Transcript 電晶體的接合面

電子學(含實習)
奪分寶典Ⅰ
第四章
雙極性接面電晶體
P4-4 圖4-3
E-B接面
空乏區
C-B接面
空乏區
基極(B)
電晶體的接合面
P4-7 圖4-5
電晶體截止模式的偏壓方式
E-B接面
空乏區
B-C接面
空乏區
P4-8 圖4-7
電晶體主動模式的偏壓方式
E-B接面
空乏區
B-C接面
空乏區
P4-9 圖4-8
電晶體主動模式 E-B接面加上順向偏壓
E-B接面
空乏區
B-C接面
空乏區
P4-10 圖4-11
電晶體飽和模式的偏壓方式
E-B接面
空乏區
B-C接面
空乏區
P4-11 圖4-12
電晶體飽和模式下,基及內載子濃度分布狀態
E-B接面
空乏區
B-C接面
空乏區
P4-11 圖4-13、4-14
A、Bㄧ起上升
濃度差不變
濃度差
E-B接面
(濃度高)
B-C接面
(濃度低)
接面位置
(順向偏壓) (順向偏壓)
兩個接面的載子濃度差分布圖
E-B接面
(濃度高)
B-C接面
(濃度低)
(順向偏壓) (順向偏壓)
基極電流提高時,兩個接面的
載子濃度差分布圖
P4-12 圖4-16
由VCE—IC 特性曲線觀察電晶體的放大區域
電晶體的三種放大組態
P4-15 圖4-17
共基極型(Common Base : C˙B型)
範例
NPN型的偏壓方式
電晶體的三種放大組態
P4-16 圖4-19
共射極型(Common Emitter : C˙E型)
範例
NPN型的偏壓方式
電晶體的三種放大組態
P4-17 圖4-21
共集極型(Common Collector : C˙C型)
範例
NPN型的偏壓方式
P4-20 圖4-25
共基極型(CB型)的輸出電流
IC =αIE +ICBO
P4-20 圖4-26
共射極型(CE型)的輸出電流
IC =βIB +ICEO
IC =βIB +(1+β)ICBO
P4-30 圖4-29、4-30
電晶體 輸入V-I 特性曲線測量
P4-31 圖4-31、4-32
電晶體 輸出V-I 特性曲線測量
瞄點法
P4-31 圖4-33、4-34
電晶體 輸出V-I 特性曲線測量
X-Y 模式測量法