UMSS – FCyT - CARRERA ING. ELECTRÓNICA DISEÑO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA – 2014075 Docente:

Ing. Arturo Saramani Aguilar

– Email:

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SEMESTRE

1/2014

LABORATORIO No 1

OBJETIVO

O1. Hallar los parámetros de la matriz cadena de transistores BJT y JFET. O2. Análisis de respuesta en frecuencia de amplificadores transistorizados BJT y JFET.

PREINFORME

P1. Para cada grupo, hallar los puntos de trabajo, tanto de entrada como de salida, del BJT y JFET a utilizar en laboratorio. P2. Hallar por teoría los parámetros A, B, C, D y sus inversas tanto para un circuito amplificador basado en un BJT, como para un JFET existente en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2. P3. Realizar la simulación de los circuitos de las figuras 1 y 2 para determinar los parámetros de la matriz cadena. P4. Hallar teóricamente y luego por simulación, la respuesta en frecuencia de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a las especificaciones de ganancia (Av), y ancho de banda (Bw), asignadas a cada grupo. P5. Determinar la respuesta en frecuencia de magnitud y fase utilizando el Matlab.

LABORATORIO

L1. Hallar en la práctica los parámetros A, B, C, D y sus inversas para los circuitos amplificadores basados en BJT y JFET existentes en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2. L2. Realizar el armado de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a P4. Considerar los componentes más usuales con valores comerciales que tengan una tolerancia de  5%.

Figura 1

Circuito Amplificador con BJT

Figura 2

Circuito Amplificador con JFET

INFORME

I1. Mostrar en una tabla los resultados tanto teóricos, de simulación, como prácticos de la matriz cadena, tanto para el BJT como para el JFET. I2. Realizar una descripción del comportamiento con pequeña señal de los circuitos de las figuras 1 y 2. I3. Explicar con detalle los errores observados. Tomar como base el análisis de Monte Carlo. I4. Escribir las conclusiones a las que arribó al término del laboratorio.

BIBLIOGRAFIA

B1. Verhoeven – Van Staveren – Monna – Yildiz “Structured Electronic Design” B2. Davidse, Jan “Analog Electronic Circuit Design” B3. Schilling – Belove: “Circuitos Electrónicos. Discretos e Integrados” B4. Rashid Muhammad H. – Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño”.

ESPECIFICACIONES

Grupo g01-01 g01-02 g01-03 g01-04 g01-05 g01-06 Datos 11-500k 11.5 450k 12-400k 12.5 350k 13-300k 13.5 250k Los Datos incluyen la ganancia en dB y el ancho de banda en Hz. g01-07 14-200k g01-08 14.5 150k g02-01 11-150k g02-02 11.5 200k g02-03 12-250k g02-04 12.5 300k g02-05 13-350k