Transcript パワーポイント（3.16MB

4GeV電子ビームによるタングス
テン
単結晶からの陽電子生成
解析中途報告
2005年10月5日
プログレスミーティン
グ
小海線＠清里
卒研生
春名 毅
もくじ
７月の実験について（おさらい）
 Back Groundの計算
 SスキャンからBack Groundを引く
 陽電子生成量とSスキャンの関係
 ロッキングカーブのフィッティング

2005/10/5 Progress Meeting
2
実験概要
4GeV



タングステ
ン
陽電子の生成量を計測する。
タングステンの厚さは、8.9・12・14.2・5.3・2.2ｍｍ。
陽電子の運動量は10MeVと20MeVで計測。
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3
実験装置
Axis
S
Amorphous Target（0・3・6・12・15・18ｍ
ｍ）
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4
Back Groundの計算

Ｘスキャンにおけるターゲットにビームが当
たっていないところを取り出して平均。

Xスキャンの範囲を手作業で選定。
⇒ターゲットがズレたり、大きさが違ったり
している。

もちろん、値を足し合わせた後に、ADCそれ
ぞれのAverage、及びErrorを計算。
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5
Run50 X 9mm 20MeV
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6
プログラムのみそ①
if(runN<149){
if( (-18<=angle && angle<=10)||
(10<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
if(runN>=149){
if( (-16<=angle && angle<=-12)||
(15<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
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7
Run157 X 2.2mm 20MeV
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8
プログラムのみそ②
if(runN<149){
if( (-18<=angle && angle<=10)||
(10<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
if(runN>=149){
if( (-16<=angle && angle<=-12)||
(15<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
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9
SスキャンからBGを引く




Runナンバーの対応
AmorphousとCrystalのYield
Sスキャ
Xスキャ
の比を求めるため算出。
49
50
どのRunにどのバックグラウ
82
80
ンドデータが当てはまるの
92
93
か。
126
125
右のデータから自動的に
131
130
バックグラウンドのランナ
143
142
ンバーを探す様にヘッダー
148
147
ファイルを浜津さんに書き
158
157
換えてもらった。
160
161
1次元ヒストグラムへの焼き
10
2005/10/5 Progress Meeting
直し。
ビンサイズの決定方法
Startが-49.8で、そこからOffset地点まで
ビンをとり、その後は3・12・3・12…と
いう風にビンを決定して平均値、及び
Errorを計算した。
 3はビームの幅として除外していく。

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プログラムのみそ③
Float_t Offset = -46.8;
if( runN > 131 ) Offset = -44.8;
Float_t Gap = 3.0;
//ビームがターゲットの境目に当たって
いる。
Float_t Width = 12.0;
Int_t NvBins = 13;
Float_t Bins[14];
Bins[0] = Start;
Bins[1] = Offset;
Bins[NvBins] = Stop;
for( Int_t s=2; s<NvBins; s += 2 ) {
Bins[s] = Bins[s-1] + Gap;
if( s < (NvBins-1) ) Bins[s+1] = Bins[s] + Width;
}
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例：Run92 (ADC2)
緑線がバックグ
ラウンドを引い
た後のデータ。
 厚さ0ｍｍのとこ
ろでADCの値は
ほぼ0となった。

18
15
12
9
Width
6
Offset点
Gap
3
0
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Yield vs. Amorphous
Thickness （ADC2,ADC4)


陽電子の運動量、10MeV
と20MeVにおける生成量
運動量とHVの関
の厚さ依存性の違いを解
係
10MeV 20MeV
析した。
ADC2のHV
741V
610V
HVは全てのRunにおいて、ADC4のHV 568V 442V
運動量毎に同じであった
ので、HVは無視して解
析を行った。
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ADC2
A DC2
1600
1400
R un4 9 (2 0 )
R un9 2 (1 0 )
R un8 2 (2 0 )
R un1 2 6 (2 0 )
R un1 3 1 (1 0 )
R un1 4 3 (2 0 )
R un1 4 8 (1 0 )
R un1 5 8 (2 0 )
R un1 6 0 (1 0 )
1200
Y ield
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
T hick n ess(m m )
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15
ADC4
A DC4
1600
1400
R un4 9 (2 0 )
R un9 2 (1 0 )
R un8 2 (2 0 )
R un1 2 6 (2 0 )
R un1 3 1 (1 0 )
R un1 4 3 (2 0 )
R un1 4 8 (1 0 )
R un1 5 8 (2 0 )
R un1 6 0 (1 0 )
1200
Y ield
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
T hick n ess(m m )
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ADC2の平均
Run92は、他のRunとは違う振る舞いをしている。
⇒平均値を計算する時は除外した。
A D C 2 の平均
1600
1400
1200
1000
Y ield

1 0 M eV
2 0 M eV
800
600
400
200
0
0
5
10
A m orphous T hick ness(m m )
15
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20
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ADC4の平均
A D C 4 の平均
1600
1400
1200
Y ield
1000
1 0 M eV
2 0 M eV
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
A m orphous thickness(m m )

10MeVと20MeVが途中でCrossoverする。
⇒なんで？
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ロッキングカーブのフィッティ
ング
Enhancement Factor の算出の為。
 Lorenztian Function

f ( x) 
p [1]
x 
p[3]  p[ 2 ]
2
 p[ 0 ]
p[0]
p[1]:Normalization
2
p[2]:Γ/4
p[3]:Peak Position
※Γ：Half Width
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Enhancement Factor

Γ
P[0]
α
B
G
β



α：ビームが
Amorphous Targetに当
たっていると考えるこ
とが出来る。
β：ピークのところで
Channeling放射してい
る。
: Enhancement Factor
これにSスキャンのデータをかければ、Crystal Yieldが分
20
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かる。
Run154 V 2.2mm 20MeV
Chisquare/NDF=241.383/96
Enhancement Factor=2.14
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Run145 V 5.3mm 10MeV
Chisquare/NDF=452.203/196
Enhancement Factor=1.88
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22
Run60 V 8.9mm 20MeV
Chisquare/NDF=125.325/96
Enhancement Factor=1.27
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23
Run77 V 12mm 20MeV
Chisquare/NDF=628.264/196
Enhancement Factor=1.16
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Run101 H 14.2mm 20MeV
Chisquare/NDF=413.096/221
Enhancement Factor=1.07
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25
この先・・・
フィッティングのプログラムにはまだエ
ラーが見られるので、更改良する。
 Enhancement Factorを算出する。


これらの解析過程はChannelingのページ
に載せ、随時更新していますので、是非
ご覧ください。
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