Transcript 리프트 스위치를 내리고 챔버 덮개가 닫히면 포라인 밸브

Sputter manual
Semiconductor devices and Sensors Lab.
The schematic of sputter system
제어판 용어 정리
Valve
Pump
VEVT
LIFT (챔버 덮개 개폐)
T.V (Throttle Valve)
R.P (Rotary pump)
R.V (Rough Valve)
D.P (Duffusion pump)
SP1 (셔터 작동)
SP2  X
C.ADJ (전류 콘트롤)
F.V (Foreline Valve)
M.V (Main Valve)
Ar, O2, N2
Buzzer
기본 셋팅
• Water pump valve open (주황 & 파랑)
water 램프 on
-예열과정
1. 로타리 펌프 on
2. 포라인 밸브 on
3. 디퓨전 펌프 on
*예열 시간 약 20~30분
Main Controller
가스 주입 (Ar,O2,N2)
밸브개폐, 펌프, 챔버
이상유무 경고
셔터
Main Flow Controller
Power Supply
On/Off
switch
냉각수 밸브를 연다
로타리 펌프를 켜고, 포라인 밸브를 열고 디퓨젼 펌프를 켠다.(이 때 쓰로틀
밸브의 조정눈금을 9에 맞춘다.
벤트 스위치를 올린다.
벤트 스위치를 내리고
리프트 스위치를 올린다.
기판 홀더를 챔버로 부터 분
리하여 증착될 기판을 올려
놓는다.
* 실제 증착은 이 면이 아니라 뒷
면으로 증착이 되므로 증착될 면
을 아래로 향하게 한다.
Target과 전극 사이의 저항을 측
정한다.(수백 kΩ~수MΩ=> 9번
절차 진행 가능)
기판 홀더를 챔버에 장착한다.
Target
(Cr)
“ㄱ”모양으로 된 홈에
맞추어 장착하면 장착
이 용이하다.
전극
7 번 과정에서 측정된 저항값이 정상치보다 낮을 경우 챔버
내부를 진공청소기를 이용하여 청결하게 하고 다시 저항을
측정하여 수백 kΩ 에서 수MΩ의 저항값이 나올 경우 이후 절
차를 진행한다.
전극과 타겟 사이에
끼인 불순물을 꼭
제거한다.
리프트 스위치를 내리고 챔버 덮개가 닫히면 포라인 밸브 스위치
를 내리고 로타리밸브 스위치를 올린다.
게이지 B의 값이 5.0 - 3 아래로
측정되고
2번 과정이 끝난 후 20분이 경과
했으면
러프 밸브를 스위치를 내리고 포
라인 밸브스위치를 올리고 메인
밸브 스위치를 올린다.
그렇지 않다면, 9번 과정을 계속
진행한다. (=>디퓨전 펌프의 펌
핑 효율을 높이기 위해서..)
게이지 B의 측정값이 5.0 -3 값 이하로 떨어지면 IG
ON/OFF 스위치를 눌러 이온 게이지를 작동시키고 그 값이
5.0 -6 이하로 측정되면 다음 과정을 진행한다.
이온 게이지
측정값
Output 스위치를 켜고 전류 조정 돌리개(C.ADJ) 를 시계방
향으로 돌려서 전류 출력을 0.5A 까지 올려준다. ( 이 조건에
서 증착 속도는 240 Å/min 이다 (이 때 쓰로틀 밸브의 조정
눈금은 3으로 맞춘다.)
1~2 분 정도 기다린 후 셔터 스위치를 올린다.
증착은 이때 부터 시작되며 원하는 박막 두께에
따라 증착시간을 정하여 증착한 후 셔터 스위치
를 내린다.
챔버 내부에서 플라즈마가 형성된 모습
전류 조정 돌리개를 반시계 방향으로 끝까지 돌린후 Output 스위치를
꺼준다.
Ar 스위치를 내리고 MFC의 가스 주입 스위치를 내린다.
메인 벨브를 닫고 VENT 스위치를 올린다.
VENT 스위치를 올리고
램프가 꺼지면 리프트
스위치를 올린다.
샘플홀더를 챔버에서 분리한 후 증착된 기판을 꺼낸다.
추가적으로 기판에 박막을 증착하려면 5번 과정부터 반복하고 증착이
끝나면 이후의 과정을 시행한다.
샘플 홀더를 챔버에 장착하고 lift 스위치를 내린 후
포라인 밸브 스위치를 내리고 러핑 밸브 스위치를 올
린다. 3~5분 후에 22번 과정으로 넘어간다.
러핑 밸브 스위치를 내리고 포라인 밸브 스위치를 올린다.
디퓨전 펌프 스위치를 내린후 1시간 후에 포라인 밸브 스위치를
내리고 로터리 펌프 스위치를 내린다.
냉각수 밸브를 잠근다.