CMOS Technology: part 2

C. Fenouillet-Beranger SOI Devices Engineer, CEA/LETI & STMicroelectronics, Crolles 1

Plan

  

Introduction

– Voir Cours précédent

Chapitre 1: Les outils technologiques de base

– Oxidation – Dépôt – Photo-lithographie – Gravure (sèche et humide) – Implantation ionique – L’epitaxie

Chapitre 2 : Exemple de filiere moderne

– Objectif de l’integration – Enchainement des étapes technologiques

2

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Ingénieur Filière

Etapes Elementaires (process/ R&D)

Photo/Litho Gravure Dépôts Implantation Recuits Nettoyages (Physique, Chimie)

Assemblage Caractérisation 3

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Materiaux (phys/chimie)

Procédés Elementaires

Phys. Compo

Definition d’une technologie

Phys. Compo

Conception dispositif

Electronique, Marketing, Design

Design de produit Fabrication

Phys. Compo

Caracterisation

Materiau, Gestion

Production

Phys. Compo, Phys. Fond

Physique fine 4

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Chapitre 1 : Les étapes technologiques de base

5

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les familles de matériaux utilisés en microelectronique

Type de matériaux Semi-conducteurs Isolants Dopants Métaux Matériaux

Si Si x Ge 1-x SiO 2 Si 3 N 4 (nitrure de Si) Al 2 O 3 HfO 2 (alumine) (oxide d’hafnium) Type n : As, P,Sb Type p : B, In Neutre : Ge, Xe Ni, Co W TiN TaN Al Cu

Technique d’integration

Substrat, epitaxie epitaxie Thermique ou dépôt Dépôt Dépôt Dépôt Implantation ionique Implantation ionique Implantation ionique Dépôt Dépôt Dépôt Dépôt Dépôt Dépôt

6

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Isolants : SiO

2

et Si

3

N

4 7

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

O 2

Si Si Avantage Procédé mature Qualité de l’interface oxyde-silicium excellente Couches mince (qqs A) Recuit four T=900-1000 °C Inconvenient Température élevée Consomme du Si

L’Oxydation thermique

SiO 2 Si Oxyde SiO 2 « thermique » En surface

8

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les dépôts d’isolants

 Réacteur de dépôt CVD pour oxyde (TEOS) ou Nitrure (Si 3 N 4 ) – Four à basse pression (LPCVD) – Assisté par plasma (PECVD)

precurseur

SiO 2 ou Si 3 N 4 Si Si Avantage Basse temperature Pas de consommation de Si Inconvenient Interface avec Si Qualité du matériaux Four : 700°C Plasma : 500°C

9

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemples de réactions chimiques permettant un dépôt

10

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

La conformité des dépôts

Si 3 N 4 e 1 e 2 e 1 SiO 2 Si Si 3 N 4 e 2 e 1 SiO 2 e 1 Si e 1 =e 2 e 1 < > e 2

Dépôt conforme Dépôt non-conforme 11

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Propriétés des matériaux

12

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Le polissage mecano-chimique (CMP)

13

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Polissage Mecano Chimique (CMP)

 Objectif : aplanir une surface Pad Slurry

14

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Polissage Mecano Chimique (CMP)

Action mecanique Reaction chimique Surface plane • La planarisation depend beaucoup de l’environnement et de la taille des structures a planariser. Dans la pratique le design d’un circuit tient compte de cette necessité.

• Cette technique permet d’obtenir un grand nombre de niveau de metalisation en evitant les topographies importantes

15

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Lithographie

16

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Du Layout au Silicium : Masques et Lithographie

Grossièrement, on emploie des lentilles pour manipuler la lumière afin de la focaliser, la réduire et graver le wafer à partir du masque.

17

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Photo-lithographie (1)

 Permet de déposer de la resine (polymère) sur une zone de Si afin de la protéger UV (248nm ou 193nm) Zone fragile masque résine Si résine Si résine Si

18

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

developpeur résine Si

Photo-lithographie (2)

Zone non protégée résine Si Zone protégée

19

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les problèmes liés à la résine

 Le facteur de forme, ou aspect ratio AR = h/CD – Si AR > Ar max (~100) la resine dévelopée se deforme (effet gravitationnel) CD h Si Si deformation Si collapse

20

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Photo correcte

Exemples de lithographie

Résine « collapse » resine Silicium

21

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les limites de la photo-lithographie optique

L’alignement des masques les uns par rapport aux autres (notion d’overlay) Erreur d’alignement 2 niveaux Erreur d’alignement 3 niveaux

22

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Lithographie ebeam

 Lithgraphie par faisceau d’electron  Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre (typiquement 20nm)  Procédé long par rapport à la projection de masque car écriture des motifs

23

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Scanner à immersion

La lithographie par immersion consiste à placer le wafer dans un bain liquide qui a un indice de réfraction supérieur à 1 - Le liquide agit donc comme une lentille ou une loupe en grossissant l’apparence du wafer. Le principe est le même que pour la lithographie sèche, il s’agit de focaliser la lumière pour accroître la finesse de gravure.

- La photolithographie par immersion permet de plus facilement augmenter la finesse de gravure Les machines sont chères

24

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Extreme UV

- La

lithographie EUV

(Extreme Ultra Violet) est similaire aux procédés de lithographie classiques actuels - Rayonnement UV d'une longueur d'ondes de l'ordre de 10 à 15 nanomètres (le rayonnement EUV entre donc dans la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (i.e. masques dits « en réflexion ») Il permet ainsi une résolution inférieure à 45 nm

25

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Gravure sèche et humide

26

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

La gravure « sèche »

 L’objectif est d’enlever un matériau A selectivement par rapport a un matériau B à l’aide d’un plasma (reaction chimique et physique) Ions HBr, CF 4, O 2 ..

Après gravure Après élimination résine E résine résine Si V Si Résidus de gravure (produits des réactions chimiques) Si

27

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemple

Si

Si 3 N 4 SiO2

Si Si Si

Tranchée 28

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Gravure chimique & physique

29

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Gravure ionique Au temps…

Comment s’arrête une gravure sèche ?

Au temps et à la selectivité Gravure ionique A la DFA (détection de fin d’attaque) Gravure ionique Si 3 N 4 SiO 2 Si Si 3 N 4 SiO 2 p Si p = vitesse gravure x temps Si derive procédé  surgravure, sous gravure…adapté pour les gravure longues (t>>10s) Si 3 N 4 SiO 2 Si 3 N 4 SiO 2 Si Si molécules Critere de fin de gravure Si 3 N 4 SiO 2 Si p Ex : Gravure selective 1000:1 de Si3N4/SiO2 Si derive procédé  SiO2 se grave 1000 fois moins vite que Si 3 N 4 , donc p reste constant Molecules de SiO2 Si 3 N 4 SiO 2 p Si Ex : on arrête la gravure lorsque l’on detecte les premieres molécules de SiO 2 . Le temps n’intervient plus.

temps

30

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Gravure ionique

Les différents types de gravures sèches

Anisotrope Isotrope Gravure ionique Si 3 N 4 SiO 2 Si 3 N 4 SiO 2 Si Si Si 3 N 4 SiO 2 Si Si 3 N 4 SiO 2 Si

31

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemples de gravures usuelles

Si

Espece à graver DFA possible sur

SiO 2

Exemple

Gravure grille SiO2 Si3N4, Si Espaceurs Si3N4 Si SiGe (%Ge>20%) Si,SiO2 Espaceurs Tunnel enterré (SON)

32

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Nettoyage et Gravure Humide

  But : préparer une surface pour un dépôt, enlever des particules ou polymeres résiduel ou retirer de manière isotrope un matériau X Moyen : attaque chimique (liquide)

Nom Formule Utilisation

CARO (SPM) SC1 SC2 HF Acide Nitrique HF/H2O2 Acid Phosporique TMAH HF Dilué H2SO4/H2O2 NH4OH/H2O2/H2O HCl/H2O2/H2O HF 49% + H2O HNO3 (69%) HF (49%)+H2O2(30%)+eau H3PO4 (CH3)4NOH(3%) + eau + peroxyde HF/H2O Decontamination orgranique (eg. retrait resine) Decontamination particulaire (grave Si) Decontamination metallique Gravure SiO2 Decontamination organique et metaux lourds Empeche la decontamination metallique durant un nettoyage HF Gravure Si3N4 Gravure Si Gravure et decontamination particulaire

33

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemple : Principe du SC1

  Mélange de NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O pour un retrait de particules Mecanisme = Oxydation, gravure et repulsion – Oxydation du Si par H 2 O 2 – Gravure de la couche formée par les ions OH – Répulsion électrosatique des particules • Polarisation négative des particules et de la surface par les ions hydroxydes • Formation d’une couche de chage opposée dans le liquide • Ecran électrostatique particule Si H 2 O 2 Si SiO2 NH 4 OH Si H 2 O 2 + + + - + + + + + + + + + + ------------ Si Particule adsorbée Particule adsorbée Gravure SiO2

34

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

HF Dilué

Exemples et equipements

35

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemple de combinaison litho-gravure : La gravure grille

But: definir la grille du transitor

Litho Gravure Nettoyage CD grille

Poly-Si SiO 2 DFA Si Si

Gravure

Si

Nettoyage

Ex. : resine trop fine

CD grille

Si Si Si

36

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemple de gravure Grille

Poly-Si Si

37

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Implantation Ionique et Activation

38

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

courant Ex:PH3 PH+ P+ P++ ..

Spectro de masse

L’implantation Ionique : Principe

Contrôle l’energie des ions 2eme filtrage par fente Evite la contamination energetique et de dose Ou deceleration Mesure In-situ de la dose

39

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

L’implantation Ionique : Principe

  Objectif : definir les zones de dopants utilisée dans le fonctionnement du transistor Moyen : Implantation d’espece de type donneur ou accepteur sous forme d’ions accélérés par un champs électrique

Largeur à mi-hauteur



Rp 40

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Energie et dose des dopants usuels

Type d’implantation

Caisson n Caisson p Pre-dopage grille n+

Espèce

B, In As P Pre-dopage grille p+ B Extension SD n (LDD) Extension SD p (LDD) SD n (HDD) As B,BF2 SD p (HDD) As B Note : ordre de grandeur pour un transistor de longeur < 100 nm LDD = Lightly Doped Drain ; HDD = Heavy Doped Drain

Energie (keV)

100-200 100-200 10-30 3-5 0.5 - 2 10-30 2-5

Dose (at/cm²)

1 x10 12_ 4 x10 12 1 x10 12_ 4 x10 12 2 x10 15 – 5 x10 15 2 x10 15 – 5 x10 15 B: 0.5-2 ; BF2: 1 - 4 0.1 x10 15 – 5 x10 15 1 x10 15 – 5 x10 15 1 x10 15 – 5 x10 15

Remarques

0.1 x10 15 – 5 x10 15 Souvent appelé Ultra Low Energy (ULE)

41

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Exemple d’implantations typiques

As 1e15 1keV As 2e15 15keV P 6e13 20keV B 3e12 8keV X (nm)

42

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

ions resine Si

Pouvoir d’arrêt

43

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

L’activation des dopants

44

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les recuits d’activation et de diffusion

45

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Diffusion

46

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Conclusion

47

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Les « Combos » usuels

 Etapes de dépôts et d’oxydation thermique – Nettoyage  Dépôt  Mesure d’épaisseur (ellipsométrie)  Etapes de photo-lithographie/Gravure – Photo  mesure CD/overlay  matériaux servant à la DFA  gravure  mesure d’épaisseur du nettoyage résine  mesure CD   Etapes de gravure seule – Gravure  nettoyage résidus  mesure CD  mesure mat. DFA Etapes d’implantations – Lithographie  implantation  retrait resine  Etapes de recuit – Nettoyage  Four

48

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Chapitre 2 : Exemple de Filière Moderne

49

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Matériau de départ

Les tranches proviennent de fournisseurs sélectionnés  Un lingot est constitué à partir de silicium hautement purifié.

 Procédé Czochralski: croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres).

Principe de solidification dirigée à partir d'un germe monocristallin de petite taille. Matériau fondu à une température juste au-dessus du point de fusion, avec un gradient de température contrôlé.

Le germe est placé dans une « navette » suspendue au-dessus du liquide par une tige. Le liquide se solidifie sur le germe en gardant la même organisation cristalline (épitaxie) au fur et à mesure que l'on tire le germe vers le haut tout en le faisant tourner (à vitesse très lente).

L'opération se passe sous atmosphère neutre (argon ou azote) pour éviter l'oxydation.

 Des coupes transversales du lingot sont pratiquées pour former les tranches.

50

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Objectif

  Réaliser l’intégration complète d’une technologie CMOS avec 2 niveaux d’interconnexion Le schéma d’intégration peut être divisée en différents modules technologiques

Isolation

: définition des zones actives de Silicium et de l’isolation entre ces zones Definition des

caissons

n & p par implantation ionique Réalisation de la

grille

du transistor : oxide de grille et electrode de grille, puis gravure grille Définition des

extensions

de source et drain par implantation ionique Définition des

espaceurs

et des zones de sources et drain

Activation

des dopants

Silicuration

des sources/drains Réalisation des

contacts

Premier niveau de

metallisation Connexion

vers 2ieme niveau de métallisation Deuxième niveau de

metallisation 51

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

contact

Vue Générale du MOSFETs réel

Électrode de grille espaceurs contact Lg source X S/D extension source L Diff X ext 

L

2 L 

L

canal 2 Isolation latérale drain extension drain Oxyde de grille T ox siliciure

52

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

1 Module d’Isolation (STI, Shallow Trench Isolation)

53

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Silicium Nettoyage, HF+RCA Oxydation thermique (SiO 2 « padox »), 7nm Dépôt Nitrure (Si 3 N 4 ), 100nm Dépôt TEOS (SiO2) Masque dur, 50nm

54

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Photo-lithographie zone active (masque active) Résine Résine Gravure zone active (profondeur ~ 3000A) Elimination Résine

55

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Nettoyage (HFRCA) Oxydation thermique des tranchée Remplissage des tranchées par oxide « HDP » Recuit de densification de l’oxide (permet une meilleur tenue aux nettoyages par la suite)

56

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Planarisation de l’oxyde avec arrêt sur nitrure Gravure Humide du nitrure, puis de de l’oxide

57

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

2 Définition des Caissons n & p

58

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Oxydation thermique (9nm) dites « Sacox » : oxyde sacrificiel servant a protéger la surface lors des implantations caissons Photo Caisson n (canal du pMOS) : protège les zones nMOS Implantation profonde P (isolation) Implantation As pour réglage de la tension de seuil du pMOS Caisson n

59

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Elimination résine Photo Caisson p (canal du nMOS) : protège les zones pMOS Implantation profonde B (isolation) Implantation B/In pour réglage de la tension de seuil du nMOS Caisson p Elimination résine Recuit d’activation des dopants de caisson Caisson p Caisson n Caisson n

60

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

3 - Definition de la Grille du Transistor

61

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Nettoyage pour préparation de surface (HFRCA) Caisson p Oxidation thermique (1 2nm) : fabrication de l’oxyde de grille du transistor Caisson n Caisson p Caisson n

62

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Dépôt de l’electrode de grille (poly-silicium), ~ 100nm Caisson p Caisson n

63

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Photo-lithographie sur caisson n (pMOS) Pré-dopage grille nMOS : implantation P (règle le travail de sortie du poly silicium afin d’obtenir une tension de seuil acceptable (<0.5V) pour le nMOS Caisson p Caisson n

64

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Elimination résine -Photo-lithographie sur caisson p (nMOS) Pré-dopage grille pMOS : implantation B (règle le travail de sortie du poly silicium afin d’obtenir une tension de seuil acceptable (>-0.5V) pour le pMOS Elimination résine Poly n + Caisson p Poly p + Caisson n

65

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Dépôt masque dur TEOS (~ 50nm) - Photo-lithographie de grille (masque Grille), CD<100nm Poly n + Caisson p Poly p + Caisson n

66

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

gravure anistrope du masque dur et retrait résine Poly n + Poly p + Caisson p Poly n + Caisson n Gravure anisotrope du polysilicium avec arrêt sur oxyde de grille Poly p + Caisson p Caisson n

67

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-Retrait masque dur TEOS Poly n + Caisson p Poly p + Caisson n

68

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

4 – Extentions S/D

69

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

- Photolithographie (masque nLDD, protege la zone pMOS) -Implantation As Poly n + Caisson p Poly p + Caisson n

70

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Implantation B tilté (~ 25°) de poches de surdopage : renforce localement le dopage du canal. Efficace sur les petits transistors, négligeable sur les transistors longs.

retrait résine Poly n + Poly p + Caisson p Caisson n

71

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Extension n + Poly n + Poches p Caisson p Photo pLDD (protège les zones nMOS) - Implantation des extensions pMOS (B) Implantation As tilté (~ 25°) de poches de surdopage : renforce localement le dopage du canal. Efficace sur les petits transistors, négligeables sur les transistor longs.

retrait résine Extension p + Poly p + Poches n Caisson n

72

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

5 - Espaceurs

73

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Dépôt TEOS (~ 10nm) Dépôt Nitrure (~ 30nm)

74

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Gravure Anisotrope du Nitrure avec arrêt sur SiO2 - Desoxidation HFRCA

75

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

6 – S/D , recuit d’activation et Siliciure

76

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-Photo S/D N (protege pMOS) -Implantation SDN (As,P) -Photo S/D P (protege nMOS) -Implantation S/D P (B)

77

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Recuit d’activation des dopants Dépôt Métal pour Siliciuration

78

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Réaction de siliciuration, et retrait de metal en excès Depôt nitrure de la couche d’arrêt de gravure contact

79

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

7 - Contact et 1er niveau de Metallisation

80

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Depôt d’oxyde PMD (Pre Metal Dielectric)

81

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-Polissage Mecano-chimique (CMP)

82

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-Photo contact et gravure contact

83

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Depôt barriere TiN Depôt W

84

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-CMP W

85

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-Depot dielectrique (SiOC) -Photo Ligne 1 -Gravure 1 - Strip Resine Dépôt Cuivre

86

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

-CMP Cuivre

87

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011

Tranche de silicium

Une tranche est une coupe fine, généralement ronde, de matériau semi conducteur qui constitue le premier élément de production pour la fabrication des semi-conducteurs.

Une puce , c’est un circuit intégré unique ou un dispositif autonome sur une tranche de semi-conducteur.

Tranche puce Méplat Chemin de découpe

88

C.Fenouillet-Beranger; Techno des CI – PHELMA 2A 2011