Transcript 二极管，整流桥
整流桥 讲义：周江江 2010-12-15 第一部分、概念及原理 • 1，二极管的概念 • 2，何为整流，为何整流。（特殊场合要特 定的电压。） • 3，整流桥的原理。 • 4，整流桥的应用。 一、二极管的概念 二、二极管的特性 • 三、二级管的用途 四、二极管整流 五、整流桥 单相桥是有4个二极管组合，其结构如下图 ： 六、单相整流桥的整流电路 七、直流稳压电源 八、开关电源应用 第二部分 整流桥市场 一、整流桥的主要注意： 二、应用市场 1，小电流0.5A~4A 2、普通电流6A~25A 3、大电流35A~800A 三、行业市场分析 1，工业领域的竞争品牌 MICROSEM 三菱 富士 IR 工业领域 IXYS Semikron SanRex VISHAY 1.1各品牌的大致情况 1.1.1 Semikron– 电力电子行业 1951年成立于德国总部位于纽伦堡第三代家族式企业 全球拥有3200名员工 ，全球拥有 35家分公司 在德国、巴西、中国、法国、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国设 有生产基地 电力电子系统、标准功率半导体及定制解决方案和系统比较厉害。 主要产品涉及：IGBT模块、MOSFET模块、可控硅及二极管模块、分 立器件、驱动器、散热器等附件。 Semikron整流模块主要市场： 商用电磁炉、工业控制电源 网址：http://www.semikron.com/skcompub/en/index.htm 1.1.2三社 – 半导体器件 1933年 四方幸夫创办个人经营的三社电机公司，着手生产放映机 光源用〈扼流线圈·自耦变压器〉。 目前国内办事点： 2001三社电电机（上海）有限公司在中国上海成立； 2004北京事务所。 2006年佛山市顺德区三社电机有限公司的新工厂开始运转。 功率器件主要涉及产品：可控硅、IGBT、GTR、整流模块。 三社模块主要市场：商用空调、商用电磁炉、变频器 三社网址：http://www.sansha.co.jp/official/chinesesite/ 1.1.3 IXYS – 功率器件 IXYS 公司是世界著名的半导体厂家,成立于1983年, 总部设于加利福尼亚 州 ，一家在美国纳斯达上市的公司。拥有 1000 多个科技人才在全球 范围内的 9 个部门。 主要产品：致MOSFET,IGBT,可控硅、二极管，整流桥，快速二极管， 肖特基，电源管理IC等。 IXYS 的产品以高靠性和大功率为业界所推崇（ 量转换的功率半导体和引入第一的太阳能电池） IXYS 还提供了太阳能/风的能 IXYS先后收购了WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司，产品扩充到大 功率的盘状可控硅二极管，压接式IGBT,固态继电器，电源管理IC， RF MOSFET及其驱动等 IXYS模块主要市场：电信通讯电源、 工业控制、 医疗器械、变频器等 网址：http://www.ixys.com/ 2，家电行业竞争品牌 家电行业 新电源 美高森美 乐山 固锝 扬杰 强茂 SEP(台湾长虹) 深科电子 2.1.1sindengen-电源行业 1949年，小田孝次郎成立sindengen工业，一直致力于功率半导体以 及开关电源等功率电子领域 。 sindengen全球员工大约有6140人。 sindengen主要涉及产品：整流桥、AC-DC、DC-DC、控制模块、快恢 复二极管、电路组件等 sindengen整流桥主要市场：开关电源、变频家用行业等 网址：http://www.shindengen.co.jp/top_e/index.html 2.1.2 LRC乐山无线电—半导体 乐山无线电，创建于1970年，乐山无线电股份有限公司及其合资企业 是中国最大的分立半导体器件制造基地 。 LRC产品主要涉及：二极管、晶体管、集成电路、整流桥。 LRC整流桥主要市场：开关电源、家电。 网址：http://www.lrc.cn/product.asp 第三部分 美高森美整流桥 3.1公司简介： 美国美高森美集团在宇航、医疗及军工等高可靠性应用领域出众且 独特的 芯片制造工艺技术。 公司主要生产高可靠性大功率玻璃钝化整流二极管芯片 （GPP）、整流桥（BRIDGE）、高压硅堆、模块及其它半 导体器件和芯片，产品达到美 国军用/航空二极管标准，主 要出口美国、广泛应用于移动通信、计算机及周边设备、 医 疗器械、汽车、卫星、通讯及军用/航天等领域。 3.2 产品组成 晶圆部分 产品部分 3.3整流桥内部工艺：钝化保护技术 星级 芯片 结构 工艺技术 P+ N N+ P+ N N+ P+ N N N+ 扩散 台面腐蚀 台面腐蚀 + + + 硅橡胶保护 沟槽玻璃钝化 SIPOS保护层 P+ N N+ 扩散片 (Open Junction) P+ + + 沟槽玻璃钝化 质量等级 低质量 低质量 中等质量 中等偏上 3.3.1 Microsemi的5星级钝化保护技术 P+ 氮化硅保护层 N N+ = 氮化硅 & 玻璃钝化 （Microsemi 在所有高可靠性产品中均采用此技术） 工艺技术 : 台面腐蚀 + 氮化硅保护层 + 沟槽玻璃钝化 质量等级: 最高质量等级 3.4 SMSC模块新设计的双沟槽玻璃钝化保护芯片 真空烧结，空洞率<2.5%。 X-Ray全扫描，彻底保证焊接层质量。 3.5 方桥-新型铝基覆铜板结构 Type MT3516A MT3516 Frame Remark 采用新型铝基覆铜板 （Aluminium Copper Clad Laminate）结构，芯片直接 焊在铝基覆铜板上，桥堆工 作时，芯片通电所产生的热 量直接由铝基板迅速传给散 热器。因此大大降低了桥堆 自身的壳温，从而提高了桥 堆的实际工作效率和可靠性 及使用寿命。 采用铝底胶壳结构，芯片通 电所产生的热量需要通过胶 壳传递到底部铝板，然后再 通过散热器进行散热。因为 胶壳传热而增加了产品热阻， 从而降低了产品的工作效率。 3.6 Microsemi高可靠性试验 试验项目 试验条件 高温存放(HTSL) Ta = 150 ℃, T=48H, No bias 高低温循环(TCT) HOT Ta=Tvjm T= 30mins, COLD Ta=Tvjl T= 30mins, TRANSFERRING ≤ 10secs, Cycles=10 高压蒸煮(PCT) (塑封产品) 15P.S.I @ 121℃, T=48H 高温反偏(HTRB) Tj=150℃, VBR=80%VRRM, T=96H 功率老化(OP - Life) Ton = Toff = 5minutes, or Ton =From Tj= 25+/-5 ℃ to Tj =150+0/-10 ℃, Toff= From Tj= 150+0/-10 ℃ to Tj =25+/-5 ℃ （一般产品60%） 3.7 美高森美整流桥型号识别 IH:封装形式(GBPC) D~M:200V~1000V S:可能：M、D等 谢 谢