Transcript (7판)6장

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Chapter 6
BJT 증폭기
Electronic Device (Floyd )- Ch. 6
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목
표
 증폭기의 개념
 트랜지스터의 내부 파라미터 확인 및 응용
 공통 이미터 증폭기의 동작 해석
 공통 컬렉터 증폭기의 동작 해석
 공통 베이스 증폭기의 동작 해석
 다단 증폭기 동작 해석
 차동 증폭기 동작 해석
Electronic Device (Floyd )- Ch. 6
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6-1. 증폭기의 동작
• 바이어스의 목적 : 전류 및 전압의 변동을 교류 입력 신호의 응답내에서 발생할
수 있도록 Q점을 설정
• 소신호 증폭기 : Q점의 변동이 작은 교류 신호를 취급하는 증폭기
교류량
• 직류량의 표현 : IC, IE, VC, VE
• 교류량 - 실효값, 첨두 값의 표현 : Ic, Ie, Vc, Ve
- 순시값의 표현 : ic, ie, vc, ve
• 저항 : 교류 – Rc, 직류 – RC, 내부저항 – r’
교류량의 표현
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선형 증폭기
• C1과 C2는 용량설 결합 커패시터 : 직류차단(RS와 RL변화에 따른 직류 변화 차단),
교류 통과
• 사인파의 컬렉터 전류가 증가 -> 컬렉터 전압 감소
• 베이스 전압과 컬렉터 전압은 항상 위상 반전
그래프 해석
전압분배 바이어스 증폭기
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Q점에 대한 베이스 전류 및
컬렉터 전압, 전류의 관계
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6-2. 트랜지스터 교류 등가 회로
• TR의 동작을 이해하기 위해 등가회로로 표현
• 등가회로는 TR의 동작상태를 표현하기 위해 여러 파라미터 이용 : r- , h그림의 화살표 방향은 반대(교재참조)
r- 파라미터
r’ 파라미터
αDC
βDC
r’e
r’b
r’c
해
설
교류알파(Ic/Ie)
교류베타(Ic/Ib)
교류 이미터 저항
교류 베이스 저항
교류 컬렉터 저항
r-파라미터 등가회로
교류이미터저항
r 'e 
TR 기호와 r-파라미터 등가 관계
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25mV
(20C기준)
IE
직류베타와 직류베타의 비교
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h- 파라미터
• 제조사의 규격표에서 취급하는 파라미터
• 상대적으로 측정이 용이
• 등가회로는 TR의 동작상태를 표현하기 위해 여러 파라미터 이용 : r- , hh- 파라미터
hi
hr
hf
ho
해
설
입력임피던스(저항)
전압귀환비
순방향 전류이득
출력어드미턴스
(컨덕턴스)
조 건
구
출력단자
입력개방
출력단락
입력개방
공통이미터
공통베이스
공통켈렉터
기본적인 교류 h-파라미터
h- 파라미터와
r-파라미터의 연관성
 ac  h fb
 ac  h fe
h-파라미터
hie, hre, hfe, hoe
hib, hrb, hfb, hob
hic, hrc, hfc, hoc
증폭기 구성에 따른 h-파라미터의 첨자
• h-파라미터를 r-파라미터로의 변환
r 'e 
hre
hoe
r 'c 
hre  1
hoe
r 'b  hie 
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성
hre
(1  h fe )
hoe
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6-3. 공통 이미터 증폭기
• 공통 이미터 증폭기 : 높은 전압 및 전류이득 특성
• 그림 6-8 : 직류와 교류 동작이 결합되어 있으므로 각각 해석
공통 이미터 증폭기
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직류 해석
• 직류 해석이므로 결합 C와 바이패스 C를 제거(C는 직류에서 개방)
베이스 입력저항은
RIN (base)   DC RE  (150)(560)  84k
RIN (base)는 R2의 10배이상이므로 무시
 R2 
 6.8k 
VCC  
VB  
12V  2.83V
 28.8k 
 R1  R2 
VE  VB  VBE  2.83V  0.7 V  2.13V
 IE 
VE 2.13V

 3.80mA
RE 560
I C  I E이므로
VC  VCC  I C RC  12V  (3.80mA )(1.0k)
 12V  3.80V  8.20V
그러므로
VCE  VC  VE  8.20V  2.13V  6.07 V
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직류 등가회로
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교류 등가 회로
• 가정 : 커패시터 C1, C2, C3는 이들 값이 신호 주파수에서 XC≈0Ω으로 가정함으로
유효단락으로 간주한다.
• 교류 접지 : 직류전원은 접지로 대체(직류전압원 내부 저항이 0이므로)
교류 등가 회로
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• 베이스에서 신호(AC) 전압
- 만약 교류 신호원의 내부 저항이 0 : 신호원의 모든 전압이 베이스단자에 인가
- 교류 신호원의 내부저항이 ≠ 0 : (1) 신호원 저항(RS), 바이어스 저항(R1∥R2),
TR의 베이스 입력 저항(Rin(base))
전체 입력저항은
Rin( tot)  R1 R2 Rin(base)
TR의 베이스 신호 전압은
 Rin( tot) 
Vs
Vb  
R R

s
in
(
tot
)


만약 Rs  Rin(tot)이면, Vb  Vs
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교류 등가 베이스 회로
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• 베이스 입력 저항 : 외부회로가 연결된 r-파라미터 모형 이용
베이스로 본 입력저항은 Rin( base) 
Vin Vb

I in I b
베이스 전압은 Vb  I e r 'e
I e  I c이므로 I b 
Ie
 ac
Vb와 I b 를 대입하면 Rin( base) 
Vb
I r'
 e e
I b I e /  ac
I e를 삭제하면 Rin( base)   ac r 'e
외부회로가 연결된 r파라미터 모형
• 출력 저항 : 컬렉터를 본 저항으로 컬렉터 저항과 거의 동일
Rout  RC ( Rout  RC r 'c )
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전압 이득
• 이득 : 컬렉터의 교류 출력 전압(Vc)과 베이스의 교류 입력 전압(Vb)의
비
- 베이스에서 컬렉터까지의 전압이득
Av 
Vout Vc

Vin Vb
여기서 Vc   ac I e RC  I e RC , Vb  I e r 'e
 Av 
I e RC RC

I e r ' e r 'e
전류 방향 반대
교류 전압 이득을 위한 등가회로
• 신호원에서 컬렉터까지의 전체 증폭기 이득을 구하기 위해서는 입력회로의 감쇠를 포함
• 감쇠 : 신호 전압이 회로를 거치면서 감소하는 것
• 전체 증폭기 이득 : 신호원에서 베이스까지의 감쇠와 베이스에서 컬렉터까지의 이득을
곱한 것
베이스 회로에서의 감쇠는
Rin( tot)
Vb
감쇠 

Vs Rs  Rin(tot)
전체 전압이득 A'v 는
감쇠와 베이스와 컬렉터간의이득 Av의곱
 Vb 
A'v    Av
 Vs 
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전체 이득
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전압 이득
• 바이패스 커패시터(C2)의 영향
- 이미터 저항을 효과적으로 단락시켜 이미터를 교류 접지시킴
- 바이패스 커패시터로 인해 증폭기의 이득은 최대 Rc/r’e
- 바이패스 커패시터의 용량은 충분히 커야 하며, 이로 인해 증폭기의 신호 주파수
범위에서 리액턴스는 RE에 비해 매우 적음.(10XC≤RE)
• 바이패스 커패시터가 없는 경우
- 이미터가 교류 접지가 되지 않아 RE에 교류 신호가 나타나고, 그때의 전압이득은
- 교류 전압이득은 RE의 영향으로 감소
• 전압이득에서 부하의 영향 :
- 부하 : 증폭기의 출력 또는 다른 회로에서
부하 저항으로 흐르는 전류의 양
- 전체 교류 컬렉터 저항은
Rc 
Av 
RC
r ' e  RE
RC RL
RC  RL
전압이득 수식에서 RC 를 Rc 로 바꾸면
Av 
Rc
r 'e
Rc  RC일때, 전압이득은 감소
RL  RC이면, Rc  RC이며 부하는 이득에 미영향
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교류 부하 저항
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전압 이득의 안정도
• 안정도 : 증폭기가 온도 또는 다른 인자들의 변화에도 설계 기준 값을 유지하는 척도
- RE를 바이패스 시켜 최대 전압이득을 얻지만 교류 전압이득(Av=RC/r’e)이 r’e에 의존
-> 안정도에 문제
- r’e는 IE에 의존하며, 온도에 따라 변화 - > r’e 증가하면 이득감소
-> 온도에 따라 이득이 불안정
- 바이패스 커패시터가 없으면 RE가 교류회로에 존재
R
-> 이득(Av=RC/(r’e+RE))은 감소하나 r’e에 덜 의존
Av  C
- 만약 RE >> r’e이면, 이득은 실질적으로 r’e에 독립적
R
E
• 전압이득을 안정화 하기 위한 r’e 스왐핑 :
- 스왐핑 : 최소의 저항값으로 전압이득의 감소없이 r’e의
영향을 최소화 하는 방법
- 바이패스 커패시터를 가진 RE와 갖지 않는 RE의 절충형
-> 안정된 이득을 얻을 수 있으며, r’e로부터의 영향을
RC
크게 줄이거나 무시 가능
Av 
r ' e  RE 1
RE1  r 'e 이면 Av 
RC
RE 1
• 증폭기 입력 저항에서 스왐핑의 영향 :
- RE가 바이패스 되었을 때 교류 입력 저항은 Rin(base)   ac r 'e
- 스왐핑이 되면
Rin(base)   ac (r 'e  RE1 )
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스왐핑 증폭회로
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증폭기의 위상 반전
• 공통 이미터 증폭기의 컬렉터 출력 전압은 입력전압과 180° 위상차 발생
전류 이득
전류 방향 반대
베이스와 컬렉터 사이의 전류이득은  ac  I c / I b
공통 이미터증폭기의 전체 전류 이득은
I
Ai  C
Is
그림6  24에서
신호원으로 부터 흐르는 전체 전류는
Vs
Is 
Rs  Rin(tot)
전력 이득
전체 전력이득은
전체전압이득A'v 과 전체전류 이득Ai의곱
Ap  A'v Ai
여기서 A'v  Vc / Vs
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전체 전류
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6-4. 공통 컬렉터 증폭기
• 공통 컬렉터 증폭기(이미터 폴로어) : 높은 입력저항과 전류이득 특성
• 그림 6-25 : 전압분배바이어스를 가진 이미터 폴로어로 입력신호는 베이스와
용량성 결합을, 출력신호는 이미터와 용량성 결합
• 위상 비반전 출력은 입력과 대략 동일
이미터 폴로어
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전압 이득
전류 방향 반대
- 이미터폴로어의 전압이득
출력전압은 Vout  I e Re
입력전압은 Vin  I e (r 'e  Re )
전압이득은 Av 
I e Re
Re

1
I e (r 'e  Re ) r 'e  Re
입력 저항
입력저항은 Rin(base) 
교류 전압 이득을 위한 등가회로
Vin Vb I e (r 'e  Re )


I in I b
Ib
I e  I c   ac I b이므로 Rin(base) 
 ac I b (r 'e  Re )
Ib
I b를 삭제하면 Rin(base)   ac (r 'e  Re )
만일 Re  r 'e 이면 Rin(base)   ac Re
전체입력저항은 Rin(tot)  R1 R 2 Rin(base)
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출력 저항
부하를 제거하고 이미터폴로어의
이미터를 본 출력저항은
R 
Rout   s  RE
  ac 
이미터폴로어의출력저항은 매우 낮음.
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전류 이득
이미터폴로어의 전체 전류 이득은I e / I in
만약 전압분배바이어스 저항 R1과 R2의병렬 합성저항이
Rin(base)보다 훨씬 크다면, 대부분의전류가 베이스로 흐름.
그러므로 증폭기의전류이득은 트랜지스터의전류이득  ac에접근하며,
이는 I c / I b와 동일(바이어스 저항으로 극히작은 신호 전류만 전달)
R1 R2   ac Re와 같다면 Ai   ac 
Ie
I in
전력 이득
전체 전력이득은 전체전압이득A'v 과 전체전류 이득Ai의곱
Ap  Av Ai
여기서 Av  1이므로 Ap  Ai
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달링턴 접속
전류 방향 반대
  ac는 증폭기의입력저항을 결정하는 중요한 요소
 입력임피던스를 증가시키기위한 방법   달링턴 접속
두 트랜지스터의켈렉터를 서로 접속시키고,
첫번째 TR 의이미터는 두번째 TR 의베이스에접속
이접속 방식은  ac의곱으로 표현
달링턴 접속
 첫번째 TR 의이미터전류는 I e1   ac1 I b1
 이이미터전류는 두번째 TR 의베이스 전류가 되고, 두번째 TR 의이미터전류는
I e 2   ac 2 I e1   ac1 ac 2 I b1
 달링턴 접속의실효 전류 이득은  ac   ac1 ac 2
RE  r 'e 이면 Rin   ac1 ac 2 RE
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6-5. 공통 베이스 증폭기
• 공통 베이스 증폭기 : 높은 전압이득과 전류이득은 최대 1
• 입력저항이 낮기 때문에 출력저항이 낮은 곳에 응용 유용
• 그림 6-30 : 커패시터 C2를 통해 베이스가 교류접지, 입력신호는 이미터와
용량성 결합을, 출력신호는 컬렉터와 부하저항에 용량성 결합, 위상 비반전
공통 베이스 증폭기
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전압 이득
- 이미터와 컬렉터간의전압이득은
V
V
I c Rc
Av  out  c 
Vin Ve I e (r 'e RE )
I e Rc
Rc
R


 c
I e (r 'e RE ) r 'e RE r 'e
Vin Ve I e (r 'e RE )
 
I in I e
Ie
만일 Re  r 'e 이면 Rin( emitter)  r 'e
( RE 는 r 'e 보다 매우 크기떄문에 r 'e RE  r 'e )
출력 저항
이미터쪽으로 본 교류 컬렉터저항 r 'c 는 RC 와 병렬
r 'c  RC이므로 Rout  RC
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전류이득은 I c / I e
I c  I e이므로 전류이득은 1
입력 저항
입력저항은 Rin( emitter) 
전류 이득
전력 이득
전체 전력이득은 Ap  Av Ai이므로
여기서 Ai  1이므로 Ap  Av
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6-6. 다단 증폭기
• 두 개 또는 그 이상의 증폭기들은 종속 배열하여 연결 가능
-> 전체적인 전압 이득 증가가 목적
다단증폭기의 이득
종속접속된 증폭기의전체전압이득 A'v 는 각 단의전압 이득의곱
A'v  Av1 Av 2 Av 3  Avn
데시벨 전압 이득
증폭기의전압이득은 데시벨로 표현 가능
Av ( dB)  20 log Av
dB전체전압이득은 각 단의 dB 전압이득의합
A'v ( dB)  Av1( dB)  Av 2 ( dB)    Avn ( dB)
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종속 접속 증폭기
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다단 증폭기 해석
• 공통이미터 증폭기 2단이 용량성 결합
• 용량성 결합은 앞 단의 직류 바이어스가 다음 단에 영향을 미치지 못하게 함.
• 동작 주파수에서 용량성 리액턴스가 0이 되어 교류는 감쇠 없이 통과
2단 공통 이미터 증폭기
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부하의 영향
• 첫 단의 전압이득을 구하기 위해서는 둘째 단의 부하 영향을 고려
• 결합 커패시터 C3는 신호 주파수에서 효과적으로 단락 되기 때문에 두 번째
단의 전체 입력 저항은 첫 단의 교류 부하가 됨.
첫째 단의 전압
첫째단의교류 컬렉터저항은
Rc1  R3 R 5 R6 Rin(base2 )
첫째단의베이스와 컬렉터간 전압이득은
R
1.63k
Av1  c1 
 68.5
r 'e
23.8
두번째 단의 전압
둘째단은 무부하 저항이므로
교류 컬렉터저항은 R7
전압이득은
R
4.7k
Av 2  7 
 197
r 'e 23.8
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첫 번째 단의 교류 등가 회로
전체 전압 이득
출력이 무부하일때 증폭기의전체 이득은
A'v  Av1 Av 2  (68.5)(197)  13.495
dB로 표현하면
A'v ( dB)  20 log( 13,495)  82.6dB
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직접 결합된 다단 증폭기
• 직접 결합 다단 증폭기 : 결합 또는 바이패스 커패시터 존재않음.
• 용량성 결합보다 저주파 응답 특성 우수 -> 리액턴스 영향 무
• 결점 : 온도의 영향이나 전원의 변화에 의해 직류 바이어스 전압에 영향을 주고
이 작은 변화가 다음 단에서 증폭이 되므로 심각한 오류 발생
2단 직접 결합 증폭기
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6-7. 차동 증폭기
• 차동 증폭기 : 두 입력 전압 사이의 차의 함수인 출력이 나타나게 하는 증폭기
기본 차동 증폭기
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기본 동작
전류 방향 반대
차동 증폭기의 기본 동작
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기본 동작
1)두 개의입력이접지
IR
V  VEE
I E1  I E 2  E 여기서 I RE  E
2
RE
I C  I E이므로 I C1  I C 2 
I RE
2
양쪽 컬렉터전류와 켈렉터저항이같으므로 (입력전압이0일때)
VC1  VC 2  VCC  I C1 RC1
2)입력 2는 접지, 정바이어스 전압을 입력1에공급
Q1베이스에정()전압은 I C1을 증가시키고,이미터전압을 상승
VE  VB  0.7V
Q2의베이스는 0V를 유지하므로 Q2의순방향 바이어스는 감소,
I C 2도 감소
I C1의증가는 VC1을 감소, I C 2의감소는 VC 2를 증가
3)입력1은 접지, 정바이어스 전압을 입력 2에공급
정의바이어스 전압은 Q2를 더욱 전도시키므로 I C 2는 감소,
이미터전압은 상승
Q1의베이스는 접지되어있어트랜지스터의순방향 바이어스는
감소하므로 I C1도 감소
I C 2의증가는 VC 2를 감소시키고, I C1의감소는 VC1을 증가
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신호 동작 모드
단일 입력
단일 입력
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차동 입력
차동 입력
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동상모드 입력
동상모드 입력
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동상모드 제거비
• 원하는 신호가 한쪽 입력단자에만 공급되거나 또는 두 입력 단자에 상반된
위상으로 동시에 공급되면 증폭되어 출력
• 두 개의 입력단자에 동상으로 입력되면 출력이 안 나타남.
• 동상모드 제거비(common-mode rejection ratio :CMRR)
-> 동상모드 신호를 제거하는 증폭기의 성능 평가 기준
CMRR 
Av ( d )
Acm
데시벨로 표현하면
 Av ( d ) 

CMRR  20 log 
 Acm 
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