TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG MÔN : CÁC PP THỰC NGHIỆM CHUYÊN.

Download Report

Transcript TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG MÔN : CÁC PP THỰC NGHIỆM CHUYÊN.

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
KHOA VẬT LÝ
BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG
MÔN : CÁC PP THỰC NGHIỆM CHUYÊN NGÀNH
NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN
CỦA MÀNG TiN
GVHD : TS Lê Trấn
HVTH : Phạm Văn Thịnh
NỘI DUNG
I. GIỚI THIỆU MÀNG TiN
II. CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH TÍNH
CHẤT CỦA MÀNG
III.ỨNG DỤNG TỪ MỘT SỐ TÍNH CHẤT
CỦA MÀNG TiN
1. Màng phản xạ trong hệ màng đa lớp
2. Màng TiN trên dụng cụ cắt gọt
Địa chỉ bạn đã tải:
http://mientayvn.com/Cao%20hoc%20quang%20dien%20tu/Semina%20tren%20lop/seminar.html
Nơi bạn có thể thảo luận:
http://myyagy.com/mientay/
Dịch tài liệu trực tuyến miễn phí:
http://mientayvn.com/dich_tieng_anh_chuyen_nghanh.html
Dự án dịch học liệu mở:
http://mientayvn.com/OCW/MIT/Co.html
Liên hệ với người quản lí trang web:
Yahoo: [email protected]
Gmail: [email protected]
I. GIỚI THIỆU MÀNG TiN
Một số tính chất của màng TiN :
• Màng TiN là vật liệu có màu của kim lọai
vàng, độ cứng cao (21 - 24 GPa)
• Chịu nhiệt cao (nhiệt nóng chảy là 29500C)
• Chống ăn mòn cao, oxy hóa chậm (bắt đầu oxy
hóa ở 8000C) và có điện trở suất khá nhỏ (20 30µΩ.cm)
• Độ phản xạ cao trong vùng hồng ngoại, chiết
suất thấp và hệ số tắt cao
Cấu trúc tinh thể của TiN:
Có cấu trúc của muối
ăn (NaCl) :
• Ti lấp đầy những vị
trí trong mạng lập
phương tâm mặt (fcc)
• N lấp đầy vị trí bát
diện
II. CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH TÍNH
CHẤT CỦA MÀNG
1. Xác định thông số quang học
• 1.1. Phương pháp phổ truyền qua
- Xác định được các thông số quang học của
màng mỏng (độ dày, chiết suất, hệ số hấp thụ,
hệ số tắt…) tiến hành xác định phổ truyền qua
của màng. Từ các thông số của phổ truyền qua
thu được và bằng pp tính toán ta sẽ xác định
được các thông số quang học của màng.
- Sử dụng máy quang phổ truyền qua Hewlett
Packard
1.2. Phương pháp Ellipsometry
rp
rs
 tan ei
Chiết suất n, hệ số tắt k của TiN thay đổi theo bước
sóng.
2. Phương pháp xác định cấu trúc màng
• 2.1. Phương pháp nhiễu xạ tia X
Công thức Sherrer:
0.9
b
(2 ) cos 
2.2. Phương pháp Stylus
2.3. Phép đo hiệu ứng Hall
FL  q.(VD  B)
Ở trạng thái cân bằng:
q Ey  q  Ex Bz
 E y   Ex Bz
Ta có : RHall 
Ey
Bz . jx
 RHall
.Ex .Bz 

1

 

 .Ex .Bz  q.n. q.n
2.4. Phương pháp sử dụng phần mềm
khớp phổ Scout
• Mục đích: Xđ độ dày, chiết suất, độ rộng vùng
cấm, điện trở suất, nồng độ hạt tải và độ linh
động.
• Nguyên tắc: - Khai báo các dữ liệu
- Xđ loại phổ cần khớp, vẽ phổ lý thuyết của nó
dựa trên các thsố đã khai báo
- Chọn các thsố muốn khớp sao cho phổ lí thuyết
trùng với phổ thực nghiệm nhất.
- Thay đổi dần các thsố để kết quả khớp là tốt nhất.
Từ đó ta xđ được các thsố của màng.
II. CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH TÍNH
CHẤT CỦA MÀNG
3. Xác định điện trở suất
• 3.1. Phương pháp đo điện trở vuông
  R .d
3.2. Phương pháp đo bốn mũi dò
  Rs .d
Với :
Rs 
 U
.
ln 2 I
.G
G : Số hiệu chỉnh (tùy thuộc
vào hình dạng và kích thước
của mẫu)
III. ỨNG DỤNG
• TiN được ứng dụng trong những lĩnh vực sau:
• Màng phản xạ hồng ngoại trong hệ màng đa
lớp.
• Màng cứng phủ trên những dụng cụ cắt gọt,
khoan, cưa, nghiền…
• Màng chống ăn mòn.
• Hàng rào khuyếch tán trong vi mạch và công
nghệ IC
• Trang trí trên kim loại, oxit kim loại
1. Màng phản xạ trong hệ
màng đa lớp
1.1. Giới thiệu
1.2. Thực nghiệm và kết quả
• 1.2.1.Tính chất điện
• 1.2.2.Tính chất quang
1.3. Kết luận
1.1. Giới thiệu
Màng gương nóng truyền qua:
• Màng có độ truyền qua cao ở vùng khả kiến
(bước sóng: 380nm ≤ λ ≤ 760nm) và phản xạ
cao ở vùng hồng ngoại ( λ ≥ 760nm).
• Mục đích: Tiết kiệm điện năng tiêu thụ từ lò
sưởi (vùng khí hậu lạnh) và từ máy lạnh (vùng
khí hậu nóng) là vấn đề đang được quan tâm
nhiều hiện nay
Ba hướng tạo màng gương nóng truyền qua:
• Màng dẫn điện như: Bạc, vàng và đồng..(màng
kim loại thường không bền về nhiệt, cơ và hóa
học)
• Màng bán dẫn có độ phản xạ cao ở vùng hồng
ngọai như: MgO, ZnO, NiO, SiO..(Màng bán
dẫn phản xạ cao ở vùng bước sóng λ>
2000nm)
• Màng đa lớp điện môi- kim loại -điện môi :
SiO2/Al/SiO2, Al2O3/Mo/Al2O3, TiO2/Ag/TiO2,
Al2O3/Cu/Al2O3…
Màng đa lớp TiO2/TiN/TiO2
• Màng đa lớp có khả năng khắc phục được
nhược điểm của màng bán dẫn pha tạp là có
vùng bước sóng phản xạ rộng λ> 760 nm
nhưng bền hơn màng kim loại về cơ, nhiệt và
hóa học.
• TiO2 có chiết suất cao nên khử phản xạ tốt và
nó là màng có độ bền cơ học cao
• TiN có độ bền cơ học, hóa học lẫn nhiệt học
rất cao
1.2. Thực nghiệm và kết quả
Phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC
• Hệ chân không có áp suất tới hạn 10-4 torr
• Bia Titanium, độ tinh khiết 99.6%, kích thước
bia 100x100x6(mm).
• Khí làm việc Argon (99.99%) và khí hoạt tính
Nitơ (99.99%),tỉ lệ khí N2 so với Ar thay đổi từ
5% từ 15%.
• Hệ Magnatron có kích thước 119x119x51(mm),
từ trường do nam châm vĩnh cửu Ferit (350
Gauss)
Phún xạ phản ứng Magnetron DC:
Lý do chọn pp Phún xạ
• Cần chế tạo màng TiN có chiết suất thấp, hệ số tắt k
lớn ↔ màng có điện trở suất thấp hay độ phản xạ
cao ở vùng hồng ngọai. Do đó, màng TiN phải có
cấu trúc đặc, tức là mật độ khối lớn → cần phải tạo
màng theo cơ chế nhiệt động học và động học.
• Giảm điện trở suất của màng chủ yếu áp dụng cơ
chế động học → tăng cường mật độ ion năng lượng
cao đến màng → sử dụng hệ magnetron gần cân
bằng
• Chỉ sử dụng một loại bia nguyên liệu là TiN (Ngay
cả khi tạo màng đa lớp TiO2/TiN/TiO2)
Hệ magnetron cân bằng
Hệ magnetron không cân bằng
B (hướng vô)
Điện trường
Từ trường
khép kín
Các e chịu tác dụng
của từ trường ngang
Từ trường
không khép kín
Các e ít chịu tác dụng
của từ trường ngang
Đế ít bị e
va đập
e chủ yếu chuyển
động gần bia
Đế bị nhiều e
va đập mạnh
e theo điện trường
đến đế với v lớn
Đế ít bị
đốt nóng
Thích hợp tạo màng cho
các loại đế không chịu
được T0 cao: nhựa, giấy,…
Đế bị
đốt nóng
Thích hợp tạo các
màng yêu cầu T0 cao
1.2. Thực nghiệm và kết quả
• Quá trình tạo màng với áp suất 3.10-3 torr đến
6.10-3 torr,
• Thế phún xạ thay đổi từ 350 V đến 650 V,
Bề dày màng được xác định bằng phương pháp
Stylus.
Điện trở mặt của màng được xác định bằng
phương pháp bốn mũi dò.
Cấu trúc tinh thể và kích thước hạt của màng
xác định từ phổ nhiễu xạ tia X. Chiết suất n và
hệ số tắt k xác định bằng pp Ellipsometry
1.2.1.Tính chất điện
Khảo sát
ảnh
hưởng của
thế phún
xạ theo tỉ
lệ khí Nitơ
và Argon:
Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí
Nitơ và Argon:
• Điện trở suất giảm theo thế phún xạ, là do sự
truyền xung lượng giữa ion và nguyên tử Titan
tăng, làm tăng độ linh động của nguyên tử hấp
thụ Titan trên bề mặt, dẫn đến phản ứng giữa
Titan và Nitơ tăng cho màng hợp thức tốt
• Kết quả cho thấy với tỉ lệ % của Nitơ và Ar là
10 thì thế phún xạ ngưỡng là 550 V, khi đó
màng có điện trở suất thấp nhất
Phổ nhiễu xạ của các màng TiN được tạo theo thế phún
xạ khác nhau và các thông số: tỉ lệ N2/Ar là 10%; áp
suất làm việc p=3mtorr:
Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí
Nitơ và Argon:
• Khi tăng thế phún xạ đạt đến giá trị ngưỡng, cơ
chế trung hòa Auger xảy ra có nghĩa là điện tử
dẫn điện thứ nhất từ Ti chuyển qua trạng thái cơ
bản của ion N2 bằng hiệu ứng đường hầm, trung
hòa nó và đồng thời trao năng lượng thừa cho
điện tử thứ hai trong vùng dẫn điện, kích thích
nó lên miền năng lượng liên tục.
• Vậy, khi tăng thế phún xạ, Nguyên tử trung hòa
N2 giải phóng từ bề mặt bia Ti và được cấp
năng lượng cỡ thế áp vào bia
Khảo sát sự ảnh hưởng của điện trở suất theo
khoảng cách bia đế
Phổ nhiễu xạ của màng TiN được tạo với các thông số: Up=550V ;
tỉ lệ N2/Ar là 10%; p=3mtorr, 2000C. khoảng cách bia và đế thay
được : h=3,5cm; h=4,5cm; h=5,5cm
Khảo sát sự ảnh hưởng của điện trở suất theo
nhiệt độ
Sự ảnh hưởng của điện trở suất theo nhiệt độ đế:
Phổ nhiễu xạ của các TiN với các thông số: Up=550 V; tỉ lệ N2/Ar
là 10%; p = 3mtorr; khoảng cách bia đế là h=4,5 cm ; nhiệt độ
thay đổi từ 2000C đến 4000C
Khảo sát sự ảnh hưởng điện trở suất theo áp
suất phún xạ:
Phổ nhiễu xạ của các màng TiN được tạo theo áp suất
phún xạ và các thông số: Up= 550 V; tỉ lệ N2/Ar là
10%,khỏang cách bia đế h =4,5cm; nhiệt độ 2000C
1.2.2.Tính chất quang
Chiết suất n và hệ số tắt k của màng mỏng TiN
Chiết suất n và hệ số tắt k của mẫu L1 theo bước sóng
Chiết suất n và hệ số tắt k của màng mỏng TiN
• Từ công thức thực nghiệm:
Rs là điện trở mặt của màng
R  (1  2 0c0 Rs )2
1
 376
 0c0
→khi màng có Rs nhỏ thì hệ số phản xạ R lớn
Phổ phản xạ của mẫu L1 theo bước sóng
Phổ phản xạ của mẫu L4 theo bước sóng
1.3. KẾT LUẬN
• Màng TiN tạo được có cấu trúc tinh thể cao,
tồn tại đủ các mặt mạng (111), (200) và (311).
• Màng có điện trở suất thấp ρ=35µΩ.cm ứng
với các thông số tạo màng tối ưu: Thế phún xạ
ngưỡng Up=550V, tỉ lệ N2/Ar = 10%, khoảng
cách giữa bia đế h = 4,5cm, áp suất phún xạ
tòan phần P = 3.10-3 torr, nhiệt độ đế 2000C.
• Chiết suất và hệ số tắt của màng ở bước sóng
550nm là 1,14 và 2,13.
Lieân heä giöõa tính chaát quang vaø ñieän:
Theo lý thuyết Drude
  (n  ik)
2
 '  n  k    (1 
2
2
 ''  2nk 


2
p
 
2
2
)
2
 
2
p
2
(   )
1
n 
  2  2
2

2
và k 

1
  2  2
2

Lieân heä giöõa tính chaát quang vaø ñieän:
p
 , o
*
e
m
N
1


- tần số cộng hưởng plasma
- hằng số điện môi trong môi trường và chân không
- khối lượng hiệu dụng của các hạt mang điện
- mật độ hạt mang điện
- thời gian hồi phục
1
e
  *

me
Vùng hấp thụ 0    1 hay  << 
(n  1)2  k 2
R
(n  1)2  k 2
n ~ k   / 2 
p 
2
 1
Ne2 1 Ne2 
 o
Với   * 
*
m 
m
2o 
4n
2
Hagen-Rubens A  1  R  (n  1)2  k 2  k  2 4
o
2 o 
R  1 2
4o
Đối với màng rất mỏng
Hagen-Rubens
2
 Zo  R S  
2R S 
R 
  1 

 Zo  R S   Zo  R S 
2
trở kháng phông chính là trở kháng của không gian tự do
Zo 
1
o c
 376
Do RS << Z0
2R S 2
R  (1 
)
Z0
Màng có điện trở mặt nhỏ hay có độ dẫn điện tốt, cho
kết quả phản xạ cao
Vùng phản xạ
1
   p

 
p
 '    1  
  

n



2

0



1/ 2
p 
2
2 
 "  
2p

3
1
p 1/ 2
 p 
k    1 


 
2
và
khi bề dày của màng lớn hơn bề dày lớp

da
thì hệ số phản xạ sẽ là
2
R  1
:
p 1/ 2
Hệ số phản xạ R lớn, độc lập với bước
Vùng truyền qua
  p
2
  p 2 

p
 '   1     và  "  
 1

3
   



 p 
1     1/ 2
 
2
n
1/ 2

k
1/ 2


2
p
3
2 
0
Trường hợp này vật liệu gần như trong suốt
2. Màng TiN trên dụng cụ cắt gọt
• 2.1. Giới thiệu
• 2.2. Thực nghiệm và kết quả.
• 2.3. Kết luận
2.1. Giới thiệu
• Nghiên cứu để tạo các loại màng phức hợp
(composite) có độ cứng, độ chống mài
mòn…cao để phủ lên các vật liệu khối có thể
giòn, dễ gãy… nhưng rẻ tiền để tăng hiệu quả
của sản phẩm
• TiN độ cứng cỡ 2300 HV (so với Kim cương
10.000 HV) →phủ màng TiN lên vật liệu bằng
thép thường, thép vận tốc cao (HSS) và
tungsten carbide (WC) bằng phương pháp
phún xạ mạ ion (SIP-Sputter Ion Plating)
2.1. Giới thiệu
• Một số loại
mũi khoan đã
được phủ
màng TiN:
• Vật liệu bằng
thép thường,
thép vận tốc
cao (HSS) và
tungsten
carbide (WC)
Phương pháp phún xạ mạ ion (SIPSputter Ion Plating)
• Cơ chế tương tự phún xạ Magnetron phẳng. Tuy nhiên
nó còn kết hợp thêm một thế hiệu dịch âm đặt lên đế
phủ màng.
• Tác dụng:
- Thế âm áp vào để thay đổi dòng và năng lượng của hạt
phún xạ (thế âm cỡ -5→-300V) làm giảm sự bắn phá đế
bởi ion →tăng mật độ màng,màng phẳng hơn, tăng độ
bám dính..
- Thế âm áp lên đế đủ để giải hấp những loại khí hấp phụ
trên đế, đồng thời làm tăng năng lượng bề mặt đế, giúp
tăng cường khuyếch tán bề mặt của các nguyên tử bia.
2.2. Thực nghiệm và kết quả
• Hệ sử dụng là hệ magnetron phẳng:
Ñeá (Anod)
N
(Kathod)
S
N
N
N
Phún xạ mạ ion
(Ion Plating)
Ti
N2
TiN
Ưu điểm: không đốt nóng trực
tiếp vật liệu, không gây phản
ứng giữa chất bay hơi với
thuyền nung như trong kỹ
thuật nhiệt bốc bay nên tạo
màng hợp kim khá dễ dàng,
phản ứng được kích hoạt
bằng plasma và thế nên nhiệt
độ đế rất thấp so với phương
pháp CVD phải kích hoạt
phản ứng bằng nhiệt độ
Các thông số tối ưu cho quá trình tạo màng:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Dòng phóng điện Ia: 0,8 → 1,2A
Áp suất khí còn lại: 10-5 torr
Áp suất khí làm việc: 10-3 → 5.10-3torr
Khoảng giữa bia và đế h: 3 → 5cm
Thời gian phủ màng: 60 phút
Thế dịch của đế Vd: -100V
Thế của bia: -480 → -540V
Tỷ lệ hỗn hợp khí Nitơ và Argon ban đầu: 1/8
Vật liệu đế: Thép thường, WC (tungsten
carbide), HSS (high speed steel)
Yêu cầu màng TiN:
1. Ứng suất
• Ứng suất là lực tác dụng lên một đơn vị diện
tích của mặt cắt dọc có thứ nguyên là lực
(N/m2 hay Pa). Ứng suất phụ thuộc vào đại
lượng (∆x/x). Do đó dựa vào dạng ứng suất
ta thấy:
Ứng suất nén là âm, ứng suất căng là dương.
• Ứng suất cần thiết cho màng mỏng phủ lên
dụng cụ cắt gọt là ứng suất nén.
Yêu cầu màng TiN:
2. Độ cứng
 Độ cứng là thước đo sức bền của vật liệu khi
bị va chạm hay bị trầy xước
 Độ cứng bản chất của màng TiN phụ thuộc
vào áp suất riêng phần của Nitơ trong quá trình
tạo màng, vì trong các hợp thức được tạo ra
giữa nitơ và titan thì TiN là hợp thức có độ
cứng cao nhất.
Độ cứng màng thay đổi theo nhiệt độ:
Yêu cầu màng TiN:
3. Độ bám dính
Là đại lượng đặc trưng cho khả năng liên kết
giữa các hạt vật chất màng và đế. Để được độ
bám dính cao cần thõa mãn hai yếu tố:
• Ứng suất nén vừa đủ
• Có lớp tiếp giáp giữa hai môi trường màng và
đế
Để đạt được điều đó trước tiên bề mặt của đế cần
được xử lý sạch
2.3. Kết luận
Thí nghiệm đạt được kết quả tốt với những
vật liệu sau:
• Mạ TiN trên đế thép thường (của Đức và Liên
Xô)
• Mạ TiN trên đế WC
• Mạ TiN trên đế HSS
Khả năng sử dụng tăng lên gấp 10 lần
CAÛM ÔN THAÀY VAØ
CAÙC BAÏN !!