Transcript ROM의 구조

디지털회로설계 (15주차)
17. 시프트 레지스터와 카운터
18. 멀티바이브레이터
* RAM & ROM
3. 쉬프트 레지스터
4. 존슨 3비트 카운터 설계
5. 4비트 링 카운터
3. 비안정 멀티바이브레이터
5. 단안정 멀티바이브레이터
RAM(random access
memory)
메모리
•
목적
• 반도체 기억장치인 메모리의 읽기와 쓰기
동작을 통해 동작 과정과 측정방법을 이
해하는데 목적을 둔다.
메모리
• 이론
• RAM(random access memory)
• RAM은 크게 SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)으로
분류할 수 있다. SRAM은 플립플롭으로 구성되어 있기 때문에
전원이 가해지고 있는 동안에는 플립플롭에 저장된 데이터가 계
속 유지될 수 있다. 소자의 집적도는 떨어지나 리프레쉬
(Refresh) 동작이 필요치 않아 디지털 시스템의 하드웨어 구현
이 쉽다. DRAM은 MOS소자의 커패시터에 전기 신호를 인가해
서 데이터를 저장하기 때문에 주기적으로 리프레쉬 동작을 해야
된다. 셀(Cell)의 구조가 간단하여 고집적 회로 실현이 가능하므
로 용량이 큰 소자를 구현할 수 있다. 따라서 컴퓨터 시스템의
메모리 용량이 큰 경우는 DRAM으로 구성을 하고, 용량이 작을
경우에는 SRAM으로 구성을 한다
메모리
• RAM 구조
(B) DRAM
메모리
• SRAM 구조
메모리
• ROM
ROM은 기억된 정보 데이터를 읽기만 할 수 있는 메모리 소자로, 전원의 인가
여부에 관계없이 저장된 데이터가 소멸되지 않는다. ROM의 종류로는 마스크
ROM(Mask ROM), PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable & PROM),
EEPROM(Electrically EPROM) 등이 있다.
마스크 ROM은 사용자의 요구에 따라 제조사가 데이터를 입력함으로써 단일 대
량 생산에 적합한 이점이 있다.
PROM은 ROM Writer를 이용하여 사용자가 필요한 데이터를 입력시킬 수 있으
나 지울 수 없는 메모리이다.
EPROM은 기존의 저장된 데이터를 지우고 다시 데이터를 입력시킬 수 있는 메
모리로서 데이터를 지울 때에는 자외선(Ultra violet)을 이용한다.
EEPROM은 데이터의 입력 및 지움을 전기적인 신호로 처리할 수 있는 메모리
소자이다.
메모리
ROM의 구조
F0
A2
F1
A1
A0
F2
3X8
Decoder
F3
F4
F5
F6
F7
D3
D2
D1
D0