期SRAM
ECC = Error-Correcting Code
(誤り訂正符号)
システム信頼性を高めるECC内蔵の高速、低消費電力非同期SRAM
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
最新のシステムは信頼性の高いSRAM
を必要とする
昨今のシステムではSRAM中のビット エラーは許されない
高度なコンピュータ システムは、コントロール ストア1 メモリとして信頼性のある高速SRAMが必要
電池でバックアップされるシステムは、重要なデータを格納するために信頼性のある低消費電力SRAMが必要
ソフト エラー2はメモリ コンテンツを破壊し、 重要データを失うことに繋がる
エラー検出や訂正は、データの信頼性を確保するために必要
プログラマブル ロジック コントローラー
Siemens社製
ソフト エラーはコンフィギュレーシ
ョン情報の破壊による誤動作を引
き起こす
ルーター
Cisco社製
ソフト エラーはコンフィギュレーシ
ョン情報の破壊による誤動作を引
き起こす
多機能プリンター
Canon社製
ソフト エラーにより、誤ったコンフィ
ギュレーションとステータス情報が
生成される
最新のシステムは、エラー検出や訂正機能を備えた信頼性の高い高速の低消費電力SRAMが必要
1 起動時にシステム
2
コンフィギュレーション レジスタをロードするために使用されるメモリ デバイス
宇宙からの自然放射線により生じるビットエラー
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
3a
サイプレスはSRAM市場のリーダー
サイプレスは世界最大かつ最も経験豊富な非同期SRAMメーカー
市場で40％以上のシェア
10世代の非同期SRAMを設計して来た
他の競合メーカーよりも研究開発に多くを投資
サイプレスは、業界で最も幅広い非同期SRAMの品揃えを用意し以下の製品を提供:
600種の非同期SRAM
メモリ容量が64Kb～32Mbの高速非同期SRAM
メモリ容量が64Kb～64MbのMoBL ® (マイクロパワー) SRAM
産業用、車載用、耐放射線の製品
シングル ビット エラーの検出および訂正のためのECC回路を内蔵したサイプレスの最新世代SRAM
サイプレスは最も頼れる非同期SRAMメーカーで、以下を提供:
99.4%以上の納期遵守率で5週間以下のリードタイム
複数の認定ファブ、アセンブリ サイトやテスト サイト
20年まで従来製品をサポート
サイプレスは世界の非同期SRAMのリーダー
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
3b
技術用語
非同期SRAM
読み出しまたは書き込み動作時に外部クロックを必要としないSRAMデバイス
高速SRAM
アクセス時間が20ns以下の高速非同期SRAM
MoBL® SRAM
スタンバイ電流が2µA/Mb以下の低消費電力非同期SRAM
ソフト エラー
宇宙からの自然放射線により生じるデータ エラー
ソフト エラー率 (SER)
デバイスがソフト エラーに遭うと予測される割合
故障率 (Failures-in-time；FIT)
デバイスの予測故障率の信頼性評価単位
1FITはデバイス動作10億時間にわたって1つの故障が発生するという意味
誤り訂正符号 (Error-Correcting Code；ECC)
ビット エラーを検出して訂正するために、ビットを付加してビット ストリームを符号化し、復号化する方法
PowerSnooze™ SRAM
2.5μA/Mb以下の少ないスリープ電流の省電力モードを持つ高速SRAM
ERRピン
シングル ビット エラーの発生を示す、ECC付きサイプレス非同期SRAMのステータス ピン
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
4
エンジニアが直面する課題
10FIT/Mb未満のFITは、誤り訂正機能を持たない標準SRAMでは達成不可
現在の標準SRAMのFITは150～1,500FIT/Mbの範囲
システム レベルのECCソリューションによるソフト エラー対応は望ましくないトレードオフが必要
システム レベルのソフト エラー検出、訂正のソリューションは設計の複雑性と設計サイクルタイムを増加
これらのソリューションはメモリとエラー訂正チップの追加を必要とし、基板の面積とコストを増加
高速で消費電力に敏感な設計には、高速アクセス時間と低スタンバイ電流のメモリが必要
アクセス時間が10nsである標準的な16Mb高速SRAMは、20mAを超えるスタンバイ電流を消費
スタンバイ電流が16μAである標準的な16Mb低消費電力SRAMは、アクセス時間が35ns以上
サイプレスの16Mb ECC付き非同期SRAMはこれらの課題を解決
FIT<0.1 FIT/Mbを保証
ECC内蔵のシングル チップ ソリューションを提供し、 基板面積、コスト、設計の複雑性を削減可能
10nsのアクセス時間と12µAのディープスリープ電流 (PowerSnooze SRAM) を達成
サイプレスの16Mb ECC付き非同期SRAMは、高速、低消費電力アプリケーションの両方にシングル チップで
高信頼性のメモリ ソリューションを提供
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
5
サイプレス16Mb非同期SRAMと競合製品
との比較
高速SRAMの機能
内蔵ECC
CY7C1061xx
未提供
IS61/4WVxx
有
無
-
ソフト エラー率
<0.1FIT/Mb
>150FIT/Mb
-
電圧範囲
1.65V-5.5V
1.65V-3.6 V
-
10ns
8ns
-
110mA
115mA
-
データ保持電圧 (Min.)
1.0V
1.2V
-
ディープスリープ モード
(PowerSnooze)
有
無
-
アクセス時間 (Max.)
動作電流
低消費電力SRAMの機能
内蔵ECC
CY6216xx
IS62/65WVxx
有
無
有
無
ソフト エラー率
<0.1FIT/Mb
>150FIT/Mb
<1FIT/Mb
<6.25FIT/Mb
電圧範囲
1.65V-5.5V
1.65V-3.6V
2.7V-3.6V
2.7V-3.6V
アクセス時間 (Max.)
45ns
45ns
45ns
55ns
スタンバイ電流 (Max.)
16µA
50µA
8µA
40μA
データ保持電圧 (Min.)
1.0V
1.5V
1.5V
2.0V
1
R1LV1616Hx／R1LV1616Rx1
R1LV1616Rxはルネサス社の最も新しい低消費電力SRAM製品
001-92238
Rev *C
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ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
7
非同期SRAM製品
高密度 | 広い電圧範囲 | 車載用A、E1、2 | 内蔵ECC3
4
低消費電力SRAM (MoBL® : More Battery Life) PowerSnooze™ シリアルSRAM
高速SRAM
32Mb～128Mb
ECCなし
2Mb ～ 16Mb
ECCなし
ECC3
ECC3
Quad-SPI、ECC3
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
CY6218x
64Mb ; 2.5、3.0V
55ns；x8、x16
Ind5
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
その他のメモリ容量
NDAが必要
営業担当者まで
CY6216x
16Mb ; 1.8-5.0V
45ns ; x8、x16、x32
Ind5、Auto E2
CY7S106x
16Mb ; 1.8-5.0V
10ns ; x8、x16、x32
Ind5、Auto E2
CY7C107x
32Mb；3.3V
12ns；x8、x16
Ind5
CY6217x
32Mb；2.5、3.0、5.0V
55ns；x8、x16
Ind5
CY7C106x
16Mb；1.8、3.3V
10ns；x8、x16、x32
Ind5
64Kb ～ 1Mb
ECC3
CY7C106x
16Mb; 1.8V-5.0V
10ns；x8、x16、x32
Ind5、Auto E2
CY6216x
16Mb; 1.8、3.0、5.0V
45ns；x8、x16
Ind5、Auto A1
CY7C105x
8Mb ; 3.3V
10ns ; x8、x16
Ind5
CY7C1012
12Mb； 3.3V
10ns；x24
Ind5
CY6215x
8Mb; 1.8、3.0、2.5‐5V
45ns ; x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY7C104x
4Mb；3.3、5.0V
10ns；x4、x8、x16
Ind5、Auto A、
E1、2 、RH6
CY7C1034
6Mb；3.3V
10ns；x24
Ind5
CY6214x
4Mb; 1.8、3.0、2.5‐5V
45ns；x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY7C1010/11
2Mb; 3.3V
10ns; x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY7C1024
3Mb; 3.3V
10ns；x24
Ind5
CY6213x
2Mb; 1.8、2.5‐5.0V
45ns；x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY7C1020
512Kb; 2.6、3.3、5.0V
10ns; x16
Ind5、Auto E2
CY7C1019/21/100x
1Mb; 2.6、3.3、5.0V
10ns; x4、x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY6212x
1Mb; 2.5‐5.0V
45ns; x8、x16
Ind5、Auto A、E1,2
CY7C185
64Kb; 5.0V
15ns; x8
Ind5
CY7C19x/1399
256Kb; 3.3V、5.0V
10ns; x4、x8
Ind5、Auto A1
−40ºC～+85ºC
−40ºC～+125ºC
3 誤り訂正符号
001-92238
Owner: SAYD
Rev *C
CY6264
64Kb; 5.0V
55ns、70ns; x8
Ind5
1 AEC-Q100
4 低消費電力スリープモード付き高速SRAM
2 AEC-Q100
5 産業グレード−40ºC～+85ºC
6 放射線防止、軍用グレード−55ºC～+125ºC
CY62256
256Kb;1.8、3.0、5.0V
55ns; x8
Ind5、Auto A、E1,2
量産中
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
サンプル出荷
開発中／企画中
10
ECC付き高速SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
スイッチ、ルーター
IP電話
試験機器
車載機器
計算サーバー
軍用、航空宇宙システム
特長
容量
型番
アクセス時間
4Mb
8Mb
16Mb
32Mb
64Mb
128Mb
CY7C104x
CY7C105x
CY7C106x
CY7C107x
CY7C108x
CY7C109x
10 ns
10 ns
10 ns
12 ns
12 ns
12 ns
電源電流
(85ºC時の最大値)
45 mA
60 mA
110 mA
150 mA
150 mA
200 mA
ブロック図
アクセス時間: 10ns (16Mb、製品一覧を参照ください)
バス幅: x8、x16、x32
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
産業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビット エラーを検出／訂正する誤り訂正符号 (ECC)
マルチ ビット誤りを回避するビット インターリーブ
シングル ビット エラーを示すエラー表示 (ERR) ピン
ECC付き高速SRAM
SRAMアレイ
ECC
エンコーダー
入力
バッファ
18～23
アドレス
アドレス
デコーダー
8、16、32
データ
ERR
I/Oマルチプレクサ
センス
アンプ
SRAMアレイ
ECC
デコーダー
制御ロジック
CE
OE
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 現在 (16Mb)
量産: 2015年の第2四半期 (16Mb)
1 バイトHIGHイネーブル
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
WE
BHE1
BLE2
2 バイトLOWイネーブル
11a
ECC付きMoBL® SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
プログラマブル ロジック コントローラー
携帯機器
多機能プリンター
車載用
埋込型医療機器
計算サーバー
特長
容量
型番
4Mb
8Mb
16Mb
32Mb
64Mb
128Mb
CY6214x
CY6215x
CY6216x
CY6217x
CY6218x
CY6219x
スタンバイ電流
(85ºC時の最大値)
7 µA
9 µA
16 µA
58 µA
58 µA
116 µA
スタンバイ電流
(25ºC時の標準値)
2.5 µA
3.0 µA
4.7 µA
9.0 µA
9.0 µA
18.0 µA
ブロック図
アクセス時間: 45ns
スタンバイ電流: 16µA (16Mb)
バス幅: x8、x16、x32
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
産業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビット エラーを検出／訂正する誤り訂正符号 (ECC)
マルチ ビット エラーを回避するビット インターリーブ
シングル ビット エラーを示すエラー表示 (ERR) ピン
MoBL®3 ECC付きSRAM
SRAMアレイ
18～23
アドレス
アドレス
デコーダー
ECC
エンコーダー
入力
バッファ
8、16、32
データ
ERR
I/Oマルチプレクサ
センス
アンプ
SRAMアレイ
ECC
デコーダー
制御ロジック
CE
OE
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 現在 (16Mb)
量産: 2015年の第2四半期 (16Mb)
1 バイトHIGHイネーブル
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
WE
2 バイトLOWイネーブル
BHE1
3 More
BLE2
Battery Life
11b
PowerSnooze™高速SRAMファミリ
アプリケーション
製品一覧
プログラマブル ロジック コントローラー
携帯機器
多機能プリンタ
車載用
計算サーバー
特長
容量
型番
アクセス時間
4Mb
8Mb
16Mb
32Mb
64Mb
128Mb
CY7S104x
CY7S105x
CY7S106x
CY7S107x
CY7S108x
CY7S109x
10 ns
10 ns
10 ns
12 ns
12 ns
12 ns
ディープスリープ電流
(85ºC時の最大値)
10 µA
15 µA
22 µA
92 µA
92 µA
184 µA
ブロック図
アクセス時間: 10ns (16Mb、製品一覧を参照ください)
PowerSnooze™: 新しい電力節減 (ディープスリープ) モード
ディープスリープ電流: 22µA (16Mb、製品一覧を参照ください)
バス幅: x8、x16、x32
広い動作電圧範囲: 1.65V～5.5V
工業用と車載用温度グレード
業界標準、RoHS準拠パッケージ
シングル ビット エラーを検出／訂正する誤り訂正符号 (ECC)
マルチ ビット エラーを回避するビット インターリーブ
PowerSnoozeTM付き高速SRAM
ECC
エンコーダー
20
アドレス
アドレス
デコーダー
SRAMアレイ
入力
バッファ
I/Oマルチプレクサ
センス
アンプ
8、16、32
データ
ERR
ECC
デコーダー
電力管理ブロック
(PowerSnooze)
制御ロジック
DS1
資料
出荷予定
暫定版データシート: 営業担当者まで
サンプル出荷: 現在 (16Mb)
量産: 2015年の第2四半期 (16Mb)
1 ディープスリープ
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
CE
2 バイトHIGHイネーブル
OE
WE BHE2 BLE3
3
バイトLOWイネーブル
11c
提案営業を始めましょう！
1.
16Mb ECC付き非同期SRAMのウェブページを参照: www.cypress.com/AsyncSRAMECC
2.
非同期SRAMのロードマップをダウンロード: www.cypress.com/AsyncRoadmap
3.
暫定版データシート: 営業担当者まで
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
12
付録
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
15
16Mb MoBL® SRAM製品セレクタ ガイド
型番
バス幅
アクセス時間 # CEピン
ERRピン 電圧
温度
パッケージ
CY62167G30-45BVXI
CY62167G30-45ZXI
CY62167G-45ZXI
CY62167GE30-45BVXI
CY62167GE30-45ZXI
CY62167GE-45ZXI
CY62167G18-55BVXI
CY62167GE18-55BVXI
CY62168GE30-45BVXI
CY62168G30-45BVXI
CY62162G18-45BGXI
CY62162G30-45BGXI
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x8
x8
x32
x32
45ns
45ns
45ns
45ns
45ns
45ns
55ns
55ns
45ns
45ns
45ns
45ns
無
無
無
有
有
有
無
有
有
無
無
無
-40°C‐85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C‐85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C‐85°C
-40°C‐85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
48-VFBGA
48TSOP I
48TSOP I
48-VFBGA
48TSOP I
48TSOP I
48-VFBGA
48-VFBGA
48-VFBGA
48-VFBGA
119-PBGA
119-PBGA
2
2
2
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
4.50V‐5.50V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
4.50V‐5.50V
1.65V-2.20V
1.65V-2.20V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
1.65V-2.20V
2.20V‐3.60V
16Mb MoBL SRAM型番デコーダー
CY 6216 X GX XX - XX XX X XI
鉛フリー、工業用温度グレード
チップ イネーブル: 空白=デュアル チップ イネーブル；1=シングル チップ イネーブル
パッケージ タイプ: BV = 48-VFBGA、Z = 48-TSOP I、BG = 119-PBGA
速度グレード: 45 = 45ns、55 = 55ns
電圧範囲: 30 = 2.20V-3.60V、18 = 1.65V-2.20V、空白 = 4.50V-5.50V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 7 = x16、8 = x8、2 = x32
6216: 16Mb MoBL SRAMファミリ
会社ID: CY = サイプレス
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
16a
16Mb高速SRAM製品セレクタ ガイド
型番
バス幅
アクセス時間 # CEピン ERRピン 電圧
CY7C1069G30-10ZSXI
CY7C1069GE30-10ZSXI
CY7C1061G30-10ZXI
CY7C1061GE30-10ZXI
CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061GE30-10ZSXI
CY7C1061G30-10BVXI
CY7C1061GE30-10BVXI
CY7C1061G30-10BV1XI
CY7C1061G30-10BVJXI
CY7C1061G18-15BV1XI
CY7C1062G30-10BGXI
CY7C1062GE30-10BGXI
x8
x8
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x16
x32
x32
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
15ns
10ns
10ns
2
2
1
1
2
2
2
2
1
2
1
3
3
無
有
無
有
無
有
無
有
無
無
無
無
有
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
1.65V-2.20V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
温度
パッケージ
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C‐85°C
-40°C‐85°C
-40°C‐85°C
-40°C‐85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
-40°C-85°C
54TSOP II
54TSOP II
48TSOP I
48TSOP I
54TSOP II
54TSOP II
48-VFBGA
48-VFBGA
48-VFBGA
48-VFBGA
48-VFBGA
119-PBGA
119-PBGA
16Mb高速SRAM型番デコーダー
CY 7C106 X GX XX - XX XXX XI
鉛フリー、工業用温度グレード
パッケージ タイプ: Z = 48-TSOP I、ZS = 54-TSOP II、
BVX = 48-VFBGA、BG = 119-PBGA
速度: 10 = 10ns、15 = 15ns
電圧範囲: 18 = 1.65V-2.20V、30 = 2.20V-3.60V、空白 = 4.50V-5.50V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 1 = x16、2 = x32、9 = x8
7C106: 16Mb高速SRAMファミリ
会社ID: CY = サイプレス
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
16b
16Mb PowerSnoozee SRAM製品
セレクタ ガイド
型番
バス幅
アクセス時間 # CEピン
ERRピン 電圧
温度
パッケージ
CY7S1061G30-10BVXI
CY7S1061G30-10ZXI
CY7S1061G30-10ZSXI
CY7S1061GE30-10ZXI
CY7S1062G-10BGXI
CY7S1062G-15BGXI
x16
x16
x16
x16
x32
x32
10ns
10ns
10ns
10ns
10ns
15ns
無
無
無
有
無
無
-40°C‐85°C
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48-VFBGA
48TSOP I
54TSOP II
48TSOP I
119-PBGA
119-PBGA
1
1
2
1
3
3
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
2.20V‐3.60V
1.65V-3.60V
1.65V-3.60V
16Mb PowerSnoozeTM SRAM型番デコーダー
CY 7S106 X GX XX - XX XXX I
温度グレード: 工業用
鉛フリー パッケージ タイプ: ZX = 48ピンTSOP I、ZSX = 54ピンTSOP II、
BVX = 48ボールVFBGA
速度: 10 = 10ns、15 = 15ns
電圧範囲: 18 = 1.65V-2.20V、 30 = 2.20V-3.60V
プロセス技術: G = 65nm；X: E = ERRピン、空白 = ERRピンなし
バス幅: 1 = x16、2 = x32
7S106: 16Mb PowerSnoozeファミリ (ディープスリープ機能)
会社ID: CY = サイプレス
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
16c
参考資料およびリンク
非同期SRAMのロードマップ: www.cypress.com/AsyncRoadmap
サイプレス製品セレクタ ガイド: www.cypress.com/PSG
知識ベース記事: www.cypress.com/AsyncKBA
非同期SRAMデータシート: www.cypress.com/AsyncDatasheets
アプリケーション ノート: www.cypress.com/AsyncAppNotes
非同期SRAM入門: www.cypress.com/GettingStarted
SRAM基板設計ガイドライン: www.cypress.com/SRAMDesignGuidelines
非同期SRAMのウェブページ: www.cypress.com/AsyncSRAMECC
001-92238
Rev *C
Owner: SAYD
ECC付き16Mb非同期SRAM新製品のご紹介 (エンジニアリング)
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16Mb ECC付きSRAMソリューションの価格
競合製品
競合製品
ECCなし非同期高速SRAM
価格: $15.341
ECCデータ用の追加SRAM
その他部材費
ECCデータ用の追加SRAM2
価格: $3.233
その他部材費
$15.34
$3.23
$3.23
ECC処理用のMCUプログラミングの費用
$0.15
基板面積の削減
$0.01
追加コスト
ECC処理用のMCUプログラミングの費用
付加価値: $0.154
総付加価値
基板面積の削減
付加価値: $0.015
合計価格
$0.16
$18.73
ECC付き非同期高速SRAM: CY7C1061G30-10BVJXI
合計価格: $16.67
11%の費用削減: $2.06
IS61WV102416BLL-10MLI (16Mb SRAM) のDigiKey社での1千個購入時の価格
ECC処理では32ビット データ毎に6つのパリティ ビットを格納するため、4MbのSRAMを使用
3 IS61WV25616BLL-10TL (4Mb SRAM) のDigiKey社での1千個購入時の価格
4 100,000個想定で、人週$3,000を計測単位として5人週=$15,000が削減可能
5 平方インチ$0.05を計測単位として、0.15平方インチ=$0.01が削減可能
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