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UMSS – FCyT - CARRERA ING. ELECTRÓNICA
DISEÑO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA – 2014075
Docente: Ing. Arturo Saramani Aguilar – Email: [email protected]
SEMESTRE 1/2014
LABORATORIO No 1
OBJETIVO
O1. Hallar los parámetros de la matriz cadena de transistores BJT y JFET.
O2. Análisis de respuesta en frecuencia de amplificadores transistorizados BJT y JFET.
PREINFORME
P1. Para cada grupo, hallar los puntos de trabajo, tanto de entrada como de salida, del BJT y JFET a utilizar en laboratorio.
P2. Hallar por teoría los parámetros A, B, C, D y sus inversas tanto para un circuito amplificador basado en un BJT, como para un
JFET existente en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2.
P3. Realizar la simulación de los circuitos de las figuras 1 y 2 para determinar los parámetros de la matriz cadena.
P4. Hallar teóricamente y luego por simulación, la respuesta en frecuencia de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a las
especificaciones de ganancia (Av), y ancho de banda (Bw), asignadas a cada grupo.
P5. Determinar la respuesta en frecuencia de magnitud y fase utilizando el Matlab.
LABORATORIO
L1. Hallar en la práctica los parámetros A, B, C, D y sus inversas para los circuitos amplificadores basados en BJT y JFET
existentes en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2.
L2. Realizar el armado de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a P4. Considerar los componentes más usuales con valores
comerciales que tengan una tolerancia de 5%.
Figura 1 Circuito Amplificador con BJT
Figura 2 Circuito Amplificador con JFET
INFORME
I1. Mostrar en una tabla los resultados tanto teóricos, de simulación, como prácticos de la matriz cadena, tanto para el BJT como
para el JFET.
I2. Realizar una descripción del comportamiento con pequeña señal de los circuitos de las figuras 1 y 2.
I3. Explicar con detalle los errores observados. Tomar como base el análisis de Monte Carlo.
I4. Escribir las conclusiones a las que arribó al término del laboratorio.
BIBLIOGRAFIA
B1. Verhoeven – Van Staveren – Monna – Yildiz “Structured Electronic Design”
B2. Davidse, Jan “Analog Electronic Circuit Design”
B3. Schilling – Belove: “Circuitos Electrónicos. Discretos e Integrados”
B4. Rashid Muhammad H. – Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño”.
ESPECIFICACIONES
g01-01
g01-02
g01-03
g01-04
g01-05
g01-06
g01-07
g01-08
g02-01
g02-02
g02-03
g02-04
g02-05
Grupo
Datos
11-500k
11.5450k
12-400k
12.5350k
13-300k
13.5250k
Los Datos incluyen la ganancia en dB y el ancho de banda en Hz.
14-200k
14.5150k
11-150k
11.5200k
12-250k
12.5300k
13-350k