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方位角方向磁場を考慮した
ブラックホール降着円盤定常解
の動径構造
© 2006 Max-Planck-Gesellschaft
小田 寛(千葉大)
町田真美(国立天文台)、中村賢仁(松江高専)、松元亮治(千葉大)
ブラックホール候補天体の
X線状態遷移
SlimDisk
低E:ソフト成分
高E:Steep PL
Energy [ keV ]
Hardness-Intensity ダイアグラム
の模式図 (Fender & Belloni ’04)
Kawaguchi model
p-free model
Energy [ keV ]
Very High
Bright Hard
Ecut~50-200keV
明
光度と反相関
PL+
cut off
Energy [ keV ]
High/Soft
Low/Hard
Energy [ keV ]
暗
Jet line
DDB+PL
Ecut~200keV
ソフト
PL+ cut off
ハード
Energy [ keV ]
α-disk モデル
ADAF/RIAF
放射は非効率
Slim
熱平衡曲線@5rs
光子捕獲により
放射は非効率
α=0.05
移流 熱
移流 熱
放射圧優勢
ガス圧優勢
高温(Ti~1011K,
Te~109K)
低温(T~107-8K)
SlimDIsk状態
ADAF/RIAF
Low/Hard状態
標準
効率よく放射
低温円盤+高温コロナ
ガス圧優勢
表面密度
薄い
光学的厚み
厚い
放
射
熱
低温(T~107K)
Very High状態?
High/Soft状態
問題点&ヒント
電子温度-光度の関係
GX 339-4
• 問題点:Bright Hard状態は?
– ハードなまま光度が0.2LEdd以上に達する
• ADAF/RIAFは(α~1でも)せいぜい0.1LEddまで
• ADAF/RIAFでは温度はほぼ一定
– ADAF/RIAFでは説明できない別の熱平衡状態?
~0.06LEdd
– ~0.06LEdd以上で光度と電子温度に反相関
~26keV
電
子
温
度
光度
Miyakawa et al. ‘08
• ヒント:放射冷却を含めた光学的に薄い円盤の3DMHD
– ADAF/RIAF→降着率が上がり臨界表面密度を超える→放射冷却に
より円盤温度低下→光学的に薄い磁気圧優勢な準定常状態
• 放射が効率的で(ADAF/RIAF状態より)明るい
• ADAF/RIAFより低温(~108K)、温度と光度に反相関?
ADAF/RIAF状態
表面密度
Machida et al. ‘06
ADAF/RIAF
密度
温度
<Bφ>
磁気圧優勢
密度
温度
<Bφ>
3DMHDの結果を踏まえて磁場を含めて一次元定常モデルを構築
新たな仮定:方位角成分が優勢な乱流磁場
マックスウェルストレスは全圧に比例
磁場を決めるパラメータ磁束降着率を導入
基礎方程式
質量保存
M
角運動量保存
円筒座標( ,, z)
M  2v
K

in
  2 2T
M Wgas  Wrad
  Q  Qrad
エネルギー式
2
2

2N  3 Wgas  Wrad  Wmag
円盤の厚み H 

K 2
2
※ < >: 方位角方向平均
ストレステンソル

B B

4
T  
加熱項
Q  T
dK
d
冷却項 光学的に薄い極限で熱的制動放射、
光学的に厚い極限で黒体放射
(e. g. Narayan & Yi ’95, Abramowicz et al. ’96)
磁束降着率 Machida et al. ’06 ではζ~1
  
   v B dz  v B0 ( ) 4 H  out (M ) 


  out 

dz   (Wgas  Wrad  Wmag )

結果:熱平衡曲線@5rs
質
量
降
着
率
α=0.05
ζ=-1.5 極弱磁場
0 弱磁場
0.7 強磁場
プ
ラ
ズ
マ
ベ
ー
タ
low-β
光
学
的
厚
み
ADAF
温
度
幾
何
学
的
厚
み
表面密度
従来
Q   (Wgas  Wrad )
ADAF
Slim
low-β
表面密度
dK
d
3DMHDでは低温でガス圧(輻射圧)が
小さくても加熱率は小さくない
今回
ADAF
Q  B (Wgas  Wrad  Wmag )
dK
d
low-βブランチでは
磁気加熱Q+~放射冷却Q-rad
H-Iダイアグラム VS. 熱平衡曲線
Hardness-Intensity ダイアグラム
熱平衡曲線:質量降着率-温度、光学的厚さ
(Fender & Belloni ’04)
Slim
H/S
降
着
率
標準
ソフト
L/H
α=0.05
ζ=-1.5 極弱磁場
0 弱磁場
0.7 強磁場
明
Bright
Hard
ADAF
暗
VH
Jet line
明
暗
温度
ハード
光学的厚さ
ソフト
ハード
• Hard-to-Soft遷移を(VH状態を除いて)説明
– low-βでは降着率と温度は反相関→Bright Hard状態で観測される光度
-電子温度の反相関も説明できる
• 磁気圧優勢円盤からジェットと共に磁束が抜けてSlim or 標準円盤
に遷移すると考えればJet lineも説明できそう?
結果:半径依存性(各半径の熱平衡解の繋ぎ合せ)
質
量
降
着
率
α=0.05,ζ= 0 の
各半径の熱平衡曲線
15rs
158rs
500rs
50rs
5 rs
温
度
半径
表面密度
プ
ラ
ズ
マ
ベ
ー
タ
円
盤
の
厚
み
半径
半径
0.39MEdd
0.01MEdd
0.05MEdd
100MEdd
ζ=0.7
0.10MEdd
10MEdd
0.12MEdd
0.01MEdd
0.39MEdd
0.05MEdd
0.10MEdd
100MEdd
10MEdd
0.12MEdd
0.01MEdd
0.10MEdd
ζ=0
ζ=-1.5
0.05MEdd
100MEdd
10MEdd
0.12MEdd
結果:半径依存性(各半径の熱平衡解の繋ぎ合せ)
0.39MEdd
M=0.12MEddに注目すると…
不安定な光学的に
ADAF 放射圧優勢 厚い
円盤 low-β
光学的に 光学的に
ADAF 厚い
薄い
low-β low-β
高温で光学的に薄いADAF(コンプトン雲)と
低温で光学的に厚いlow-β(種光子供給)が隣接
光学的に
薄い
ADAF
low-β
Very Highの候補
まとめ

3DMHDの結果を踏まえて磁場を考慮して一次元定常モデル

マックスウェルストレスは全圧に比例すると仮定


磁場を決定する為に磁束降着率をパラメータとして与える



質量降着率をパラメータとして与えるのと同じ
但し一定とは限らないので半径依存性を考慮
磁気加熱と放射冷却が釣り合うlow-βブランチ

質量降着率は比較的高く、温度と反相関



従って加熱率も全圧に比例
光学的に薄い場合はBright Hard状態に対応
ADAFと光学的に厚いlow-βが隣接する場合はVery High状態の候補
今後の課題

本来は遷音速解を解くべき



冷却項にシンクロトロン、逆コンプトン散乱を含むべき
それには電子温度をより正確に扱う二温度モデルは必須


コード開発中
光学的に薄い場合のみのものは2007年春期年会で発表
磁気圧優勢円盤はいずれ磁場が抜け、ジェットを噴出し、標準円盤へ遷移す
ると考えられる

輻射磁気流体シミュレーションを行う必要がある

FLDを用いた輻射磁気流体コード開発中