Transcript CdTe検出器 NaI検出器

ダブルベータ崩壊
• ニュートリノを放出するダブルベータ崩壊 (2nbb)
– 標準模型の枠内
– 実験的に確認
• ニュートリノを放出しないダブルベータ崩壊 (0nbb)
– 標準模型では禁止された反応
– 実験的に未確認
確認されると
– ニュートリノはマヨラナ粒子
– 有効マヨラナ質量
0nbbの探索
• 2つの電子のエネルギー和の分布においてQ値にできるピーク
を探索
2nbb
0nbb
要請
2つの電子のエネルギーの和
• エネルギー分解能の高い放射線検出器
• 高統計、低バックグラウンド
Q値
CdTe (テルル化カドミウム)
• 化合物半導体
• 有望なダブルベータ崩壊核を含む。
• CdTeを素子とした半導体検出器(CdTe検出器)で電子のエネル
ギーを測定できる。
130Te, 116Cd
• 自然存在比が高い
• Q値が高い
– 環境放射線バックグラウンド
が少ない
106Cd
• β+EC崩壊を起こす
自然存在比 Q値(MeV)
130Te
34%
2.53
116Cd
7.5%
2.80
128Te
31%
0.866
106Cd
1.5%
1.75
106Cdを用いた0nbb探索
• β+EC崩壊を起こす。
e  Ni (A, Z)  Nf (A, Z - 2)  e (2n e )
• 陽電子は静止後、電子と対消滅し2γを生成
CdTe
+
+
+
+
e+
－－－－
γ
－
106Cdを用いた0nbb探索
• CdTe検出器をNaI検出器で囲む
• CdTe検出器からの信号に加え、Back to BackとなるNaI検出器
で511keVのγを同時検出することを要求することで、環境放射
線によるバックグラウンドを排除
CdTe検出器
NaI検出器
CdTe検出器
長所



放射線→電気信号への変換効率がよい。
(半導体検出器としての性質)
放射線吸収率が高い。(原子番号と密度が高いため)
常温で使うことができる。(バンドギャップが大きいため)
短所

半導体検出器としてはエネルギー分解能が低い。
(ホールの易動度が低く、ホールの寿命が短いため)
電子
移動度
ホール
移動度
(cm2/V/s)
(cm2/V/s)
32
3800
2.33
14
5.85
48,52
バンド
ギャッ
プ(eV)
密度
Ge
0.67
5.33
Si
1.11
CdTe
1.47
(g/cm3)
原子
番号
電子
寿命
(s)
ホール
寿命
(s)
1900
>10-3
1×10-3
1400
500
>10-3
2×10-3
1100
100
3×10-6
2×10-6
ホール捕獲の効果
• CdTe中ではホールのドリフト中の捕獲が顕著。
• ホールの易動度が低いため、ホールの寿命が短いため
荷電粒子
CdTe
陰極
ホール 電子
+ －
+ －
+ －
陽極
ホール捕獲の効果
Ne 
Vh
 x0 
Q
d 
d

 d ( d  x 0)  
1  exp
 
Vh


Q : 誘導電荷
N : 電離された対の数
h : ホールの易動度
d : 素子の厚さ
十分に小さいとき
大きいとき
Nとx0に依存 x 0 : 電離が起きた場所
Q  Ne
↓
(陽極からの距離 )
Nのみに依存
エネルギー
  ホールの寿命
分解能が悪化
V : 印加電圧
• Ge, Siなどはμhτが十分大きい Q  Ne
• CdTeではμhτが小さくホール捕獲の効果が顕著
• 素子が薄ければ(dが小さければ)その影響は小さい
→ 小型のCdTe検出器は既に市販されている
しかし小型のCdTe検出器を積層するとなるとチャンネル数が
多くなってしまう。
→ 大型のCdTe検出器でも高いエネルギー分解能を得ることはで
きないか
波形読み出し
• CdTe検出器からの信号の波形を読み出し、パルスの高さとド
リフト時間を測定。
• ドリフト時間によりパルスハイトに補正をかけることで、
ホール捕獲の効果を補正
→ エネルギー分解能を改善できるはず
補正
ホールの効果
電子の効果
ドリフト時間
予想されるCdTe検出器からの信号の波形
予想されるドリフト時間とパルスハイトの関係
セットアップ



DAQ
PC
コントロール
データ取得
CdTe検出器(CdTe505050)
クリアパルス社製, 特注品
Bias supply
PreAmp
FADC
オーミック型
Bias
400V
信号
素子のサイズ:5mm×5mm×5mm
PreAmp(580K)
CdTe detector
クリアパルス社製, 電荷有感型
改造
γ (662keV)
時定数:60μs→600μs,
gain:約11倍
Flash ADC(V1724)
137Cs 線源
CAEN社製, sampling rate:100MHz
dynamic range:-2V~2V, resolution:14bit
CdTe505050
2.2nF
↓
（特注品）
22nF
1μF
10kΩ
220kΩ
↓
75kΩ
プリアンプの改造
22kΩ
観測された波形
電子の効果が大きいもの
(反応が陰極付近で起きた)
ドリフト時間が短い
ホールの効果が大きいもの
(反応が陽極付近で起きた)
ドリフト時間が長い
エネルギー分布
素子の温度が 100
0℃の時
# of counts
# of counts
パルスハイトの分布
50
エネルギーの分布
(FWHM2.02%)
ドリフト時間によ
るエネルギー補正
400
400
Pulse height
パルスハイトとドリフト時間
Energy(keV)
エネルギーとドリフト時間
700
Pulse height
Energy(keV)
1000
8
Drift time(μs)
8
Drift time(μs)
• 補正により光電効果によるピークがきれいに見えるように
なった。(FWHM:2.02%)
温度の影響
• 液体窒素、恒温槽によりCdTe素子の温度を制御して測定。
FADC counts
-40℃の時
FADC counts
30℃の時
time (s)
time (s)
• 温度が低くなると、ホールのドリフト速度が遅くなっていく。
Pedestal RMS (FADC counts)
温度と2μs間でのPedestalのRMSの関係
液体窒素での冷却下
恒温槽による温度制御下
Mean drift time (s)
温度の影響
Temperature(℃)
液体窒素での冷却下
恒温槽による温度制御下
Temperature (℃)
• 温度が高くなるとノイズが大きくなる。
• 温度を低くすると、ドリフト速度が遅くなり、ホール捕獲の
効果が大きくなる。
→ 現在の測定環境では0℃付近で分解能が最良(FWHM:2.02%)と
なる
エネルギー分解能
0℃で測定したとき
WT  WD  WX  WE
2
2
WD  2.02%
WD  0.19%
2
2 WT :トータルの分解能
WD : キャリアの統計による
影響
WX : 電荷収集の影響
WE : 電子回路雑音による影 響
WX  1.83%
WE  0.79%
• 依然として電荷収集の影響が支配的
電場の一様性
• 理想的には電荷収集の影響は完全にキャンセルできる。
• 完全にキャンセルできないのは、CdTe内部の電場が一様でな
いためだと思われる。
• CdTe素子全体が均一であった場合、電場の非一様性による影
響は0.2%程度→均一でない?
陽極
電場(V/cm)
Y position(cm)
陽極
5mm
2.5mm
5mm
CdTe
陰極
X position(cm)
5mm
陰極
さらに大型化
• 15mm× 15mm×10mmのCdTe素子を用いたCdTe検出器
• クリアパルス製, オーミック型
大型CdTe検出器
• ホール捕獲の効果が大きく、補正後もエネルギー分解能が低い
→ 解析方法の改善が必要
今後
• CdTe素子のサイズ(厚いとドリフト時間大、横に広げるとノイズ大)
• 塩素のドープ量(多いとホールの移動度小?、少ないとリーク電流大)
• 温度(高いとノイズ大、低いとホールの移動度小)
• 印加電圧(高いとリーク電流大、低いとドリフト速度小)
を最適化
• 解析方法や電極構造を改善
• O(10cm3)でエネルギー分解能0.5%(FWHM＠2.5MeV)を目指す
• ダブルベータ崩壊探索のみでなく、検出効率の高く、常温で使
用可能な放射線検出器としての応用も考えていく。
まとめ
• ドリフト時間からパルスハイトに補正をすることにより、0℃
において、5mm角の素子を用いたCdTe検出器で662keVのγ線
に対しFWHM2.0%のエネルギー分解能を得ることに成功した。
• 温度が高いとノイズが大きく、低いとホールの移動度が低く
なるため現在の測定環境では0℃付近でエネルギー分解能が最
良となる。
• 補正後も依然、電荷収集の影響が支配的であり、その原因と
して電場の非一様性、素子の非均一性が考えられる。
• さらに大きい15mm× 15mm×10mmのCdTe素子を用いたCdTe検
出器を用いたR&Dも開始した
• 今後もR&Dを続け、O(10cm3)でエネルギー分解能0.5%(FWHM
＠2.5MeV)を目指す
バックアップ
半導体検出器からの信号の式
電子による信号
NeVe
Q e (t ) 
t
2
d
Nex0
Q e (t ) 
d
N : 電離された対の数

x0d 
 0  t 

V

e


 x0d


 t 
 Ve

e : 電子の易動度
h : ホールの易動度
d : 半導体の厚さ
x 0 : 電離が起きた場所 (陽極からの距離 )
  ホールの寿命
V : 印加電圧
ホールによる信号
NeVh
d2
t 

1

exp





NeVh 
 d ( d  x 0) 


Qh(t ) 
1

exp
2

d
Vh


Qh(t ) 
t : 電離後の経過時間

d ( d  x 0) 
 0  t 

Vh 

 d ( d  x 0) 

 t 
 Vh

足し合わせた信号
Q(t ) 
NeV 
 t 



et  h 1  exp
 
2 
d 
 

Q(t ) 
Ne 
Vh 
 t 
 x 0 
1  exp  
d 
d 
 

x0d 
 0  t 

Ve 

 x0d
d ( d  x 0) 


t 
Vh 
 Ve
Q(t ) 
Ne 
Vh
 x0 
d 
d
 d ( d  x 0) 

 t 
 Vh


 d ( d  x 0)  
1  exp
 
Vh


Coplanar grid technique
•
半導体素子の陽極側に電圧の異なる2つの電極を配置する。
•
ホールのドリフトや陽極付近に来るまでの電子のドリフトによる効果は両方の陽極
に同じようにあらわれる。
陽極付近から電圧が高い方の陽極までのドリフトによる効果は2つの電極で異なる。
•
•
一方の陽極からの信号から他方の陽極の信号を引けばホールの影響を受けない電子
の数だけに比例した情報が得られる。
半導体
陰極
陽極1
陽極2
+ －
CH1(high bias)
CH2(low bias)
CH1-CH2
陽極1
ガード電極
陽極2
陽極の構造
CdTe素子、電極構造の写真
各陽極からの信号
60Co
小CdTe
60Co
大CdTe