Transcript ご案内（1511936 バイト）

機器利用講習会
超微細光学素子を作る
担
Mar 14-15, '05
当
• フォトニクス研究開発支援センターのご案内
情報電子部 電子・光材料系 フォトニクス分野
兼フォトニクス研究開発支援センター長 主任研究員
森脇耕介
• 電子ビーム描画装置によるレジストパターン作製
情報電子部 電子・光材料系
フォトニクス分野
研究員
佐藤和郎
• NLDプラズマエッチング装置によるパターン転写
情報電子部 電子・光材料系
フォトニクス分野
研究員
福田宏輝
フォトニクス研究開発支援センター
設置経緯と目的
大阪府地域結集型共同研究事業（地域COE事業）
「テラ光情報基盤技術開発」
H9.11〜H14.11
阪大，阪府大，阪市大，産総研関西，府産技研，阪市工研，民間企業
微小光学素子と応用システムの研究
II）
サブ波長構造の新奇な機能の光学素子開発（フェーズ I・
TRI内に「先端光ファクトリ」コア研究室
サブ波長構造の試作・評価装置類を設置
研究事業に引き続き，企業支援事業（フェーズ III）
先端的加工装置の開放／成果・技術の普及
設置機器（加工）
クリーンルーム（Class 10000）
電子ビーム描画装置
日本電子 JBX-5000SI
電子ビーム
蒸着装置
ULVAC
両面マスクア
ライナ
多層膜スパッタ
装置
カールズース
理研社
レーザビーム
描画装置
NLDプラズマ
エッチング装置
日本科学エンジニ
アリング
ULVAC NLD-800
設置機器（形状評価）
クリーンルーム（Class 10000）
薄膜光学定数
測定装置
大塚科学
白色光干渉式
表面粗さ計
SPM顕微鏡
ヤマト科学
走査型 電
子顕微鏡
日本電子
Zygo
NewView5000
光干渉式 膜
厚測定装置
金属顕微鏡
主要設備一覧
装 置
名
メーカー
形 式
電子ビーム描画装置
日本電子(株)
JBX-5000SI
プラズマ
エッチング装置
ULVAC(株)
NLD-800
多層膜スパッタ装置
理研社
電子ビーム蒸着装置
ULVAC(株)
MUE-ECO-EB
両面マスクアライナ
カールズース社
MA6-LH350
レーザビーム描画装置
日本科学エンジニ
アリング(株)
DDB-3
走査型電子顕微鏡
日本電子(株)
JSM-5310
白色光干渉式
表面粗さ計
Zygo社
NewView5000
仕
様
加速電圧25/50kV，線幅8nm〜1000nm，
ベクトルスキャン，つなぎ精度40nm
ガスCF4,Cl,C4F8，CH2F2対応，アンテ
ナパワー2kW，バイアスパワー1kW
酸化物，窒化物，金属薄膜対応，４
インチ基板，1kWrf
３連電子銃，膜厚制御0.1nm，真空到
達度6.6×10-4Pa，基板加熱500℃，酸
化膜可能
g/i線対応，露光面積最大４インチ，
合わせ精度1μm
He-Cdレーザ光源（442nm），試料
100mm□，描画速度1mm/s，最小線幅
1μm
加速電圧 5〜30kV，10万倍．
高さ分解能1nm以下，水平1μm程度ま
で．要表面反射．
薄膜の反射率，透過率の波長依存性．
薄膜光学定数測定装置 大塚電子(株)
屈折率，消衰係数，膜厚の計測
その他，光学顕微鏡，走査型プローブ顕微鏡(SPM)，光干渉式膜厚計，スピナー，クリーンベンチ．
クリーンルーム（クラス10000）
フォトニクスセンターのご利用
• 「機器使用」
– 使用料前納，利用者が操作
• 実質的な運用は「依頼加工」・「依頼試験」
• 「受託研究制度」
– 比較的長期，研究的性格
府産技研
技術相談
（無料）
ご
利
ア 形 用
イ 状
者
デ
設
ア 計
機器使用
依
頼加工（使用料）
受託研究
フォトニクスセンター
担当者
担当者
装置使用料一覧
番号
項
目
単位
使用料(円)
備 考
E1001
Zygo干渉式表面粗さ計
１時間
4,000
E1002
レーザビーム描画装置
１時間
9,000
E1003
薄膜光学定数測定装置
１時間
1,100
E1004
金属顕微鏡
１時間
2,700
E1005
多層膜スパッタ装置
半日
13,400
E1006
電子ビーム蒸着装置
半日
5,800
E1007
NLDエッチング装置
半日
7,900
E1008
両面マスクアライナー
半日
15,300
E1009
電子顕微鏡（ＳＥＭ）
半日
13,000
E1010
光干渉式膜厚測定装置
１時間
900
E1011
EB描画装置（４時間まで）
１時間
16,400
E1012
EB描画装置（４時間超過
分）
１時間
7,300
準備作業，標準的薬品（レジス
ト，現像液）類含む．
約20万円/24H連続
E1013
SPM顕微鏡
半日
5,200
BMP画像可．
BMP画像可．
ポラロイド撮影可．BMP画像可．
加工の対応範囲
加工対象
Si , SiO2 , 金属薄膜
高分子レジストのパターンニング
加工方法
• 加工対象
プラズマドライエッチングによる形状転写
– フラット基板
Si，SiO2
レジスト
• 加工方法
バイナリ，マルチレベル（別表参照）
– 高分子レジストのパターンニング
試料寸法 EB描画装置に格納できる基板寸法（ホルダ仕様）
– プラズマドライエッチングによる転写
・１inch□,1mm厚×４
・２inch○,1mm厚×２
• 使用可能レジスト
・１inch□ と２inch○各１, 1mm
または 5mm厚
– バイナリ・マルチレベル
レジスト
・３inch○,1mm厚×１
• 加工寸法
・４inch○,1mm厚×１
– EB描画可能な基板寸法
・５inch
□,フォトマスク作製用
• [１inch□,1mm厚]×４，[２inch○,1mm厚]×２
エッチング装置
– 平面上
>100nm，描画時間1mm角xx時間
・80mm ○, ５mm厚に収まるもの
• 設計
設 計 – 持ち込み．シミュレーションは対応しない
依頼者持ち込み．光学シミュレーションは対応なし．
• 加工精度について
Line & Space の線幅 >100 nm（目安）
加工精度
– SEMでの観察・計測
ご承諾いただきたいこと
• 「機器使用」
– 事前打ち合わせを念入りに（来所，メール，電話）
– 形状や材質によってはご使用いただけないこともあります．
– お客様が主体で実験を行って頂きます．
• 「依頼加工」もありますが，あくまで代行です．
• 「使用料」算定について
–
–
–
–
–
維持に必要な光熱費，消耗品費に充てる費用です．
装置によっては，厳密な時間算定が困難
マシンタイムではなく，機器の占有時間＋準備に要する作業時間
事前の作業などをお手伝いした場合，人件費相当分も算定いたします．
仕様どおりの納品・実験の成功への報酬・保証ではありません
• 使用予約について
– 予約はお早めに．
• 特に事前準備を依頼される場合はお早めに．
• 実験計画は寸法やレイアウトを詳細に．
– 不慮の故障は，代替日でご容赦を．
お問い合わせ
• 技術相談
– 総合案内「技術支援センター」
• TEL 0725-51-2525, FAX 0725-51-2509
– 24時間インターネット技術相談
• 所公式ＨＰ（http://tri-osaka.jp/）内，
http://www.tri.pref.osaka.jp/tri24c.html
• 加工／試験／受託研究の具体的打ち合わせ
– フォトニクス研究開発支援センター
• 森脇 TEL: 0725-51-2611，mail: [email protected]