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Christine ROBERT-GOUMET Habilitation à Diriger des Recherches L’EPES : méthode d’analyse de surfaces : expériences et modélisations Etude de l’hétérostructure InN/InP(100) par spectroscopies électroniques Pr. A. Dubus : Faculté des Sciences appliquées de Bruxelles Pr. G. Lelay :Université de Provence, Marseille Pr. B. Gruzza : Université Blaise-Pascal, Clermont-Fd Dr. G. Gergely : Académie des Sciences de Hongrie, Budapest Pr. V. Matolin : Université Charles, Prague Pr. L. Bideux : Université Blaise-Pascal, Clermont-Fd 1 L’enseignement Enseignante au département de Physique de l’UBP : ■ Ecole d’ingénieur Polytech’Clermont - 2ème année : Microscopies Electroniques - 3ème année : Spectroscopies Electroniques Activités d’enseignement : ■ M2R - Master mention STIC - Caractérisations avancées des solides ■ M2P - Master Professionnel IUP GSI - Microscopies électroniques (MEB et MET) ■ M1- Master mention physique parcours matériaux - Microscopies électroniques - Diffraction des rayons X par les matériaux ■ L1-L3 - Licence Physique et Ingénieries et CP2I - Mécanique du point - Optique géométrique - Electrostatique, Electrocinétique - Mécanique des Fluides / des Vibrations - Chocs et Vibrations, Transferts thermiques 2 L’enseignement Enseignante au département de Physique de l’UBP : Responsabilités administratives : Membre du conseil du département Vice-présidente et trésorière (2002-2006) Commission des finances (UFR) 1998 2001 2002 2003 2004 2005 Conseil du département Commission des études (UFR) 2006 2007 2008 Directrice des Etudes de Première Année (DEPA) Coordinatrice de la Classe Préparatoire Intégrée CHIM.I.ST 3 L’enseignement La recherche Chercheur au LASMEA : Responsabilités administratives : Commission de spécialistes 28 (UBP) 1998 2001 2002 2003 Commission de spécialistes 28 (UBP) et 28-61-63 (UA) 2004 2005 2006 2007 Commission de spécialistes 28 (UBP) Assesseur 2008 Conseil de laboratoire (LASMEA) 4 L’enseignement La recherche Chercheur au LASMEA : Activités de recherche : ■ Développement des méthodes d’analyse par spectroscopies électroniques : EPES et MM-EPES ■ Elaboration de couches ultra-minces de nitrure d’indium sous ultra-vide. Caractérisations in-situ par spectroscopies électroniques (AES, EPES, XPS) 5 L’enseignement La recherche B. ZEFACK N. DALLE ■ Mes encadrements de stages : ■ Mes encadrements de thèses : R. DJONDANG S. ARABASZ Samir CHELDA P. IROCZ Sana Ben KHALIFA Matthieu PETIT Radek KAPSA ATER 28ème MCF 28ème UBP UBP 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 Soutenance Thèse Recrutement 6 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Partie 1. Interactions élastiques des électrons avec la matière Développement des méthodes d’analyse par spectroscopies électroniques : EPES et MM-EPES. Contexte de l’étude Interprétation quantitative de nombreuses méthodes d'analyse : Paramètre fondamental : li Obtention : • Utilisation de mesures optiques • Calculs théoriques • Utilisation du nombre d'électrons élastiques réfléchis par les matériaux Suivi in-situ de la formation d’interfaces complexes : L’EPES : méthode adaptée – sensible à la surface des matériaux 7 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Spectroscopie de rétrodiffusion élastique des électrons EPES Méthode expérimentale : mesure de l’intensité élastique he = Ie/Ip Simulation Monte Carlo : description du cheminement des électrons élastiques dans la matière he(MC) Comparaison expériences/simulations Détermination du libre parcours moyen inélastique des électrons : li Etude d’hétérostructures complexes 8 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Simulation du parcours des électrons élastiques dans le matériau par méthode de Monte-Carlo. Détermination des libres parcours des électrons Formule de Bauer1 le 1 T NA T : section différentielle totale de diffusion élastique NA : densité des atomes/cm3 Formule de TPP-2M2 li E 2 C D E p lnE E E 2 Nv : nombre d’électrons de valence par atome ou molécule r : densité volumique Eg : gap du matériau M : poids atomique ou moléculaire le le ln(r ) Loi de Poisson 1 E. 2 li li ln(r ) Bauer, J. Vac. Sci. Technol. 7 (1970) 3 S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn, Surf. Interf. Anal. 21 (1994) 165 9 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Nature de l’interaction : • Interaction inélastique : li < le Parcours de l’électron stoppé • Interaction élastique : li > le Calcul des angles de diffusion (q,j) Détermination des angles de diffusion ( q,j ): j : angle azimutal Distribution statistique uniforme sur [0,2p] q : angle de diffusion élastique Loi dont la fonction densité de probabilité est f(q) 10 L’enseignement l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces La recherche Repérage de l’électron : coordonnées de l’électron Analyseur Electrons primaires a Au début de la simulation : 0, qa, j=0 qout Surface A la nième collision élastique : r, qn, jn xn 1 xn le sin j n cosq n yn 1 xn le sin j n sin q n j zn 1 zn le cosq n ln q z’ ln-1 x’ an-1 z z y’ 11 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Influence de la structure du matériau Dans la plupart des modèles développés dans la littérature : le solide = un milieu homogène semi-infini Approche différente : Description du matériau couches par couches Modèle AAA Modèle ABAB Modèle AAB 12 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Importance de l’acceptance de l’analyseur N él he( MC ) N Nél : nombre d’électrons réfléchis élastiquement et rentrant dans l’analyseur N : nombre total d’électrons ayant permis de réaliser la simulation (1 000 000 d’électrons) Energie primaire des électrons incidents a : angle d’incidence des électrons primaires qout et jout : angles d’émission des électrons élastiques Différents types d’analyseurs : - RFA - HSA tournant Définition de la fenêtre de collection de chaque analyseur - CMA 13 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Résultats de la simulation Monte-Carlo. Distribution angulaire : Al, a = 30° Représentation 3D Distribution dépend des angles d’incidence et d’émission Al, a = 60° Al, a = 70° 14 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces E = 200 eV 100100 Nombre d'électrons réfléchis élastiquement (%) A 200 eV Près de 98% des électrons proviennent des 2 premières couches 1ère couche Ag couche (Z=47) 2ème 80 80 3ème couche E = 200eV E = 1000 eV 60 60 E = 1000 eV 40 40 20 20 0 13 28 29 0 1 2 3 31 42 47 49 Numéros atomiques 4 5 6 Nombre de couches atteintes A 1000 eV 70-80% des électrons proviennent des 3 premières couches 79 7 8 Nombre d'électrons réfléchis élastiquement (%) Pourcentage d'électrons réfléchis élastiquement (%) Provenance des électrons : 100 80 Possibilité en faisant varier l’énergie couche 60 primaire des électrons, de1ère modifier la 2ème couche profondeur atteinte : MM-EPES 3ème couche 40 20 0 13 28 29 31 42 47 49 79 Numéros atomiques 15 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Dépendances du coefficient de réflexion élastique : 1. Dépendance énergétique h (%) e 8 Z=14 (Si) Z=29 (Cu) Suivant les éléments Z : dépendance énergétique différente Z=49 (In) 6 Z=79 (Au) 4 2 Détermination des différents éléments présents à la surface en choisissant l’énergie adéquate. 0 0 400 800 1200 1600 Energie primaire (eV) 16 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Dépendances du coefficient de réflexion élastique : 1 2. Dépendance angulaire (a = 0°) 1 Cu (Z=29) 0.8 0.6 0.4 0 1 0.4 0.2 0 0.8 0.2 0.6 0 20 40 60 Angle d'emission (degrés) 80 100 he dépend des angles d’émission donc des angles de collection de l’analyseur utilisé. coefficient de reflexion élastique (%) coefficient de reflexion élastique (%) Cu (Z=29) coefficient de reflexion élastique (%) Au (Z=79) Au (Z=79) Ag (Z=47) Ag (Z=47) 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 Angle d'emission (degrés) 80 100 17 L’enseignement l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces La recherche Comparaison des résultats de notre simulation Monte-Carlo avec les résultats publiés par d’autres auteurs. 0.06 h (%) Si (200 eV) 0° e 0.05 0.04 0.03 coefficient de reflexion élastique (%) 1 Cu (Z=29) Dubus et al Simulation MC 0.02 Si (200 eV) 0.8 1,5 0.01 Simulation MC 40° 1 A. Jablonski et al 0.6 0 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 1 Angle d'émission (°) 0.4 Bon accord entre ces différentes simulations 0.2 0,5 Simulation MC 1 0 A. Jablonski et al 0 20 1A. 40 60 Angle d'emission (degrés) 80 0 100 Dubus, A. Jablonski, S. Tougaard, Progress in Surface Science 63 (2000) 135-175 -80 1A. -60 -40 -20 0 20 40 60 80 Jablonski, K. Olejnik, J. Zemek, 18 Electron spectros. Related. Phenom. 152 (2006) 100-106 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Détermination du libre parcours moyen inélastique li L’EPES associe à une simulation Monte-Carlo : méthode très adaptée pour la détermination du paramètre li. Paramètre bien connu pour des éléments purs Très peu de travaux publiés sur les composés binaires Etudes dans le cadre d’un contrat européen COPERNICUS : - semiconducteur III-V : InSb - alliages binaires : AuxCuy Mesures expérimentales obtenues dans 4 laboratoires Configurations expérimentales différentes: Ep, a, angles de collections (qout,jout) 19 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Semiconducteur III-V : InSb Obtention du li par ajustement simulation/expérience - Mesures absolues + notre simulation Monte-Carlo (RFA-C) - Mesures relatives / Au + simulation d’A. Jablonski (RFA-P et DCMA) Comparaison avec les résultats publiés par Tanuma et al1(TPP-2M), Kwei et al2 et Gries3 (G1) L’EPES : méthode adaptée pour la détermination du li indépendamment des conditions expérimentales 1S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn, Surf. Interface Anal. l7 (1991) 927. 2C.M. Kwei, L.W. Chen, Surf. Interface Anal. 11 (1988) 60. 20 3W.H. Gries, Surf. Interface Anal. 24 (1996) 38. L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Alliages binaires : AuxCuy Détermination du li pour 3 alliages : - Au25Cu75 - Au50Cu50 - Au75Cu25 Comparaison expériences/simulation : - Mesures absolues + notre simulation Monte-Carlo (RFA-C) - Mesures relatives / Au + simulation d’A. Jablonski (RFA-P et DCMA) A l’aide de l’EPES associé à une simulation MC : détermination des li pour chaque alliage 1S. Comparaison des résultats avec : - la formule TPP2-M1 - la formule de Gries2 Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn, Surf. Interf. Anal. 21 (1994) 165. 21 Gries, Surf. Interface Anal. 24 (1996) 38. 2W.H. L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Etude quantitative de l’EPES : La méthode EPES : très sensible à la surface des matériaux Variation de l’énergie primaire des électrons Modulation de la sensibilité à la surface Détermination de la composition des différentes couches superficielles de la surface Voie plus appliquée : très peu de publications Etude des hétérostructures : Au/Al2O3/Si et Au/Al0/Al2O3/Si Etude du système AlxGa1-xAs. 22 Etude d’un dépôt d’or sur une surface d’Al2O3 : Au/Al0/Al2O3 Au/Al2O3 r (%) 6,0 5,0 r (%) e 4,5 Al O 2 3 e 4,0 3,5 4,0 0 Al 3,0 3,0 2,5 2,0 1,0 0,0 0 2,0 Au 40 80 120 160 temps d'évaporation (min) 1,5 1,0 0 Au 40 80 120 temps d'évaporation (min) 160 Observation de 2 processus de condensation d’or sur des surfaces d’alumine différentes 23 L’enseignement l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces La recherche Etude de l’hétérostructure Au/Al2O3/Si : 100 100 100 700 eV 500 eV 75 75 95 % : 3 couches 5% : 4 et + 100 % : 3 couches 50 25 h (%) 900 eV 75 50 50 25 25 88% : 3 couches 12% : 4 et + e 6 0 1 2 0 0 3 4 5 6 7 1 couches atteintes (MC) 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 couches atteintes (MC) couches atteintes (MC) 4 Au/Al O /Si 2 3 Alumine Or Présence de 3 MC d’or pur à la surface 2 0 0 300 600 900 Energie primaire (eV) 1200 1500 24 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Etude d’un système AlxGa1-xAs h (%) e 6 6 - Etude EPES de 4 échantillons ayant différentes concentrations en aluminium 0401 0402 0403 0404 GaAs AlAs 4 4 - Simulation Monte-Carlo : GaAs et d’AlAs. 2 0 200 2 400 600 800 1000 1200 1400 0 1600 he entre les deux valeurs extrêmes GaAs et AlAs Energie primaire (eV) 25 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Etude d’un système AlxGa1-xAs - Interpolation linéaire entre les valeurs du GaAs et de l’AlAs - Estimation de la concentration en Al de 4 échantillons pour chaque énergie C ( A, E) ( A) j Echantillon AlxGa1-xAs Composition en Al (mesures EPES) Composition en Al (mesures RHEED) 401 0.36 0.08 0.4 402 0.25 0.07 0.23 403 0.20 0.09 0.19 404 0.21 0.07 0.20 Al Al Cmoy E 1, E Bon accord entre les mesures MM-EPES et RHEED 26 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Effet de la rugosité de surface sur les mesures EPES Description de la rugosité de surface Facteur très difficile à contrôler expérimentalement Très complexe à décrire à l’aide d’un formalisme mathématique Code de simulation Monte Carlo : N : normale à la surface de référence adapté à une surface Si possédant des créneaux (H,) N1 : normale à la pente de gauche H = 6 mm et =70° N2 : normale à la pente de droite ’ H 2l Surface de référence 27 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Définition de l’ombrage direct et indirect Région 2 : Electrons détectables Analyseur HSA Electrons primaires Région 3 : Electrons non détectables xq out Région 1 : Electrons non détectables Ombrage indirect Ombrage indirect Ombrage direct h L 2l Surface de référence 28 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Effet de l’ombrage direct et indirect région 3 région 2 région 1 1.2 0° 0.8 région 3 e h (%) 1 he : surface L’effet d’ombrage rugueuse sans augmente ombrage he : surface avec rugueuse l’angle d’incidence avec ombrage E=200 eV 0.6 région 2 région 1 2 40° 0.4 1.5 e h (%) 0.2 0 -100 1 -50 50 0 Angle de collection (°) 100 E=200 eV 0.5 Effet d’ombrage 0 -100 -50 0 50 Angle de collection (°) 100 29 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces E= 200 eV a20 a0 a0 a0 a0 55 Simulation MC d’une surface plane Simulation MC d’une surface rugueuse Points expérimentaux publiés1 pour une surface rugueuse 44 E II (u.a.) (u.a.) EE 33 E= 500 eV a0 a20 a0 a0 a0 22 5 11 4 0 00 -100 -100 -100 -50 -50 -50 00 0 50 50 50 100 100 100 3 E Pour une surface rugueuse: simulations et expériences en bon accord I E(u.a.) Angle de de collection collection (°) (°) Angle 2 80° 60° 40° 20° 0° 1 Augmentation de l’écart entre les 2 types de surface avec l’angle d’incidence des électrons 0 -100 -100 -50 -50 00 50 50 50 100 100 100 Angle Angle de collection (°) (°) de collection 1A. Jablonski, K. Olejnik, J. Zemek, Electron spectros. Related. Phenom. 152 (2006) 100-106 30 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse de surfaces Conclusions et perspectives sur l’EPES L’EPES : Méthode : - sensible à la surface des matériaux - complémentaire aux autres spectroscopies Méthode adaptée pour la détermination : - du libre parcours moyen inélastique li - des différentes couches superficielles de la surface Les valeurs de he dépendent : de l’énergie primaire des électrons des angles d’incidence et de collection de l’analyseur de l’état de la surface : la rugosité Présentation des premiers résultats sur une surface rugueuse : Etendre l’étude à d’autres matériaux, à d’autres types de rugosités Prise en compte des excitations de surface ou plasmons de surface : nouveau code de simulation (thèse en cours) 31 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Partie 2. Elaboration de couches ultra-minces de nitrure d’indium sous ultra-vide et caractérisation in-situ par spectroscopies électroniques (AES, EPES, XPS) Les nitrures d’éléments III (GaN, InN): Domaines Contexte de l’étude : d’applications En optoélectronique : lasers UV et bleus En électronique : applications à haute température et à haute puissance Expertise « III-V » de l’équipe : surface de l’InP(100), passivation par Sb :InSb/InP La nitruration de la surface InP(100) : Amélioration de la qualité de l’interface (couche tampon) Fabrication de films minces d’InN sur InP 32 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Collaboration avec l’université Charles de Prague : Conception et réalisation d’une source d’azote à décharge haute tension Deux runs au synchrotron ELLETRA de Trieste (Italie) Dissociation de la molécule d’azote : HT N2 N2+, N+, N, N2 Material Science Beamline (MSB) Bride CF40 Enceinte ultra-vide HT (+2 kV) N, N+ N2+, N2 Tube en quartz Cylindre d’inox porté à une haute tension N2 33 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Etape 1 : Création d’îlots d’indium métallique Après bombardement ionique de la surface InP(100) Ar+ 25% 4 MC P In h=4MC, q=25% Cristallites d’indium métallique de taille nanométrique Rôle de précurseurs pour la nitruration 34 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie SR-XPS : 25% 4 3 4 MC 5 2 1 6 1 2 3 Calculs des intensités théoriques du signal des atomes d’indium : 6 5 I3 I4 Rapport : I 1 4 environnements a a5 i I1 0.75 0.25 chimiques des atomes 2 2 In 1 a 1 a d’indium 0.25 a 0.25 a i environnements I 2 0.25 a 3 iIn I3 2 In chimiques des atomes I 4 0.25 iIn de phosphore 35 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie SR-XPS : hn=50 eV environnement 3 (In-In volume) In4d 6 environnement 6 (P-In volume) 1 environnement 5 (P-In surface) P2p environnement 4 (In-In surface) environnement 1 (In-P volume) 4 intensité (u.a.) intensité (Cps) h n =190 eV 5 3 20 19 18 17 énergie de liaison (eV) 16 I3 I4 Rapport : I 1 131 130 129 énergie de liaison (eV) 128 127 R(théorie)= 0,85 R(Expér.) = 0,84 Cohérence entre théorie et expériences : Validation des paramètres de décomposition et de la description des différents environnements 36 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Étape 2 : Réalisation de 2 couches d’InN/InP(100) T=250°C Etape 1 : Après bombardement ionique Etape 2 : 1ère nitruration Etude en fonction de : L’angle du flux d’azote / à la surface Temps de nitruration 37 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger Les contributions P-In et P-N avant nitruration : après nitruration : 3 gaussiennes : correspondants aux liaisons P-In (triplet Auger du P) 6 gaussiennes : 3 pour les P-In et 3 pour les P-N. 1.2 0.4 R=0,99 40min A 1 0.3 P-In 0.8 N(E) (u.a.) N(E) (u.a.) P-In B 0.6 P-N 0.2 C 0.4 0.1 0.2 0 0 70 80 90 100 110 120 énergie cinétique (eV) 130 140 70 80 90 100 110 120 130 Energie cinétique (eV) 38 L’enseignement l’ EPES : Méthode d’analyse La recherche Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger RP N / P Surfacedes gaussiennes relativesauxliaisonsP N RP In / P Surfacedes gaussiennes relativesauxliaisons P In Aire totaledu pic Augerdu phosphore Aire totaledu pic Augerdu phosphore Proportion des liaisons P-In et P-N dans la totalité du pic Auger du phosphore 1 1 Flux normal R R 40 min P-In/P P-In/P 0.8 0.8 rasant FluxFlux rasant 0.6 0.6 R=0.5 R=0.5 0.4 0.4 0.2 0.2 R R P-N/P P-N/P 40 min 0 0 0 10 20 30 40 50 Temps de nitruration (min) 60 70 0 10 20 30 40 50 Temps de nitruration (min) 60 70 39 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger RP N / PIn Surfacedes gaussiennes relativesauxliaisons P N Surfacedes gaussiennes relativesauxliaisonsP In Proportion des liaisons P-N formées par rapport aux liaisons P-In 2 40 min Moins de liaisons P-N formées sous un flux rasant rapport (u.a.) 1.5 R=1.2 Flux rasant 1 0.5 Flux normal 0 0 10 20 30 40 50 Temps de nitruration (min) 60 70 40 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger Transitions Auger de l’indium et de l’azote N(E) (u.a.) 0,02 Au cours de la nitruration : 0,016 Apparition du pic Auger de l’azote 0,012 ère 1 nitruration 0,008 Décalage en énergie du pic Auger de l’indium 0,004 Après Ar + 0 340 360 380 400 420 440 Energie cinétique (eV) 41 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger Décalage de la pic Auger de l’indium 0 rasant normal -0,5 Décalage Auger (eV) -1 Variations différentes suivant l’angle du flux -1,5 -2 -2,5 Différence d’électronégativité des espèces présentes -3 -3,5 -4 0 10 20 30 40 50 60 70 Temps de nitruration (min) Processus optimal de nitruration : P In P EIn E 2 E In P C M N N EC EIn C 40Inmin sous flux rasant N EC N EM 2 EIn N In P In N 42 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie SR-XPS Atomes d’azote Atomes d’indium Atomes de phosphore 7 9 8 Nouveaux environnements chimiques des atomes d’indium Nouvel environnement chimique des atomes de phosphore 43 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie SR-XPS niveau de cœur P2p ■ Intensité théorique du signal provenant des atomes d’indium du substrat d’InP : hn=190 eV P-In a 1a 2 1 0,8 i In Intensité théorique du signal provenant des atomes d’indium des couches de P-N nitrure : ■ I' 0.5 1 α ... α h 1 i 0,6 40min 0,4 20min 60min 0,2 In 0 134 InP(volume) InN(volume) InN(surface) InIn(volume) hn=50 eV intensité (u.a.) intensité (u.a.) I h 1 niveau de cœur In4d I/I' 132 130 énergie de liaison (eV) I/I’= 0.6 128 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 h (nombre de monocouches) 20 19 18 17 énergie de liaison (eV) 3,5 16 2 couches d’InN/InP(100) 44 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN ■ Le processus de nitruration dépend fortement : - du temps d’exposition au flux d’azote - de l’angle d’incidence du flux/ surface ■ Efficacité du processus maximale : 40 minutes à angle rasant Epaississement des couches de nitrure : création de 4 couches d’InN/InP(100) Passivation thermique : étude du recuit des couches nitrurées 45 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Etapes 3 et 4 : Réalisation de 4 couches d’InN/InP(100) Etapes de la nitruration Etape 1 : Après bombardement ionique Etape 2 : 1ère nitruration (40 min) Etape 3 : Après dépôt d’In Etape 4 : 2ème nitruration (40 min) 46 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger N(E) (u.a.) Transitions Auger de l’indium et de l’azote 0 Ilots d'In Dépôt d'In -0,5 nitruration Après dépôt d'In ère 1 -1 Décalage Auger (eV) ème 2 -1,5 -2 -2,5 -3 nitruration Après Ar -3,5 + -4 340 360 380 400 4InN 2InN 420 440 1 2 3 4 Etapes du processus de nitruration Energie cinétique (eV) Valeurs permettant de suivre les différentes étapes du processus de nitruration 47 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie Auger 2 Evolution des rapports expérimentaux RP-N/P-In et RP-N/P, RP-In/P RP-N/P-In 1.5 R=1.2 1 1 R P-In/P 0.8 0.5 0.6 R=0.5 0 1 2 3 4 Etapes du processus de nitruration 0.4 0.2 Comparaison expérience/modélisation Création de 4 couches d’InN/InP(100) R P-N/P 0 1 2 4 3 Etapes du processus de nitruration 48 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Etude du recuit des structures InN/InP(100) : Suivi par spectroscopie SR-XPS 5 1,2 10 In InP nitruré + nitruré chauffé InP InP nitruré 4d 5 Intensité (u.a.) 1 10 Recuit T = 450 °C (Température de congruence de l’InP : 380°C) 4 8 10 4 Pas dévolution significative du pic In4d entre nitruré et nitruré recuit 6 10 4 4 10 4 2 10 Passivation thermique de la surface 0 20 19 18 17 17 16 16 Energie de liaison (eV) 49 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par spectroscopie SR-UPS 800 InP(100) nitruré 3.5 eV 5 eV Pas de changements significatifs de la BV 700 en fonction de l’énergie du faisceau hn = 43 eV 9 eV 3600nouvelles structures après la nitruration : 3,5 eV – 5 eV et 9 eV 500 Structures plus marquées après le recuit 400 Intensité (u.a.) InN/InP InN/InP recuit InP bombardé 43 eV 45 eV 10.3 eV 6 eV 2 eV 47 eV 300 50 eV 53 eV Arrangement ou cristallisation des 57 eV 200 couches nitrurées sous l’influence du 61 eV chauffage 14 12 10 8 6 4 2 0 -2 Energie de liaison (eV) 66 eV 100 72 eV 5eV 9 eV 14 12 10 8 6 77 eV 4 2 Energie de liaison (eV) 0 -2 50 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Suivi par diffraction d’électrons lents (LEED) : Structure (4x2) : déjà observée sur une surface d’InP(100) riche indium Structure principale (4x1) : attribuée aux couches d’InN formées sur la surface d’InP(100). Epaisseur de l’InN très faible. Couche contrainte par le substrat InP(100). 1x4 2x4 51 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Détermination de l’offset de bandes à l’interface InN/InP(100) : Mesure de la discontinuité de la bande de valence DEv à l’interface InN/InP par SR-XPS: InP InN DEv DECL EInInP4d EVBM ( EInInN4d EVBM ) DEv 1.09eV Calculs utiles pour interpréter les mesures électriques I(V) et C(V) 52 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Conclusions sur l’élaboration de couches minces d’InN/InP(100) Méthode originale de nitruration de surfaces InP(100) Epaississement des couches de nitrures Recuit à 450°C des couches de nitrures : Passivation thermique de la surface Les spectroscopies d’électrons + modèles théoriques : compréhension des phénomènes de surface. 53 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Perspectives Perspectives : Réalisation de nano-pores organisés sur InP(100) Réalisation de masques d’alumine AAO Suivi par MEB Suivi par spectroscopie électronique XPS Masque AAO 100 nm 100 nm Nanopores InP(100) 54 l’ EPES : Méthode d’analyse Intensité (u.a.) La recherche Couches minces d’InN Intensité (u.a.) L’enseignement P 2p Perspectives P 2p P-In P-In P-oxyde 135 130 125 Intensité (u.a.) Energie de liaison (eV) 135 130 125 Energie de liaison (eV) Al 2s P 2p Premiers résultats obtenus en XPS : Suivi du pic P2p Al ?? 150 145 140 135 130 125 Energie de liaison (eV) 120 115 55 l’ EPES : Méthode d’analyse Intensité (u.a.) La recherche In Couches minces d’InN Intensité (u.a.) L’enseignement 4d Perspectives In 4d In-P In-P In-In In-oxyde 24 22 20 18 16 14 Intensité (u.a.) Energie de liaison (eV) 24 22 20 18 16 14 Energie de liaison (eV) In 4d + t = 2h Ar Premiers résultats obtenus en XPS : Suivi et décomposition du pic In4d In-P In-In 24 22 20 18 Energie de liaison (eV) 16 14 56 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Perspectives Les masques AAO permettent de réaliser : des trous de tailles nanométriques ayant une configuration contrôlée Étude plus poussée en faisant varier : l’énergie des ions le temps de bombardement le diamètre des pores Modélisations à développer – Expérience XPS Premiers résultats très prometteurs permettant d’envisager : la croissance de piliers d’InN sur InP(100) la réalisation de boites enfouies d’InN 57 L’enseignement La recherche l’ EPES : Méthode d’analyse Couches minces d’InN Synthèse des travaux Travaux écrits: ■ 5 Mémoires de Master et 4 Thèses (dont 1 en cours) ■ 38 publications dans des journaux internationaux Contrats, programmes associés à ce travail : ■ Programme Européen 6ème PCRDT : COPERNICUS (1997-2002) ■ Runs au Synchrotron ELLETRA (Italie) : - Materials Science Beamline (MSB) (2003 et 2005) ■ Programme d’Action Intégrée (PAI) : - POLONIUM : Institut Physique-Chimie de Varsovie (2002-2004) - BARRANDE : Université Charles de Prague (2000-2001) - CMEP : université Sidi Bel Abbès (1997-2002 et 2006-2009) - CMCU - France/Tunisie (1998-2000 et 2004-2006) ■ Echanges ERASMUS (2003) ■Conventions Massif-Central et Innov@pôle (programme TIMS) 58 Christine ROBERT-GOUMET L’EPES : méthode d’analyse de surfaces; expériences et modélisations Etude de l’hétérostructure InN/InP(100) par spectroscopies électroniques Habilitation à Diriger des Recherches Pr. A. Dubus : Faculté des Sciences appliquées de Bruxelles Pr. G. Lelay, Université de Provence, Marseille Pr. B. Gruzza, Université Blaise-Pascal, Clermont-Fd Dr. G. Gergely, Académie des Sciences de Hongrie, Budapest Pr. V. Matolin , Université Charles, Prague Pr. L. Bideux , Université Blaise-Pascal, Clermont-Fd 59 60