Transcript PECVD upgrade

장비의 대략적인 개요
장비 위쪽에 MFC가 들어있는 박스
가 있습니다.
Dry pump로 진공을 잡습니다.
NF3 cleaning gas 들어가는 관
-SiH4과 반응을 막기 위해 따로
분리되어 있음
100% SiH4, N2O, N2,
Ar, NH3 gas가 3개의
관으로 나누어 들어갑
니다.
Teflon과 오링으로 샤
워헤드와 관이 연결된
구조로 플라즈마 증착
시 발생되는 열로 문제
가 자주 발생했던 적이
있습니다.
챔버 직경은 40~50cm
정도 되고 down-flow
방식입니다.
주로 SiO2와 Si3N4 증
착에 사용합니다.
장비의 문제점
1. SiO2 나 Si3N4 증착시 powder 발생
<Sample에 powder가 생긴 모습>
<샤워헤드 홀을 중심으로 생성된 흰색
particl이 생성되고 sample로 떨어짐>
- NF3 를 통해서 chamber cleanin을 하지만, powder 발생이 계속됨.
2. 열에 취약한 구조
-gas가 들어오는 부분은 테프론 적층
구조로 되어 있으며 테프론 사이는 오
링을 사용함. 온도가 너무 올라 갈 경
우 오링이 녹는 문제가 있음.
업그레이드 바라는 사항
1. powder 발생이 최소화되는 구조
- 발생된 powder(particle)에 민감한 실험을 많이 진행 중입니다.
2. 증착시 발생하는 열과 기판 히터(200~300도)에서 발생하는 열로 부터
안정된 구조
3. 100% SiH4을 사용 중이기 때문에 안정성있는 구조