Transcript 電子學ch5教案
第 5 章 電晶體直流偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 …………………………………………………………… • • • • • 5-1 按一下以編輯母片 第二層 5-2 第三層 5-3 第四層 5-4 第五層 直流工作點 固定偏壓電路 回授偏壓電路 分壓偏壓電路 1 5-1 直流工作點 按一下以編輯母片標題樣式 ………………………………………………………………………….… 1. 直流工作點 A點:為零偏壓( VCE=0,IC=0 ),不適合。 按一下以編輯母片 位置約在飽和區、截止區與最大功率曲線之間。 B點 第二層 可獲得不失真的輸出,是適當的工作點。 C點:太靠近飽和區和截止區,不適合。 第三層 D點:太接近最高VCE處,不適合。 • • • • 第四層 • 第五層 節目錄 2 按一下以編輯母片標題樣式 2.直流負載線 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 節目錄 3 按一下以編輯母片標題樣式 (1) 負載線方程式:VCC=ICRC+VCE 令IC=0(即令電晶體截止),則 按一下以編輯母片 VCE=VCC=20V 第二層令V =0(即令電晶體飽和),則 CE 第三層 IC VCC 20V 1A 1000mA R C 20 第四層 (2) 直流負載線:於坐標軸上描出(20V,0)及 • • • • • 第五層(0,1000mA)兩點並以直線連接。 (3) 負載線之斜率 VCC 0 RC y 2 y1 1 m x 2 x1 VCC 0 RC 節目錄 4 按一下以編輯母片標題樣式 3.工作點分別在負載線中間、截止點及飽和點的 工作情形 負載線中間:可得完整最大不失真 按一下以編輯母片 的振幅輸出。 截止點:輸入訊號負半週會進入截 工作點 第二層 止區而失真。 第三層 飽和點:輸入訊號正半週會進入飽 第四層 和區而失真。 • • • • • 第五層 節目錄 5 按一下以編輯母片標題樣式 4.改變RB、RC或VCC對Q點及直流負載線之影響 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 節目錄 6 5-2 固定偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 ………………………………………………………………………….… • • • • • 1. 電晶體典型各點電壓值(NPN型) 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 節目錄 7 2.共射極固定偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 (1) 輸入迴路 第五層 VCC VBE VCC IB ≒ RB RB (2) 輸出迴路 IC=IB VCE=VCC ICRC 節目錄 8 按一下以編輯母片標題樣式 (3) 判斷工作點是否屬於作用區 • • • • • VCC VCE(sat) VCC ≒ RC RC 按一下以編輯母片 IC(sat) IC IC(sat) 作用區 第二層 (4) 本偏壓電路不論有否進入飽和區,其IB值 第三層 幾乎為固定值,故稱固定偏壓。 (5) 電路特性 第四層 穩定性最差。 第五層 ∵ IB固定,IC= IB,當T↑, ↑, IC↑,Q點向飽和區移動。 本身無自動降溫功能。 節目錄 9 (6) 穩定因數S 按一下以編輯母片標題樣式 T 集極電流IC將隨溫度的改變而發生變化。 • • • • • 按一下以編輯母片ICO:溫度每升高10°C,ICO 增加一倍。 三個主要因素 第二層 VBE:2.5mV/ °C (矽)。 第三層 :隨溫度之升高而增加。 第四層 第五層 節目錄 10 按一下以編輯母片標題樣式 穩定因素S 定義 T • • • • • IC ICO β、VBE固定 按一下以編輯母片 S S(ICO ) IC 第二層 S' S(VBE ) VBE ICO、β固定 第三層 IC S'' S(β) 第四層 β ICO、VBE固定 S 在1(最佳)~ 1+(最差)之間;S' 在 0 第五層 (最佳)~ 1(最差)之間;而 S'' 則在 0 (最佳)~ 1(最差)之間。根據S、S'、S'' 的定義及求出的值可知,當穩定因數愈大 時,其熱穩定度愈差,即電路的工作愈不 穩定。 節目錄 11 按一下以編輯母片標題樣式 3.共基極固定偏壓電路 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 (1) 輸入迴路 第五層 VEE VBE VEE IE ≒ RE RE (2) 輸出迴路 IC=IE≒IE VCB=VCCICRC 節目錄 12 按一下以編輯母片標題樣式 (3) 直流負載線 • • • • • 當IC=0時,VCB=VCC=20V。 VCC 20 按一下以編輯母片 4mA。 當VCB=0時,IC= R C 5k 第二層 連接這兩點的直線稱之直流負載線。 第三層 (4) 直流負載線之斜率 第四層 VCC 0 第五層 m y R C 1 x 0 VCC RC (5) 集極飽和電流 VCC (0.6V) VCC 0.6V IC(sat) RC RC 節目錄 13 按一下以編輯母片標題樣式 4.共集極固定偏壓電路 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (1) 輸入迴路 VCC VBE VCC IB ≒ R B (β 1)R E R B βR E 節目錄 14 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • (2) 輸出迴路 IE=(1+)IB≒ IB 按一下以編輯母片 VE=IERE 第二層 VCE=VCCVE (3) 判斷工作點是否屬於作用區 第三層 VCC IE(sat) ≒ IC(sat) 第四層 RE 若IE < IE(sat),則電晶體工作於作用區。 第五層 (4) RE具有電壓串聯負回授作用,有穩定電路 功能。 節目錄 15 5-3 回授偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 ………………………………………………………………………….… 1. 射極回授偏壓電路 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (1) 功能:為了改善固定偏壓電路的不穩定,在 射極串接RE,作為溫度補償以穩定工作點。 節目錄 16 (2) 直流負載線 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 令IC=0,則VCE=VCC,找出x軸(橫軸)的 端點(VCC,0)。 按一下以編輯母片 VCC 令V =0,則 ,找出y軸(縱 I 第二層 CE C RC RE 第三層 軸)的端點 (0, VCC ) 。 RC RE 第四層 連接此兩點之直線即為直流負載線。 (3) 負載線之斜率 第五層 V m y 2 y1 x 2 x1 0 CC R C +R E 1 VCC 0 R C +R E 節目錄 17 (4) 輸入迴路 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 VCCIBRBVBEIERE=0 VCC VBE VCC IB ≒ R B +(1+β)R E R B +βR E 節目錄 18 按一下以編輯母片標題樣式 (5) 輸出迴路 IC βIB 按一下以編輯母片 VCC VBE IC β R B +(1+β)R E 第二層 IC≒IE • • • 第三層 • 第四層 • 第五層 VCE=VCC-IC(RC+RE) VE=IERE≒ICRE VC=VCC-ICRC 節目錄 19 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • (6) 判斷工作點是否屬於作用區 VCC ≒ IC(sat) (RC R E ) VCE(sat) ≒ IC(sat) (R C R E ) 按一下以編輯母片 VCC IC(sat) ≒ 第二層 RC RE 若IC < IC(sat),則電晶體工作於作用區。 第三層 (7) 電路特性 第四層 RE具有電流串聯負回授功能,可以增加穩 第五層定性。 若於RE兩端並接一電容CE,則可以防止負 回授,以提高電壓增益。 節目錄 20 2. 集極回授偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (1) 功能:利用在集極與基極間加一回授電阻來 改善直流偏壓的穩定性。 (2) 輸入迴路 VCC I'CR C IBR1 VBE 0 VCC VBE VCC I ≒ B R1 +βR C R1 βR C 節目錄 21 (3) 輸出迴路 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • VCC-IC'RC-VCE=0 VCE=VCC-ICRC 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (4) 回授電阻R1功能 優點:具有電壓並聯負回授作用,可使電 路穩定。 缺點:會使電壓增益下降。 節目錄 22 按一下以編輯母片標題樣式 (5) 改良電路 • • • • • 兩個回授電阻RF1及RF2來取代R1。 按一下以編輯母片 在RF1和RF2的連接點加一電容CD接地,以 第二層 消除交流訊號對直流偏壓的影響。 第三層 (6) 本偏壓方式永遠不會進入飽和區,可以省下 第四層 在解題時核對是否在作用區內工作的步驟。 第五層 節目錄 23 5-4 分壓偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 ………………………………………………………………………….… 1.共射極分壓偏壓電路 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (1) 近似分析 條件:Rin>>RB2(Rin≒(1+ )RE≒ RE) 若Rin>>RB2,則I1≒I2>>IB 節目錄 24 基極對地電壓 按一下以編輯母片標題樣式 R VB • • • • • B2 R B1 +R B2 VCC 按一下以編輯母片 射極對地電壓 第二層 V V V 射極內的電流 第三層 V I R 第四層 輸出迴路 第五層 I ≒I E B BE E E E C E VRC=ICRC VC=VCCVRC=VCCICRC VCE=VCVE=VCCICRCIERE 節目錄 25 (2)精確分析 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 RB1和RB2的戴維寧等效電阻 R BB R B1 // R B2 R B1 R B2 R B1 +R B2 戴維寧等效電壓 VBB R B2 VCC R B1 +R B2 節目錄 26 按一下以編輯母片標題樣式 輸入電流 • • • • • VBB VBE IB R BB +(β+1)R E 按一下以編輯母片 輸出迴路 第二層 I βI 第三層V V I (R R ) 分壓偏壓是溫度變化時,穩定度最佳的偏 第四層壓方法。 電路特性 第五層 A. R 具有自動降溫功能。 C B CE CC C C E E B. 因電晶體 老化,也不會影響工作點。 節目錄 27 2.共集極分壓偏壓電路 按一下以編輯母片標題樣式 • • • • • 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 (1) 戴維寧等效電壓及等效電阻為 R B2 VBB VCC R B1 R B2 R B1R B2 R BB R B1 // R B2 R B1 R B2 節目錄 28 按一下以編輯母片標題樣式 (2) 依據戴維寧定理可以解得基極電流為 • • • • • VBB VBE R BB (β 1)R E 按一下以編輯母片 (3) 輸出迴路 第二層IE≒IC= IB 第三層VCE=VCCIERE=VCCVE (4) 電路特性 第四層 工作點與 無關。 第五層 若 R BB 1 (1 β)R E 10 則 RBB可忽略不計,應用近似解即可。 IB 節目錄 29