第十章结晶

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结晶
Crystallization
结晶和晶体的概念
结晶:溶液中的溶质在一定条件下,因分子
有规则的排列而结合成晶体的过程。
 晶体:许多性质相同的粒子(分子、原子或
离子)在三维空间中排列成的有规则的固态
物质。

固体有晶体和无定形两种状态

晶体:析出速度慢,溶质分子有足够时
间进行排列,粒子排列有规则。

无定形固体:析出速度快,粒子排列无
规则-沉淀
谷氨酸结晶
晶体的性质




自范性(自限性)
晶体具有自发地形成封闭的几
何多面体外形的能力的性质。
具有方向性
同一晶体在不同方向上所测得
的性质表现出差异。
具有一定的对称性
均匀性(均一性)
晶体物质较纯(相同的粒子有
规律地排列)
结晶操作的特点
只有同类分子或离子才能排列成晶体,
因此结晶过程有良好的选择性。
 通过结晶,溶液中大部分的杂质会留在
母液中,再通过过滤、洗涤,可以得到
纯度较高的晶体。
 结晶过程具有成本低、设备简单、操作
方便,广泛应用于氨基酸、有机酸、抗
生素、维生素、核酸等产品的精制。

结晶过程分析

饱和溶液:当溶液中溶质浓度等于该溶
质在同等条件下的饱和溶解度时,该溶
液称为饱和溶液。

过饱和溶液:溶质浓度超过饱和溶解度
时,该溶液称之为过饱和溶液。

溶质只有在过饱和溶液中才能析出。
晶体的形成

在饱和溶液中,晶核是处于一种形成—溶解—再形成
的动态平衡之中,只有达到一定的过饱和度以后,晶
核才能够稳定存在。

结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析出,形成新相的
过程。

这一过程不仅包括溶质分子凝聚成固体,还包
括这些分子有规律地排列在一定晶格中,这一
过程与表面分子化学键力变化有关;
因此,结晶过程是一个表面化学反应过程。

结晶的步骤
 过饱和溶液的形成
 晶核的形成:最先析出的微小颗粒是以
后晶体的中心,称为晶核。
 晶体生长
 溶液达到过饱和状态是结晶的前提;
过饱和度是结晶的推动力。
晶核形成的速率
结晶过程中的两种速率
晶体的成长速率
晶核形成的速率
>> 晶体的成长速率
晶核形成的速率 << 晶体的成长速率
大量晶核,产品小而多
产品颗粒大而均匀
这两种速率的大小也影响到产品本身的内部质量,如形成晶簇。
∴影响晶核形成速率和晶体成长速率的因素也就是影响结晶操
作的因素,下面讨论这些影响因素。
1.过饱和度的影响: 适宜的过饱和度一般由实验测定
过饱和度值应大至使结晶操作控制在介稳区内,又保持较高的晶
体生长速率,使结晶高产而优质。
2.冷却(蒸发)速度的影响
最常
用
冷却
实现溶液过饱和的方法
蒸发
化学反应
快速冷却或蒸发
大量细小的晶体
缓慢冷却或蒸发
大而均匀的晶体
3.晶种的影响
工业生产中的结晶操作一般都是在人为加入晶种的情况下进行的。
晶种的主要作用是控制晶核的数量以得到粒度大而均匀的结晶产品。
4.杂质的影响
一般对晶核的形成有抑制作用
 对晶体的成长速率的影响较为复杂,有的杂质能抑制晶体的
成长,有的能促进成长。
5.搅拌的影响
搅拌的作用:
①加速溶液的热传导,加快生产过程。
②加速溶质扩散过程的速率,有利于晶体成长。
③使溶液的温度均匀,防止溶液局部浓度不均,结垢等。
④使晶核散布均匀,防止晶体粘连在一起形成晶簇,降低产品质量。
使用搅拌器时应注意: 一、选择适宜型式的搅拌器;
二、控制好搅拌速度
晶体纯度的影响因素
溶液性质、杂质、溶剂和操作条件等
(1)母液在晶体表面的吸藏
指母液中杂质吸附于晶体表面,如果晶体
生长过快,杂质甚至会机械地陷入晶体。
(2)形成晶簇,包藏(Lnclusion)母液
细小晶体易形成晶簇,而晶簇中常机械地
包含母液的情况。
(3)影响晶习(晶体的外形)
杂质对晶体生长速率的影响
杂质影响晶体生长速率的表现

抑制生长

促进生长

改变晶习
有的在较高浓度时才起作用,有的小
于1mg/kg就起作用
杂质对晶体生长速率的影响
杂质影响晶体生长速率的途径:通过改变
溶液的结构或平衡饱和浓度

杂质本身在晶体上吸附,产生阻挡作用

如晶格有相似之处,杂质有可能长入晶体内。
晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时,晶格
不同也可能产生吸藏现象,杂质质点陷入产
品晶体中。
常用的结晶方法

热饱和溶液冷却(等溶剂结晶)
适用于溶解度随温度升高而增加的体系;
同时,溶解度随温度变化的幅度要适中。
自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液隔
开)、直接接触冷却(在溶液中通入冷
却剂)
常用的结晶方法
 部分溶剂蒸发法(等温结晶法)
适用于溶解度随温度降低变化不大
的体系。
加压、减压或常压蒸馏
常用的结晶方法
 真空蒸发冷却法
使溶剂在真空下迅速蒸发,并结合绝热
冷却,是结合冷却和部分溶剂蒸发两种
方法的一种结晶方法。
设备简单、操作稳定
常用的结晶方法

化学反应结晶
加入反应剂产生新物质,当该新物质的溶
解度超过饱和溶解度时,即有晶体析出。
其方法的实质是利用化学反应,对待结晶
的物质进行修饰,一方面可以调节其溶解
特性,同时也可以进行适当的保护。
常用的结晶方法
 盐析法:加入一种物质于溶液中,
使溶质的溶解度降低,形成过饱
和溶液而结晶的方法。
 常用的沉淀剂:硫酸铵、NaCl、乙
醇、甲醇、丙酮
工业结晶操作

分批结晶

连续结晶: 细晶消除
产品粒度分级排料
清母液溢流
工业结晶操作:常用的工业起晶方法

自然起晶法:溶剂蒸发进入不稳定区形成
晶核、当产生一定量的晶种后,加入稀溶液
使溶液浓度降至亚稳定区,新的晶种不再产
生,溶质在晶种表面生长。

刺激起晶法:将溶液蒸发至亚稳定区后,
冷却,进入不稳定区,形成一定量的晶核,
此时溶液的浓度会有所降低,进入并稳定在
亚稳定的养晶区使晶体生长。
工业结晶操作:常用的工业起晶方法
 晶种起晶法:将溶液蒸发后冷却至亚稳
定区的较低浓度,加入一定量和一定大
小的晶种,使溶质在晶种表面生长。
 采用的晶种直径通常小于0.1mm。
 该方法容易控制、所得晶体形状大小均
较理想,是一种常用的工业起晶方法。
影响晶体生长速度的因素

杂质:改变晶体和溶液之间界面的滞留层特
性,影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因
杂质吸附导致的晶体生长缓慢。

搅拌:适当的搅拌可增加晶体与母液的接触
机会,加速晶体生长;但过快,会增加溶质
的溶解。一般5-15r/min为宜。

温度:通常采用较高温度使溶质溶解,而后
缓慢冷却获得结晶。
提高晶体质量的方法
晶体质量包括三个方面的内容:
晶体大小、形状和纯度
 影响晶体大小的因素:
温度、晶核质量、搅拌等
 影响晶体形状的因素:
溶剂体系、杂质等
 影响晶体纯度的因素:
母液中的杂质、结晶速度等

重结晶
经过一次粗结晶后,得到的晶体通常会
含有一定量的杂质。此时工业上常常需
要采用重结晶的方式进行精制。
 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶
剂和不同温度下的溶解度不同,将晶体
用合适的溶剂再次结晶,以获得高纯度
的晶体的操作。
 选用对结晶物较难溶而对杂质较易溶的
溶剂和结晶条件。

重结晶的操作过程

选择合适的溶剂;

将经过粗结晶的物质加入少量的热溶剂
中,并使之溶解;

冷却使之再次结晶;

分离母液;

洗涤。
思考题

什么是结晶过程?

结晶操作的特点有哪些?

了解饱和温度曲线和过饱和温度曲线的内容.

在何种条件下,溶液中才有晶体析出?

影响晶体形成的主要因素有哪些?

晶种的作用是什么?

常用的工业起晶方法有哪些?

何为重结晶?