Transcript Daerah Ohmic/ trioda

Field Effect Transistor (FET)
By : ALFITH, S.Pd, M.Pd
Perbedaan FET dan BJT
IC
ID
IB
BJT
FET
VGS
Kontrol arus
Kontrol
tegangan
BJT  Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole)
FET  Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel)
Struktur FET
FET
JFET
(Junction FET)
JFET kanal n
JFET kanal P
MOSFET
(Metal Oxide
Semiconduktor FET)
Depletion Mode
Enhancement Mode
Perbedaan JFET dan MOSFET
Struktur dan karakteristiknya
 Lapisan oksidasi pada MOSFET
 MOSFET bisa tegangan GS positif

JFET kanal n
D
ID
G
VDS
VGS
S



Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi
hanya pada sambungan PN saja masih ada celah
kanal n maka dengan hanya memberikan D-S
tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID)
mengalir
Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG
dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan
negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal
membesar akan didapatkan ID konstan.
Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh
daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang
nilainya sama dengan bias balik VDG= - VP

Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah
bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya
yang dicapai saat VDS= - VP

Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin
melebar dan suatu saat didapatkan arus drain
sama dengan nol dan saat itulah dikatakan
VGS=Vp  tegangan pinch off
Kurva karakteristik Drain
Kurva karakteristik Drain
Daerah Ohmic/
trioda
Kurva karakteristik Drain
Daerah aktif/pinch off/saturasi
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Kurva Transfer
I D  I DSS

V
 1  GS

Vp





2
I D (mA)
I DSS
VGS  0
VGS  1
VGS  2
VGS  3
VGS (Volt )
 4 3  2
ID  0
VGS  V p
1
VDS (Volt )
JFET kanal p
D
ID
G
VDS
VGS
S
MOSFET depletion mode
Kurva Karakteristik
I D (mA)
d- Mosfet kanal n
JFET Kanal n
I DSS
VGS  1
VGS  0
VGS  1
VGS  2
VGS  3
VGS (Volt )
6 3  2
1
VDS (Volt )
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi
Simbol MOSFET depletion mode
MOSFET enhancement mode
Kurva karakteristik
I D (mA)
Daerah
ohmic
Daerah
saturasi
VGS  6V
VGS  5V
VGS  4,5V
VGS  4V
VGS  3,5V
VGS (th )  3V
0
VDS (Volt )
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Simbol MOSFET enhancement
mode
Karakteristik FET







Operasinya tergantung pada aliran pembawa
mayoritas saja.
Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan
tempat lebih sedikit dalam IC.
Rin tinggi (ratusan M).
Derau lebih rendah dibandingkan transistor
bipolar.
Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi
lebih kecil.
gm FET < gm transistor bipolar.
Konsumsi daya kecil